JP4238123B2 - ダイボンドフィルム - Google Patents

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Description

本発明は、半導体集積回路を含む半導体装置の組み立てに用いられるダイボンドフィルムに関する。
従来、半導体チップを配線基板などの支持基材や半導体チップにマウントする時に用いるダイボンドフィルムは、常温で粘着性のある光硬化及び熱硬化機能を有する単層接着層からなるものや、常温で粘着性のない接着層からなる単層フィルムからなるもの、もしくは耐熱性コア材を介した三層からなる接着材が用いられていた。しかし、常温で粘着性のあるダイボンドフィルムの場合、半導体チップの支持基材への接着性や耐熱性が十分ではないという問題を抱えている。また常温で粘着性のない単層ダイボンドフィルムの場合、接着層は均一な単層構造で表裏が同じ特性、機能を持ち、半導体ウェハにダイボンドフィルムを貼り付けるウェハラミネーション温度が130℃以上必要であり、半導体チップを支持基材や半導体チップにマウントするときのダイマウント温度も150℃以上必要であるという問題点があった。耐熱コア材を介した3層からなる接着剤は表裏で異なった特性、機能をもつものもあるが、ダイボンドフィルムが薄型の方向に向かっている中でコアフィルムの厚さが問題であり、また、耐熱コア材の弾性率が高いので半導体チップと支持基材の熱膨張差を吸収する応力緩和能力に欠ける問題がある。
また、高密度実装を進めるため、チップ積層パッケージなどが実用化されているが、これらにおいてはウエハを100μm前後もしくは50μm前後さらには25μm前後まで薄く削る。この薄いウエハを薄削り工程の後、破損せずに次のダイボンドフィルム(DBF)貼り付け工程に流すために、薄削り時に用いた表面保護テープ(BGテープ)をつけたままDBF貼りつけ工程に流すことが実施されている。しかし、DBF貼り付けに伴う加熱により、BGテープ粘着層の耐熱性不足による粘着層の糊残りによるウエハ表面汚染や、BGテープの剥離性の悪化、BGテープ基材の熱収縮によるウエハ反りや、ウエハ表面に形成されたバッファーコート膜の加熱収縮に伴なうウエハ反りによるウエハのカートリッジへの収納性の悪化などが発生しており、DBF貼り付け温度の低下、特に貼り付け後の後加熱温度および時間の低下短縮が求められていた。 すなわち、110℃以下の低温でウエハ裏面に接着可能なDBFが求められていた。
また、DBF付き半導体チップを支持体に接着するダイマウント時の温度も、支持体が基板サイズの大きいMould Array Package(以下MAPという)などが増加するに従い、樹脂基板の反りが少ないように150℃以下の低温でダイマウント可能なDBFが求められていた。
また、上記DBF貼り付け工程を経てダイシングテープ貼りつけ工程へと進むが、この工程を同時にこなせる工程が、ウエハ破損の機会低減や、工程合理化の面で望まれていた。
また、DBFで半導体チップを支持体に接着し、ワイヤーボンド、モールドしたPKGは半田リフロー性を持つ必要がある。近年、鉛フリー半田が多く使われるようになった。そのためには、鉛フリー半田の実装温度である250℃以上の温度でのDBFの貯蔵弾性率は水分等の気化に耐える高さが要求されている。
特許第3117971号 特許第3117972号
本発明は、前記の課題を解決できる低温接着性と高温時の高弾性率を両立させたダイボンディングフィルムを提供するものである。
本発明者らは、鋭意検討した結果、特定の接着剤層を2層あるいは3層積層することにより、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、以下の態様を包含する。
(1) 主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂またはフィラーを3体積%以下含有してなる熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂からなり、60〜110℃のいずれかの温度でシリコン鏡面にロール貼り付けした時のピール強度が1N・cm−1以上であり、未硬化状態でのガラス転移温度(Tg)が50℃以下で、表面粗さが0.2μm未満の接着剤層(A)と、主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂とフィラーからなり、該フィラーの含有量が前記接着剤層(A)のフィラーの含有量より5から30体積%高く、未硬化状態でのガラス転移温度(Tg)が70℃以下の接着剤層(B)から構成され、接着剤層(A)および接着剤層(B)のフィラー含有量の合計が5体積%以上、30体積%以下であることを特徴とするダイボンドフィルム。
(2) 主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂またはフィラーを3体積%以下含有してなる熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂からなり、60〜110℃のいずれかの温度でシリコン鏡面にロール貼り付けした時のピール強度が1N・cm−1以上であり、未硬化状態でのガラス転移温度(Tg)が50℃以下である接着剤層(A’)と前記接着剤層(B),前記接着剤層(A)がこの順に構成され、接着剤層(A),接着剤層(B)および接着剤層(A’)のフィラー含有量の合計が5体積%以上、30体積%以下であることを特徴とするダイボンドフィルム。
(3) フィラーの平均粒径が1μm以下であることを特徴とする(1)または(2)記載のダイボンドフィルム。
(4) 前記接着剤層(A)の厚みが0.1〜1μm、接着剤層(B)の厚みが5〜50μmの範囲にあることを特徴とする(1)または(3)に記載のダイボンドフィルム。
(5) 前記接着剤層(A)の厚みが0.1〜1μm、接着剤層(B)の厚みが5〜50μm、接着剤層(A’)の厚さが0.1〜1μmの範囲にあることを特徴とする(2)または(3)に記載のダイボンドフィルム。
(6) 前記接着剤層(A’)側が、ウエハサイズより大きく、ダイシングテープ支持リングフレームより小さな範囲内で、ダイシングテープに接着ざれていることを特徴とする(5)に記載のダイボンドフィルム。
前記接着剤層(A)、(B)、(A’)を構成する接着剤が、下記一般式(I)で表されるシリコーンジアミンを含むジアミンとテトラカルボン酸2無水物を反応させてなる熱可塑性シリコーン変成ポリイミド(D)と、熱硬化性樹脂(E)あるいは、(D),(E)および(F)フィラー
を含有してなる組成物から形成された接着剤層であることはTg以下での弾性率が低くでき、チップと支持基材との熱膨張差を吸収する応力緩和能力が高く好ましい態様である。



Figure 0004238123
(I)
(上式中、R1、R6は二価の炭素数1〜4の脂肪族基または芳香族基を、R2〜R5は一価の脂肪族基または芳香族基を、nは0〜20の整数を表わす。)
また、 前記熱可塑性シリコーン変成ポリイミド(D)が、前記一般式(I)で表されるシリコーンジアミンと下記式(II)で表される芳香族ジアミンとを含むジアミンと、テトラカルボン酸2無水物を反応させてなるものであることは低温接着性と低吸湿性という点で好ましい態様である。

Figure 0004238123
(II)







更に、前記熱可塑性シリコーン変性ポリイミド(D)が、前記一般式(I)で表されるシリコーンジアミンと下記式(III)で表される芳香族ジアミンとを含むジアミンと、テトラカルボン酸2無水物を反応させてなるものは低温接着性と低吸湿性という点で、より好ましい態様である。





Figure 0004238123

(III)
本発明のフィルム状接着剤を用いることで、実装後のPKGの耐熱性を維持しながらDBFをウエハ裏面に貼り付ける工程温度、ダイボンドする工程温度を大幅に下げることができ、ウェはラミネーション、ダイボンド工程での実装材料の変形などの熱ダメージを軽減することができる。
接着剤層(A)(以下(A)層という)は、主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂とフィラーからなり、フィラー平均含有量が3体積%以下、より好ましくは1体積%以下であり、未硬化状態でのガラス転移温度(Tg)が50℃以下、より好ましくは20〜50℃で、表面粗さ(Rave)が0.2μm未満、より好ましくは0.1μm未満である。
(A)層の樹脂は、熱可塑性樹脂単体では、パッケージ材料として要求される耐熱性を有さないために熱硬化性樹脂と組み合わせた組成物を使用するのが好ましく熱可塑性樹脂としては、ポリイミドが好ましく、特にシリコーン変成ポリイミド樹脂が好ましい。ポリイミド樹脂の合成に使用する芳香族ジアミンは、前記式(II)または(III)で表される構造のジアミンが、柔軟な骨格をもち低Tgとなり低温接着性が良好であること、イミド基密度が低下し吸湿率が低いことなどで好適である。
一般式(I)で表されるシリコーンジアミンの配合量は、組み合わせる酸無水物、ジアミンに合わせ、目的のTg及び低温接着性を発揮する量を添加することが出来る。
シリコーン変成ポリイミド以外にも、エチレンアクリル系共重合体(H)は、低Tgであり、エポキシ樹脂をはじめとした熱硬化性樹脂と組み合わせ、粘着性、耐熱性、低吸湿性など優れた特性を有し、(A)層を形成するのに好適な樹脂である。Tgは、エチレンアクリル系共重合体と熱硬化性樹脂との配合比で調整できる。また、良好な耐熱性を付与するために、熱硬化性樹脂と反応性を有する官能基をもつエチレンアクリル系共重合体がより好ましい。(A)層には、60℃以上で粘着性をもち、耐熱性、応力緩和性に優れるという点で、低Tgのエラストマーやアクリル樹脂を、60℃以上で粘着性を発現する程度に、熱硬化性樹脂に配合した樹脂系も使用できる。
本発明で用いる熱硬化性樹脂は、シリコーン変成ポリイミド樹脂、エチレンアクリル系共重合体などの熱可塑性樹脂とある程度相溶するものであれば特に限定されるものではないが、好ましくはエポキシ樹脂である。熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも2個のエポキシ基を含むものであれば特に限定されない。例えばフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂として、ビスフェノールA、ビスフェノールAD、ビスフェノールS、ビスフェノールFもしくはハロゲン化ビスフェノールAとエピクロルヒドリンの縮合物、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエン変成フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビフェニル型エポキシ樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂の量は、熱可塑性樹脂100重量部に対して1〜200重量部、好ましくは5〜100重量部の範囲で、これより少ないと耐熱性が悪くなる傾向が見られることがあり、これより多いと接着時の流動性が大きくなることがありチップ周辺を汚染する場合がある。またフィルムがもろくなる傾向も見られ、フィルム形成性も悪くなることがある。
熱硬化性樹脂の硬化剤は、熱硬化性樹脂と反応性を有し、熱硬化性樹脂を硬化させることができる化合物であれば特に限定されるものではない。代表的例として、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、イミダゾール類などが挙げられる。さらに公知の硬化促進剤を添加してもよい。
フィラーは平均粒径が1μm以下、より好ましくは0.5μm以下の溶融シリカが熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の補強効果の点で好ましい。(A)層および(A’)層のフィラー含有量は、フィラーが5体積%増えると、ウェハへのダイボンドフィルム(以下DBFと略す)の貼り付け温度は5〜10℃程度上昇することが多いので、3体積%以下、より好ましくは1体積%以下が低温接着性のため好ましい。
主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂とフィラーからなる(A)層は低温接着性を有することとダイシング性を考慮してTgは50℃以下、より好ましくは20〜50℃の範囲であることが好ましい。また、60〜110℃のいずれかの温度で鏡面のシリコンウェハにロール貼り付けした時のピール強度が1N・cm−1以上であることが好ましい。
シリコン鏡面にロール貼りつけした時のピール強度が1N・cm−1以上であるとは、具体的には、例えば100℃ステージ上にて8Nの加重ローラで30cm/sの速度でシリコンウエハ鏡面に(A)層を介して貼り付け、室温でのDBFの90度ピール強度が1N/cm−1以上であるような性質を意味する。ピール強度が1N/cm−1以上ないと、ダイシング時のチップ飛びや、ピックアップ時にウエハ裏面とDBFの剥離などを生じて好ましくない場合がある。これらのピール強度測定において、フィルム状接着剤単独での強度が不足する場合は、フィルムの接着面の反対側に支持体として別のフィルムを貼り付けて測定することができる。ロール貼り付け条件は、おおむね10〜100Nの荷重で数mm〜数10cm/s程度の速度である。
(A)層の表面粗さは、シリコン鏡面に低圧でロールラミネートするウェハラミネーションのときに鏡面との密着性を良くするために0.2μm未満が好ましく、より好ましくは0.1μm未満である。0.2μmを超えると鏡面への密着にロール圧力を上げたり、圧着温度を上げる必要がありウェハラミネーション上好ましくない。
(A)層の厚みはシリコン鏡面に接着できる厚みがあれば良い。接着剤層(B)(以下(B)層という)に比べてフィラー含有量が少ないので耐熱性が相対的に低くなること、モールド工程で高温、高圧(例えば175℃、10MPa)がかかった時に相対的に耐熱性が高い(B)層と混合しやすくなるので、0.1〜1μmが好ましい。より好ましくは0.1〜0.5μmである。
(B)層は回路基板など凹凸のある支持体にも追従するため、層の厚みは5〜50μmが好ましく、より好ましくは5〜40μmである。(B)層に使用される熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、フィラーの種類は(A)層と同じであっても、異なっても良い。(B)層の未硬化状態でのTgは70℃以下がDAF付き半導体チップをダイマウントする時の温度を150℃以下にすることができ好ましく、特に、50℃以下が好ましい。(B)層の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂は前記の(A)層に用いられる樹脂の中から選択することができる。 熱硬化性樹脂の量は、熱可塑性樹脂100重量部に対して1〜200重量部、好ましくは5〜100重量部の範囲で、これより少ないと耐熱性が悪くなる傾向が見られることがあり、これより多いと接着時の流動性が大きくなることがありチップ周辺を汚染する場合がある。またフィルムがもろくなる傾向も見られ、フィルム形成性も悪くなることがある。
(B)層の表面粗さは、ダイマウント工程における接着面の密閉性による空気の巻き込みを減少させたり、ダイマウント後の加熱工程あるいはワイヤボンド工程でのDBF中の水分、揮発分、支持基材中水分の除去のため、0.2μm以上が好まく、より好ましくは0.2〜0.5μmである。(B)層の表面粗さが0.2μm未満の場合には、ダイマウント工程で巻き込んだ空気を実質的に密閉する結果になり好ましくない場合がある。
フィラーは平均粒径が1μm以下、より好ましくは0.5μm以下の溶融シリカが熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の補強効果の点で好ましい。また、最大粒径はDBFの薄型化の傾向から5μm以下が好ましい。より好ましくは2μm以下である。最大粒径は単独粒子、あるいは凝集体の径を意味する。
(B)層のフィラー含有量は250℃以上の温度でのDBF全体の弾性率を高めるために(A)層のそれより5〜30体積%高いことが好ましく、より好ましくは10〜25体積%高いことが好ましい。(B)層の硬化状態の250℃での貯蔵弾性率は4MPa以上が好ましい。4MPaより貯蔵弾性率が低いと、DBFを用いて、半導体チップと配線基板を積層した半導体PKGで60℃、湿度60%で120時間吸湿させた状態での吸湿時鉛フリー半田実装でDBF層内のフクレを起こす恐れがある。(B)層のフィラーの含有率を高める程度が3体積%未満の場合、貯蔵弾性率を上げる効果が少なく、30体積%を超えると(B)層の接着時の流動性が低下して支持基材への埋め込み性が低下することや、支持基材への界面接着力の低下が大きくなり好ましくない場合がある。
貯蔵弾性率は、(B)層のみの樹脂組成物ワニスを剥離性が改良されたベースフィルム上にコートし、乾燥して、ベースフィルムより剥離し、これを重ねて、50mm×50mm×0.5mmの型に入れ、プレス成形し型サイズの試験片を作り、同試験片より装置にあった形状の試験片を切りだし、動的粘弾性測定装置で貯蔵弾性率を測定して求めることができる。プレス条件は樹脂の溶融特性により調整する必要があるが、50〜100℃、5〜30kgf/cm程度で良好に成形できる。
この(A)層と(B)層からなるDBFはウェハラミネートで低温接着ができ、PKGに組み込まれたときの鉛フリー半田実装性を両立できる。
(A)層、(B)層に更に(A’)層を積層したDBFは好ましい態様である。
(A’)層は主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂又はフィラーを3体積%以下含有してなる熱硬化性樹脂からなり、(A’)層に使用される熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、フィラーの種類は(A)層と同じであっても、異なっても良い。(A’)層のTgは50℃以下がDAF付き半導体チップをダイマウントする時の温度を150℃以下にするために好ましく、特に、20〜50℃以下が好ましい。(A’)層の熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂は前記の(A)層に使用できる樹脂の中から選択することができる。
熱硬化性樹脂の量は、熱可塑性樹脂100重量部に対して1〜200重量部、好ましくは5〜100重量部の範囲で、これより少ないと耐熱性が悪くなる傾向が見られることがあり、これより多いと接着時の流動性が大きくなることがありチップ周辺を汚染する場合がある。またフィルムがもろくなる傾向も見られ、フィルム形成性も悪くなることがある。
(A´)層の厚みは支持基材に接着できる厚みがあれば良い。(B)層に比べてフィラー含有量が少ないので耐熱性が相対的に低くなること、モールド工程で高温、高圧(例えば175℃、10MPa)がかかった時に相対的に耐熱性が高い(B)層と混合しやすくなるので、0.1〜1μmが好ましい。より好ましくは0.1〜0.5μmである。
(A’)層の表面粗さは、ダイマウント工程における接着面の密閉性による空気の巻き込みを減少させたり、ダイマウント後の加熱工程あるいはワイヤボンド工程でのDBF中の水分、揮発分、支持基材中水分の除去のため、0.2μm以上が好ましく、0.2〜0.5μmがより好ましい。(A’)層の表面粗さが0.2μm未満の場合には、ダイマウント工程で巻き込んだ空気を実質的に密閉する結果になり好ましくない場合がある。
フィラーは平均粒径が1μm以下、より好ましくは0.5μm以下の溶融シリカが熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の補強効果の点で好ましい。フィラーの量は3体積%以下が好ましく、体積%以下がより好ましい。
この、(A)層、(B)層、(A’)層から構成されるダイボンドフィルムはウェハラミネート、チップの支持基材へのダイボンドが低温接着でき、PKGに組み込まれたときの鉛フリー半田実装性を両立できるので好ましい態様である。
(A)層および(B)層から構成されるダイボンドフィルムの場合、(A)層および(B)層のフィラーの含有量の合計は、5体積%以上30体積%以下が好ましく、より好ましくは10体積%以上、25体積%以下である。5体積%未満の場合、接着層全体の弾性率が低くなり、DBFを用いた半導体PKGの吸湿後のリフローでフクレを生じる場合がある。また、30体積%を超える場合、(B)層と半導体チップ搭載基材との界面接着力が低下し、また接着剤層の溶融粘度が上昇して、ダイマウント温度の上昇を招いたり、凹凸のある配線基板への埋め込み不良を起こすなど好ましくない場合がある。
また、(A)層、(B)層、(A’)層から構成されるフィルム接着剤の場合、(A)層、(B)層および(A’)層のフィラーの含有量の合計は、5体積%以上30体積%以下が好ましく、より好ましくは10体積%以上、25体積%以下である。5体積%未満の場合、接着層全体の弾性率が低くDBFを用いた半導体PKGの吸湿後のリフローでフクレを生じる場合がある。また、30体積%を超える場合、接着剤層の溶融粘度が上昇して、ダイマウント温度の上昇を招いたり、凹凸のある配線基板への埋め込み不良を起こすなど好ましくない場合がある。
本発明で使用する熱可塑性樹脂の一つであるポリイミドの合成に用いられるテトラカルボン酸無水物は特に限定されるものではないが、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、4,4’―オキシジフタル酸二無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、2,6−ジクロルナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,7−ジクロルナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テトラクロルナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、フエナンスレン−1,8,9,10−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、チオフエン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メチルフェニルシラン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジフェニルシラン二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシフェニルジメチルシリル)ベンゼン二無水物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,3,3−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、p−フェニルビス(トリメリット酸モノエステル酸無水物)、エチレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス(エキソ−ビシクロ〔2,2,1〕ヘプタン−2,3−ジカルボン酸無水物)スルホン、ビシクロ−(2,2,2)−オクト(7)−エン2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス〔4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、4,4’−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフイド二無水物、1,4−ビス(2−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル)ベンゼンビス(トリメリット酸無水物)、1,3−ビス(2−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル)ベンゼンビス(トリメリット酸無水物)、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロフリル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、テトラヒドロフラン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビストリメリテート二無水物、等があり、2種類以上を混合して用いてもよい。
本発明で使用される熱可塑性樹脂の一つであるポリイミドに使用するジアミンは、前記一般式(I)、(II)、(III)以外のものであってもよく、例えば、1,2−ジアミノエタン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、1,5−ジアミノペンタン、1,6−ジアミノヘキサン、1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオクタン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデカン、1,11−ジアミノウンデカン、1,12−ジアミノドデカン等の脂肪族ジアミン、o−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,4’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、4,4’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスルフイド、3,4’−ジアミノジフェニルスルフイド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフイド、3,3’−ジアミノジフェニルケトン、3,4’−ジアミノジフェニルケトン、4,4’−ジアミノジフェニルケトン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)プロパン、2,2’−(3,4’−ジアミノジフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−(3,4’−ジアミノジフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,3’−(1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、3,4’−(1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、4,4’−(1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、2,2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−(4−アミノフエノキシ)フエニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)スルフイド、ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルフイド、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’−メチレン−ビス(2,6−ジエチルアニリン)、o−トリジンスルホン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4−メチレン−ビス(2,6−ジイソプロピルアニリン)、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、1,1−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)シクロヘキサン等のジアミンを挙げることができる。
テトラカルボン酸二無水物とジアミンの縮合反応は公知の方法で、有機溶媒中で行う。この場合、テトラカルボン酸二無水物とジアミンは等モル又はほぼ等モルで用いるのが好ましく、各成分の添加順序は任意である。用いる有機溶媒としては、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、m−クレゾール、o−クロルフェノール、テトラヒドラフラン等がある。
ポリイミドの前駆体のポリアミド酸合成反応温度は80℃以下、好ましくは0〜50℃である。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇する。
ポリイミドは、前記反応物(ポリアミド酸)を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は120℃〜250℃で熱処理する方法や化学的方法を用いて行うことができる。120℃〜250℃で熱処理する方法の場合、脱水反応で生じる水を系外に除去しながら行うことが好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等を用いて水を共沸除去するとよい。
ポリイミドは、ポリアミド酸を経由せずに、モノマーを溶剤中で溶解、加熱し、重合及び脱水閉環させることもできる。加熱温度は上記の120℃〜250℃が好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等を用いて水を共沸除去するとよい。
熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤などの熱硬化性樹脂を溶剤に溶解撹拌し、ワニス状にする。ここで用いられる有機溶媒は、上記材料を均一に溶解又は混練できるものであれば特に制限はなく、そのようなものとしては例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、トリメチルベンゼン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン等が挙げられ、単独あるいは混合して用いられる。
次いで、上記ワニスに必要に応じてフィラー及び添加剤を加え、混合する。フィラーを混合する場合、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル、ビーズミルなどの分散機を適宜組み合せて、混練を行い、フィラー混合ワニスを得ることができる。
フィルム状接着剤の製造法としては、上記のフィラー混合ワニスを、例えばシリコーン系樹脂で表面処理し、剥離特性のよい表面粗さが0.2μmより小さいPETシート等のベースフィルム上に均一に塗布し、使用した溶媒が充分に揮散する条件、すなわち、おおむね60〜200℃の温度で、1〜30分間加熱し、DBFを得ることができる。
(A)層、(B)層からなる2層DBFの場合、
(A)層を作るのに必用なフィラー濃度、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を選択して未硬化状態での樹脂のTgが50℃以下になるように調整したワニス((A)層用ワニスとする)を乾燥後0.1〜1μmになるように1層目にコート乾燥後、(B)層を作るのに必用なフィラー濃度、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を選択して未硬化状態での樹脂のTgが70℃以下になるように調整したワニス((B)層用ワニスとする)を乾燥後5から50μmになるように2層目として、その上にコート乾燥すれば形成できる。
(A)層、(B)層、(A’)層からなる3層ダイボンドフィルムの場合は、(A)層を作るのに必用なフィラー濃度、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を選択して未硬化状態での樹脂のTgが50℃以下になるように調整した(A)層用ワニスを乾燥後0.1〜1μmになるように1層目にコート乾燥後、(B)層を作るのに必用なフィラー濃度、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を選択して未硬化状態での樹脂のTgが70℃以下になるように調整した(B)層用ワニスを乾燥後5から50μmになるように2層目として、その上にコート乾燥し、更に(A’)層を作るのに必用なフィラー濃度、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を選択して未硬化状態での樹脂のTgが50℃以下になるように調整したワニスを乾燥後0.5〜2μmになるように3層目としてコート乾燥すれば形成できる。
エチレンアクリル系エラストマー含む接着剤組成物を使う場合は、同樹脂を溶解できる溶剤、例えばメチルエチルケトンなどに溶解し、同様に溶解した熱硬化性樹脂、例えばエポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤などと配合し、さらにフィラーを配合する。このワニスを、熱可塑性ポリイミドを含む接着剤ワニスと同じように、例えばシリコーン系材料で表面処理し、剥離特性のよいPETシート等のベースフィルム上で1層目をコート乾燥後、2層目を、さらに3層目をその上にコート乾燥すれば形成できる。
ダイシングテープにあらかじめ本発明のダイボンドフィルムの(A’)層側を接着してなるフィルムでは、DBFおよびダイシングテープの2回の貼り付け工程を1回に省く意味で工程合理化に貢献する。より好ましくは70℃以下で接着できる(A)層を有していれば、ウエハに本フィルム状接着剤を市販のダイシングテープ貼りつけ機で貼り付けることができ、市販ダイシングテープにとっても耐熱性を要求されず好ましい。
ダイシング時に用いるリング状支持体への粘着固定及び取り外し、さらには長尺フィルムでの位置ずれを考慮すると、本発明のフィルム状接着剤をウエハより大きく、リングフレーム内周より小さい範囲でダイシングテープ上に形成してなるフィルム状接着剤は好ましい態様である。
このようなフィルムの製造方法としては、セパレータ上に(A)、(B)、(A’)層をコート乾燥して形成後、ウエハより大きく、リングフレーム内周より小さい範囲の例えば円形もしくは楕円形に接着層を残すように接着層を切り、セパレータはハーフカットする。円形もしくは楕円形部以外の接着層を剥離除去後、ダイシングフィルムに接着層(A‘)を介してセパレータごとラミネートして巻き取る方法などが挙げられる。
本発明のフィルム状接着剤の接着工法には、例えば以下のようなものが挙げられる。すなわち、半導体ウエハの裏面にセパレータ/(A)層/(B)層/(A’)層という構成の接着フィルムを形成する工程、セパレータをはがす工程、(A)層を介して半導体ウエハ裏面にフィルム状接着剤をロールラミネートする工程、ウエハ外周でフィルム状接着剤をカットする工程、フィルム状接着剤付きウエハにダイシングテープを貼りつけリングフレームに固定する工程、ダイシング工程、ピックアップ工程、支持体に(B)層あるいは(A’)層を介してチップをマウントする工程からなる工法が挙げられる。
また、あらかじめダイシングテープ上にリング内周より小さい範囲例えば円形もしくは楕円形に(A)、(B)、(A’)層が形成されてなるセパレータ/(A)層/(B)層/(A’)層/ダイシングテープよりなる接着フィルムにおいては、例えば、セパレータをはがす工程、位置決めし(A)層を介して半導体ウエハ裏面に接着フィルムをロールラミネートしダイシングテープ部分でリングフレームに固定する工程、ダイシング工程、ピックアップ工程、支持体に接着層(A’)を介してチップをマウントする工程からなる工法でチップマウントまで完了させることができる。
以上の貼りつけ工法は一例であって、本発明のフィルム状接着剤の接着工法は上記に限定されるものではない。以上の貼りつけ工程において、60℃から110℃でウエハ裏面に(A)層を介してロールラミネートできると、周辺部材の耐熱性やウエハ反りの観点で好ましい。ダイシングテープごと使う前記接着工法のフィルム状接着剤では、70℃以下での貼りつけが、ダイシングテープの耐熱性を考慮すると、好ましい。
本発明のフィルム状接着剤を介して半導体素子をその支持体に接着してなる半導体装置としては、半導体パッケージや、基板に直接チップを接着してなる半導体装置などをあげることができる。
合成例(a)
温度計、攪拌機、メシチレンを満たしたディーンスターク管、窒素吹き込み管を備えた500mLの五つ口フラスコに、APB5(前記式(III)の構造のジアミン)19.7g、シリコーンジアミン(α,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン(APPS)、平均分子量920)48.2g、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)162g、メシチレン69.6gをとり、窒素フロー下で50℃に加熱し攪拌した。ジアミンの溶解後、4,4’−オキシジフタル酸二無水物(ODPA)21.98g、エチレングリコールビストリメリテート二無水物(EGTA)9.69gを少量ずつ添加した。窒素ガスを吹き込みながら系を油浴で170〜180℃に加熱し、水を共沸除去しながら10時間保持した後、室温まで冷却しポリイミドワニスを得た(ポリイミドワニス1)。
合成例(b)
温度計、攪拌機、メシチレンを満たしたディーンスターク管、窒素吹き込み管を備えた500mLの五つ口フラスコに、APB5(前記式(III)の構造のジアミン)15.6g、シリコーンジアミン(α,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン(APPS)、平均分子量920)55.9g、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)162g、メシチレン69.6gをとり、窒素フロー下で50℃に加熱し攪拌した。ジアミンの溶解後、4,4’−オキシジフタル酸二無水物(ODPA)21.98g、エチレングリコールビストリメリテート二無水物(EGTA)9.69gを少量ずつ添加した。窒素ガスを吹き込みながら系を油浴で170〜180℃に加熱し、水を共沸除去しながら10時間保持した後、室温まで冷却しポリイミドワニスを得た(ポリイミドワニス2)。
上記ポリイミドワニス1に熱硬化性樹脂、フィラーを表1のように配合し、自転公転を高速で行う混練兼脱泡きである泡取り錬太郎((株)シンキー製)で混錬した。なお、表1において、種々の記号は下記のものを意味する。
VG3101:三井化学(株)製 3官能エポキシ樹脂
2MAOK:四国化成製、イミダゾール硬化剤
1FX : (株)龍森製 溶融球状シリカ 平均粒径0.3μm
NMP:1−メチル−2−ピロリドン
メシチレン:1,3,5−トリメチルベンゼン
表−1


Figure 0004238123
(実施例および比較例)
表−1に従って作成した配合ワニスを、乾燥後の厚みが各25μmになるように表面処理PET(帝人デュポンフィルム製、A31、50μm厚)上に塗布し、熱風乾燥機で90℃で20分間乾燥し、各配合単独でフィルムのTg(℃)、180℃で3時間硬化後の250℃での貯蔵弾性率(MPa)を表−2に示した。Tgは未硬化状態のフィルムのTMAで求めた。貯蔵弾性率は、表面処理PET上から剥離したDBFを加圧下で、構成する層の最も高いTgより30℃高い温度で積層してフィルム厚みが400〜600μmになるようにし、180℃で3時間硬化してから測定した。測定はレオメトリクス 社製RSA−IIを用い、引張モードで、昇温速度5℃/分、周波数10Hzで行った。
表−2
Figure 0004238123
(実施例1)
配合1のワニスを乾燥後0.5μmになるようにA−31上に塗布し、熱風乾燥機で90℃で2分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合3のワニスを乾燥後25μmになるように塗布し、熱風乾燥機で90℃で20分間乾燥し離型フィルム付きDBFを作成した。A−31の上に形成した2層のDBFはA−31から容易に剥がれ、柔軟性があった。0.5μm側の表面粗さは0.1μm以下であった。また、最外層の表面粗さは0.2μmであった。このフィルムを70℃で100μm厚みのシリコンウェハの鏡面に8Nの加重ローラ、30cm/sの速度でシリコンウエハ鏡面に0.5μm層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の90度ピール強度は3N/cm−1であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるDBFのバリの発生はなく、チップ飛びもなかった。DBF付きチップを0.2mm厚みのPKG用配線基板に150℃、0.08MPaの圧力、1秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は3MPaであった。これは次工程に進むに充分な強度である。ダイマウントしたチップをモールド相当の10MPaの圧力で60秒間配線基板に圧着した。その後180℃のオーブンで3時間DBFを硬化させた。このDBFで接合したチップ、配線基板複合体を85℃、60%の恒温恒湿ボックス内で168時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度250℃のリフロー炉を3回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察したが膨れ、剥がれは発生していなかった。
(実施例2)
配合5のワニスを乾燥後0.5μmになるようにA−31上に塗布し、熱風乾燥機で90℃で2分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合3のワニスを乾燥後25μmになるように塗布し、熱風乾燥機で90℃で20分間乾燥し、離型フィルム付きDBFを作成した。A−31の上に形成した2層のDBFはA−31から容易に剥がれ、柔軟性があった。0.5μm側の表面粗さは0.1μm以下であった。また、最外層の表面粗さは0.2μmであった。このフィルムを90℃で100μm厚みのシリコンウェハの鏡面に8Nの加重ローラ、30cm/sの速度でシリコンウエハ鏡面に0.5μm層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の90度ピール強度は2.5N/cm−1であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるDBFのバリの発生はなかく、チップ飛びもなかった。DBF付きチップを0.2mm厚みのPKG用配線基板に150℃、0.08MPaの圧力、1秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は3MPaであった。これは次工程に進むに充分な強度である。ダイマウントしたチップをモールド相当の10MPaの圧力で60秒間配線基板に圧着した。その後180℃のオーブンで3時間DBFを硬化させた。このDBFで接合したチップ、配線基板複合体を85℃、60%の恒温恒湿ボックス内で168時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度250℃のリフロー炉を3回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察したが膨れ、剥がれは発生していなかった。
(実施例3)
配合1のワニスを乾燥後0.5μmになるようにA−31上に塗布し、熱風乾燥機で90℃で2分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合3のワニスを乾燥後24μmになるように塗布し、熱風乾燥機で90℃で20分間乾燥した。乾燥フィルムの上に、配合5のワニスを乾燥後1μmになるように塗布し、熱風乾燥機で90℃で3分間乾燥し離型フィルム付きDBFを作成した。A−31の上に形成した3層のDBFはA−31から容易に剥がれ、柔軟性があった。0.5μm側の表面粗さは0.1μm以下であった。また、最外層の表面粗さは0.2μmであった。このフィルムを70℃で100μm厚みのシリコンウェハの鏡面に8Nの加重ローラ、30cm/sの速度でシリコンウエハ鏡面に0.5μm層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の90度ピール強度は3N/cm−1であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるDBFのバリの発生はなく、チップ飛びもなかった。DBF付きチップを0.2mm厚みのPKG用配線基板(ソルダーレジスト面のうねりは最大15μmであった)に120℃、0.08MPaの圧力、1秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は3.5MPaであった。ダイマウントしたチップをモールド相当の10MPaの圧力で60秒間配線基板に圧着した。その後180℃のオーブンで3時間DBFを硬化させた。このDBFで接合したチップ、配線基板複合体を85℃、60%の恒温恒湿ボックス内で168時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度250℃のリフロー炉を3回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察したが膨れ、剥がれは発生していなかった。
(実施例4)
配合1のワニスを乾燥後0.5μmになるようにA−31上に塗布し、熱風乾燥機で90℃で2分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合2のワニスを乾燥後25μmになるように塗布し、熱風乾燥機で90℃で20分間乾燥し離型フィルム付きDBFを作成した。A−31の上に形成した2層のDBFはA−31から容易に剥がれ、柔軟性があった。0.5μm側の表面粗さは0.1μm以下であった。また、最外層の表面粗さは0.2μmであった。このフィルムを70℃で100μm厚みのシリコンウェハの鏡面に8Nの加重ローラ、30cm/sの速度でシリコンウエハ鏡面に0.5μm層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の90度ピール強度は3N/cm−1であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるDBFのバリの発生はなく、チップ飛びもなかった。DBF付きチップを0.2mm厚みのPKG用配線基板に150℃、0.08MPaの圧力、1秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は3.5MPaであった。これは次工程に進むに充分な強度である。ダイマウントしたチップをモールド相当の10MPaの圧力で60秒間配線基板に圧着した。その後180℃のオーブンで3時間DBFを硬化させた。このDBFで接合したチップ、配線基板複合体を85℃、60%の恒温恒湿ボックス内で168時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度250℃のリフロー炉を3回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察したが膨れ、剥がれは発生していなかった
(比較例1)
配合4のワニスを乾燥後25μmになるようにA−31上に塗布し、熱風乾燥機で90℃で20分間乾燥し、離型フィルム付きDBFを作成した。A−31の上に形成した単層のDBFはA−31から容易に剥がれ、柔軟性があった。離型フィルム側の表面粗さは0.1μm以下であった。また、反対面の表面粗さは0.3μmであった。このフィルムの離型フィルム側の面を110℃で100μm厚みのシリコンウェハの鏡面に8Nの加重ローラ、30cm/sの速度でシリコンウエハ鏡面に貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の90度ピール強度は0.5N/cm−1であり、ウェハとDBFの接着強度が弱く、DBFをラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるチップ飛びが生じるものがあった。DBF付きチップを0.2mm厚みのPKG用配線基板に150℃、0.08MPaの圧力、1秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は1MPaであった。これは次工程に進むに不充分な強度であった。
(比較例2)
配合1のワニスを乾燥後25μmになるようにA−31上に塗布し、熱風乾燥機で90℃で20分間乾燥し、離型フィルム付きDBFを作成した。A−31の上に形成した単層のDBFはA−31から容易に剥がれ、柔軟性があった。離型フィルム側の表面粗さは0.1μm以下であった。また、最外層の表面粗さも0.1μm以下であった。このフィルムを70℃で100μm厚みのシリコンウェハの鏡面に8Nの加重ローラ、30cm/sの速度でシリコンウエハ鏡面に0.5μm層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の90度ピール強度は3N/cm−1であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、バリの発生があり、実用上支障が出る恐れがあった。DBF付きチップを0.2mm厚みのPKG用配線基板に110℃、0.08MPaの圧力、1秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は2.5MPaであった。これは次工程に進むに充分な強度である。ダイマウントしたチップをモールド相当の10MPaの圧力で60秒間配線基板に圧着した。その後180℃のオーブンで3時間DBFを硬化させた。このDBFで接合したチップ、配線基板複合体を85℃、60%の恒温恒湿ボックス内で168時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度250℃のリフロー炉を3回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察した結果、DBF内の膨れ、配線基板上での剥がれが発生していた。
(比較例3)
配合1のワニスを乾燥後0.5μmになるようにA−31上に塗布し、熱風乾燥機で90℃で2分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合4のワニスを乾燥後25μmになるように塗布し、熱風乾燥機で90℃で20分間乾燥し離型フィルム付きDBFを作成した。A−31の上に形成した2層のDBFはA−31から容易に剥がれ、柔軟性があった。0.5μm側の表面粗さは0.1μm以下であった。また、最外層の表面粗さは0.3μmであった。このフィルムを70℃で100μm厚みのシリコンウェハの鏡面に8Nの加重ローラ、30cm/sの速度でシリコンウエハ鏡面に0.5μm層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の90度ピール強度は3N/cm−1であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるDBFのバリの発生はなく、チップ飛びもなかった。DBF付きチップを0.2mm厚みのPKG用配線基板に150℃、0.08MPaの圧力、1秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は1MPaであった。これは次工程に進むのに不充分な強度であった。

Claims (7)

  1. 主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂またはフィラーを3体積%以下含有してなる熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂からなり、60〜110℃のいずれかの温度でシリコン鏡面にロール貼り付けした時のピール強度が1N・cm−1以上であり、未硬化状態でのガラス転移温度(Tg)が50℃以下で、表面粗さが0.2μm未満である接着剤層(A)と、
    主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂とフィラーからなり、該フィラーの含有量が前記接着剤層(A)のフィラーの含有量より5から30体積%高く、未硬化状態でのガラス転移温度(Tg)が70℃以下である接着剤層(B)から構成され、
    前記接着剤層(A)および前記接着剤層(B)のフィラー含有量の合計が5体積%以上、30体積%以下であることを特徴とするダイボンドフィルム。
  2. 主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂またはフィラーを3体積%以下含有してなる熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂からなり、60〜110℃のいずれかの温度でシリコン鏡面にロール貼り付けした時のピール強度が1N・cm−1以上であり、未硬化状態でのガラス転移温度(Tg)が50℃以下である接着剤層(A’)を更に含み、
    前記接着剤層(A’)、前記接着剤層(B)および前記接着剤層(Aの順に構成され、前記接着剤層(A)、前記接着剤層(B)および前記接着剤層(A’)のフィラー含有量の合計が5体積%以上、30体積%以下であることを特徴とする請求項1記載のダイボンドフィルム。
  3. フィラーの平均粒径が1μm以下であることを特徴とする請求項1または2記載のダイボンドフィルム。
  4. 前記接着剤層(A)の厚みが0.1〜1μm、前記接着剤層(B)の厚みが5〜50μmの範囲にあることを特徴とする請求項1または3記載のダイボンドフィルム。
  5. 前記接着剤層(A)の厚みが0.1〜1μm、前記接着剤層(B)の厚みが5〜50μm、前記接着剤層(A’)の厚が0.1〜1μmの範囲にあることを特徴とする請求項2記載のダイボンドフィルム。
  6. フィラーの平均粒径が1μm以下であることを特徴とする請求項5記載のダイボンドフィルム。
  7. 前記接着剤層(B)あるいは前記接着剤層(A’)側が、ウエハサイズより大きく、ダイシングテープ支持リングフレームより小さな範囲内で、ダイシングテープに接着されていることを特徴とする請求項5または6記載のダイボンドフィルム。
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