JP4269460B2 - 面実装型半導体スイッチ素子の実装構造 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、面実装型半導体スイッチ素子の実装構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造について説明する。図24、図25は、面実装型半導体スイッチ素子が用いられる電源装置を示しており、図24はそのブロック構成を、図25はその詳細回路構成を示している。図24、図25において、電源装置は交流電源ACと、交流直流変換部であるAC−DC変換部1と、直流直流変換部であるDC−DC変換部2と、直流交流変換部であるDC−AC変換部3と、負荷部4にて構成される。
【0003】
AC−DC変換部1は、ラインフィルターLF1、コンデンサC1からなるフィルター回路(電源帰還ノイズ低減用)およびダイオードD1〜D4からなる整流回路にて構成され、交流電源ACからの交流電圧を入力し直流電圧に変換して出力する。
【0004】
DC−DC変換部2は、スイッチ素子Q1、チョークコイルL1、ダイオードD5、コンデンサC2、スイッチ素子Q1をオンオフ制御する制御回路5からなる昇圧チョッパ回路、および電圧平滑用素子である平滑コンデンサC3からなる平滑回路にて構成され、AC−DC変換部1から出力される直流電圧を入力し、所定電圧値の直流電圧に昇圧して出力する。
【0005】
DC−AC変換部3は、直列接続されたスイッチ素子Q12,Q13と、スイッチ素子Q12,Q13をオンオフ制御する制御回路6と、制御回路6からの信号を入力しスイッチ素子Q12,Q13を交互にオンオフ駆動させるドライバ回路7と、スイッチ素子Q12,Q13のオンオフ動作によって生成される高周波の直流電圧を高周波の交流電圧に変換するコンデンサC4とで構成され、DC−DC変換部2から出力される直流電圧を入力し、高周波の交流電圧を出力する(ハーフブリッジ式インバータ回路)。尚、図25中、スイッチ素子Q12,Q13に付しているD,S,Gはそれぞれドレイン端子、ソース端子、ゲート端子を表している。
【0006】
負荷部4は、チョークコイルL2、コンデンサC5からなる直流共振回路と、コンデンサC5に並列接続される蛍光灯負荷LAMPにて構成され、DC−AC変換部3から出力される高周波の交流電圧を入力し、上記直流共振回路の共振作用により発生する高周波高電圧を蛍光灯負荷LAMPに出力し、蛍光灯負荷LAMPが点灯動作する。
【0007】
上記スイッチ素子Q1,Q12,Q13は、一般的に半導体スイッチ素子なる電界効果トランジスタ(FET)が用いられ、DC−AC変換部3のスイッチ素子Q12,Q13に用いる際は、FETのドレイン端子−ソース端子間の寄生ダイオードを積極的に使用することによる部品点数の削減が図れる。
【0008】
このスイッチ素子Q12,Q13の直列回路のうち、スイッチ素子Q12のドレイン端子Dは、平滑コンデンサC3の出力VDCに接続され、スイッチ素子Q13のソース端子SはグランドGNDに接続され、スイッチ素子Q12のソース端子Sとスイッチ素子Q13のドレイン端子Dが接続される。スイッチ素子Q12,Q13が交互にオンオフ動作することにより、スイッチ素子Q12のソース端子Sとスイッチ素子Q13のドレイン端子Dの接続経路には、高周波の直流パルス電圧が発生する。
【0009】
この接続経路は中性点と呼ばれ、高周波の電圧変化に伴う高周波の大電流が流れる経路であり、輻射雑音を発生する原因となる。また、この高周波の大電流は上記制御回路5,6のような弱電回路部の誤動作を引き起こす原因となるため、プリント基板にスイッチ素子Q12,Q13を実装設計する際には、中性点のパターン配線を極力短くすることが有効であると知られている。
【0010】
このスイッチ素子Q12,Q13は、部品の小型化や、プリント基板の小型化、薄型化のため、図26(a)の上面図、(b)の側面図に示すような面実装型(チップ実装型)のものが用いられる。図26に示すようにスイッチ素子Q12,Q13はそれぞれ一端側にドレイン端子Dが他端側にソース端子Sおよびゲート端子Gが設けられている。
【0011】
このスイッチ素子Q12,Q13をプリント基板上に実装したときの実装状態を図27に示す。スイッチ素子Q12,Q13はそれぞれゲート端子G(あるいはソース端子S)が形成されている向き(矢印P)が同一となるように、すなわち各スイッチ素子Q12,Q13の実装向きが同一となるように実装され、さらにスイッチ素子Q12,Q13のそれぞれがP方向と直交する方向に並んで実装されている。尚、図27において、スイッチ素子Q12のドレイン端子Dは電源パターンVDに接続され、スイッチ素子Q13のソース端子SはグランドパターンGDに接続されており、スイッチ素子Q12のソース端子Sとスイッチ素子Q13のドレイン端子Dは中性点パターンMで接続されている。
【0012】
また他の従来例として、面実装型の半導体スイッチ素子をプリント基板に実装し、ケースとケース蓋内に配設した状態を図30、図31に示す。図30、図31において、プリント基板50の裏面側(図中下面側)には面実装型のスイッチ素子Q10(チップFET)が実装されており、プリント基板50はケース51およびケース蓋52内に配設されている。
【0013】
図30においては、このスイッチ素子Q10の実装側とケース51との間の空間全体に放熱部材53が充填され、スイッチ素子Q10の発熱を放熱部材53により分散させて放熱を行っている。また、図31においては、スイッチ素子Q10の表面とケース51とを放熱部材54を介して接触させることにより、スイッチ素子Q10の発熱を、放熱部材54を介してケース51へ放熱している。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図27に示すように各スイッチ素子Q12,Q13が、それぞれの実装向きが同一となるように実装され、さらにスイッチ素子Q12,Q13のそれぞれがP方向と直交する方向に並んで実装される場合は、スイッチ素子Q12のソース端子Sからスイッチ素子Q13のドレイン端子Dへ中性点パターンMを引き回す必要があり、その距離が長くなるため、輻射雑音を発生する原因および弱電回路部の誤動作を引き起こす原因となる。
【0015】
また、図28に示すように、各スイッチ素子Q12,Q13が、それぞれの実装向きが同一となるように実装され、さらにスイッチ素子Q12,Q13のそれぞれがゲート端子G(あるいはソース端子S)の形成される向き(矢印P1)に並んで実装される場合は、中性パターンMの引き回しは回避できるが、スイッチ素子Q12,Q13はそれぞれ端子の形成される向きに並んで実装されているため、その並ぶ向き(矢印P1)への長さが大きくなる。その並ぶ向きがプリント基板PT51の幅方向(E11)である場合、プリント基板PT51の幅方向の寸法が大きくなり、プリント基板PT51が大型化する問題がある。一方、図29に示すように、スイッチ素子Q12,Q13の並ぶ向きがプリント基板PT51の長手方向(E12方向)である場合は、その長手方向の寸法が大きくなり、やはりプリント基板PT51が大型化する問題がある。
【0016】
特開平9−148079には、チョッパ回路のスイッチ素子とインバータ回路のスイッチ素子をプリント基板へ実装する際の実装位置に関しての発明が開示されているが、そのスイッチ素子の実装の向きについては記載されていない。
【0017】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、プリント基板の配線パターンの引き回し回避による輻射雑音の低減、弱電回路部の誤動作防止、プリント基板の小型化を図った面実装型半導体スイッチ素子の実装構造を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1の発明は、交流電源と、前記交流電源からの交流電圧を直流電圧に変換する交流直流変換部と、前記交流直流変換部からの直流電圧を所定電圧値の直流電圧に変換する直流直流変換部と、前記直流直流変換部からの直流電圧を高周波の交流電圧に変換する直流交流変換部と、前記高周波の交流電圧により動作する負荷部とを有する電源装置の前記直流交流変換部に備えられ、夫々が直列接続される少なくとも2個の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造であり、各面実装型半導体スイッチ素子のいずれか一方のプリント基板上への実装向きが他方の実装向きと異なるように実装されることを特徴とする。
【0019】
請求項1の発明によれば、各面実装型半導体スイッチ素子間の配線パターンの引き回しを回避して、輻射雑音の低減を図るとともに弱電回路部の誤動作を防止することができ、また、上記配線パターンの引き回しを回避するために、各面実装型半導体スイッチ素子を端子の形成方向に並べる必要がなくなり、プリント基板の小型化を図ることができる。
【0020】
また、請求項2の発明は、請求項1記載の発明において、前記直列接続される少なくとも2個の面実装型半導体スイッチ素子のそれぞれが、前記プリント基板上に設けられた前記電源装置の電源パターンおよびグランドパターンの形成方向と直交方向に間隔をあけてプリント基板上に実装されることを特徴とする。
【0021】
請求項2の発明によれば、電源パターンとグランドパターンとの間隔が広くなるので、各パターン間に実装される実装部品を上記各パターンと接続するパターンの引き回しを回避でき、輻射雑音の低減を図ることができるとともに、弱電回路部の誤動作を防止できる。
【0022】
また、請求項3の発明は、請求項1又は請求項2に記載の発明において、前記直列接続される少なくとも2個の面実装型半導体スイッチ素子の少なくとも1個には輻射雑音低減回路が並列接続され、前記輻射雑音低減回路は、前記プリント基板上の前記各面実装型半導体スイッチ素子の間部に実装されることを特徴とする。請求項3の発明によれば、各面実装型半導体スイッチ素子と輻射雑音低減回路を接続する配線パターンを短くすることができ、輻射雑音を低減することができるとともに、弱電回路部の誤動作を防止することができる。
【0023】
また、請求項4の発明によれば、請求項1から請求項3のいずれかに記載の発明において、前記面実装型半導体スイッチ素子は、端子の形成方向がプリント基板の長手方向に対して垂直方向になるようにプリント基板上に実装されることを特徴とする。請求項4の発明によれば、通常プリント基板の長手方向に形成される電源パターンおよびグランドパターンと面実装型半導体スイッチ素子を接続する配線パターンの引き回しを少なく抑えることができ、輻射雑音を低減することができるとともに、弱電回路部の誤動作を防止することができる。
【0024】
また、請求項5の発明によれば、請求項1から請求項4のいずれかに記載の発明において、前記直流直流変換部は少なくとも1個の面実装型半導体スイッチ素子を備え、それの前記プリント基板上での実装向きは前記直流交流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子のいずれか一方の前記プリント基板上での実装向きと同じであることを特徴とする。
【0025】
請求項5の発明によれば、直流交流変換部の面実装型半導体スイッチ素子のいずれか一方を、電源装置の電源パターンあるいはグランドパターンと接続する配線パターンの引き回しが少なくなるように実装したとき、直流直流変換部の面実装型半導体スイッチ素子についても電源パターンあるいはグランドパターンと接続する配線パターンの引き回しが少なくすることが可能となり、輻射雑音を低減することができるとともに、弱電回路部の誤動作を防止することができる。
【0026】
また、請求項6の発明は、請求項5の発明において、前記直流交流変換部に備えられた各面実装型半導体スイッチ素子の前記プリント基板上での実装間隔を、前記直流直流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子と前記直流交流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子との前記プリント基板上での実装間隔よりも短くするとともに、前記直流直流変換部は電圧平滑用素子を備え、前記電圧平滑用素子と、前記直流交流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子との前記プリント基板上での実装間隔を、前記電圧平滑用素子と、前記直流直流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子との前記プリント基板上での実装間隔よりも短くすることを特徴とする。請求項6の発明によれば、通常、流れる電流量が多くなる直流直流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子からの直流交流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子や電圧平滑用素子への熱影響を低く抑えることができる。
【0027】
また、請求項7の発明は、請求項1から請求項6のいずれかに記載の発明において、前記直流交流変換部は、少なくとも2個の直列接続される面実装型半導体スイッチ素子を少なくとも2組以上備え、少なくとも1組は、いずれか一方のプリント基板上への実装向きが他方の実装向きと異なるように実装されることを特徴とする。請求項7の発明によれば、直流交流変換部が、少なくとも2個の直列接続される面実装型半導体スイッチ素子を少なくとも2組以上備えた場合においても、請求項1から請求項6と同様の効果が得られる。
【0028】
また、請求項8の発明は、交流電源と、前記交流電源からの交流電圧を直流電圧に変換する交流直流変換部と、前記交流直流変換部からの直流電圧を所定電圧値の直流電圧に変換する直流直流変換部と、前記直流直流変換部からの直流電圧を高周波の交流電圧に変換する直流交流変換部と、前記高周波の交流電圧により動作する負荷部とを有する電源装置の前記直流直流変換部および前記直流交流変換部のそれぞれに少なくとも1個ずつ備えられた面実装型半導体スイッチ素子の実装構造であり、それぞれの端子の形成方向がプリント基板の長手方向に対して垂直方向となるとともに、それぞれの実装向きが同一となるようにプリント基板に実装されることを特徴とする。請求項8の発明によれば、直流直流変換部および直流交流変換部のそれぞれに少なくとも1個ずつ備えられた面実装型半導体スイッチ素子と、通常、プリント基板の長手方向に形成される電源パターンおよびグランドパターンとを接続する配線パターンの引き回しを少なくすることが可能となり、輻射雑音を低減できるとともに、弱電回路部の誤動作を防止することができる。
【0029】
また、請求項9の発明は、請求項1から請求項8のいずれかに記載の発明において、前記面実装型半導体スイッチ素子は、両端電圧が100V以上であり、流入電流が0.5A以上の定格値を有する電界効果トランジスタであることを特徴とする。請求項9の発明によれば、請求項1から請求項8の場合と同様の効果が得られる。
【0030】
また、請求項10の発明は、請求項1から請求項9のいずれかに記載の発明において、前記負荷部は、蛍光灯負荷を備えていることを特徴とする。請求項10の発明によれば、負荷部が蛍光灯負荷を備えている場合においても、請求項1から請求項9の場合と同様の効果が得られる。
【0031】
また、請求項11の発明は、請求項10記載の発明において、前記面実装型半導体スイッチ素子が照明器具の周縁部に位置するように前記プリント基板を照明器具内に配設することを特徴とする。請求項11の発明によれば、面実装型半導体スイッチ素子が温度の低い照明器具の周縁部に位置することで、面実装型半導体スイッチ素子の放熱効果が向上する。
【0032】
また、請求項12の発明は、請求項11記載の発明において、前記プリント基板の基板面と前記照明器具の本体の一部が接触するように前記プリント基板を前記照明器具内に配設することを特徴とする。請求項12の発明によれば、面実装型半導体スイッチ素子からの発熱がプリント基板より照明器具の本体の一部に放熱されるため、面実装型半導体スイッチ素子の放熱効果が向上する。
【0033】
【発明の実施の形態】
(実施形態1)
図面を用いて面実装型半導体スイッチ素子の実装構造を説明する。図2は、面実装型半導体スイッチ素子が用いられる電源装置の構成を示した回路図であり、図25に示す従来例と同じものには同じ符号を付しその説明を省略する。従来例では図25に示すDC−AC変換部3の直列接続されたスイッチング素子Q12,Q13のプリント基板への実装向きが同一であるのに対して、本実施形態では図2に示すDC−AC変換部3の直列接続されたスイッチング素子Q2,Q3のプリント基板への実装向きが異なる。
【0034】
本実施形態においては、図1に示すように、スイッチング素子Q2,Q3のどちらか一方を、他方に対して180度回転させて実装向きが異なるようにプリント基板上に実装している。すなわち、スイッチ素子Q2のソース端子Sおよびグランド端子Gが形成されている向き(矢印F2)と、スイッチ素子Q3のソース端子Sおよびグランド端子Gが形成されている向き(矢印F3)が180度反対側になるように実装している。また、スイッチ素子Q2,Q3は各端子の形成方向と直交方向(C方向)に並んで近接配置されている。そして、スイッチ素子Q2のドレイン端子Dは、端子の形成方向と直交する方向に設けられた電源パターンVDと接続され、スイッチ素子Q3のソース端子Sは端子の形成方向と直交する方向に設けられたグランドパターンGDと接続されている。
【0035】
このように、スイッチ素子Q2,Q3が互いに実装向きが異なるようにプリント基板上に実装されているため、スイッチ素子Q2のソース端子Sとスイッチ素子Q3のドレイン端子を接続する中性点パターンMは引き回すことなく一直線となりその距離も短くなる。よって、輻射雑音の低減および制御回路5,6などの弱電回路部の誤動作防止が図れる。さらに、中性点パターンMの引き回しを回避するために、図28、図29で示した従来例のように、各スイッチ素子Q12,Q13を端子の形成方向に並べて配置する必要もないので、プリント基板の幅方向や長手方向にプリント基板が大きくなることもない。
【0036】
また図1では、スイッチング素子Q2,Q3のそれぞれを、一方を他方に対して180度回転させた位置に実装しているが、互いの実装向きが異なり、中性点パターンMが短くなるように近接配置されておれば、各スイッチ素子Q2,Q3の実装向きはこの限りではなく、例えば図3に示すように、スイッチング素子Q2をスイッチ素子Q3の実装向きに対して時計回りに90度回転させて配置しても同様の効果が得られる。
【0037】
また、図1ではスイッチ素子Q2,Q3のそれぞれが、端子の形成方向と直交方向(C方向)に並んで実装されているが、図4に示すように、それぞれのスイッチ素子Q2,Q3がC方向に並んでおらず、電源パターンVDとグランドパターンGDの形成方向と直交する方向(F4方向)に間隔をあけて実装するようにしても、中性点パターンMを引き回す必要がなく、その距離を短くすることが可能である。
【0038】
さらにこのように間隔を開けることで、スイッチ素子Q2のドレイン端子Dに接続される電源パターンVDと、スイッチ素子Q3のソース端子Sに接続されるグランドパターンGDの間隔を広くすることができ、電源パターンVDとグランドパターンGDの間に配置される部品、例えば図2に示される平滑コンデンサC3についても、電源パターンVDやグランドパターンGDと接続するパターンの引き回しをする必要が無くなる。よって、より輻射雑音の低減を図ることができ、制御回路5,6などの弱電回路部の誤動作防止を図ることができる。
【0039】
図1、図3、図4に示す各例において、図5に示すように、長細形のプリント基板PTの長手方向(E1方向)に対して各スイッチ素子Q6の端子の形成方向(F方向)が直交するように、各スイッチ素子Q6がプリント基板PTに実装されるのが望ましい。尚、図3においては、一方のスイッチ素子Q3を、端子の形成方向がプリント基板PTの長手方向に直交するように実装する。このように実装することで、通常、プリント基板PTの長手方向に沿って形成される電源パターンおよびグランドパターンと各スイッチ素子との接続パターンの引き回しを少なくすることができる。
【0040】
尚、図6に示すようにプリント基板PT1が長細形であり、途中でくの字に曲がっている場合も、その長手方向(E1、E2方向)に対して、それぞれ端子方向(F、G方向)が直交するように各スイッチ素子Q6が実装されるのがよい。
【0041】
(実施形態2)
図7は、面実装型半導体スイッチ素子が用いられる他の電源装置の構成を示した回路図であり、図2と異なる点は、図7ではスイッチ素子Q2,Q3の各ドレイン端子−ソース端子間に、輻射雑音低減回路(スイッチングノイズ低減回路)であるスナバ回路に相当するスナバコンデンサC6,C7がそれぞれ並列接続されている点である。
【0042】
このスナバ回路は、スイッチ素子Q2,Q3のスイッチング時に発生する急峻な電流変動を抑制して、輻射雑音低減に有効に働く。しかしながら、各スイッチ素子とスナバ回路のループには急峻な電流が流れるため、このループが大きくなると逆にこのループが輻射雑音の発生源となってしまう。そこで本実施形態では、各スイッチ素子Q2,Q3の実装位置は図4と同様であるが、さらに図8に示すように、各スイッチ素子Q2,Q3のC方向の間部にスナバコンデンサC6,C7が実装されている。
【0043】
これにより、各スイッチ素子Q2,Q3とスナバ回路であるスナバコンデンサC6,C7からなるループを小さくすることができ、輻射雑音の低減および弱電回路部の誤動作防止が図れる。また、中性点パターンMを短くでき輻射雑音の低減ができる点および、制御回路5,6などの弱電回路部の誤動作防止が図れる点、プリント基板の小型化が図れる点は実施形態1と同様である。
【0044】
尚、本実施形態では、スナバ回路としてスナバコンデンサC6,C7で構成しているが、スナバ回路が各スイッチ素子Q2,Q3間に実装されるのであればスナバ回路の構成や数はこの限りではない。
【0045】
(実施形態3)
次に、本発明の実施形態3を説明する。図9は、面実装型半導体スイッチ素子が用いられるさらに他の電源装置の構成を示した回路図であり、図10に面実装型半導体スイッチ素子の実装状態を示す。
【0046】
図9ではDC−AC変換部3と負荷部4の構成が図2と異なる。すなわち、図9では、DC−DC変換部2の両端にスイッチ素子Q2,Q3の直列回路およびスイッチ素子Q4,Q5の直列回路の計2組の直列回路が接続されたフルブリッジ回路が設けられたDC−AC変換部3Aを備えている。そして、新たに追加されたスイッチ素子Q4,Q5は制御回路6からの信号を受けて駆動するドライバ回路7Aによりオンオフ駆動される。また、図2では負荷部4がスイッチ素子Q2とスイッチ素子Q3の中性点に接続されたコンデンサC4とスイッチ素子Q3のソース端子との間に接続されているのに対して、図9では、負荷部4がスイッチ素子Q2とスイッチ素子Q3の中性点に接続されたコンデンサC4と、スイッチ素子Q4とスイッチ素子Q5の接続点(中性点)との間に接続されている。
【0047】
このように構成された電源装置は、制御回路6からの信号を受けて、ドライバ回路7によってスイッチ素子Q2,Q3が交互にオンオフ駆動され、またドライバ回路7Aによってスイッチ素子Q4,Q5が交互にオンオフ駆動される。そして、スイッチ素子Q2とスイッチ素子Q5、およびスイッチ素子Q3とスイッチ素子Q4がそれぞれ同期してオンオフ動作し、この動作によって負荷部4の両端に高周波電圧を発生させる。
【0048】
ここで図10に、面実装型のスイッチ素子Q2,Q3,Q4,Q5のプリント基板への実装状態を示す。図において、スイッチ素子Q2のドレイン端子Dが電源パターンVDに接続され、ソース端子Sは中性点パターンMによりスイッチ素子Q3のドレイン端子Dと接続されており、スイッチ素子Q3のソース端子SはグランドパターンGDに接続されている。一方、スイッチ素子Q4のドレイン端子Dは電源パターンVDと接続され、ソース端子Sは中性点パターンMによりスイッチ素子Q5のドレイン端子Dと接続されており、スイッチ素子Q5のソース端子Sはグランド端子GDと接続されている。また、離れた電源パターンVD同士はジャンパ線Jにより接続されている。
【0049】
スイッチ素子Q2とスイッチ素子Q3、スイッチ素子Q4とスイッチ素子Q5はそれぞれ、図1、図4で示したように、端子の形成方向が180度反対側となっており異なっている。そのために、それぞれの中性点パターンMを短くすることが可能となり、実施形態1で説明したものと同様の効果を有する。また、本実施形態は、実施形態1に比べてスイッチ素子の数が増えているため、輻射雑音や上記弱電回路部の誤動作が増加してしまうが、上記構成とすることでその効果はより一層発揮される。
【0050】
(実施形態4)
次に、本発明の実施形態4を説明する。図11は、図2に示した電源装置をプリント基板上に実装したときの実装状態を示した図である。図11において、AC−DC変換部1に、互いに平行に形成された電源パターンVDとグランドパターンGDが接続されている。この電源パターンVDには、ダイオードD5、チョークコイルL1が、電源パターンVDの形成方向と平行となるように接続されている。また、電源パターンVDとグランドパターンGDの間部にはそれと直交方向に設けられたコンデンサC2と平滑コンデンサC3が接続されており、電源パターンVDおよびグランドパターンGDを引き回すことなくコンデンサC2や平滑コンデンサC3の実装されている。
【0051】
そしてまた、DC−DC変換部2のスイッチ素子Q1のドレイン端子Dが電源パターンVDに接続され、ソース端子SがグランドパターンGDに接続されている。さらに、電源パターンVDにスイッチ素子Q2のドレイン端子Dが接続され、グランドパターンGDは、スイッチ素子Q3のソース端子Sと接続されるとともに、負荷部4に接続されている。そして、スイッチ素子Q2のソース端子Sとスイッチ素子Q3のドレイン端子Dとが中性点パターンMにより接続されて、さらに負荷部4に接続されている。
【0052】
ここで、DC−AC変換部3のスイッチ素子Q2,Q3の実装位置は図4と同様であり、スイッチ素子Q2,Q3は互いに180度回転した位置に実装されている。さらにこのスイッチ素子Q2,Q3を、その端子の形成方向が、電源パターンVDおよびグランドパターンGDの形成方向と直交するように実装しており、スイッチ素子Q2,Q3と接続するための電源パターンVDおよびグランドパターンGDの引き回しを少なくしている。
【0053】
また、スイッチ素子Q1とスイッチ素子Q3は、互いに同一向きとなるように実装され、すなわちスイッチ素子Q2は、スイッチ素子Q1,Q3に対して180度回転した向きとなるように実装されている。ここで、実装される向きとは、各スイッチ素子Q1,Q2,Q3において、ソース端子S(あるいはゲート端子G)の形成されている向きをさしており、スイッチ素子Q1,Q3においては矢印F10で、スイッチ素子Q2においては矢印F11で示される。
【0054】
このように、スイッチ素子Q1をスイッチ素子Q3と同一向きとなるように実装しているので、スイッチ素子Q1の端子の形成方向も電源パターンVDおよびグランドパターンGDと直交しており、スイッチ素子Q1と接続するための電源パターンVDおよびグランドパターンGDを引き回しも少なくすることができる。
【0055】
一般的にDC−DC変換部2のスイッチ素子Q1は、DC−AC変換部3のスイッチ素子Q2,Q3に対してそれに流れる電流量が多く、そのためスイッチングロスによる発熱量も多い。そこで、DC−AC変換部3のスイッチ素子Q2,Q3と、DC−DC変換部2のスイッチ素子Q1との実装間隔L11が、スイッチ素子Q2とスイッチ素子Q3の実装間隔L12より大きくなるように各スイッチ素子Q1,Q2,Q3を実装して、スイッチ素子Q1がスイッチ素子Q2,Q3に与える熱影響を低く抑えるようにするとともに、スイッチ素子Q2,Q3の中性点パターンMを短くして、輻射雑音の低減および上記弱電回路部の誤動作防止を図っている。
【0056】
また、電圧平滑用素子である平滑コンデンサC3は、スイッチ素子Q1とスイッチ素子Q2との間部に実装され、スイッチ素子Q1と平滑コンデンサC3の実装間隔L13が、スイッチ素子Q2と平滑コンデンサC3の実装間隔L14より大きくなる位置に実装されている。これにより、スイッチ素子Q1,Q2,Q3のうち特に発熱量の大きいスイッチ素子Q1からの平滑コンデンサC3への熱影響を低減している。
【0057】
尚、スイッチ素子Q2,Q3の実装位置は、図4と同様であるため、それと同様の効果が得られることは言うまでもない。
【0058】
(実施形態5)
次に、本発明の実施形態5を説明する。図12は、図9に示した電源装置をプリント基板上に実装したときの実装状態を示した図であり、AC−DC変換部1、コンデンサC2、チョークコイルL1、ダイオードD5、平滑コンデンサC3、スイッチ素子Q1の実装状態は左右逆になっているが図11と同様であり、スイッチ素子Q2〜Q5と負荷部4による実装部Sは図10で示した実装状態と同様であり、図10の場合と同様の効果を有している。
【0059】
また図12では、DC−AC変換部3Aのスイッチ素子Q2〜Q5のうちスイッチ素子Q3,Q5の実装向きが、DC−DC変換部2のスイッチ素子Q1の実装向きと同じになるように実装されており、図11で説明したのと同様、電源パターンVDとグランドパターンGDの引き回しが少なくなるようにしている。
【0060】
(実施形態6)
次に、本発明の実施形態6を説明する。図13は本実施形態における電源装置の構成を示す回路図であり、図2では平滑コンデンサC3の両端にスイッチ素子Q2,Q3の直列回路が接続されているのに対して、図13では平滑コンデンサC3の両端にチョークコイルL3とスイッチ素子Q3の直列回路が接続され、さらに図13ではスイッチ素子Q3の両端に並列にコンデンサC6が接続されている。
【0061】
図13において、スイッチ素子Q3、コンデンサC4、ドライバ回路7、制御回路6によりDC−AC変換部3Bが構成され、コンデンサC5,C6、チョークコイルL2,L3、蛍光灯負荷LAMPにて負荷部4Aが構成される。そして、制御回路6、ドライバ回路7にてスイッチ素子Q3をオンオフ制御し、チョークコイルL2,L3、コンデンサC4,C5,C6からなる共振回路の共振作用により蛍光灯負荷LAMPに高周波高電圧を供給する一石式インバータ構成となっている。
【0062】
図13に示した電源装置のプリント基板への実装状態を図14に示す。図14において、AC−DC変換部1、コンデンサC2、チョークコイルL1、ダイオードD5、平滑コンデンサC3、スイッチ素子Q1、負荷部4、スイッチ素子Q3の実装状態は図11と同様であるが、図14ではスイッチ素子Q3のドレイン端子DとダイオードD5の間に、チョークコイルL3が実装されている点が図11と異なる。
【0063】
本実施形態では、スイッチ素子Q1とスイッチ素子Q3の実装向きは図11と同様に同一であり、スイッチ素子Q1の端子の形成方向がスイッチ素子Q3の端子の形成方向と同様に、プリント基板の長手方向に形成される電源パターンVDおよびグランドパターンGDと直交している。そのために、スイッチ素子Q1およびスイッチ素子Q3と接続するための電源パターンVDおよびグランドパターンGDの引き回しも少なくすることができ、輻射雑音の低減および上記弱電回路部の誤動作防止が可能となる。
【0064】
(参考例1)
次に、面実装型半導体スイッチ素子の放熱構造について説明する。図15は、面実装型半導体スイッチ素子のプリント基板への実装状態を示しており、(a)は平面図、(b)は側面図である。なお、図15(a)はケース本体を省略した状態を示している。
【0065】
図15において、実施形態1〜6で示したスイッチ素子Q1〜Q5などの面実装型半導体スイッチ素子Q(以下、スイッチ素子Qという)がプリント基板PT11の基板面A1上に実装されている。また、プリント基板PT11の基板面(半田面)A1上に、スイッチ素子Qの近傍に(図15では密着して)放熱部材15が配設されている。スイッチ素子Qが発熱すると、その熱はプリント基板PT11に伝導し、その伝導熱を放熱部材15により放熱して、スイッチ素子Qの放熱を促している。
【0066】
このときの放熱効率は、放熱部材15と被放熱物との密着度合いによって変化するが、被放熱物が図15に示すように平面状のプリント基板であれば、密着度合いも高く、かつ、図31の従来例のように面実装型半導体スイッチ素子に直接放熱部材を密着させて、面実装型半導体スイッチ素子の発熱を密着部分より放熱部材へ伝導させ放熱させる場合に比べて、被放熱物であるプリント基板と放熱部材の密着面積を大きくすることができるため、図30の従来例に示すように空間全体に放熱部材を充填させるような構造にしなくても、充分大きな放熱効果を得ることができる。さらに、プリント基板の基板面上に放熱部材を配設することで、図30、図31の従来例に比べて薄型化が図れる。
【0067】
また、図15(b)に示すように、放熱部材15をさらにケース本体16に密着させることで、スイッチ素子Qの発熱はケース本体16に伝導されるため、より放熱効率は向上する。
【0068】
さらに、図16(a)(b)に示すように、放熱部材15をプリント基板PT11の基板面A1上における銅箔部(パターン部)17の設けられた場所に配設するのが望ましい。銅箔部17の設けられた場所は、銅箔部17の設けられていない場所に比べて熱伝導率が高く放熱効果が向上するからである。
【0069】
また図17は、複数個の面実装型半導体スイッチ素子がプリント基板に実装されている場合の放熱構造を示した側面図である。図17において、プリント基板PT21の裏面(図中下面)に面実装型半導体スイッチ素子Q21,Q22,Q23(以下、スイッチ素子Q21,Q22,Q23という)が実装されている。また、プリント基板PT21の裏面には、各スイッチ素子Q21,Q22,Q23の近傍に放熱部材15A,15B,15Cがそれぞれ密着して配設されている。そして、各放熱部材15A,15B,15Cは一面がケース本体18に密着しており、放熱効果がより向上している。プリント基板PT21の表面には他の実装部品19が実装されており、ケース本体18の開口部はケース蓋20により覆われている。
【0070】
この場合も、スイッチ素子Q21,Q22,Q23の近傍に放熱部材15A,15B,15Cを配設して放熱させるようにすることで、従来例の図30に示すように、ケース全体に放熱部材を充填するものに比べて放熱部材の費用を抑えることができるとともに、放熱部材の取付作業性も良くなる上に同等の放熱効率を得ることができる。
【0071】
また、図15、図16では、プリント基板PT11のスイッチ素子Qが実装された基板面A1上に放熱部材15が配設されているのに対して、図18ではスイッチ素子Qと反対面(部品面)A2上の、スイッチ素子Qの近傍に放熱部材15が実装されている。この場合でも、スイッチ素子Qから発生する熱は、プリント基板PT11に伝導し、放熱部材15を介して放熱され、図15、図16と同様の効果が得られる。
【0072】
(参考例2)
次に、面実装型半導体スイッチ素子の放熱構造の参考例2について説明する。図11に示すように実装されたスイッチ素子Q1,Q2,Q3の放熱構造を図19に示す。図19(a)は平面図であり、(b)は側面図を示している。なお、図19(a)はケース本体を省略した状態を示している。図示したように、プリント基板PT12の基板面A11上にスイッチ素子Q1,Q2,Q3が実装されており、その基板面A11上におけるスイッチ素子Q1,Q2の間部にそれぞれに密着して放熱部材22が配設されている。また、放熱部材22は一面がケース本体23に密着して放熱効率を向上させている。
【0073】
このような放熱構造とすることで、スイッチ素子Q1,Q2の放熱部材を共用できるため、その費用を抑えることができるとともに、放熱部材の取付作業性も良くなる。尚、本参考例では、プリント基板PT12の面実装型半導体スイッチ素子Q1,Q2,Q3の実装された基板面A11である半田面に放熱部材22が配設されているが、スイッチ素子Q1,Q2の間部近傍であれば、基板面A11の反対面である部品面に放熱部材22が配設されても同様の効果が得られる。
【0074】
ここで、図11に示すように実装されたスイッチ素子Q1,Q2,Q3の他の放熱構造を図20に示す。図20(a)は平面図であり、(b)は側面図を示している。図20では、プリント基板PT12の基板面A11には図19と同様にスイッチ素子Q1,Q2,Q3が実装されており、その反対面A12上にはスイッチ素子Q1,Q2の間部に対応する位置に、図11で示した電圧平滑用素子なる平滑コンデンサC3が実装されている。
【0075】
この平滑コンデンサC3は、ぐらつき防止用の保持部材25にてプリント基板PT12に位置固定されている。この保持部材25は、スイッチ素子Q1,Q2,Q3の放熱部材の役割も兼用しており、費用の削減を図っている。
【0076】
ここで、上述した各実施形態及び各参考例における面実装型半導体スイッチ素子が実装されたプリント基板を照明器具内に収納した状態を図21に示す。図21(a)は上面図を、(b)は側面図を示している。図中上面に面実装型半導体スイッチ素子36(以下、スイッチ素子36という)が実装されたプリント基板30は、器具本体31および本体ケース32に収納され、本体ケース32外に配設された丸管蛍光灯33がセードカバー34にて覆われている。この丸管蛍光灯33は、上述した負荷部4の蛍光灯負荷LAMPの一例である。これら器具本体31、本体ケース32、丸管蛍光灯33、セードカバー34、プリント基板30を備えた照明器具は、天井直付け型(シーリング型)器具であり、器具の薄型化が要求される。
【0077】
このように構成される照明器具は、蛍光灯負荷LAMPが器具本体31とセードカバー34にて密閉されるため熱がこもる、天井直付け型のため天井吊り下げ型(ペンダント型)に比べて空気接触面積が小さい、あるいは薄型のものは器具内体積が小さくなるため器具内空気対流による放熱効果が少ない等の理由により、器具内の温度が高くなるという問題がある。
【0078】
しかし、上記スイッチ素子36は、上述した各実施形態及び各参考例で説明した実装構造や放熱構造を備えているため、プリント基板30の小型化や薄型化が図れるため、照明器具の小型化や薄型化が図れるとともに、器具内の温度が高くなる場合でも、上述した各参考例での放熱構造によりスイッチ素子36の温度低減による部品の信頼性及び寿命を確保できる。また、上述した各実施形態及び各参考例で述べた効果を有することは言うまでもない。
【0079】
なお、本実施形態及び参考例では、蛍光灯負荷LAMPとして丸管蛍光灯を用い、天井直付け型の器具形状の構成を示したが、上記各実施形態及び各参考例の構成を備えたプリント基板を搭載する照明器具であれば、その負荷の種類、器具形状は何でもよい。
【0080】
また、照明器具の各位置における温度分布は、図22(a)(b)の上面図、側面図に示すようになり、器具本体31の中央部B0から周縁部に向って、各位置B1,B2,B3,B4,B5の順で温度が低くなっている。すなわち、外気に近づくほど温度は低くなる。この温度が低くなる周縁部にスイッチ素子36の実装部38が位置するようにプリント基板30を照明器具内に配設して、さらに放熱効果を向上させている。
【0081】
図23は、プリント基板を照明器具内に配設する際の他の構成例を示しており、(a)は上面図、(b)は側面図である。図23において、図21と異なる点は、上面にスイッチ素子36が実装されたプリント基板30Aの下面が本体ケース32Aと接触している点である。図23(a)に示されるように、プリント基板30Aと本体ケース32Aの重なる部分の反対側の面にスイッチ素子36が実装されている。尚、器具本体31Aは、本体ケース32Aとともにプリント基板30Aを収納する。上述のように構成することで、スイッチ素子36の発熱が本体ケース32Aを介して器具本体31Aに伝熱されるため、さらに放熱効果を向上させることができる。
【0082】
なお、上記各実施形態及び各参考例で説明したスイッチ素子は、両端電圧が100V以上であり、流入電流が0.5A以上の定格値を有する電界効果トランジスタである。
【0083】
【発明の効果】
上記したように請求項1の発明は、交流電源と、前記交流電源からの交流電圧を直流電圧に変換する交流直流変換部と、前記交流直流変換部からの直流電圧を所定電圧値の直流電圧に変換する直流直流変換部と、前記直流直流変換部からの直流電圧を高周波の交流電圧に変換する直流交流変換部と、前記高周波の交流電圧により動作する負荷部とを有する電源装置の前記直流交流変換部に備えられ、夫々が直列接続される少なくとも2個の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造であり、各面実装型半導体スイッチ素子のいずれか一方のプリント基板上への実装向きが他方の実装向きと異なるように実装されるため、各面実装型半導体スイッチ素子間の配線パターンの引き回しを回避して、輻射雑音の低減を図るとともに弱電回路部の誤動作を防止することができ、また、上記配線パターンの引き回しを回避するために、各面実装型半導体スイッチ素子を端子の形成方向に並べる必要がなくなり、プリント基板の小型化を図ることができる。
【0084】
また、請求項2の発明は、請求項1記載の発明において、前記直列接続される少なくとも2個の面実装型半導体スイッチ素子のそれぞれが、前記プリント基板上に設けられた前記電源装置の電源パターンおよびグランドパターンの形成方向と直交方向に間隔をあけてプリント基板上に実装されるため、電源パターンとグランドパターンとの間隔が広くなるので、各パターン間に実装される実装部品を上記各パターンと接続するパターンの引き回しを回避でき、輻射雑音の低減を図ることができるとともに、弱電回路部の誤動作を防止できる。
【0085】
また、請求項3の発明は、請求項1又は請求項2に記載の発明において、前記直列接続される少なくとも2個の面実装型半導体スイッチ素子の少なくとも1個には輻射雑音低減回路が並列接続され、前記輻射雑音低減回路は、前記プリント基板上の前記各面実装型半導体スイッチ素子の間部に実装されるため、各面実装型半導体スイッチ素子と輻射雑音低減回路を接続する配線パターンを短くすることができ、輻射雑音を低減することができるとともに、弱電回路部の誤動作を防止することができる。
【0086】
また、請求項4の発明によれば、請求項1から請求項3のいずれかに記載の発明において、前記面実装型半導体スイッチ素子は、端子の形成方向がプリント基板の長手方向に対して垂直方向になるようにプリント基板上に実装されるため、通常プリント基板の長手方向に形成される電源パターンおよびグランドパターンと面実装型半導体スイッチ素子を接続する配線パターンの引き回しを少なく抑えることができ、輻射雑音を低減することができるとともに、弱電回路部の誤動作を防止することができる。
【0087】
また、請求項5の発明によれば、請求項1から請求項4のいずれかに記載の発明において、前記直流直流変換部は少なくとも1個の面実装型半導体スイッチ素子を備え、それの前記プリント基板上での実装向きは前記直流交流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子のいずれか一方の前記プリント基板上での実装向きと同じであるため、直流交流変換部の面実装型半導体スイッチ素子のいずれか一方を、電源装置の電源パターンあるいはグランドパターンと接続する配線パターンの引き回しが少なくなるように実装したとき、直流直流変換部の面実装型半導体スイッチ素子についても電源パターンあるいはグランドパターンと接続する配線パターンの引き回しが少なくすることが可能となり、輻射雑音を低減することができるとともに、弱電回路部の誤動作を防止することができる。
【0088】
また、請求項6の発明は、請求項5の発明において、前記直流交流変換部に備えられた各面実装型半導体スイッチ素子の前記プリント基板上での実装間隔を、前記直流直流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子と前記直流交流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子との前記プリント基板上での実装間隔よりも短くするとともに、前記直流直流変換部は電圧平滑用素子を備え、前記電圧平滑用素子と、前記直流交流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子との前記プリント基板上での実装間隔を、前記電圧平滑用素子と、前記直流直流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子との前記プリント基板上での実装間隔よりも短くするため、通常、流れる電流量が多くなる直流直流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子からの直流交流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子や電圧平滑用素子への熱影響を低く抑えることができる。
【0089】
また、請求項7の発明は、請求項1から請求項6のいずれかに記載の発明において、前記直流交流変換部は、少なくとも2個の直列接続される面実装型半導体スイッチ素子を少なくとも2組以上備え、少なくとも1組は、いずれか一方のプリント基板上への実装向きが他方の実装向きと異なるように実装されるため、直流交流変換部が、少なくとも2個の直列接続される面実装型半導体スイッチ素子を少なくとも2組以上備えた場合においても、請求項1から請求項6と同様の効果が得られる。
【0090】
また、請求項8の発明は、交流電源と、前記交流電源からの交流電圧を直流電圧に変換する交流直流変換部と、前記交流直流変換部からの直流電圧を所定電圧値の直流電圧に変換する直流直流変換部と、前記直流直流変換部からの直流電圧を高周波の交流電圧に変換する直流交流変換部と、前記高周波の交流電圧により動作する負荷部とを有する電源装置の前記直流直流変換部および前記直流交流変換部のそれぞれに少なくとも1個ずつ備えられた面実装型半導体スイッチ素子の実装構造であり、それぞれの端子の形成方向がプリント基板の長手方向に対して垂直方向となるとともに、それぞれの実装向きが同一となるようにプリント基板に実装されるため、直流直流変換部および直流交流変換部のそれぞれに少なくとも1個ずつ備えられた面実装型半導体スイッチ素子と、通常、プリント基板の長手方向に形成される電源パターンおよびグランドパターンとを接続する配線パターンの引き回しを少なくすることが可能となり、輻射雑音を低減できるとともに、弱電回路部の誤動作を防止することができる。
【0091】
また、請求項9の発明は、請求項1から請求項8のいずれかに記載の発明において、前記面実装型半導体スイッチ素子は、両端電圧が100V以上であり、流入電流が0.5A以上の定格値を有する電界効果トランジスタであるため、請求項1から請求項8の場合と同様の効果が得られる。
【0092】
また、請求項10の発明は、請求項1から請求項9のいずれかに記載の発明において、前記負荷部は、蛍光灯負荷を備えているため、負荷部が蛍光灯負荷を備えている場合においても、請求項1から請求項9の場合と同様の効果が得られる。
【0093】
また、請求項11の発明は、請求項10記載の発明において、前記面実装型半導体スイッチ素子が照明器具の周縁部に位置するように前記プリント基板を照明器具内に配設するため、面実装型半導体スイッチ素子が温度の低い照明器具の周縁部に位置することで、面実装型半導体スイッチ素子の放熱効果が向上する。
【0094】
また、請求項12の発明は、請求項11記載の発明において、前記プリント基板の基板面と前記照明器具の本体の一部が接触するように前記プリント基板を前記照明器具内に配設するため、面実装型半導体スイッチ素子からの発熱がプリント基板より照明器具の本体の一部に放熱されるので、面実装型半導体スイッチ素子の放熱効果が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態1に対応する面実装型半導体スイッチ素子の実装構造を示す構造図である。
【図2】 同上の面実装型半導体スイッチ素子を備えた電源装置の構成を示す回路図である。
【図3】 同上の面実装型半導体スイッチ素子の他の実装構造を示す構造図である。
【図4】 同上の面実装型半導体スイッチ素子のさらに他の実装構造を示す構造図である。
【図5】 同上の面実装型半導体スイッチ素子のプリント基板上の実装方向を示す平面図である。
【図6】 同上の面実装型半導体スイッチ素子の他のプリント基板上の実装方向を示す平面図である。
【図7】 本発明の実施形態2に対応する面実装型半導体スイッチ素子を備えた電源装置の構成を示す回路図である。
【図8】 同上の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造を示す構造図である。
【図9】 本発明の実施形態3に対応する面実装型半導体スイッチ素子を備えた電源装置の構成を示す回路図である。
【図10】 同上の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造を示す構造図である。
【図11】 本発明の実施形態4に対応する面実装型半導体スイッチ素子の実装構造を示す構造図である。
【図12】 本発明の実施形態5に対応する面実装型半導体スイッチ素子の実装構造を示す構造図である。
【図13】 本発明の実施形態6に対応する面実装型半導体スイッチ素子を備えた電源装置の構成を示す回路図である。
【図14】 同上の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造を示す構造図である。
【図15】 参考例1に対応する面実装型半導体スイッチ素子の放熱構造を示す図であって、(a)は平面図、(b)は側面図である。
【図16】 同上の他の放熱構造を示す図であって、(a)は平面図、(b)は側面図である。
【図17】 同上のさらに他の放熱構造を示す断面図である。
【図18】 同上のまたさらに他の放熱構造を示す側面図である。
【図19】 参考例2に対応する面実装型半導体スイッチ素子の放熱構造を示す図であって、(a)は平面図、(b)は側面図である。
【図20】 同上の他の放熱構造を示す図であって、(a)は平面図、(b)は側面図である。
【図21】 同上の面実装型半導体スイッチ素子を実装したプリント基板が収納される照明器具の構造を示す図であって、(a)は上面図、(b)は側面図である。
【図22】 同上の照明器具の温度分布を示す図であって、(a)は上面図、(b)は側面図である。
【図23】 同上の照明器具の他の構造を示す図であって、(a)は上面図、(b)は側面図である。
【図24】 従来の面実装型半導体スイッチ素子を備えた電源装置の構成を示すブロック図である。
【図25】 同上の電源装置の構成を示す回路図である。
【図26】 面実装型半導体スイッチ素子の構造を示す図であって、(a)は上面図、(b)は側面図である。
【図27】 従来の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造を示す構造図である。
【図28】 同上の他の実装構造を示す平面図である。
【図29】 同上のさらに他の実装構造を示す平面図である。
【図30】 従来の面実装型半導体スイッチ素子の放熱構造を示す断面図である。
【図31】 同上の他の放熱構造を示す断面図である。
【符号の説明】
Q2 スイッチ素子
Q3 スイッチ素子
M 中性点パターン
VD 電源パターン
GD グランドパターン
S ソース端子
G ゲート端子
D ドレイン端子
Claims (12)
- 交流電源と、前記交流電源からの交流電圧を直流電圧に変換する交流直流変換部と、前記交流直流変換部からの直流電圧を所定電圧値の直流電圧に変換する直流直流変換部と、前記直流直流変換部からの直流電圧を高周波の交流電圧に変換する直流交流変換部と、前記高周波の交流電圧により動作する負荷部とを有する電源装置の前記直流交流変換部に備えられ、夫々が直列接続される少なくとも2個の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造であり、各面実装型半導体スイッチ素子のいずれか一方のプリント基板上への実装向きが他方の実装向きと異なるように実装されることを特徴とする面実装型半導体スイッチ素子の実装構造。
- 前記直列接続される少なくとも2個の面実装型半導体スイッチ素子のそれぞれが、前記プリント基板上に設けられた前記電源装置の電源パターンおよびグランドパターンの形成方向と直交方向に間隔をあけてプリント基板上に実装されることを特徴とする請求項1記載の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造。
- 前記直列接続される少なくとも2個の面実装型半導体スイッチ素子の少なくとも1個には輻射雑音低減回路が並列接続され、前記輻射雑音低減回路は、前記プリント基板上の前記各面実装型半導体スイッチ素子の間部に実装されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造。
- 前記面実装型半導体スイッチ素子は、端子の形成方向がプリント基板の長手方向に対して垂直方向になるようにプリント基板上に実装されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造。
- 前記直流直流変換部は少なくとも1個の面実装型半導体スイッチ素子を備え、それの前記プリント基板上での実装向きは前記直流交流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子のいずれか一方の前記プリント基板上での実装向きと同じであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造。
- 前記直流交流変換部に備えられた各面実装型半導体スイッチ素子の前記プリント基板上での実装間隔を、前記直流直流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子と前記直流交流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子との前記プリント基板上での実装間隔よりも短くするとともに、前記直流直流変換部は電圧平滑用素子を備え、前記電圧平滑用素子と、前記直流交流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子との前記プリント基板上での実装間隔を、前記電圧平滑用素子と、前記直流直流変換部に備えられた面実装型半導体スイッチ素子との前記プリント基板上での実装間隔よりも短くすることを特徴とする請求項5記載の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造。
- 前記直流交流変換部は、少なくとも2個の直列接続される面実装型半導体スイッチ素子を少なくとも2組以上備え、少なくとも1組は、いずれか一方のプリント基板上への実装向きが他方の実装向きと異なるように実装されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造。
- 交流電源と、前記交流電源からの交流電圧を直流電圧に変換する交流直流変換部と、前記交流直流変換部からの直流電圧を所定電圧値の直流電圧に変換する直流直流変換部と、前記直流直流変換部からの直流電圧を高周波の交流電圧に変換する直流交流変換部と、前記高周波の交流電圧により動作する負荷部とを有する電源装置の前記直流直流変換部および前記直流交流変換部のそれぞれに少なくとも1個ずつ備えられた面実装型半導体スイッチ素子の実装構造であり、それぞれの端子の形成方向がプリント基板の長手方向に対して垂直方向となるとともに、それぞれの実装向きが同一となるようにプリント基板に実装されることを特徴とする面実装型半導体スイッチ素子の実装構造。
- 前記面実装型半導体スイッチ素子は、両端電圧が100V以上であり、流入電流が0.5A以上の定格値を有する電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造。
- 前記負荷部は、蛍光灯負荷を備えていることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれかに記載の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造。
- 前記面実装型半導体スイッチ素子が照明器具の周縁部に位置するように前記プリント基板を照明器具内に配設することを特徴とする請求項10記載の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造。
- 前記プリント基板の基板面と前記照明器具の本体の一部が接触するように前記プリント基板を前記照明器具内に配設することを特徴とする請求項11記載の面実装型半導体スイッチ素子の実装構造。
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