JP4252908B2 - ビーム測定装置およびこれを用いたビーム測定方法 - Google Patents
ビーム測定装置およびこれを用いたビーム測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4252908B2 JP4252908B2 JP2004033714A JP2004033714A JP4252908B2 JP 4252908 B2 JP4252908 B2 JP 4252908B2 JP 2004033714 A JP2004033714 A JP 2004033714A JP 2004033714 A JP2004033714 A JP 2004033714A JP 4252908 B2 JP4252908 B2 JP 4252908B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- current
- measuring apparatus
- squid
- shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 claims description 39
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 29
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 22
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 17
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 8
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- UFRKOOWSQGXVKV-UHFFFAOYSA-N ethene;ethenol Chemical compound C=C.OC=C UFRKOOWSQGXVKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/0006—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature
- H05H1/0087—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature by magnetic means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/035—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
- G01R33/0354—SQUIDS
- G01R33/0356—SQUIDS with flux feedback
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/035—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
- G01R33/0354—SQUIDS
- G01R33/0358—SQUIDS coupling the flux to the SQUID
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31703—Dosimetry
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
一方、後者の高温超伝導のSQUIDを用いたものは液体窒素または冷凍機だけで運転できるという利点があるが、雑音幅は数μA相当と大きいとされている(非特許文献2参照)。さらにゼロ点のドリフトも大きいとされているため、数十秒以上の実際的な測定では10μA相当程度以上のビーム電流しか測定できないという問題があった。これに対して、磁気遮蔽の設計を工夫し、高温超電導SQUIDの感度を最適化することで1.8μAのイオンビームの測定に成功したという報告がなされた(特許文献1、特許文献2、非特許文献3参照)。このときの雑音幅は0.5μA相当である。このように、最近、研究開発が進んでいる状況である。
そこで、例えば加速器やイオン注入機のビームラインでは、ファラデーカップやビームプロファイルモニターをそれぞれ設置している。そして、別々に測定した結果を組合せてビームの電流値と位置を把握しているのが現状である。
このような状況から、ビームを非破壊で測定することができ、かつ高精度のビーム電流値の測定ができ、さらにはビームの位置の把握も可能とするビーム測定装置が求められていた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、ビーム電流値を高精度で非破壊型測定ができ、かつビームの位置を測定できるビーム測定装置を提供することを目的とする。
前記ブリッジ部分を除いて、超伝導表面遮蔽電流が遮断されることにより、前記各磁場センサの近傍で前記ビーム電流がつくる超伝導表面遮蔽電流を集中させるように構成したことを特徴とする。
この方法によれば、効率よく表面遮蔽電流を取り出すことができる。
この方法によれば、きわめて微細な抵抗しか持たない状態で効率よく遮蔽電流を集中させることができる。
この構成により、磁場センサ配置位置の自由度が増大する。
なお、磁場収集機構は、磁場センサの近傍に設けられるようにするのが望ましい。しかしながら超伝導コイルを用いる場合は、超伝導コイルは磁場センサと離間して配置してもよい。つまり、超伝導コイルはビーム電流に近いところに置いておき、磁場センサはより高度に磁気遮蔽されたノイズの少ない空間領域に配置することができる。そして、超伝導コイルで収集したビーム電流がつくる磁場を磁場センサに伝達する超伝導回路を導入するようにすればよい。超伝導回路は、現状では形状自由度の高い低温超伝導体でしかできないが、超伝導コイルを用いる場合は、同時に磁場を伝達できる超伝導回路を導入できることから、近傍に設けることなく形成可能である。
この構成により、より高い感度を得ることができる。
(第1の実施の形態)
図1は本発明の実施の形態のビーム測定装置に用いる高温超伝導SQUIDとフラックスロックループの回路図を示す説明図である
このビーム測定装置は、外部磁場遮蔽用の磁気遮蔽部と、前記磁気遮蔽部によって生成された遮蔽空間に配された複数の磁場センサとを備え、測定すべきビーム電流が生成する磁場を前記磁場センサで測定するようにしたことを特徴とするものである。このビーム測定装置は、図1に示すように、測定すべきビームの経路に配置された検知コイル11と、ビーム電流に対応した磁場を検知する磁場センサであるSQUID12と、検知コイル11とSQUID入力コイル15の閉回路で構成される前記検知コイル11で検知された磁束を測定部に伝達する磁束伝達部と、SQUIDを貫く磁束の変化を打ち消すように帰還電流を流す帰還コイル13を備え、このSQUID12の出力をプリアンプおよび積分器を経て出力端子に導くとともに帰還コイルに帰還させるように構成されている。ここで、ジョセフソン素子の低周波固有の雑音を消去するため、交流電流でバイアスをかけている。
以下、この測定原理について詳細に説明する。ビームがつくる磁場により筒状構造物内壁表面の各部分には、ビームがつくる磁場の強弱によって異なる電流値の表面遮蔽電流が誘起される。つまり、ビームの中心からの距離をRとすると、ビームがつくる磁場は1/Rに比例して減衰する。そこで、筒状構造物内壁のビーム中心に近い部分には、単位面積あたり電流値の大きな表面遮蔽電流が誘起される一方で、遠い部分には小さな表面遮蔽電流が誘起される。ここで、ビーム_B 5が内壁に誘起する表面遮蔽電流の分布は、YZ平面に対して対称である。内壁に誘起された表面遮蔽電流は、内壁表面をビームの進行方向と順方向に流れた後、外壁表面に回り、外壁表面をビームの進行方向と順方向に流れる。外壁表面には、ブリッジ_A 1とブリッジ_B 6の2つの経路が存在するが、2つの経路はYZ平面に対して対照なので、ブリッジ_A 1とブリッジ_B 6には内壁に誘起された表面遮蔽電流全体の半分の表面遮蔽電流がそれぞれ流れることになる。故に、SQUID_A 2とSQUID_B 3の出力は同等である。
図4、図5(a)および(b)は、この原理を拡張してビームの位置を2次元で測定できるように改良した構成の一例である。図5(b)に、図4の筒状構造物をビーム進行方向から見た断面図を示した。また、図5(a)はビーム進行方向と垂直方向から見た断面図である。この構成では、ブリッジとSQUIDをそれぞれ3つ設置した。すなわち、前記第1の実施の形態で説明した図2、図3(a)および(b)の場合に加えて、Y軸上にブリッジ_C 8とSQUID_C 7を追加した。ビームがY軸のプラス側を通過した場合は、マイナス側を通過した場合と比較して、SQUID_C 7の出力は大きくなり、SQUID_A 2とSQUID_B 3の出力は小さくなる。このように、ビームの位置により3つのSQUIDの出力の比がそれぞれ異なる。そして、ビームの位置のXY平面上の座標と、3つのSQUIDの出力の比は1対1で対応している。つまり、3つのSQUIDの出力の比を計算することで、筒状構造物をビーム進行方向に垂直に切った断面の長方形の中で、ビームの位置をXY平面上の座標として2次元で測定することができる。なお、X軸とY軸方向それぞれに2つのSQUIDを配置すれば、より簡単にビームの位置を2次元で測定することができる。
図6は、ブリッジとSQUIDをそれぞれ1つずつと、それに加えて2つの磁場センサを用いた構造である。ここでは筒状構造物が円筒である。つまり、磁場センサはSQUIDとあわせて3つであるが、磁場を収集する機構であるブリッジは1つである。ここで磁場センサはSQUID以外のものを用いても良い。このような構造とすることで、SQUIDでビーム電流値を測定し、別途、磁場センサ_A 10と磁場センサ_B 11でビームの位置を測定することができる。
図7は、筒状構造物が円筒であるが、ブリッジとSQUIDをそれぞれ2つずつ有し、前記第1の実施の形態の図2、図3に示した構造と基本的に同じである。SQUID_A 2とSQUID_B 3の出力を演算することで、SQUID_A 2とSQUID_B 3を結ぶ線に対して1次元でビームの位置と、ビーム電流値を同時に測定できることがわかる。
図8、図9は、筒状構造物内壁のX軸正負側にそれぞれ誘起された表面遮蔽電流が、それぞれ近いほうのブリッジに流れやすいように、絶縁体または常伝導体のデザインを工夫したものである。筒状構造物外壁の中央部にブリッジ_A 1とブリッジ_B 6を隔てるように絶縁体または常伝導体を設けることで、それぞれのSQUID出力はビームの位置を反映しやすくなる。ここでは、超伝導体(100b)で全面を被覆した中において、超伝導体を被覆せず、基体(100a)の露呈したスリットSを形成することにより、ブリッジ_A 1とブリッジ_B 6を隔てる。なお、ブリッジ_A 1とブリッジ_B 6を隔てるべき絶縁体または常伝導体の配置は、図10、図11、図12、図13のようにしても効果的である。
図10、図11(a)および(b)は、前記実施の形態における筒状構造物の外壁のビーム方向の一部に形成され、超伝導体から基体が露呈するように形成されたスリットSを、端面まで貫通するように形成した点で前記実施の形態と相違する。他は前記実施の形態と同様である。
この形態は、前記位置感度係数をなるべく大きくするために、筒状構造物の形状に合わせてスリットSの形状を最適化するものである。
図12、図13(a)および(b)は、超伝導体から露呈するスリットSを筒状構造物の端面を貫通するようにした点で前記第5の実施の形態と相違する。他は前記実施の形態と同様である。
このようにビームの方向に沿って超伝導領域を分割することにより、さらにビームの位置をはっきりと反映されることになり、位置の検出精度が向上する。
図14は、磁場収集機構の他の例である。本実施の形態では、磁場収集機構として超伝導コイルを2つ設けたものである。この例では各磁場収集機構において、超伝導コイル31で磁性体からなる超伝導コア32を巻回し、超伝導回路33を介して磁場センサ34に導き磁場を検出する。この構成により、必ずしも磁場センサをビーム電流に近接することなく、検出することができる。他は前記実施の形態と同様である。
なお超伝導コアとしての芯体は必ずしもなくてもよく、複数の超伝導コイルがあればよい。
次に、比較例について説明する。
図15に比較例のビーム電流測定装置に用いた磁場を収集する機構とSQUIDの構成を示す。磁場を収集する機構は、表面を高温超電導体でコーティングし外周部には一部分のみを高温超伝導体で構成したブリッジ部分を有する円筒を用いた。ここで、ブリッジとSQUIDはそれぞれ1個ずつである。比較例の構成では、ブリッジは1つしかないので、表面遮蔽電流は超伝導体で抵抗がゼロのブリッジに集中して流れる。つまり、円筒表面に誘起された表面遮蔽電流は1つのブリッジに集められる。このようにして、測定すべきビーム電流が生成する磁場を収集し、集中した表面遮蔽電流がブリッジ部分でつくる磁場を前記検知コイルで検知してSQUIDで測定する構成である。ここで、円筒の内径がつくる閉曲面を通過するビームの位置が変化しても、ビームがつくる磁場により円筒内壁表面に誘起される表面遮蔽電流の総和は変化しないので、ビームの位置に関係なく、ビーム電流を測定できる。これにより、従来例で説明したように、高温超電導体を用いて数μAのビーム電流を非破壊で測定できる。ただし、ビームの位置については測定できなかった。
12 SQUID
13 帰還コイル
15 SQUID入力コイル
100 磁場を収集する機構
100a 絶縁体または常伝導体である基材
100b 高温超伝導体
101 ブリッジ部分
S スリット
Claims (14)
- 外部磁場遮蔽用の磁気遮蔽部と、前記磁気遮蔽部によって生成された遮蔽空間に配された複数の磁場センサとを備え、測定すべきビーム電流が生成する磁場を前記磁場センサで測定するようにしたビーム測定装置であって、
前記磁場センサは、測定すべきビーム電流が生成する磁場を収集する磁場収集機構を複数個具備し、
前記磁場収集機構は、少なくとも表面が超伝導体で構成され、その外周部には一部分のみを超伝導体で構成されたブリッジ部分を有する筒状構造物で構成され、
前記ブリッジ部分を除いて、超伝導表面遮蔽電流が遮断されることにより、
前記各磁場センサの近傍で前記ビーム電流がつくる超伝導表面遮蔽電流を集中させるように構成したことを特徴とするビーム測定装置。 - 前記磁場収集機構は、複数の超伝導コイルである請求項1に記載のビーム測定装置。
- 前記超伝導コイルは軟磁性体で構成された芯体に巻回されている請求項2に記載のビーム測定装置。
- 前記複数の磁場センサの出力信号は演算回路に接続され、ビーム電流の電流値、位置を演算して出力するように構成された請求項1乃至3のいずれかに記載のビーム測定装置。
- 前記複数の磁場センサの出力信号は演算回路に接続され、同位相のノイズ信号をキャンセルするように演算して出力するように構成された請求項1乃至4のいずれかに記載のビーム測定装置。
- 前記磁場センサはSQUIDである請求項1乃至5のいずれかに記載のビーム測定装置。
- 前記磁場センサおよび前記ブリッジ部分は2つづつ設けられた請求項1乃至6のいずれかに記載のビーム測定装置。
- 前記磁場センサおよび前記ブリッジ部分は3つづつ設けられた請求項1乃至6のいずれかに記載のビーム測定装置。
- 前記磁気遮蔽部、前記磁場センサ、前記磁場収集機構は高温超電導体を用いた部品を有する請求項1乃至8のいずれかに記載のビーム測定装置。
- 請求項1乃至9のいずれかに記載のビーム測定装置を用い、イオン源または電子線源から被処理物に照射されるビームライン上に、前記ビーム測定装置を配置し、前記磁場センサの出力から、前記ビームラインのビーム電流値、およびビームの位置を測定するようにしたビーム測定方法。
- 前記ビームラインのビーム電流値、およびビームの測定を、同時に行う請求項10記載のビーム測定方法。
- イオン源または電子線源を用いて生成されたビームに対し、請求項10または11に記載のビーム測定方法を用いてビーム電流を測定する測定工程と、
前記測定工程で得られた前記ビーム電流値、およびビームの位置、或いはその両方を、イオン源、電子線源、分析電磁石、ビームへの電場および磁場印加部の制御パラメータに帰還する制御工程を含むビームの制御方法。 - 請求項12に記載のビームの制御工程で得られた制御パラメータを用いて制御されたビーム電流を被処理物に照射する照射工程を含むことを特徴とするビーム照射方法。
- 請求項1乃至9のいずれかに記載のビーム測定装置を備えたビーム照射装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004033714A JP4252908B2 (ja) | 2004-02-10 | 2004-02-10 | ビーム測定装置およびこれを用いたビーム測定方法 |
TW094103973A TWI395250B (zh) | 2004-02-10 | 2005-02-05 | Beam measuring device, beam measuring method, beam control method and beam irradiation method |
CNB2005800045567A CN100495073C (zh) | 2004-02-10 | 2005-02-10 | 束流测量装置和方法、束流控制方法、发射装置和材料 |
US10/597,838 US7535220B2 (en) | 2004-02-10 | 2005-02-10 | Beam measuring equipment and beam measuring method using the same |
EP05710127.1A EP1715362A4 (en) | 2004-02-10 | 2005-02-10 | BEAM MEASURERS AND THESE USE OF IRRADIATING METHOD |
PCT/JP2005/002075 WO2005076039A1 (ja) | 2004-02-10 | 2005-02-10 | ビーム測定装置およびこれを用いたビーム測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004033714A JP4252908B2 (ja) | 2004-02-10 | 2004-02-10 | ビーム測定装置およびこれを用いたビーム測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005227028A JP2005227028A (ja) | 2005-08-25 |
JP4252908B2 true JP4252908B2 (ja) | 2009-04-08 |
Family
ID=34836142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004033714A Expired - Fee Related JP4252908B2 (ja) | 2004-02-10 | 2004-02-10 | ビーム測定装置およびこれを用いたビーム測定方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7535220B2 (ja) |
EP (1) | EP1715362A4 (ja) |
JP (1) | JP4252908B2 (ja) |
CN (1) | CN100495073C (ja) |
TW (1) | TWI395250B (ja) |
WO (1) | WO2005076039A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8734443B2 (en) * | 2006-01-24 | 2014-05-27 | Covidien Lp | Vessel sealer and divider for large tissue structures |
DE102007037102B4 (de) * | 2007-08-07 | 2017-08-03 | Siemens Healthcare Gmbh | Kombinierte MR-/PET-Vorrichtung auf mobiler Basis |
GB2479731B (en) * | 2010-04-19 | 2013-05-22 | Hany Agaiby | Gas analysers and a method of making gas analysers |
CN102345108A (zh) * | 2010-08-02 | 2012-02-08 | 北京中科信电子装备有限公司 | 离子注入机专用300kev能量探头 |
CN102170744A (zh) * | 2010-11-24 | 2011-08-31 | 无锡爱邦辐射技术有限公司 | 电子加速器电子束流监测装置 |
JP2012247910A (ja) | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Sony Corp | 3次元インタラクティブディスプレイ |
CN103187226B (zh) * | 2011-12-30 | 2016-02-10 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种能量检测装置 |
CN102548182A (zh) * | 2012-01-14 | 2012-07-04 | 中国科学院近代物理研究所 | 消除同步加速器磁滞效应影响的运行方法 |
CN103777227B (zh) * | 2012-10-18 | 2016-06-08 | 上海原子科兴药业有限公司 | 一种回旋加速器束流测量装置 |
TWI509272B (zh) * | 2013-12-09 | 2015-11-21 | Univ Nat Taiwan | 磁場探針、磁場量測系統及磁場量測方法 |
CN103809198B (zh) * | 2014-03-06 | 2016-01-20 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 一种测量粒子加速器束流位置的方法 |
CN104181577B (zh) * | 2014-09-01 | 2017-02-01 | 中国科学技术大学 | 一种基于全数字化技术的束流位置和相位测量系统及方法 |
CN105044764B (zh) * | 2015-08-31 | 2017-11-10 | 中广核达胜加速器技术有限公司 | 一种电子加速器束流动态采集装置 |
WO2018003434A1 (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-04 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電流検出装置 |
EP3496167B1 (en) * | 2016-08-03 | 2022-04-06 | Riken | Charged particle beam current measurement apparatus |
EP3865177A1 (en) | 2017-03-27 | 2021-08-18 | Elekta Pty Ltd | Systems and methods for magnetic field localization of charged particle beam end point |
CN107797137B (zh) * | 2017-10-30 | 2023-11-28 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种直线感应电子加速器试验平台及双线圈探测结构 |
CN111208552B (zh) * | 2020-03-02 | 2024-06-18 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种共振式在线束流位置探测器 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4829808Y1 (ja) | 1969-10-03 | 1973-09-10 | ||
US4687987A (en) * | 1984-09-28 | 1987-08-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Beam current sensor |
JPH0367410A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電ビーム位置検出方法 |
GB9100924D0 (en) * | 1991-01-16 | 1991-02-27 | Rogers Alan J | Interference-free optical-fibre current measurement |
JPH05164827A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-06-29 | Shimadzu Corp | Squid磁束計 |
JP3258520B2 (ja) * | 1994-12-12 | 2002-02-18 | 松下電器産業株式会社 | 光ファイバセンサ及びその製造方法 |
JP3414337B2 (ja) * | 1999-11-12 | 2003-06-09 | 日新電機株式会社 | 電磁界レンズの制御方法およびイオン注入装置 |
JP2003021670A (ja) * | 2001-07-08 | 2003-01-24 | Yuichiro Sasaki | 非接触型イオンビーム電流強度測定装置 |
JP3937815B2 (ja) * | 2001-11-21 | 2007-06-27 | 住友化学株式会社 | ポリカーボネートの白化防止方法 |
JP4280802B2 (ja) | 2002-05-15 | 2009-06-17 | 三洋化成工業株式会社 | 電気化学素子の電極用結合剤および電極の製造方法 |
JP4073712B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2008-04-09 | 松下電器産業株式会社 | ビーム電流測定装置 |
TW577994B (en) * | 2002-08-02 | 2004-03-01 | Prec Instr Dev Ct Nat | Method of using electro-optic measurement system to measure magnetic field and using magneto-optic measurement system to measure electric field |
JP4526765B2 (ja) * | 2003-01-20 | 2010-08-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | ビーム照射加熱抵抗変化測定装置 |
JP4550375B2 (ja) | 2003-05-30 | 2010-09-22 | 独立行政法人理化学研究所 | ビーム電流計 |
US7888937B2 (en) | 2003-09-24 | 2011-02-15 | Riken | Beam current sensor |
-
2004
- 2004-02-10 JP JP2004033714A patent/JP4252908B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-05 TW TW094103973A patent/TWI395250B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-10 CN CNB2005800045567A patent/CN100495073C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-10 EP EP05710127.1A patent/EP1715362A4/en not_active Withdrawn
- 2005-02-10 US US10/597,838 patent/US7535220B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-10 WO PCT/JP2005/002075 patent/WO2005076039A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1715362A1 (en) | 2006-10-25 |
WO2005076039A1 (ja) | 2005-08-18 |
US20080024126A1 (en) | 2008-01-31 |
CN1918484A (zh) | 2007-02-21 |
JP2005227028A (ja) | 2005-08-25 |
TW200532738A (en) | 2005-10-01 |
EP1715362A4 (en) | 2013-09-04 |
TWI395250B (zh) | 2013-05-01 |
US7535220B2 (en) | 2009-05-19 |
CN100495073C (zh) | 2009-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI395250B (zh) | Beam measuring device, beam measuring method, beam control method and beam irradiation method | |
Lee et al. | Magnetic gradiometer based on a high-transition temperature superconducting quantum interference device for improved sensitivity of a biosensor | |
EP0094787B1 (en) | Apparatus for detecting and/or measuring a magnetic vector potential field | |
JPH0638941A (ja) | 磁場源測定装置 | |
US5142229A (en) | Thin-film three-axis magnetometer and squid detectors for use therein | |
WO1992012436A1 (en) | Packaged squid system with integral shielding layer | |
Shanehsazzadeh et al. | Low noise active shield for SQUID-based magnetocardiography systems | |
JP5376394B2 (ja) | Squid磁束計 | |
Morooka et al. | Observation of superconducting device using magnetic imaging system with a micro-DC superconducting quantum interference device magnetometer | |
US7619223B2 (en) | Beam current measuring instrument and beam current measuring method using same | |
Drung et al. | Thin-film microsusceptometer with integrated nanoloop | |
US7161352B2 (en) | Beam current measuring device and apparatus using the same | |
KR20070017117A (ko) | 빔 측정장치 및 이를 이용한 빔 측정방법 | |
JP5537312B2 (ja) | 地下資源探査用磁気センサ | |
EP2999972A1 (en) | Sensor device for direct magnetic field imaging | |
Tympel et al. | The next generation of cryogenic current comparators for beam monitoring | |
Tsukamoto et al. | High-temperature superconducting gradiometer coupled with large pickup coil made of GDBCO coated conductor | |
Matlashov et al. | High sensitive magnetometers and gradiometers based on DC SQUIDs with flux focuser | |
JP6990811B2 (ja) | 磁場測定素子、磁場測定装置及び磁場測定システム | |
EP3496167B1 (en) | Charged particle beam current measurement apparatus | |
Kostyurina et al. | High-symmetry DC SQUID based on the Nb/AlO x/Nb Josephson junctions for nondestructive evaluation | |
JPH07135099A (ja) | イオンビーム電流測定装置および方法 | |
JP2003240808A (ja) | 磁界検出装置 | |
Komori et al. | Gradient magnetic field measurement using first-order gradiometers equipped with 50 mm diameter pickup coils made out of a 2G high-Tc superconducting tape | |
JP3922926B2 (ja) | イオンビーム電流強度測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060424 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070209 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20071114 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071121 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20071128 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080423 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080827 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080918 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081224 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120130 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120130 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130130 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130130 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140130 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |