JP2009223972A

JP2009223972A - 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置

Info

Publication number: JP2009223972A
Application number: JP2008068469A
Authority: JP
Inventors: Yuji Ito; 祐二伊藤
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2008-03-17
Filing date: 2008-03-17
Publication date: 2009-10-01

Abstract

【課題】高密度記録に対応しつつ、サイドイレーズを抑制することのできる垂直磁気記録媒体を提供することを課題とする。
【解決手段】垂直磁気記録媒体２０は、垂直磁気異方性材料により形成された記録層７と、記録層７上に設けられ非磁性材料により形成された分離層２１と、分離層２１上に設けられ軟磁性材料により形成された書き込み補助層８とを有する。書き込み補助層８の膜厚は３ｎｍ以上５ｎｍ以下であり、分離層２１の膜厚は３ｎｍ以上５ｎｍ以下である。
【選択図】図２

Description

本発明は、垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置に係り、特に高密度記録に適した垂直磁気記録媒体及びそのような垂直磁気記録媒体を備えた磁気記憶装置に関する。

情報処理技術の発展に伴い、コンピュータの外部記憶装置として用いられている磁気ディスク装置に対して、大容量化や高速転送化等の高性能化が要求されている。このような要求に答えるべく磁気記録の高記録密度化を達成するために、近年、原理的に高密度記録に適している垂直磁気記録方式が実用化されている。

垂直磁気記録方式においても、水平磁気記録方式の場合と同様に、高記録密度化に対して磁気記録媒体の記録層（又は、磁性層）の低ノイズ化を図ることが効果的である。従来は、記録層の保磁力を高くする、あるいは記録層を構成する磁性粒子を微細化・孤立化することでノイズを低減している。

ノイズを低減するために、垂直記録層の一部に磁性粒子と非磁性酸化物あるいは非磁性窒化物とで構成されたいわゆるグラニュラ層が用いられている。記録層をグラニュラ層で構成すると、磁性粒子の周りに酸化物若しくは窒化物が偏析した状態となり、磁性粒子同士の磁気的な分離が向上する。通常、記録層の磁気記録特性を向上させるために、グラニュラ層の上に軟磁性材料よりなる軟磁性層が設けられる。この軟磁性層は、書き込み補助層あるいは補助記録層とも称される。

例えば、記録層上に異方性の小さい磁性体を補助記録層として積層することで、書き込み性能と熱揺らぎ耐性を両立させた垂直磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。記録磁界が加わると補助記録層の磁化が反転し、それに伴って記録層の磁化も反転するため、補助記録層が設けられない場合に比べて小さな記録磁界でも記録できるようになり、書き込み特性が向上する。
特開２００６−３０９９２２号公報

上述のような高密度記録に適した垂直磁気記録媒体において、記録ビットをトラック方向に狭くして記録を行うと、磁気記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接トラック上の記録が消去されてしまうという現象が発生する。この現象はサイドイレーズと称され、書き込み特性が悪化する要因となる。

そこで、高密度記録に対応しつつ、サイドイレーズを抑制することのできる垂直磁気記録媒体の開発が望まれている。

上述の目的を達成するために、垂直磁気異方性材料により形成された記録層と、該記録層上に設けられ、非磁性材料により形成された分離層と、該分離層上に設けられ、軟磁性材料により形成された書き込み補助層とを有し、前記書き込み補助層の膜厚は３ｎｍ以上５ｎｍ以下であり、前記分離層の膜厚は３ｎｍ以上５ｎｍ以下である垂直磁気記録媒体が提供される。

上述の垂直磁気記録媒体によれば、磁気記録層と書き込み補助層との間に分離層を設けることにより、書き込み補助層と磁気記録層の間には交換結合力は働かず、静磁結合力が働くこととなる。これにより、磁気記録中のトラックに隣接したトラックに向かう磁界が抑制され、サイドイレーズを抑制することができる。

一実施形態について図面を参照しながら以下に説明する。

まず、垂直磁気記録媒体の基本構造について説明する。図１は、垂直磁気記録層としてグラニュラ磁性層を有する垂直磁気記録媒体の断面図である。

図１に示す垂直磁気記録媒体は、非磁性の基材１の上に、第１シード層２、下側軟磁性層３ａ、磁区制御層３ｂ、上側軟磁性層３ｃ、第２シード層４，配向制御層５、非磁性層６、記録層７、書き込み保護層８，保護層９、潤滑剤層１０を順次形成したものである。

非磁性の基材１として、表面の化学処理によって剛性が高められたガラス基板を用いることが好ましい。ただし、基材１はガラス基板に限定されず、記録媒体がハードディスクのようなソリッドな媒体の場合には、プラスチック基板、ＮｉＰめっきアルミ合金基板、及びシリコン基板を用いてもよい。また、記録媒体が可撓性のテープ状である場合には、ＰＥＴ (Poly Ethylene Telephtharate)基材、ＰＥＮ(Ploy Ethylene Naphthalate)基材、ポリイミド基材等を、基材１として用いてもよい。

第１シード層２は、スパッタ法により形成された厚さ約３ｎｍのＣｒ（クロム）層である。第１シード層２は、後の工程で積層される膜に基材１の表面状態を伝えないようにする役割を担うと共に、密着層としての機能も有する。第１シード層を形成しなくても後の膜の結晶性に問題が無いなら、第１シード層２を省略してもよい。

第１シード層２上の下側軟磁性裏打層３ａは、軟磁性のアモルファスＣｏＺｒ（コバルト４−ジルコニウム合金）をスパッタ法により形成した厚さ約３０ｎｍの軟磁性層である。ＣｏＺｒにＴａ（タンタル）又はＮｂ（ニオブ）を添加してもよい。また、下側軟磁性裏打層３ａを形成する軟磁性のアモルファス材料はＣｏＺｒに限定されず、ＦｅＣ（鉄−炭素合金）で下側軟磁性裏打層３ａを構成してもよい。その場合、ＦｅＣにＣｏ（コバルト）又はＮｉ（ニッケル）を添加してもよい。

下側軟磁性裏打層３ａ上の磁区制御層３ｂは、スパッタ法により形成された極薄い非磁性層であり、例えば厚さ約０．５ｎｍ〜０．８ｎｍのＲｕ（ルテニウム）層である。Ｒｕ層に代えてＣｕ（銅）層を磁区制御層３ｂとして形成してもよい。

磁区制御層３ｂ上の上側軟磁性裏打層３ｃは、下側軟磁性裏打層３ａと同じ成膜条件でスパッタ法により形成した厚さ約３０nmのアモルファスＣｏＺｒ層である。下側軟磁性裏打層３ａと同様に、上側軟磁性裏打層３ｃは軟磁性のアモルファス材料で形成されれば良く、ＦｅＣ層を上側軟磁性裏打層３ｃとして形成してもよい。

上側軟磁性裏打層３ｃ上の第２シード層４は、スパッタ法により形成された厚さ約３ｎｍのＴａ（タンタル）層である。Ｔａ層に代えて、Ｃ（炭素）層を第２シード層４として形成してもよい。

シード層４の上の配向制御層５は、スパッタ法により形成した厚さ約５ｎｍの軟磁性のＮｉＦｅ（ニッケル鉄合金）層である。配向制御層５を構成するＮｉＦｅ層は、その下に第２シード層４を形成したことで、裏打層３の表面状態を拾わずに良好なｆｃｃ構造の結晶構造となる。このようなｆｃｃ構造を有する材料として、ＮｉＦｅの他に、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、ＮｉＦｅＳｉ（ニッケル鉄シリコン合金）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、及びＩｎ（インジウム）を用いてもよい。

配向制御層５上の非磁性層６は、スパッタ法により形成した厚さ約１０ｎｍのＲｕ層である。非磁性層６を構成するＲｕ層の結晶構造はｈｃｐ(hexagonal close-packed)構造であるが、このｈｃｐ構造は配向制御層５の結晶構造であるｆｃｃ(face-centered cubic)構造と格子マッチングがよい。更に、配向制御層５は、その下の第２シード層４の上面の凹凸を吸収するようにも機能する。このような配向制御層５の作用によって、配向が一方向に揃えられて良好な結晶性を有する非磁性層６が配向制御層５上に成長する。なお、Ｒｕ層に代えて、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｗ（タングステン）、及びＲｅ（レニウム）のいずれかとＲｕよりなるＲｕ合金により、ｈｃｐ構造の非磁性層６を形成してもよい。

以上のように、基材１の上に、上述のように層２〜６が積層されて下地層が形成されている。この下地層の上に磁気異方性材料により形成された垂直磁気記録層として記録層７が設けられる。以下に、非磁性層６上に形成された記録層７について説明する。

記録層７は、例えば、Ｃｏ_７０Ｃｒ_１０Ｐｔ_２０及びＳｉＯ_２をターゲットとして、スパッタ法により比較的高圧（約３〜７Pa）の成膜条件で形成することができる。スパッタ法において比較的高圧（約３〜７Pa）の成膜条件を採用すると、低圧且つ高温で成膜する場合と比較して疎な膜ができる。そのため、非磁性層６の上では、ターゲット材料のＣｏ_７０Ｃｒ_１０Ｐｔ_２０とＳｉＯ_２とが互いに混ざり合わず、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）よりなる非磁性材料の中にＣｏ_７０Ｃｒ_１０Ｐｔ_２０よりなる磁性粒子が分散したグラニュラ構造の記録層７が形成される。記録層７の膜厚は１０ｎｍ〜２０ｎｍ程度である。

記録層７の下のｈｃｐ構造の非磁性層６は、膜面に対し垂直方向に磁性粒子の配向を揃えるように機能するため、磁性粒子は、非磁性層６と同じように垂直方向に延びたｈｃｐ構造の結晶構造となる。また、ｈｃｐ構造の六角柱の高さ方向が磁化容易軸になり、記録層７が垂直磁気異方性を呈するようになる。上述のグラニュラ構造の記録層７では、磁性粒子の各々が磁化容易軸を揃えて孤立化しているため、記録層７でのノイズを低減することができる。

上述の記録層７では、非磁性材料として酸化シリコンを用いているが、酸化シリコン以外の酸化物を非磁性材料として用いることもできる。そのような酸化物としては、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ、及びＺｒ（ジルコニウム）等の酸化物がある。更に、Ｓｉ（シリコン）、Ｔｉ、Ｃｒ、及びＺｒのいずれかの窒化物を非磁性材料として用いることもできる。

次に、上述の記録層７上に形成された書き込み補助層８について説明する。

書き込み補助層８は、Ａｒガスをスパッタガスとして用いるスパッタ法により形成したＣｏとＣｒとを含む合金層であり、例えば厚さ３ｎｍ〜８ｎｍのＣｏ_６６Ｃｒ_２０Ｐｔ_１０Ｂ_４層である。書き込み補助層８を形成するＣｏ_６６Ｃｒ_２０Ｐｔ_１０Ｂ_４層は、その下の記録層７中の磁性粒子と同じ結晶構造のｈｃｐ構造を有するため、磁性粒子７ｂと補助層８との格子マッチングは良好である。したがって、結晶性の良い書き込み補助層８が記録層７上に形成される。

Ｃｏ_６６Ｃｒ_２０Ｐｔ_１０Ｂ_４層には、ＣｒとＰｔがそれぞれ２０ａｔ％及び１０ａｔ％の含有率で含まれているのに対し、記録層７の磁性粒子を形成するＣｏ_７０Ｃｒ_１０Ｐｔ_２０では、ＣｒとＰｔがそれぞれ１０ａｔ％及び２０ａｔ％の含有率で含有されている。このように、書き込み補助層８と比較して、磁性粒子におけるＣｒの含有率を低く、且つＰｔの含有率を高くすることにより記録層７の垂直磁気異方性が書き込み補助層８よりも一層向上する。その結果、記録層７での磁気データの分解能が高まって書き込みコア幅を狭くすることができ、高記録密度の記録層７を得ることができる。さらに、ＣｒとＰｔの含有率を上述のようにすることで、記録層７の抗磁力Ｈｃが増大し、記録層７でのノイズの一部、例えば遷移ノイズをより一層低減することもできる
なお、書き込み補助層８を形成するＣｏ_６６Ｃｒ_２０Ｐｔ_１０Ｂ_４層に、Ｔａ（タンタル）、Ｃｕ（銅）、及びＮｉ（ニッケル）のいずれかを添加してもよい。

書き込み補助層８上の保護層９は、例えばＲＥ−ＣＶＤ (Radio Frequency-Chemical Vapor Deposition)法により形成した厚さ約４ｎｍのＤＬＣ(Diamond Like Carbon)層である。保護層９上の潤滑剤層１０は、保護層９上に潤滑剤を塗布することにより形成された層である。

次に、本発明の一実施形態による垂直磁気記録媒体について図２を参照しながら説明する。本実施形態では、一例として図１に示す垂直磁気記録媒体を用いている。図２において、図１に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。

本実施形態による垂直磁気記録媒体２０は、記録層７に磁気記録を行う際にサイドイレーズを抑制する効果を有する分離層２１を有する。分離層２１は記録層７とその上の書き込み補助層８との間に設けられ、非磁性体により形成された非磁性層である。分離層２１の膜厚は、後述のように３ｎｍ以上５ｎｍとすることが好ましい。

分離層２１は、非磁性材料を例えばスパッタ法により記録層７上に堆積させることにより形成する。分離層２１を形成するための非磁性材料は種々の材料があり、例えば、Ｃｒ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｓｉ及びそれらの合金のうちから選ばれた材料、又はＳｉＯ_２，ＺｒＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＭｇＯ，ＴｉＯ_２，ＡｌＮ，ＮｉＯ，Ｓｉ_３Ｎ_４，ＨｆＢ_２，ＺｒＣのうちから選ばれた材料を用いることができる。記録層７及び書き込み補助層８との適合性、記録層７及び書き込み補助層８の材料、形成時のプロセス条件などを考慮して適宜選択すればよい。

図３は、記録層７、分離層２１、及び書き込み補助８を拡大して示す断面斜視図である。上述のように書き込み補助層８は記録層の磁化を容易にするために設けられた層である。記録層７の上に書き込み補助層８が直接形成されている場合、書き込み補助層８と記録層７との間には交換結合力が働く。このため、書き込み補助層８の磁化と記録層７の磁化は同時に進む。すなわち、磁気記録を行うために記録層７の一部の磁化を反転させようとすると、軟磁性層である書き込み補助層８の磁化と記録層７の磁化の反転は同時に進行する。

一方、本実施形態のように書き込み補助層８と記録層７の間に所定の厚さの分離層２１を介在させると、書き込み補助層８と記録層７との間には交換結合力が働かず、その代わりに静磁結合力が働くこととなる。この場合、磁気記録を行うために記録層７の一部の磁化を反転させようとすると、まず軟磁性層である書き込み補助層８の磁化が反転し、その後記録層７に磁化が反転することとなる。

図４は分離層２１を設けた本実施形態による垂直磁気記録媒体における磁化特性を示すグラフである。図４に示す磁化曲線（Ｍ−Ｈループ）において、磁界を強くしていくと、点線で囲んだ領域Ａにおいて磁化曲線の傾きが大きく変化し、点線で囲んだ領域Ｂにおいて磁化曲線の傾きが小さくなることがわかる。これは、領域Ａにおいては軟磁性層である書き込み補助層８の磁化が反転し、その後、領域Ｂ部において記録層７の磁化が反転したことを示している。

図５は分離層２１を設けた本実施形態による垂直磁気記録媒体に磁気記録を行う際の書き込み補助層８と記録層７の磁化方向の変化を示す図である。図５では書き込み補助層８の上の保護層９及び潤滑剤層１０は説明の便宜上省略している。図５において、細い矢印は書き込み補助層８での磁化方向を示し、太い矢印は記録層７での磁化方向を示す。また、図５において、記録層７中の一つの矢印は垂直磁気記録媒体の一つの記録トラックに相当するものとする。

垂直磁気記録媒体２０の書き込み補助層８に図５（ａ）に示すように記録ヘッド３０を近づけて磁界を印加し、その部分（記録トラック）の磁化を反転させる場合を考える。記録ヘッド３０により磁界を印加する前は記録層７の磁化方向は上向きである。この時の軟磁性層である書き込み補助層８は、記録層７と静磁結合してその磁化方向は記録層７の磁化方向と同じとなっている。

ここで、記録ヘッド３０から所定の強さの磁界を印加して図５（ｂ）に示すように記録層７の磁化を反転させるとき、書き込み補助層８と記録層７とは静磁結合しているので、記録ヘッド３０から横に向かう磁束は書き込み補助層８を通過しようとする。すなわち、軟磁性層である書き込み補助層８は漏洩磁束により容易に磁化されるため、漏洩磁束が通過しやすい。したがって、図５（ｂ）に示すように、磁化が反転されたトラックに隣接するトラックの上方において、漏洩磁束は横向きになる傾向が強くなり、この部分において書き込み補助層８の磁化方向は横向きになる。これにより、記録しようとするトラックに印加する磁束の向きと同じ向きの磁束が、隣接したトラックに印加される割合が減少する。すなわち、記録しようとするトラックに隣接したトラックへの影響が小さくなり、サイドイレーズが発生し難くなる。

記録が終了して記録ヘッド３０からの磁界が無くなると、書き込み補助層８の磁化方向は、静磁結合している記録層７の磁化方向に影響され、図５（ｃ）に示すように同じ磁化方向となる。

図６は隣接トラックに記録を行っているときの書き込み補助層８と記録層７の磁化状態の変化を示す図である。図６（ａ）には書き込み補助層８の磁化状態の変化が示され、図６（ｂ）には記録層７の磁化状態の変化が示されている。

隣接トラックへの記録が開始される前は、書き込み補助層８及び記録層７の磁化状態は同じである。すなわち、書き込み補助層８の磁化方向は、図５（ｃ）に示す状態となっており、記録層７の磁化状態（磁化方向）に一致している。

隣接トラックへの記録が開始されると、書き込み補助層８の磁化状態は、隣接トラックへの記録に影響されて順次変化する。図６（ａ）における（１）、（２）、（３）は記録ヘッドが隣接路ラックに記録を行いながら次第に移動していくときの書き込み補助層８の磁化状態を示している。例えば（２）の磁化状態は（１）から０．１秒後の磁化状態であり、（３）の磁化状態は（２）から０．１秒後の磁化状態である。

一方、図６（ｂ）に示されるように、記録層７の磁化状態は隣接トラックへの記録が行われている間にはほとんど変化はない。隣接トラックへの記録後の磁化状態を見ると、隣接トラックとの境界近傍が僅かに影響を受けているだけであることがわかる。したがって、隣接トラックへの記録に起因したサイドイレーズが抑制されていることがわかる。

なお、隣接トラックに記録後の磁化状態において、隣接トラックとの境界付近において黒と白の反転パターンが隣接トラックの記録ビットに対応して変化した磁化状態を示している。また、隣接トラックに記録後の書き込み補助層８の磁化状態は、隣接トラックに記録後の記録層７の磁化状態と同じとなっていることがわかる。

サイドイレーズの抑制効果は、分離層２１の膜厚と書き込み保護層８の膜厚に依存する。そのため、分離層２１の膜厚及び書き込み保護層８の膜厚を変化させてサイドイレーズの抑制効果を調べた。サイドイレーズの抑制効果を表す指標として記録Ｓ／Ｎ比の差分σＳ／Ｎｍを用いた。σＳ／Ｎｍは、あるトラックに記録を行って得られたＳ／Ｎｍと、当該トラックに隣接したトラックに記録を行った後に得られた当該トラックのＳ／Ｎｍとの差分である（σＳ／Ｎｍ＝隣接トラック記録後Ｓ／Ｎｍ−隣接トラック記録前Ｓ／Ｎｍ）。

図７は、分離層２１の膜厚及び書き込み保護層８の膜厚を変化させて記録Ｓ／Ｎ比の差分σＳ／Ｎｍを調べた結果を示すグラフである。図７のグラフにおいて、横軸は分離層２１の厚さを示し、縦軸は記録Ｓ／Ｎ比の差分σＳ／Ｎｍを示す。なお、σＳ／Ｎｍを調べるための試料として図２に示す垂直磁気記録媒体を用作成した。記録層７はＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２により形成し、その膜厚は１０ｎｍ〜２０ｎｍであった、書き込み補助層８はＣｏＣｒＰｔＢにより形成し、その膜厚は２ｎｍ〜８ｎｍであった。

分離層２１の膜厚が０という点は分離層２１を設けておらず、書き込み補助層８が記録層７の上に直接形成されていることを示している。分離層２１の膜厚を厚くしていくと、膜厚が１．５ｎｍ付近からσＳ／Ｎｍは極端に悪くなるが、２．５ｎｍ付近から急激に小さくなり、３ｎｍから４ｎｍでほぼ最小となることがわかった。この最小値は分離層２１が設けられていない場合の値よりさらに小さい値であり、分離層２１を設けることでσＳ／Ｎｍが向上する、すなわちサイドイレーズの抑制効果があるということがわかった。

図７から分かるように、上層の書き込み補助層８の膜厚が２ｎｍと６ｎｍのときは、σＳ／Ｎｍの値は分離層２１を設けないときの値よりは小さくならず、サイドイレーズの抑制効果が無いことがわかった。

一方、上層の書き込み補助層８の膜厚が３ｎｍのときは、分離層２１の厚さが３ｎｍから５ｎｍの間で、σＳ／Ｎｍの値は分離層２１を設けないときの値よりは小さくなり、サイドイレーズ効果があることがわかった。また、上層の書き込み補助層８の膜厚が４ｎｍのときは、分離層２１の厚さが３ｎｍから５ｎｍの間で、σＳ／Ｎｍの値は分離層２１を設けないときの値よりは小さくなり、サイドイレーズ効果があることがわかった。さらに、上層の書き込み補助層８の膜厚が５ｎｍのときも、分離層２１の厚さが３ｎｍから５ｎｍの間で、σＳ／Ｎｍの値は分離層２１を設けないときの値よりは小さくなり、サイドイレーズ効果があることがわかった。

以上の結果より、書き込み補助層８の膜厚が３ｎｍ以上５ｎｍ以下の場合に、分離層２１の膜厚を３ｎｍ以上５ｎｍ以下とすることで、サイドイレーズの抑制効果があることが確認できた。

図８は、上述の実施形態による垂直磁気記録媒体２０を適用したハードディスクドライブなどの磁気記憶装置の内部平面図である。磁気記憶装置４０は、ハウジング４１内に収容され、スピンドル（図示せず）により駆動されるハブ４２、ハブ４２に固定されスピンドルにより回転される磁気記録媒体４３、アクチュエータユニット４４、アクチュエータユニット４４に支持され磁気記録媒体４３の径方向に駆動されるアーム４５およびサスペンション４６、およびサスペンション４６に支持される磁気ヘッド４８を有する。磁気記録媒体４３は、複数の垂直磁気記録媒体２０を多段に構成したものであり、それぞれの垂直磁気記録媒体１０に対応する磁気ヘッド４８が設けられる。磁気ヘッド４８は、磁気記録再生手段の少なくとも一部に含まれる。このような磁気記憶装置４０は、垂直磁気記録媒体２０ごとに高いＳ／Ｎと、狭いライトコア幅を有し、且つサイドイレーズが抑制され、全体として高性能かつ高記録密度の磁気記憶装置となっている。

垂直磁気記録層としてグラニュラ磁性層を有する垂直磁気記録媒体の断面図である。一実施形態による垂直磁気記録媒体の断面図である。記録層、分離層、及び書き込み補助を拡大して示す断面斜視図である。分離層を設けた垂直磁気記録媒体における磁化特性を示すグラフである。分離層を設けた垂直磁気記録媒体に磁気記録を行う際の書き込み補助層と記録層の磁化方向の変化を示す図である。隣接トラックに記録を行っているときの書き込み補助層と記録層の磁化状態の変化を示す図である。分離層の膜厚及び書き込み保護層の膜厚を変化させて記録Ｓ／Ｎ比の差分σＳ／Ｎｍを調べた結果を示すグラフである。磁気記憶装置の内部平面図である。

符号の説明

１基材
２第１シード層
３ａ下側軟磁性層
３ｂ磁区制御層
３ｃ上側軟磁性層
４第２シード層
５配向制御層
６非磁性層
７記録層
８書き込み保護層
９保護層９
１０潤滑剤層１０
２０垂直磁気記録媒体
２１分離層
３０記録ヘッド
４０磁気記憶装置
４３磁気記録媒体
４８磁気ヘッド

Claims

垂直磁気異方性材料により形成された記録層と、
該記録層上に設けられ、非磁性材料により形成された分離層と、
該分離層上に設けられ、軟磁性材料により形成された書き込み補助層と
を有し、
前記書き込み補助層の膜厚は３ｎｍ以上５ｎｍ以下であり、前記分離層の膜厚は３ｎｍ以上５ｎｍ以下である垂直磁気記録媒体。
請求項１記載の垂直磁気記録媒体であって、
前記分離層を形成する非磁性材料は、Ｃｒ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｓｉ及びそれらの合金のうちから選ばれた材料、又はＳｉＯ_２，ＺｒＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＭｇＯ，ＴｉＯ_２，ＡｌＮ，ＮｉＯ，Ｓｉ_３Ｎ_４，ＨｆＢ_２，ＺｒＣのうちから選ばれた材料である垂直磁気記録媒体。
請求項１記載の垂直磁気記録媒体であって、
前記記録層は、磁性粒子が非磁性材料内に分散したグラニュラ構造を有する垂直磁気記録媒体。
請求項１記載の垂直磁気記録媒体であって、
前記記録層はＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２により形成され、前記書き込み補助層はＣｏＣｒＰｔＢにより形成される垂直磁気記録媒体。
磁気ヘッドを含む磁気記録再生機構と、
請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の垂直磁気記録媒体と
を有する磁気記憶装置。