JP4267743B2 - 情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板の研磨加工方法 - Google Patents
情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板の研磨加工方法 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報記憶装置に用いられる情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板の加工方法に関する。尚、本明細書において「情報記憶媒体」とは、パーソナルコンピュータのハードディスクとして使用される、固定型ハードディスク,リムーバル型ハードディスク,カード型ハードディスクや、デジタルビデオカメラ,デジタルカメラにおいて使用可能なディスク状情報記憶媒体を意味する。
【0002】
【従来の技術】
近年、従来の固定型情報記憶装置に対して、リムーバル方式やカード方式等の情報記憶装置が検討、実用段階にありデジタルビデオカメラ,デジタルカメラ等の用途展開も始まりつつある。この様な動向により、パーソナルコンピュータのマルチメディア化やデジタルビデオカメラ,デジタルカメラ等の普及が近年急速に進みつつあり、動画や音声等の大きなサイズのデータを扱うべく、大容量の情報磁気記憶装置が求められている。これに対応するため、情報記憶媒体はビットセルのサイズを縮小化して面記録密度を大きくなければならず、一方、磁気ヘッドはビットセルの縮小化に伴い、ディスク表面により近接して作動するニアコンタクトレコーディングや、更にコンタクトレコーディング方式を採用する方向へ進みつつある。
【0003】
ところで、従来情報記憶媒体用基板材は、アルミニウム合金の代替基板としてガラスセラミックス基板や化学強化ガラス基板が広く用いられている。これらの材料の加工方法は、一般的に1次加工→2次加工→研磨加工の3段階により構成されており、更に研磨加工においては、一次研磨、二次研磨の工程が一般的であり、用いられる研磨液中の研磨材もCeOまたはSiO2が使用されている。しかし近年情報磁気記憶媒体用基板材へ要求される高硬度・高ヤング率材に対しては、いずれの研磨材も研磨能率が低く、更に得られる表面平滑性にも限界が出ており、今後更に進んでいく高密度化に対応し得る、超平滑性が得られなくなりつつある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、前記従来技術に見られる諸欠点を解消すべく、情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板材に好適な研磨加工方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解消するための手段】
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意試験研究を重ねた結果、情報記憶媒体用ガラスセラミック基板の研磨加工において、研磨液中の研磨材,研磨液中の研磨材含有量、研磨液pHを限定することにより、高硬度・高ヤング率であるガラスセラミックス基板材の研磨加工レートを低減させることなく、基板表面の平滑性が非常に良好な研磨加工が可能となることを見い出し、本発明に至った。
【0006】
すなわち、請求項1に記載の発明は、主結晶相が2珪酸リチウムのSiO2−Al2O3−Li2O系ガラスセラミックスである情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板において、研磨加工における研磨液中の研磨材が、ZrO2および/またはAl2O3であり、前記研磨液のpHが8〜11の範囲であることを特徴とする情報記憶媒体用ガラスセラミックスの研磨加工方法であり、請求項2に記載の発明は、前記研磨方法において、研磨液中のZrO2および/またはAl2O3の粒子径が0.2μm〜2.0μmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の情報記憶媒体用ガラスセラミックスの研磨加工方法であり、請求項3に記載の発明は、前記研磨方法において、研磨液中のZrO2および/またはAl2O3の研磨材は研磨液中含有量が3〜25wt%の範囲であることを特徴とする請求項1または2に記載の情報記憶媒体用ガラスセラミックスの研磨加工方法である。
【0007】
本発明の情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板の研磨加工方法を上記のように限定した理由を以下に示す。
【0008】
まずは、研磨材であるが、ZrO2および/またはAl2O3の研磨材は、本発明において最も重要な要素であるが、従来のCeO,SiO2研磨材では、高剛性を有するガラスセラミックス基板材に対しては加工レートが著しく低く、研磨加工に要する時間が長時間となってしまい、最終製品のコストが高価になってしまう。しかしZrO2および/またはAl2O3の研磨材は、これら従来の研磨材に比較して加工レートが2〜5倍と優れるものである。またこれらZrO2および/またはAl2O3の研磨材は限定された粒子径でなければならない。すなわちその粒子径が0.2μm未満では加工レートが低くなってしまい、2.0μmを超えると平滑性の優れた基板表面を得るのが困難となる。
【0009】
またこれらの研磨材の研磨液中含有量が3wt%未満では加工レートが低くなってしまい、25wt%を超えるとスクラッチ等の基板表面への影響が出てしまう。さらにこれらの研磨材を用いた研磨液は研磨加工におけるメカノケミカル的な化学的加工を促進させるためには、研磨液のpHは、8〜11の範囲であることが好ましい。
【0010】
さらにこれらの加工方法で研磨加工されるのに好適なガラスセラミックスは、SiO2―Al2O3―Li2O系ガラスセラミックスまたはSiO2―Al2O3―RO―TiO2系ガラスセラミックス(但し、Rはアルカリ土類金属元素から選ばれる少なくとも1種以上)材であり、更に含有している主結晶相でいえば、2珪酸リチウム,SiO2系結晶(石英,クリストバライト,トリジマイト等),コージェライト,エンスタタイト,チタン酸アルミニウムマグネシウム,スピネル系結晶([Mgおよび/またはZn]Al2O4,[Mgおよび/またはZn]Ti2O3およびこれら2結晶間の固溶体を指す),フォルステライト,スポジューメンおよびこれら結晶の固溶体を結晶相として含有するガラスセラミックスが非常に適したものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
次に本発明の好適な実施例について説明する。表1,表2には本発明の加工方法により加工した情報記憶媒体用ガラスセラミックスの組成と、各材料のヤング率,比重,ビッカース硬度(Hv)を示した。また表3,表4には表1,表2に記載のガラスセラミックス材料の実施研磨加工例11種と、比較研磨加工例として現在一般的に採用されている研磨加工方法2種を示した。またこれらの実施研磨加工例として、研磨材の種類と粒径・含有量、加工後の表面粗度Ra(算術平均粗さ),Rp(最大山頂高さ),Rv(最大谷底深さ)をそれぞれ示した。尚、Rp(最大山頂深さ)とは、基板表面の基準長さにおける、粗さ曲線の平均線と最大凸部の山頂との距離を示し、Rv(最大谷底深さ)とは、基板表面の基準長さにおける、粗さ曲線の平均線と最大凹部の谷底との距離を示すものである。
【0012】
【表1】
【0013】
【表2】
【0014】
【表3】
【0015】
【表4】
【0016】
本発明の実施加工例は、それぞれ3.5"ディスク基板を用い、一次ラップ加工は12B式両面加工機により800〜1500#番手のダイヤモンドペレットを用い、加工荷重が100〜250g/cm2,加工回転数が20〜50rpmの範囲で加工を行った。ついで二次加工は、800〜1500#番手のダイヤモンドペレットまたはダイヤモンド含浸パット(樹脂系素材へ平均粒径が1.5〜15μmの範囲にあるダイヤモンド粒子を含有させた物)を用いた。ダイヤモンドパットは約1〜10mmの間隔で溝加工を施した物を12B式両面加工機の上下定盤へ貼り付け、加工荷重が100〜250g/cm2、加工回転数が20〜50rpmの範囲で約5〜25分で加工を行った。研磨加工については、研磨パット(セリウムパットまたはジルコニアパットを用いた)を12B式両面加工機の上下定盤へ貼り付け、研磨液については各研磨材,研磨材粒径,研磨材含有量,研磨液pHにて、加工荷重が100〜250g/cm2、加工回転数が20〜50rpmの範囲で約15〜60分で加工を行った。
【0017】
表3,4に示されるとおり、本発明の研磨加工方法と一般的な研磨加工方法では、本発明の研磨加工方法の方が加工後の表面粗度が著しく改善され、かつ従来問題とされた基板表面のピットが発生していないものであり、情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板の研磨加工方法として優れる方法である。
【0018】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の研磨加工方法によれば、上記従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、平滑性に優れた情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板の研磨加工方法を提供することができる。
Claims (3)
- 主結晶相が2珪酸リチウムのSiO2−Al2O3−Li2O系ガラスセラミックスである情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板において、研磨加工における研磨液中の研磨材が、ZrO2および/またはAl2O3であり、前記研磨液のpHが8〜11の範囲であることを特徴とする情報記憶媒体用ガラスセラミックスの研磨加工方法。
- 前記研磨方法において、研磨液中のZrO2および/またはAl2O3の粒子径が0.2μm〜2.0μmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の情報記憶媒体用ガラスセラミックスの研磨加工方法。
- 前記研磨方法において、研磨液中のZrO2および/またはAl2O3の研磨材は研磨液中含有量が3〜25wt%の範囲であることを特徴とする請求項1または2に記載の情報記憶媒体用ガラスセラミックスの研磨加工方法。
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