JP4254545B2 - 絶縁膜用樹脂、コーティングワニスおよび絶縁膜 - Google Patents
絶縁膜用樹脂、コーティングワニスおよび絶縁膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4254545B2 JP4254545B2 JP2004003459A JP2004003459A JP4254545B2 JP 4254545 B2 JP4254545 B2 JP 4254545B2 JP 2004003459 A JP2004003459 A JP 2004003459A JP 2004003459 A JP2004003459 A JP 2004003459A JP 4254545 B2 JP4254545 B2 JP 4254545B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- insulating film
- resin
- formula
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
従来、有機材料としては、ポリイミド樹脂、ポリキノリン樹脂、ポリキノキサリン樹脂などが検討されている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、ポリイミド樹脂は、耐熱性が低い、誘電率が高い、吸湿性が高いなどの問題があった。そのため、その用途は信頼性の上でバイポーラ半導体素子などの一部の半導体素子に限られていた。
一方、ポリイミド樹脂より高耐熱性、低誘電率性、低吸湿性を兼ね備えたポリキノリン樹脂、ポリキノキサリン樹脂は、熱可塑性樹脂であるため、樹脂のガラス転移点以上の温度に曝された場合、これらの樹脂からなる絶縁層に形成された配線パターンが変形し、半導体製造時に問題となる場合があった。
1. 一般式(1)で表される構造を有することを特徴とする、絶縁膜用樹脂。
2. 前記熱分解性成分は、ポリオキシアルキレン、ポリメチルメタクリレート、ポリα−メチルスチレン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリエーテルエステル、ポリカーボナート、ポリカプロラクトンおよびポリウレタンの中から選ばれる少なくとも1種である、第1項に記載の絶縁膜用樹脂。
3. 第1項または第2項に記載の絶縁膜用樹脂と、該絶縁膜用樹脂を溶解もしくは分散させることが可能な有機溶媒を含むことを特徴とする、コーティングワニス。
4. 第1項または第2項に記載の絶縁膜用樹脂あるいは第3項に記載のコーティングワニスを加熱処理して得られる樹脂膜で構成されることを特徴とする絶縁膜。
5. 前記絶縁膜は、平均孔径30nm以下の微細孔を有するものである第4項に記載の絶縁膜。
本発明は、一般式(1)で表される構造を有する絶縁膜用樹脂であり、該樹脂は、その構造中にアセチレン結合と熱分解性成分で構成される基を有するものである。本発明において、前記アセチレン基は、加熱により熱架橋反応を生じ3次元化された樹脂構造が形成され、優れた耐熱性を発現し、さらに、前記熱分解性成分で構成される基は、樹脂膜製造の加熱工程において、熱分解して、揮散することにより、樹脂膜中に微細孔を形成して、樹脂膜が低誘電率化し、耐熱性と電気特性を両立させた多孔質絶縁膜を得ることができるものである。
ただし、この時、前記脱離基Zとしては、触媒下のカップリング反応で容易に芳香環から脱離する基が好ましく、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン、トリフロオロメタンスルホニロキシ基などが好ましく挙げられる。また、置換基X1としては芳香族基または保護基として働く基が挙げられ、芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基、キノリル基、キノキサリル基などが、保護基として働く基としては、トリメチルシリル基、ヒドロキシプロピル基などが挙げられる。
半導体用層間絶縁膜においては、孔径が30nmより大きいと配線間に用いられた絶縁膜における空隙が不均一になり、電気特性が一定とならないことがある。また、膜の機械強度が低下し、接着性に悪影響が出るなどの問題が発生することがある。ただし、フィルムの用途により最適な膜厚、最適な微細孔の大きさがあるので、必ずしも5nmが必要というわけではない。
次に、前記接着性コーティング膜の上に、本発明の絶縁膜用樹脂の溶液を、前記同様の方法により、積層するように塗布して、塗膜を形成する。次いで、塗膜を前記の条件でプリベークして有機溶剤を蒸発乾燥し、更に、加熱処理することにより、微細孔を有する樹脂膜とし、層間絶縁膜を形成することができる。
同様にして、樹脂膜を形成して表面保護膜とすることもできる。
なお、実施例および比較例で作製した絶縁膜(皮膜)について、下記の方法により比誘電率、耐熱性、ガラス転移温度および吸水率を測定すると共に、断面観察を実施した。
(1)比誘電率
日本エス・エス・エム(株)製自動水銀プローブCV測定装置SSM495を用いて、温度22℃、湿度45%の雰囲気下において、絶縁膜(皮膜)の比誘電率を測定した。
(2)耐熱性
セイコーインスツルメンツ(株)製TG/DTA6200を用いて、窒素ガス200mL/分フロー下、昇温速度10℃/分の条件により、重量減少量が5重量%の際の温度を測定した。
(3)ガラス転移温度(Tg)
セイコーインスツルメンツ(株)製DMS6100を用いて、窒素ガス300mL/分フロー下、測定周波数1Hz、昇温速度3℃/分の条件で、引張りモードで測定し、損失正接(tanδ)のピークトップ温度をガラス転移温度とした。
(4)吸水率
5cm角の絶縁膜を、23℃の純水に24時間浸漬した後の、重量変化率を算出した。
(5)絶縁膜(皮膜)断面観察
絶縁膜(皮膜)の断面について、透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて、微細孔の有無とその孔径を観察した。
(1)[スチレンオリゴマーの合成]
スチレン10.0g(96.0mmol)を乾燥窒素雰囲気下で乾燥したテトラヒドロフラン100gに溶解して、−78℃まで冷却し、ここへ反応試剤としてsec−ブチルリチウム/シクロヘキサン溶液(1.30mol/L)1.85mL(2.41mmol)を加えて、2時間攪拌した。続けて、エチレンエポキシドを導入して、3時間攪拌した後、メタノール3gを加え、この溶液を濃縮して溶媒を除去したものをテトラヒドロフラン100gに溶解し、ろ過した。得られた濾液を、減圧濃縮、乾燥させることにより、末端が水酸基で数平均分子量4150のポリスチレン10.0gを得た。得られたスチレンオリゴマーの熱分解温度を、窒素雰囲気下で熱重量分析にて測定したところ、365℃であった。
得られたスチレンオリゴマー10.0g(2.41mmol)を乾燥窒素雰囲気下で乾燥したテトラヒドロフラン80gに溶解し、ピリジン0.554g(7.00mmol)を滴下後、5℃でテトラヒドロフラン10gに4−ニトロ安息香酸クロリド0.928g(5.00mmol)を溶解したものを15分かけて滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、室温で24時間攪拌した。その後、反応液をろ過してピリジン塩酸塩を除去し、溶媒を濃縮して除去することにより、スチレンオリゴマーの4−ニトロ安息香酸エステルを得た。このスチレンオリゴマーの4−ニトロ安息香酸エステルをテトラヒドロフラン50gに溶解した後、5重量%パラジウム炭素0.500gを水素ガス雰囲気下で混合し、室温で24時間攪拌した。その後、反応液をセライトでろ過し、溶媒を濃縮して除去することにより、末端を4−アミノ安息香酸エステル化したスチレンオリゴマーを得た。得られたアミノ基末端スチレンオリゴマーの熱分解温度を窒素雰囲気下で熱重量分析にて測定したところ、360℃であった。
[メチルメタクリレートオリゴマーの合成と該オリゴマー末端へのアミノ基導入]
製造例1のオリゴマー合成において用いたスチレン10.0g(96.0mmol)の代わりにメチルメタクリレート9.61g(96.0mmol)を用いた以外は製造例1と同様にして、オリゴマーを合成し、末端を4−アミノ安息香酸エステル化した数平均分子量4200のメチルメタクリレートオリゴマーを得た。得られたメチルメタクリレートオリゴマーの熱分解温度を、窒素雰囲気下で熱重量分析にて測定したところ、362℃であった。
[ポリカプロラクトンオリゴマーの合成と該オリゴマー末端へのアミノ基導入]
製造例1のオリゴマー末端へのアミノ基導入において、オリゴマーとして分子量4150の10.0g(2.41mmol)の代わりに、ポリカプロラクトンジオール10.0g(ポリマー2.50mmol)(ダイセル化学工業株式会社製、プラクセル240、分子量4000)を用いた以外は製造例1と同様にして、オリゴマー末端にアミノ基を導入して、末端を4−アミノ安息香酸エステル化した数平均分子量4000のポリカプロラクトンオリゴマーを得た。得られたポリカプロラクトンオリゴマーの熱分解温度を、窒素雰囲気下で熱重量分析にて測定したところ、360℃であった。
[α−メチルスチレンオリゴマー合成と該オリゴマー末端へのアミノ基導入]
High Perform. Polym.,7(1995)133−147に準じて、分子量7300のアミノ基末端α−メチルスチレンオリゴマーを合成した。得られたオリゴマーの熱分解温度を、窒素雰囲気下で熱重量分析にて測定したところ、355℃であった。
(1)ポリ(メチレン−2,6−(1−ヒドロキシ)フェニレン)(Mw=3500,Mn=750)30.1g(284mmol/1単位ユニット)、ピリジン200mLを、乾燥窒素雰囲気下で撹拌し、溶解させた。反応液を0℃に冷却した後、液温を5℃以下に保ちながら、トリフルオロメタンスルホン酸無水45.4mL(270mmol)を滴下した。0℃で1時間撹拌後、室温で14時間撹拌した。反応液をイオン交換水2.50Lに投入し、ポリマーを再沈殿させて回収した。析出固体を酢酸エチル1.00Lで抽出し、有機層を1mol/L塩酸水溶液100mLで洗浄し、続けて、飽和食塩水200mLで2回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧下で除去することで、トリフルオロメタンスルホニロキシ基およびヒドロキシル基を有する樹脂64.0gを得た。
実施例1において、ポリ(プロピレングリコール)ビス(2−アミノプロピルエーテル)(アルドリッチ社製、数平均分子量4000)2.00g(0.500mmol)を、4−アミノ安息香酸エステル末端スチレンオリゴマー(数平均分子量4150)2.08g(0.500mmol)とした以外は、実施例1と同様にして、固体を4.81g得た。得られた固体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量19200、分子量分布3.9であった。1H−NMRにより算出した熱分解性成分の導入率は35.2重量%であった。
得られた固体を用い、実施例1と同様にして、評価用サンプルを得て、測定結果を第1表にまとめた。
実施例1において、ポリ(プロピレングリコール)ビス(2−アミノプロピルエーテル)(アルドリッチ社製、数平均分子量4000)2.00g(0.500mmol)を、4−アミノ安息香酸エステル末端メチルメタクリレートオリゴマー(数平均分子量4200)2.10g(0.500mmol)とした以外は、実施例1と同様にして、固体を4.69g得た。得られた固体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量19500、分子量分布3.7であった。1H−NMRにより算出した熱分解性成分の導入率は34.0重量%であった。
得られた固体を用い、実施例1と同様にして、評価用サンプルを得て、測定結果を第1表にまとめた。
実施例1において、ポリ(プロピレングリコール)ビス(2−アミノプロピルエーテル)(アルドリッチ社製、数平均分子量4000)2.00g(0.500mmol)を、4−アミノ安息香酸エステル末端ポリカプロラクトンオリゴマー(数平均分子量4000)2.00g(0.500mmol)とした以外は、実施例1と同様にして、固体を3.99g得た。得られた固体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量17900、分子量分布3.6であった。1H−NMRにより算出した熱分解性成分の導入率は34.1重量%であった。
得られた固体を用い、実施例1と同様にして、評価用サンプルを得て、測定結果を第1表にまとめた。
実施例1において、ポリ(プロピレングリコール)ビス(2−アミノプロピルエーテル)(アルドリッチ社製、数平均分子量4000)2.00g(0.500mmol)を、4−アミノ安息香酸エステル末端α−メチルスチレンオリゴマー(数平均分子量7300)3.65g(0.500mmol)とした以外は、実施例1と同様にして、固体を4.91g得た。得られた固体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量19300、分子量分布4.2であった。1H−NMRにより算出した熱分解性成分の導入率は50.4重量%であった。
得られた固体を用い、実施例1と同様にして、評価用サンプルを得て、測定結果を第1表にまとめた。
実施例1において、エチニルベンゼン29.4g(288mmol)を、ナフチルエチニルベンゼン4.38(288mmol)とした以外は、実施例1と同様にして、固体を5.12g得た。得られた固体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量20000、分子量分布3.2であった。1H−NMRにより算出した熱分解性成分の導入率は35.3重量%であった。
得られた固体を用い、実施例1と同様にして、評価用サンプルを得て、測定結果を第1表にまとめた。
(1)ポリ(メチレン−2,6−(1−ヒドロキシ)フェニレン)(Mw=870,Mn=350)50.0g(481mmol/1単位ユニット)、4−フルオロニトロベンゼン54.3g(385mmol)およびN,N−ジメチルホルムアミド200mLを、乾燥窒素雰囲気下で撹拌し、溶解させた。続けて、炭酸カリウム129g(933mmol)を加えた後、反応液を135℃で8時間撹拌した。反応液を濾過後、溶媒を減圧下で濃縮し、メタノール3.00Lに投入し、ポリマーを再沈殿させて回収した。析出固体を40℃で減圧乾燥させることで、ニトロフェノキシ基を有する樹脂を88.0g得た。
(6)得られた固体を用い、実施例1と同様にして、評価用サンプルを得て、測定結果を第1表にまとめた。
実施例7において、ポリ(プロピレングリコール)ビス(2−アミノプロピルエーテル)(アルドリッチ社製、数平均分子量4000)2.00g(0.500mmol)を、4−アミノ安息香酸エステル末端スチレンオリゴマー(数平均分子量4150)2.08g(0.500mmol)とした以外は、実施例7と同様にして、固体を4.81g得た。得られた固体の分子量を、東ソー株式会社製GPCを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量20100、分子量分布4.1であった。1H−NMRにより算出した熱分解性成分の導入率は31.9重量%であった。
得られた固体を用い、実施例1と同様にして、評価用サンプルを得て、測定結果を第1表にまとめた。
ポリ(メチレン−2,6−(1−ヒドロキシ)フェニレン)22.3g(210mmol/1単位ユニット)、臭化プロパルギル50.5g(425mmol)、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム1.45g(6.37mmol)およびテトラヒドロフラン120mLを、乾燥窒素雰囲気下、50℃で撹拌しながら、水酸化カリウム60.7g(1.08mol)をイオン交換水60.0mLに溶解させたものを加えた。反応液を60℃で6時間した。反応液を減圧下で加熱し、臭化プロパルギルとテトラヒドロフランを除去した。析出固体を酢酸エチル200mLで抽出し、有機層をイオン交換水500mLで2回洗浄後、メタノール2000mLに投入し、ポリマーを再沈殿させて回収した。析出固体を60℃で減圧乾燥させることで、ポリ(メチレン−2,6−(1−(2−プロピノキシ))フェニレン)を14.7g得た。
得られた固体を用い、実施例1と同様にして、評価用サンプルを得て、測定結果を第1表にまとめた。
比較例1で得たポリ(メチレン−2,6−(1−(2−プロピノキシ))フェニレン)3.43g(23.8mmol/1単位ユニット)、ヨウ化ベンゼン6.38g(31.3mmol)およびピリジン20.0mLを、乾燥窒素雰囲気下で撹拌し、溶解させた。続けて、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.0837g(0.119mmol)、トリフェニルホスフィン0.0956g(0.364mmol)、ヨウ化銅0.0452g(0.237mmol)およびトリエチルアミン20mLを加えた後、70℃で3時間加熱した。反応液を濾過後、メタノール1.00Lに投入し、ポリマーを再沈殿させて回収した。析出固体を60℃で減圧乾燥させることで、ポリ(メチレン−2,6−(1−(3−フェニル−2−プロピノキシ))フェニレン)を4.10g得た。
得られた固体を用い、実施例1と同様にして、評価用サンプルを得て、測定結果を第1表にまとめた。
Claims (4)
- 一般式(4)で表されるヒドロキシ化合物の芳香環上のヒドロキシル基を、一般式(2)ないし一般式(3)で表される基、及び熱分解性成分で構成される基で変換された、一般式(1)で表される構造を有することを特徴とする、絶縁膜用樹脂。
- 請求項1に記載の絶縁膜用樹脂と、該絶縁膜用樹脂を溶解もしくは分散させることが可能な有機溶媒を含むことを特徴とする、コーティングワニス。
- 請求項1に記載の絶縁膜用樹脂あるいは請求項2に記載のコーティングワニスを加熱処理して得られる樹脂膜で構成されることを特徴とする絶縁膜。
- 前記絶縁膜は、平均孔径30nm以下の微細孔を有するものである請求項3に記載の絶縁膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004003459A JP4254545B2 (ja) | 2004-01-08 | 2004-01-08 | 絶縁膜用樹脂、コーティングワニスおよび絶縁膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004003459A JP4254545B2 (ja) | 2004-01-08 | 2004-01-08 | 絶縁膜用樹脂、コーティングワニスおよび絶縁膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005194436A JP2005194436A (ja) | 2005-07-21 |
JP4254545B2 true JP4254545B2 (ja) | 2009-04-15 |
Family
ID=34818361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004003459A Expired - Fee Related JP4254545B2 (ja) | 2004-01-08 | 2004-01-08 | 絶縁膜用樹脂、コーティングワニスおよび絶縁膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4254545B2 (ja) |
-
2004
- 2004-01-08 JP JP2004003459A patent/JP4254545B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005194436A (ja) | 2005-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4868183B2 (ja) | 新規なフッ素化テトラカルボン酸二無水物、これより得られるポリイミド前駆体、ポリイミドとその利用 | |
US7049371B2 (en) | Material for an insulating film, coating varnish for an insulating film, and insulating film and semiconductor device using the same | |
JP2001114893A (ja) | ポリベンゾオキサゾール樹脂およびその前駆体 | |
TW201122074A (en) | Photosensitive adhesive composition, photosensitive adhesive sheet and semiconductor device using the same | |
JP4254545B2 (ja) | 絶縁膜用樹脂、コーティングワニスおよび絶縁膜 | |
JP4288671B2 (ja) | ポリアミドイミド樹脂、メトキシシリル基含有シラン変性ポリアミドイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂組成物、硬化膜および金属箔積層体 | |
JP2005097365A (ja) | 低線熱膨張係数を有するポリベンゾオキサゾール及びその製造方法 | |
Zhang et al. | Breath figure‐derived porous fluorine‐containing poly (ether sulfone) membranes with low dielectric constant | |
JP4449285B2 (ja) | 絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス、及び、これらを用いた絶縁膜並びに半導体装置 | |
JP2001354852A (ja) | 絶縁膜用樹脂組成物およびこれを用いた絶縁膜 | |
JP4360076B2 (ja) | 絶縁膜用コーティングワニス、及びこれを用いた絶縁膜並びに半導体装置 | |
JP4281384B2 (ja) | 絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス及びこれらを用いた絶縁膜並びに半導体装置 | |
JP2004087336A (ja) | 絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス、及びこれを用いた絶縁膜 | |
JP4378805B2 (ja) | ポリベンゾオキサゾール樹脂及びその前駆体 | |
JP4128380B2 (ja) | 絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス、絶縁膜、及びこれを用いた半導体装置 | |
JP3844121B2 (ja) | 絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス及びこれらを用いた絶縁膜並びに半導体装置 | |
JP4244669B2 (ja) | 絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス、及び、これらを用いた絶縁膜並びに半導体装置 | |
JP4547814B2 (ja) | 絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス、絶縁膜、及びこれを用いた半導体 | |
JP4951831B2 (ja) | 絶縁膜用樹脂組成物及びこれを用いた絶縁膜 | |
JP3879984B2 (ja) | 半導体用有機絶縁膜形成方法 | |
JP4148686B2 (ja) | 絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス、絶縁膜、及びこれを用いた半導体装置 | |
JP4345614B2 (ja) | 高分子組成物、コーティングワニス、樹脂膜および半導体装置 | |
JP2008063451A (ja) | 芳香族エチニル化合物、樹脂組成物、ワニス、樹脂膜、半導体装置 | |
JP2001311044A (ja) | 絶縁膜用コーティングワニス及び絶縁膜 | |
JP2001279174A (ja) | 絶縁膜用コーティングワニス及び絶縁膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080924 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081121 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090106 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090119 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |