JP4254643B2 - 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 - Google Patents
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Description
(1)基板と、前記基板の一主面側に形成された軟磁性下地膜と、前記軟磁性下地膜の上に形成された非磁性膜と、前記非磁性膜の上に形成された中間膜と、前記中間膜の上に形成された垂直記録層とを備え、前記垂直記録層は、CoとCrとPtを構成元素とし、前記Crの濃度が15at.%以上25at.%以下の濃度であり、前記Ptの濃度が10at.%以上20at.%以下であり、且つ、前記中間膜はCuを主構成元素とし、前記中間膜がAlを添加元素として8at.%以上22at.%以下の濃度で含有することを特徴とする垂直磁気記録媒体である。
この材料の場合、図5より、Ti添加濃度を6at.%以上にすると結晶粒サイズを小さくする効果が出始める。そして9at.%以上にすると結晶粒サイズを十分小さく(図5の例では2 nm程度に)できることがわかる。なお、Tiの濃度が25at.%を超えると、Ru膜の原子配列が乱れてしまうので,25at.%以下が好ましい。
Claims (2)
- 基板と、前記基板の一主面側に形成された軟磁性下地膜と、前記軟磁性下地膜の上に形成された非磁性膜と、前記非磁性膜の上に形成された中間膜と、前記中間膜の上に形成された垂直記録層とを備え、
前記垂直記録層は、CoとCrとPtを構成元素とし,前記Crの濃度が15at.%以上25at.%以下の濃度であり、前記Ptの濃度が10at.%以上20at.%以下であり、且つ
前記中間膜はCuを主構成元素とし、前記中間膜がAlを添加元素として8at.%以上22at.%以下の濃度で含有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 基板と、前記基板の一主面側に形成された軟磁性下地膜と、前記軟磁性下地膜に接触して形成された非磁性膜と、前記非磁性膜に接触して形成された中間膜と、前記中間膜に接触して形成された垂直記録層とを備えた垂直磁気記録媒体と、前記垂直磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部を備えた磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記垂直磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、前記磁気ヘッドの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生処理手段を有する磁気記憶装置において、
前記垂直記録層は、CoとCrとPtを構成元素とし,前記Crの濃度が15at.%以上25at.%以下の濃度であり,前記Ptの濃度が10at.%以上20at.%以下であり、且つ
前記中間膜はCuを主構成元素とし、前記中間膜がAlを添加元素として8at.%以上22at.%以下の濃度で含有することを特徴とする磁気記憶装置。
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