JP4239333B2 - ヘテロ接合バイポーラトランジスタ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタに関する。
【0002】
【従来の技術】
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の特徴の一つとして、ベース層に用いられる半導体よりも大きなバンドギャップを有する半導体をエミッタ層に用いることにより、ベース層からエミッタ層への漏れ電流を抑制する効果が挙げられる。
【0003】
図3は従来のヘテロ接合バイポーラトランジスタの構造図である。
【0004】
同図に示すHBTは、基板7上に形成された、サブコレクタ層6、コレクタ層5、ベース層4a、エミッタ層3a、エミッタキャップ層2a及びコンタクト層1を有している。
【0005】
HBTにはIII-V族化合物半導体の中でも良好な特性が得られるGaAsウェハが多用されている。すなわちGaAsウェハ7の上にエピタキシャル成長によってサブコレクタ層6、コレクタ層5、ベース層4a及びエミッタ層3aが順次形成される。
【0006】
このようなHBTを用いたエミッタ接地回路において、ベース層4aに流す電流Ib によってコレクタ層5に流れる電流Ic を制御するときの電流利得β(=Ic /Ib )は、理論的にはエミッタ層3aに用いられる材料のバンドギャップに強く依存する。
【0007】
このため、ベース層4aに格子整合したエミッタ層3aやエッチングストッパ層の材料として、室温で1.84eV以上のバンドギャップエネルギーを有し、高い電流利得βのHBTが得られるInGaPが期待されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、HBTにおいて電流利得βが低下することがある。この電流利得βが低下する原因の一つとして、ベース電流Ib の漏れが考えられる。HBTにInGaPやInGaPに類似した燐が含まれる混晶をエミッタ層3aとして用いた場合、GaAsを基本材料とした他の層との間の境界面で燐と砒素との置換が起こりやすい。このため、この境界層周辺で結晶の性質が劣化し、ベース層4とエミッタ層3aとの間やエミッタ層3aとエミッタキャップ層2との間の界面の再結合が大きくなる問題があり、これが電流利得βを低下させている原因となっている。
【0009】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、エミッタ層やエッチングストッパ層としてInGaPやInGaPに類似した材料を用いても電流利得βが低下しないヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明のヘテロ接合バイポ−ラとランジスタは、III−V族化合物半導体を用いた、少なくともGaAs基板上にGaAsを基本材料としたサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層を順次積層し、その上にインジウムガリウム燐またはインジウムガリウム燐にさらにアルミニウム若しくは砒素も構成元素とする混晶層であるエミッタ層を設け、さらにGaAsを基本材料としたエミッタキャップ層、及びコンタクト層を積層してなるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
エミッタ層に隣接するエピタキシャル層であるベース層又はエミッタキャップ層の少なくともいずれか一方に、燐が1×10 21 cm −3 以下の濃度でドーピングされているものである。
【0011】
前記ベース層及びエミッタキャップ層中の燐の濃度は、前記エミッタ層との界面からの距離が増えるにつれて、徐々に濃度が減少していくことを特徴とすることが好ましい。
【0013】
ここで、エミッタ層3若しくはエッチングストッパ層として、InGaP等の燐を用いた混晶層をHBTに用いる場合、その混晶層に隣接したGaAs層との境界層で砒素と燐との置換が起こりやすい。
【0014】
図1に示すエミッタ層(第3層)3にInGaPを用い、エミッタキャップ層(第2層)2及びベース層(第4層)4にGaAsを用いた場合、第2層と第3層との境界及び第3層と第4層との境界で、第2層及び第4層中に燐が混入し、第3層中に砒素が混入する。それらの界面を微視的に見ると、一部GaPとInGaAsとの境界層ができ、両者の格子定数が大きく異なることから、歪みが生じ、この歪みが界面の再結合中心を生成させる元となる。
【0015】
本発明ではGaAs側に始めから燐を混入させることにより、その界面での局所的格子歪みを緩和させ、再結合中心の少ない良好な界面を得ることができる。
【0016】
すなわち、本発明によれば、エミッタ層やエッチングストッパ層等の燐を用いた混晶層に隣接する層に、燐をドーピングしたエピタキシャル層を用いることにより、界面における再結合を減少させることができる。これは燐をドーピングしたエピタキシャル層は、III-V族化合物半導体と格子不整合による結晶歪みの影響によるデバイス特性が悪化しない程度に燐の濃度が1×1021cm-3以下に制御されるためである。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【0018】
図1は本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタの一実施の形態を示す構造図である。
【0019】
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は、III-V族化合物半導体、例えばGaAsを用いたトランジスタであって、エミッタ層3及びエッチングストッパ層等の燐を用いた混晶層に隣接するエピタキシャル層2、4に燐がドーピングされているものである。エミッタ層3もしくはエッチングストッパ層は、インジウムガリウム燐またはインジウムガリウム燐にアルミニウム若しくは砒素を混入させた混晶層である。ガリウム砒素にドーピングする燐の濃度は1×1021cm-3以下であるのが好ましい。
【0020】
このように燐を用いた混晶層に隣接する層に、燐をドーピングしたエピタキシャル層を用いることにより、界面における再結合を減少させることができるので、電流利得βが低下しないHBTが得られる。
【0021】
【実施例】
HBTは、図1に示すようにGaAs基板7上に形成された、GaAsサブコレクタ層6、GaAsコレクタ層5、GaAsベース層4、InGaPエミッタ層3、GaAsエミッタキャップ層2及びInGaAsコンタクト層1を有している。
【0022】
図1に示したHBT構造のエピタキシャルウェハにおいて、第3層のInGaPエミッタ層3の上の第2層のGaAsエミッタキャップ層2に燐をドーピングした場合の、HBT特性におけるベース電流のn値(電圧を変化させたときの電流の変化量が大きいほど1に近づき[良好]、小さいほど2に近づく[不良]、パラメータの一種)を図2に示す。
【0023】
図2は燐がドーピングされたGaAs層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタと、燐がドーピングされてないヘテロ接合バイポーラトランジスタとの特性比較図であり、横軸がGaAs中の燐濃度軸を示し、縦軸がn値軸を示す。
【0024】
n値は通常1から2の範囲であり、1に近い程良好な界面(ベース漏れ電流が小さい)、2に近い程再結合中心の多い界面(ベース漏れ電流が大きい)と判断される。明らかに燐を適度にドーピングしたGaAs層を第2層に用いた方がn値が良好であり、過剰に燐をドーピングした場合と燐をドーピングしなかった場合とは極端にn値が悪化し、これが低電流密度における電流増幅率βの著しい低下をもたらす。
【0025】
このように、GaAs層に対する燐のドーピングはHBT特性に極めて大きな効果をもたらす。
【0026】
ここで、境界層における砒素と燐との置換は、数原子層以内の範囲で発生するが、これが局所的なものではなくするためには、界面におけるGaAs中の燐濃度が高く、界面からの距離が大きくなるにつれて燐の濃度が低くなる緩和状態が最も好ましい。
【0027】
しかし、界面の燐濃度は1×1021cm-3以下に押さえ、界面からの距離が増えるにつれて徐々に濃度が減少していくGaAs層が最適となる。
【0028】
なお、エミッタ層及びエッチングストッパ層の材質はInGaPに限定されず、In、Ga、Al、As、Pの組合わせにより形成される混晶にも適用される。また、エミッタ層及びエッチングストッパ層以外の材質はGaAsに限定されず、エミッタ層の材質よりも小さなエネルギーギャップをもつ半導体結晶にも適用される。
【0029】
以上において本発明によれば、燐をドーピングしたエピタキシャル層を用いることにより、HBTのベース電流のn値を極めて1に近くすることができる。
【0030】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、次のような優れた効果を発揮する。
【0031】
エミッタ層やエッチングストッパ層としてInGaPやInGaPに類似した材料を用いても電流利得βが低下しないヘテロ接合バイポーラトランジスタの提供を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタの一実施の形態を示す構造図である。
【図2】燐がドーピングされたGaAs層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタと、燐がドーピングされていないヘテロ接合バイポーラトランジスタとの特性比較図である。
【図3】従来のヘテロ接合バイポーラトランジスタの構造図である。
【符号の説明】
1 InGaAsコンタクト層(コンタクト層)
2 エミッタキャップ層(GaAsエミッタキャップ層)
3 InGaPエミッタ層(エミッタ層)
4 GaAsベース層(ベース層)
5 GaAsコレクタ層(コレクタ層)
6 GaAsサブコレクタ層(サブコレクタ層)
7 GaAs基板(基板)
Claims (2)
- III−V族化合物半導体を用いた、少なくともGaAs基板上にGaAsを基本材料としたサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層を順次積層し、その上にインジウムガリウム燐またはインジウムガリウム燐にさらにアルミニウム若しくは砒素も構成元素とする混晶層であるエミッタ層を設け、さらにGaAsを基本材料としたエミッタキャップ層、及びコンタクト層を積層してなるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
エミッタ層に隣接するエピタキシャル層であるベース層又はエミッタキャップ層の少なくともいずれか一方に、燐が1×10 21 cm −3 以下の濃度でドーピングされていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 - 前記ベース層及びエミッタキャップ層中の燐の濃度は、前記エミッタ層との界面からの距離が増えるにつれて、徐々に濃度が減少していくことを特徴とする請求項1に記載のヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ。
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