JP4238123B2 - ダイボンドフィルム - Google Patents
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Description
本発明は、半導体集積回路を含む半導体装置の組み立てに用いられるダイボンドフィルムに関する。
従来、半導体チップを配線基板などの支持基材や半導体チップにマウントする時に用いるダイボンドフィルムは、常温で粘着性のある光硬化及び熱硬化機能を有する単層接着層からなるものや、常温で粘着性のない接着層からなる単層フィルムからなるもの、もしくは耐熱性コア材を介した三層からなる接着材が用いられていた。しかし、常温で粘着性のあるダイボンドフィルムの場合、半導体チップの支持基材への接着性や耐熱性が十分ではないという問題を抱えている。また常温で粘着性のない単層ダイボンドフィルムの場合、接着層は均一な単層構造で表裏が同じ特性、機能を持ち、半導体ウェハにダイボンドフィルムを貼り付けるウェハラミネーション温度が１３０℃以上必要であり、半導体チップを支持基材や半導体チップにマウントするときのダイマウント温度も１５０℃以上必要であるという問題点があった。耐熱コア材を介した3層からなる接着剤は表裏で異なった特性、機能をもつものもあるが、ダイボンドフィルムが薄型の方向に向かっている中でコアフィルムの厚さが問題であり、また、耐熱コア材の弾性率が高いので半導体チップと支持基材の熱膨張差を吸収する応力緩和能力に欠ける問題がある。
また、高密度実装を進めるため、チップ積層パッケージなどが実用化されているが、これらにおいてはウエハを１００μｍ前後もしくは５０μｍ前後さらには２５μｍ前後まで薄く削る。この薄いウエハを薄削り工程の後、破損せずに次のダイボンドフィルム（ＤＢＦ）貼り付け工程に流すために、薄削り時に用いた表面保護テープ（ＢＧテープ）をつけたままＤＢＦ貼りつけ工程に流すことが実施されている。しかし、ＤＢＦ貼り付けに伴う加熱により、ＢＧテープ粘着層の耐熱性不足による粘着層の糊残りによるウエハ表面汚染や、ＢＧテープの剥離性の悪化、ＢＧテープ基材の熱収縮によるウエハ反りや、ウエハ表面に形成されたバッファーコート膜の加熱収縮に伴なうウエハ反りによるウエハのカートリッジへの収納性の悪化などが発生しており、ＤＢＦ貼り付け温度の低下、特に貼り付け後の後加熱温度および時間の低下短縮が求められていた。 すなわち、１１０℃以下の低温でウエハ裏面に接着可能なＤＢＦが求められていた。
また、ＤＢＦ付き半導体チップを支持体に接着するダイマウント時の温度も、支持体が基板サイズの大きいMould Array Package(以下ＭＡＰという)などが増加するに従い、樹脂基板の反りが少ないように１５０℃以下の低温でダイマウント可能なＤＢＦが求められていた。
また、上記ＤＢＦ貼り付け工程を経てダイシングテープ貼りつけ工程へと進むが、この工程を同時にこなせる工程が、ウエハ破損の機会低減や、工程合理化の面で望まれていた。
また、ＤＢＦで半導体チップを支持体に接着し、ワイヤーボンド、モールドしたPKGは半田リフロー性を持つ必要がある。近年、鉛フリー半田が多く使われるようになった。そのためには、鉛フリー半田の実装温度である２５０℃以上の温度でのＤＢＦの貯蔵弾性率は水分等の気化に耐える高さが要求されている。
特許第3117971号
特許第3117972号
また、上記ＤＢＦ貼り付け工程を経てダイシングテープ貼りつけ工程へと進むが、この工程を同時にこなせる工程が、ウエハ破損の機会低減や、工程合理化の面で望まれていた。
また、ＤＢＦで半導体チップを支持体に接着し、ワイヤーボンド、モールドしたPKGは半田リフロー性を持つ必要がある。近年、鉛フリー半田が多く使われるようになった。そのためには、鉛フリー半田の実装温度である２５０℃以上の温度でのＤＢＦの貯蔵弾性率は水分等の気化に耐える高さが要求されている。
本発明は、前記の課題を解決できる低温接着性と高温時の高弾性率を両立させたダイボンディングフィルムを提供するものである。
本発明者らは、鋭意検討した結果、特定の接着剤層を２層あるいは３層積層することにより、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、以下の態様を包含する。
（１） 主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂またはフィラーを３体積％以下含有してなる熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂からなり、６０〜１１０℃のいずれかの温度でシリコン鏡面にロール貼り付けした時のピール強度が１Ｎ・ｃｍ−１以上であり、未硬化状態でのガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下で、表面粗さが０．２μm未満の接着剤層（Ａ）と、主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂とフィラーからなり、該フィラーの含有量が前記接着剤層（A）のフィラーの含有量より５から3０体積％高く、未硬化状態でのガラス転移温度（Ｔｇ）が７０℃以下の接着剤層（Ｂ）から構成され、接着剤層（Ａ）および接着剤層（Ｂ）のフィラー含有量の合計が５体積％以上、３０体積％以下であることを特徴とするダイボンドフィルム。
（２） 主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂またはフィラーを３体積％以下含有してなる熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂からなり、６０〜１１０℃のいずれかの温度でシリコン鏡面にロール貼り付けした時のピール強度が１Ｎ・ｃｍ−１以上であり、未硬化状態でのガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下である接着剤層（A’）と前記接着剤層（B）,前記接着剤層(A)がこの順に構成され、接着剤層（A）,接着剤層（B）および接着剤層（A’）のフィラー含有量の合計が５体積％以上、３０体積％以下であることを特徴とするダイボンドフィルム。
（３） フィラーの平均粒径が１μｍ以下であることを特徴とする(１)または(２)記載のダイボンドフィルム。
（４） 前記接着剤層（Ａ）の厚みが０．１〜１μｍ、接着剤層（Ｂ）の厚みが５〜５０μｍの範囲にあることを特徴とする（１）または（３）に記載のダイボンドフィルム。
（５） 前記接着剤層（Ａ）の厚みが０．１〜１μｍ、接着剤層（Ｂ）の厚みが５〜５０μｍ、接着剤層（A’）の厚さが０．１〜１μmの範囲にあることを特徴とする（２）または（３）に記載のダイボンドフィルム。
（６） 前記接着剤層（A’）側が、ウエハサイズより大きく、ダイシングテープ支持リングフレームより小さな範囲内で、ダイシングテープに接着ざれていることを特徴とする（５）に記載のダイボンドフィルム。
（１） 主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂またはフィラーを３体積％以下含有してなる熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂からなり、６０〜１１０℃のいずれかの温度でシリコン鏡面にロール貼り付けした時のピール強度が１Ｎ・ｃｍ−１以上であり、未硬化状態でのガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下で、表面粗さが０．２μm未満の接着剤層（Ａ）と、主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂とフィラーからなり、該フィラーの含有量が前記接着剤層（A）のフィラーの含有量より５から3０体積％高く、未硬化状態でのガラス転移温度（Ｔｇ）が７０℃以下の接着剤層（Ｂ）から構成され、接着剤層（Ａ）および接着剤層（Ｂ）のフィラー含有量の合計が５体積％以上、３０体積％以下であることを特徴とするダイボンドフィルム。
（２） 主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂またはフィラーを３体積％以下含有してなる熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂からなり、６０〜１１０℃のいずれかの温度でシリコン鏡面にロール貼り付けした時のピール強度が１Ｎ・ｃｍ−１以上であり、未硬化状態でのガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下である接着剤層（A’）と前記接着剤層（B）,前記接着剤層(A)がこの順に構成され、接着剤層（A）,接着剤層（B）および接着剤層（A’）のフィラー含有量の合計が５体積％以上、３０体積％以下であることを特徴とするダイボンドフィルム。
（３） フィラーの平均粒径が１μｍ以下であることを特徴とする(１)または(２)記載のダイボンドフィルム。
（４） 前記接着剤層（Ａ）の厚みが０．１〜１μｍ、接着剤層（Ｂ）の厚みが５〜５０μｍの範囲にあることを特徴とする（１）または（３）に記載のダイボンドフィルム。
（５） 前記接着剤層（Ａ）の厚みが０．１〜１μｍ、接着剤層（Ｂ）の厚みが５〜５０μｍ、接着剤層（A’）の厚さが０．１〜１μmの範囲にあることを特徴とする（２）または（３）に記載のダイボンドフィルム。
（６） 前記接着剤層（A’）側が、ウエハサイズより大きく、ダイシングテープ支持リングフレームより小さな範囲内で、ダイシングテープに接着ざれていることを特徴とする（５）に記載のダイボンドフィルム。
前記接着剤層（Ａ）、（B）、（A’）を構成する接着剤が、下記一般式（Ｉ）で表されるシリコーンジアミンを含むジアミンとテトラカルボン酸２無水物を反応させてなる熱可塑性シリコーン変成ポリイミド（D）と、熱硬化性樹脂（E）あるいは、（D）,(E)および（F）フィラー
を含有してなる組成物から形成された接着剤層であることはＴｇ以下での弾性率が低くでき、チップと支持基材との熱膨張差を吸収する応力緩和能力が高く好ましい態様である。
を含有してなる組成物から形成された接着剤層であることはＴｇ以下での弾性率が低くでき、チップと支持基材との熱膨張差を吸収する応力緩和能力が高く好ましい態様である。
（上式中、Ｒ１、Ｒ６は二価の炭素数１〜４の脂肪族基または芳香族基を、Ｒ２〜Ｒ５は一価の脂肪族基または芳香族基を、ｎは０〜２０の整数を表わす。）
また、 前記熱可塑性シリコーン変成ポリイミド（D）が、前記一般式（Ｉ）で表されるシリコーンジアミンと下記式（II）で表される芳香族ジアミンとを含むジアミンと、テトラカルボン酸２無水物を反応させてなるものであることは低温接着性と低吸湿性という点で好ましい態様である。
また、 前記熱可塑性シリコーン変成ポリイミド（D）が、前記一般式（Ｉ）で表されるシリコーンジアミンと下記式（II）で表される芳香族ジアミンとを含むジアミンと、テトラカルボン酸２無水物を反応させてなるものであることは低温接着性と低吸湿性という点で好ましい態様である。
更に、前記熱可塑性シリコーン変性ポリイミド（D）が、前記一般式（Ｉ）で表されるシリコーンジアミンと下記式（III）で表される芳香族ジアミンとを含むジアミンと、テトラカルボン酸２無水物を反応させてなるものは低温接着性と低吸湿性という点で、より好ましい態様である。
(III)
本発明のフィルム状接着剤を用いることで、実装後のＰＫＧの耐熱性を維持しながらＤＢＦをウエハ裏面に貼り付ける工程温度、ダイボンドする工程温度を大幅に下げることができ、ウェはラミネーション、ダイボンド工程での実装材料の変形などの熱ダメージを軽減することができる。
接着剤層（Ａ）（以下（Ａ）層という）は、主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂とフィラーからなり、フィラー平均含有量が３体積％以下、より好ましくは１体積％以下であり、未硬化状態でのガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下、より好ましくは２０〜５０℃で、表面粗さ（Ｒave）が０．２μｍ未満、より好ましくは０．１μｍ未満である。
（Ａ）層の樹脂は、熱可塑性樹脂単体では、パッケージ材料として要求される耐熱性を有さないために熱硬化性樹脂と組み合わせた組成物を使用するのが好ましく熱可塑性樹脂としては、ポリイミドが好ましく、特にシリコーン変成ポリイミド樹脂が好ましい。ポリイミド樹脂の合成に使用する芳香族ジアミンは、前記式（II）または（III）で表される構造のジアミンが、柔軟な骨格をもち低Ｔｇとなり低温接着性が良好であること、イミド基密度が低下し吸湿率が低いことなどで好適である。
一般式（Ｉ）で表されるシリコーンジアミンの配合量は、組み合わせる酸無水物、ジアミンに合わせ、目的のＴｇ及び低温接着性を発揮する量を添加することが出来る。
シリコーン変成ポリイミド以外にも、エチレンアクリル系共重合体（Ｈ）は、低Ｔｇであり、エポキシ樹脂をはじめとした熱硬化性樹脂と組み合わせ、粘着性、耐熱性、低吸湿性など優れた特性を有し、（Ａ）層を形成するのに好適な樹脂である。Ｔｇは、エチレンアクリル系共重合体と熱硬化性樹脂との配合比で調整できる。また、良好な耐熱性を付与するために、熱硬化性樹脂と反応性を有する官能基をもつエチレンアクリル系共重合体がより好ましい。（Ａ）層には、６０℃以上で粘着性をもち、耐熱性、応力緩和性に優れるという点で、低Ｔｇのエラストマーやアクリル樹脂を、６０℃以上で粘着性を発現する程度に、熱硬化性樹脂に配合した樹脂系も使用できる。
本発明で用いる熱硬化性樹脂は、シリコーン変成ポリイミド樹脂、エチレンアクリル系共重合体などの熱可塑性樹脂とある程度相溶するものであれば特に限定されるものではないが、好ましくはエポキシ樹脂である。熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも２個のエポキシ基を含むものであれば特に限定されない。例えばフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＦもしくはハロゲン化ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンの縮合物、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエン変成フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビフェニル型エポキシ樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂の量は、熱可塑性樹脂１００重量部に対して１〜２００重量部、好ましくは５〜１００重量部の範囲で、これより少ないと耐熱性が悪くなる傾向が見られることがあり、これより多いと接着時の流動性が大きくなることがありチップ周辺を汚染する場合がある。またフィルムがもろくなる傾向も見られ、フィルム形成性も悪くなることがある。
熱硬化性樹脂の硬化剤は、熱硬化性樹脂と反応性を有し、熱硬化性樹脂を硬化させることができる化合物であれば特に限定されるものではない。代表的例として、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、イミダゾール類などが挙げられる。さらに公知の硬化促進剤を添加してもよい。
フィラーは平均粒径が１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下の溶融シリカが熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の補強効果の点で好ましい。（Ａ）層および（A’）層のフィラー含有量は、フィラーが５体積％増えると、ウェハへのダイボンドフィルム（以下ＤＢＦと略す）の貼り付け温度は５〜１０℃程度上昇することが多いので、３体積％以下、より好ましくは１体積％以下が低温接着性のため好ましい。
主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂とフィラーからなる（Ａ）層は低温接着性を有することとダイシング性を考慮してＴｇは５０℃以下、より好ましくは２０〜５０℃の範囲であることが好ましい。また、６０〜１１０℃のいずれかの温度で鏡面のシリコンウェハにロール貼り付けした時のピール強度が１Ｎ・ｃｍ−１以上であることが好ましい。
シリコン鏡面にロール貼りつけした時のピール強度が１Ｎ・ｃｍ−１以上であるとは、具体的には、例えば１００℃ステージ上にて８Ｎの加重ローラで３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に（Ａ）層を介して貼り付け、室温でのＤＢＦの９０度ピール強度が１Ｎ／ｃｍ−１以上であるような性質を意味する。ピール強度が１Ｎ／ｃｍ−１以上ないと、ダイシング時のチップ飛びや、ピックアップ時にウエハ裏面とＤＢＦの剥離などを生じて好ましくない場合がある。これらのピール強度測定において、フィルム状接着剤単独での強度が不足する場合は、フィルムの接着面の反対側に支持体として別のフィルムを貼り付けて測定することができる。ロール貼り付け条件は、おおむね１０〜１００Ｎの荷重で数ｍｍ〜数１０ｃｍ／ｓ程度の速度である。
（Ａ）層の表面粗さは、シリコン鏡面に低圧でロールラミネートするウェハラミネーションのときに鏡面との密着性を良くするために０．２μｍ未満が好ましく、より好ましくは０．１μｍ未満である。０．２μｍを超えると鏡面への密着にロール圧力を上げたり、圧着温度を上げる必要がありウェハラミネーション上好ましくない。
主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂とフィラーからなる（Ａ）層は低温接着性を有することとダイシング性を考慮してＴｇは５０℃以下、より好ましくは２０〜５０℃の範囲であることが好ましい。また、６０〜１１０℃のいずれかの温度で鏡面のシリコンウェハにロール貼り付けした時のピール強度が１Ｎ・ｃｍ−１以上であることが好ましい。
シリコン鏡面にロール貼りつけした時のピール強度が１Ｎ・ｃｍ−１以上であるとは、具体的には、例えば１００℃ステージ上にて８Ｎの加重ローラで３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に（Ａ）層を介して貼り付け、室温でのＤＢＦの９０度ピール強度が１Ｎ／ｃｍ−１以上であるような性質を意味する。ピール強度が１Ｎ／ｃｍ−１以上ないと、ダイシング時のチップ飛びや、ピックアップ時にウエハ裏面とＤＢＦの剥離などを生じて好ましくない場合がある。これらのピール強度測定において、フィルム状接着剤単独での強度が不足する場合は、フィルムの接着面の反対側に支持体として別のフィルムを貼り付けて測定することができる。ロール貼り付け条件は、おおむね１０〜１００Ｎの荷重で数ｍｍ〜数１０ｃｍ／ｓ程度の速度である。
（Ａ）層の表面粗さは、シリコン鏡面に低圧でロールラミネートするウェハラミネーションのときに鏡面との密着性を良くするために０．２μｍ未満が好ましく、より好ましくは０．１μｍ未満である。０．２μｍを超えると鏡面への密着にロール圧力を上げたり、圧着温度を上げる必要がありウェハラミネーション上好ましくない。
（Ａ）層の厚みはシリコン鏡面に接着できる厚みがあれば良い。接着剤層（Ｂ）（以下（Ｂ）層という）に比べてフィラー含有量が少ないので耐熱性が相対的に低くなること、モールド工程で高温、高圧（例えば１７５℃、１０MPａ）がかかった時に相対的に耐熱性が高い（Ｂ）層と混合しやすくなるので、０．１〜１μｍが好ましい。より好ましくは０．１〜０．５μｍである。
（Ｂ）層は回路基板など凹凸のある支持体にも追従するため、層の厚みは５〜５０μｍが好ましく、より好ましくは５〜４０μｍである。（Ｂ）層に使用される熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、フィラーの種類は（Ａ）層と同じであっても、異なっても良い。（Ｂ）層の未硬化状態でのＴｇは７０℃以下がＤＡＦ付き半導体チップをダイマウントする時の温度を１５０℃以下にすることができ好ましく、特に、５０℃以下が好ましい。（Ｂ）層の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂は前記の（Ａ）層に用いられる樹脂の中から選択することができる。 熱硬化性樹脂の量は、熱可塑性樹脂１００重量部に対して１〜２００重量部、好ましくは５〜１００重量部の範囲で、これより少ないと耐熱性が悪くなる傾向が見られることがあり、これより多いと接着時の流動性が大きくなることがありチップ周辺を汚染する場合がある。またフィルムがもろくなる傾向も見られ、フィルム形成性も悪くなることがある。
（Ｂ）層の表面粗さは、ダイマウント工程における接着面の密閉性による空気の巻き込みを減少させたり、ダイマウント後の加熱工程あるいはワイヤボンド工程でのＤＢＦ中の水分、揮発分、支持基材中水分の除去のため、０．２μｍ以上が好まく、より好ましくは０．２〜０．５μｍである。（Ｂ）層の表面粗さが０．２μｍ未満の場合には、ダイマウント工程で巻き込んだ空気を実質的に密閉する結果になり好ましくない場合がある。
フィラーは平均粒径が１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下の溶融シリカが熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の補強効果の点で好ましい。また、最大粒径はＤＢＦの薄型化の傾向から５μｍ以下が好ましい。より好ましくは２μｍ以下である。最大粒径は単独粒子、あるいは凝集体の径を意味する。
（Ｂ）層のフィラー含有量は２５０℃以上の温度でのＤＢＦ全体の弾性率を高めるために（Ａ）層のそれより５〜３０体積％高いことが好ましく、より好ましくは１０〜２５体積％高いことが好ましい。（Ｂ）層の硬化状態の２５０℃での貯蔵弾性率は４ＭＰａ以上が好ましい。４ＭＰａより貯蔵弾性率が低いと、ＤＢＦを用いて、半導体チップと配線基板を積層した半導体ＰＫＧで６０℃、湿度６０％で１２０時間吸湿させた状態での吸湿時鉛フリー半田実装でＤＢＦ層内のフクレを起こす恐れがある。（Ｂ）層のフィラーの含有率を高める程度が３体積％未満の場合、貯蔵弾性率を上げる効果が少なく、３０体積％を超えると（Ｂ）層の接着時の流動性が低下して支持基材への埋め込み性が低下することや、支持基材への界面接着力の低下が大きくなり好ましくない場合がある。
（Ｂ）層は回路基板など凹凸のある支持体にも追従するため、層の厚みは５〜５０μｍが好ましく、より好ましくは５〜４０μｍである。（Ｂ）層に使用される熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、フィラーの種類は（Ａ）層と同じであっても、異なっても良い。（Ｂ）層の未硬化状態でのＴｇは７０℃以下がＤＡＦ付き半導体チップをダイマウントする時の温度を１５０℃以下にすることができ好ましく、特に、５０℃以下が好ましい。（Ｂ）層の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂は前記の（Ａ）層に用いられる樹脂の中から選択することができる。 熱硬化性樹脂の量は、熱可塑性樹脂１００重量部に対して１〜２００重量部、好ましくは５〜１００重量部の範囲で、これより少ないと耐熱性が悪くなる傾向が見られることがあり、これより多いと接着時の流動性が大きくなることがありチップ周辺を汚染する場合がある。またフィルムがもろくなる傾向も見られ、フィルム形成性も悪くなることがある。
（Ｂ）層の表面粗さは、ダイマウント工程における接着面の密閉性による空気の巻き込みを減少させたり、ダイマウント後の加熱工程あるいはワイヤボンド工程でのＤＢＦ中の水分、揮発分、支持基材中水分の除去のため、０．２μｍ以上が好まく、より好ましくは０．２〜０．５μｍである。（Ｂ）層の表面粗さが０．２μｍ未満の場合には、ダイマウント工程で巻き込んだ空気を実質的に密閉する結果になり好ましくない場合がある。
フィラーは平均粒径が１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下の溶融シリカが熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の補強効果の点で好ましい。また、最大粒径はＤＢＦの薄型化の傾向から５μｍ以下が好ましい。より好ましくは２μｍ以下である。最大粒径は単独粒子、あるいは凝集体の径を意味する。
（Ｂ）層のフィラー含有量は２５０℃以上の温度でのＤＢＦ全体の弾性率を高めるために（Ａ）層のそれより５〜３０体積％高いことが好ましく、より好ましくは１０〜２５体積％高いことが好ましい。（Ｂ）層の硬化状態の２５０℃での貯蔵弾性率は４ＭＰａ以上が好ましい。４ＭＰａより貯蔵弾性率が低いと、ＤＢＦを用いて、半導体チップと配線基板を積層した半導体ＰＫＧで６０℃、湿度６０％で１２０時間吸湿させた状態での吸湿時鉛フリー半田実装でＤＢＦ層内のフクレを起こす恐れがある。（Ｂ）層のフィラーの含有率を高める程度が３体積％未満の場合、貯蔵弾性率を上げる効果が少なく、３０体積％を超えると（Ｂ）層の接着時の流動性が低下して支持基材への埋め込み性が低下することや、支持基材への界面接着力の低下が大きくなり好ましくない場合がある。
貯蔵弾性率は、（Ｂ）層のみの樹脂組成物ワニスを剥離性が改良されたベースフィルム上にコートし、乾燥して、ベースフィルムより剥離し、これを重ねて、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．５ｍｍの型に入れ、プレス成形し型サイズの試験片を作り、同試験片より装置にあった形状の試験片を切りだし、動的粘弾性測定装置で貯蔵弾性率を測定して求めることができる。プレス条件は樹脂の溶融特性により調整する必要があるが、５０〜１００℃、５〜３０ｋｇｆ／ｃｍ２程度で良好に成形できる。
この（Ａ）層と（Ｂ）層からなるＤＢＦはウェハラミネートで低温接着ができ、ＰＫＧに組み込まれたときの鉛フリー半田実装性を両立できる。
この（Ａ）層と（Ｂ）層からなるＤＢＦはウェハラミネートで低温接着ができ、ＰＫＧに組み込まれたときの鉛フリー半田実装性を両立できる。
（Ａ）層、（Ｂ）層に更に（A’）層を積層したＤＢＦは好ましい態様である。
（A’）層は主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂又はフィラーを３体積％以下含有してなる熱硬化性樹脂からなり、（A’）層に使用される熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、フィラーの種類は（Ａ）層と同じであっても、異なっても良い。（A’）層のＴｇは５０℃以下がＤＡＦ付き半導体チップをダイマウントする時の温度を１５０℃以下にするために好ましく、特に、２０〜５０℃以下が好ましい。（A’）層の熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂は前記の（Ａ）層に使用できる樹脂の中から選択することができる。
熱硬化性樹脂の量は、熱可塑性樹脂１００重量部に対して１〜２００重量部、好ましくは５〜１００重量部の範囲で、これより少ないと耐熱性が悪くなる傾向が見られることがあり、これより多いと接着時の流動性が大きくなることがありチップ周辺を汚染する場合がある。またフィルムがもろくなる傾向も見られ、フィルム形成性も悪くなることがある。
（Ａ´）層の厚みは支持基材に接着できる厚みがあれば良い。（Ｂ）層に比べてフィラー含有量が少ないので耐熱性が相対的に低くなること、モールド工程で高温、高圧（例えば１７５℃、１０MPａ）がかかった時に相対的に耐熱性が高い（Ｂ）層と混合しやすくなるので、０．１〜１μｍが好ましい。より好ましくは０．１〜０．５μｍである。
（A’）層は主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂又はフィラーを３体積％以下含有してなる熱硬化性樹脂からなり、（A’）層に使用される熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、フィラーの種類は（Ａ）層と同じであっても、異なっても良い。（A’）層のＴｇは５０℃以下がＤＡＦ付き半導体チップをダイマウントする時の温度を１５０℃以下にするために好ましく、特に、２０〜５０℃以下が好ましい。（A’）層の熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂は前記の（Ａ）層に使用できる樹脂の中から選択することができる。
熱硬化性樹脂の量は、熱可塑性樹脂１００重量部に対して１〜２００重量部、好ましくは５〜１００重量部の範囲で、これより少ないと耐熱性が悪くなる傾向が見られることがあり、これより多いと接着時の流動性が大きくなることがありチップ周辺を汚染する場合がある。またフィルムがもろくなる傾向も見られ、フィルム形成性も悪くなることがある。
（Ａ´）層の厚みは支持基材に接着できる厚みがあれば良い。（Ｂ）層に比べてフィラー含有量が少ないので耐熱性が相対的に低くなること、モールド工程で高温、高圧（例えば１７５℃、１０MPａ）がかかった時に相対的に耐熱性が高い（Ｂ）層と混合しやすくなるので、０．１〜１μｍが好ましい。より好ましくは０．１〜０．５μｍである。
（A’）層の表面粗さは、ダイマウント工程における接着面の密閉性による空気の巻き込みを減少させたり、ダイマウント後の加熱工程あるいはワイヤボンド工程でのＤＢＦ中の水分、揮発分、支持基材中水分の除去のため、０．２μｍ以上が好ましく、０．２〜０．５μｍがより好ましい。（A’）層の表面粗さが０．２μｍ未満の場合には、ダイマウント工程で巻き込んだ空気を実質的に密閉する結果になり好ましくない場合がある。
フィラーは平均粒径が１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下の溶融シリカが熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の補強効果の点で好ましい。フィラーの量は３体積％以下が好ましく、１体積％以下がより好ましい。
この、（Ａ）層、（Ｂ）層、（A’）層から構成されるダイボンドフィルムはウェハラミネート、チップの支持基材へのダイボンドが低温接着でき、ＰＫＧに組み込まれたときの鉛フリー半田実装性を両立できるので好ましい態様である。
フィラーは平均粒径が１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下の溶融シリカが熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の補強効果の点で好ましい。フィラーの量は３体積％以下が好ましく、１体積％以下がより好ましい。
この、（Ａ）層、（Ｂ）層、（A’）層から構成されるダイボンドフィルムはウェハラミネート、チップの支持基材へのダイボンドが低温接着でき、ＰＫＧに組み込まれたときの鉛フリー半田実装性を両立できるので好ましい態様である。
（Ａ）層および（Ｂ）層から構成されるダイボンドフィルムの場合、（A）層および（B）層のフィラーの含有量の合計は、５体積％以上３０体積％以下が好ましく、より好ましくは１０体積％以上、２５体積％以下である。５体積％未満の場合、接着層全体の弾性率が低くなり、ＤＢＦを用いた半導体ＰＫＧの吸湿後のリフローでフクレを生じる場合がある。また、３０体積％を超える場合、（Ｂ）層と半導体チップ搭載基材との界面接着力が低下し、また接着剤層の溶融粘度が上昇して、ダイマウント温度の上昇を招いたり、凹凸のある配線基板への埋め込み不良を起こすなど好ましくない場合がある。
また、（Ａ）層、（Ｂ）層、（A’）層から構成されるフィルム接着剤の場合、（A）層、（B）層および（A’）層のフィラーの含有量の合計は、５体積％以上３０体積％以下が好ましく、より好ましくは１０体積％以上、２５体積％以下である。５体積％未満の場合、接着層全体の弾性率が低くＤＢＦを用いた半導体ＰＫＧの吸湿後のリフローでフクレを生じる場合がある。また、３０体積％を超える場合、接着剤層の溶融粘度が上昇して、ダイマウント温度の上昇を招いたり、凹凸のある配線基板への埋め込み不良を起こすなど好ましくない場合がある。
本発明で使用する熱可塑性樹脂の一つであるポリイミドの合成に用いられるテトラカルボン酸無水物は特に限定されるものではないが、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、４，４’―オキシジフタル酸二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フエナンスレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフエン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニルビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシクロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸無水物）スルホン、ビシクロ−（２，２，２）−オクト（７）−エン２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフイド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビストリメリテート二無水物、等があり、２種類以上を混合して用いてもよい。
本発明で使用される熱可塑性樹脂の一つであるポリイミドに使用するジアミンは、前記一般式（Ｉ）、（II）、（III）以外のものであってもよく、例えば、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン等の脂肪族ジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフイド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフイド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフイド、３，３’−ジアミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニルケトン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２’−（３，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，４’−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフエノキシ）フエニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−メチレン−ビス（２，６−ジエチルアニリン）、ｏ−トリジンスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４−メチレン−ビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、１，１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）シクロヘキサン等のジアミンを挙げることができる。
テトラカルボン酸二無水物とジアミンの縮合反応は公知の方法で、有機溶媒中で行う。この場合、テトラカルボン酸二無水物とジアミンは等モル又はほぼ等モルで用いるのが好ましく、各成分の添加順序は任意である。用いる有機溶媒としては、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、ｍ−クレゾール、ｏ−クロルフェノール、テトラヒドラフラン等がある。
ポリイミドの前駆体のポリアミド酸合成反応温度は８０℃以下、好ましくは０〜５０℃である。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇する。
ポリイミドは、前記反応物（ポリアミド酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は１２０℃〜２５０℃で熱処理する方法や化学的方法を用いて行うことができる。１２０℃〜２５０℃で熱処理する方法の場合、脱水反応で生じる水を系外に除去しながら行うことが好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等を用いて水を共沸除去するとよい。
ポリイミドは、ポリアミド酸を経由せずに、モノマーを溶剤中で溶解、加熱し、重合及び脱水閉環させることもできる。加熱温度は上記の１２０℃〜２５０℃が好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等を用いて水を共沸除去するとよい。
ポリイミドは、前記反応物（ポリアミド酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は１２０℃〜２５０℃で熱処理する方法や化学的方法を用いて行うことができる。１２０℃〜２５０℃で熱処理する方法の場合、脱水反応で生じる水を系外に除去しながら行うことが好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等を用いて水を共沸除去するとよい。
ポリイミドは、ポリアミド酸を経由せずに、モノマーを溶剤中で溶解、加熱し、重合及び脱水閉環させることもできる。加熱温度は上記の１２０℃〜２５０℃が好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等を用いて水を共沸除去するとよい。
熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤などの熱硬化性樹脂を溶剤に溶解撹拌し、ワニス状にする。ここで用いられる有機溶媒は、上記材料を均一に溶解又は混練できるものであれば特に制限はなく、そのようなものとしては例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、トリメチルベンゼン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン等が挙げられ、単独あるいは混合して用いられる。
次いで、上記ワニスに必要に応じてフィラー及び添加剤を加え、混合する。フィラーを混合する場合、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル、ビーズミルなどの分散機を適宜組み合せて、混練を行い、フィラー混合ワニスを得ることができる。
次いで、上記ワニスに必要に応じてフィラー及び添加剤を加え、混合する。フィラーを混合する場合、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル、ビーズミルなどの分散機を適宜組み合せて、混練を行い、フィラー混合ワニスを得ることができる。
フィルム状接着剤の製造法としては、上記のフィラー混合ワニスを、例えばシリコーン系樹脂で表面処理し、剥離特性のよい表面粗さが０．２μｍより小さいＰＥＴシート等のベースフィルム上に均一に塗布し、使用した溶媒が充分に揮散する条件、すなわち、おおむね６０〜２００℃の温度で、１〜３０分間加熱し、ＤＢＦを得ることができる。
（Ａ）層、（Ｂ）層からなる２層ＤＢＦの場合、
（Ａ）層を作るのに必用なフィラー濃度、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を選択して未硬化状態での樹脂のＴｇが５０℃以下になるように調整したワニス（（Ａ）層用ワニスとする）を乾燥後０．１〜１μｍになるように1層目にコート乾燥後、（Ｂ）層を作るのに必用なフィラー濃度、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を選択して未硬化状態での樹脂のＴｇが７０℃以下になるように調整したワニス（（Ｂ）層用ワニスとする）を乾燥後5から５０μｍになるように２層目として、その上にコート乾燥すれば形成できる。
（Ａ）層を作るのに必用なフィラー濃度、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を選択して未硬化状態での樹脂のＴｇが５０℃以下になるように調整したワニス（（Ａ）層用ワニスとする）を乾燥後０．１〜１μｍになるように1層目にコート乾燥後、（Ｂ）層を作るのに必用なフィラー濃度、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を選択して未硬化状態での樹脂のＴｇが７０℃以下になるように調整したワニス（（Ｂ）層用ワニスとする）を乾燥後5から５０μｍになるように２層目として、その上にコート乾燥すれば形成できる。
（Ａ）層、（Ｂ）層、（A’）層からなる３層ダイボンドフィルムの場合は、（Ａ）層を作るのに必用なフィラー濃度、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を選択して未硬化状態での樹脂のＴｇが５０℃以下になるように調整した（Ａ）層用ワニスを乾燥後０．１〜１μｍになるように1層目にコート乾燥後、（Ｂ）層を作るのに必用なフィラー濃度、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を選択して未硬化状態での樹脂のＴｇが７０℃以下になるように調整した（Ｂ）層用ワニスを乾燥後5から５０μｍになるように２層目として、その上にコート乾燥し、更に（A’）層を作るのに必用なフィラー濃度、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を選択して未硬化状態での樹脂のＴｇが５０℃以下になるように調整したワニスを乾燥後０．５〜２μｍになるように３層目としてコート乾燥すれば形成できる。
エチレンアクリル系エラストマー含む接着剤組成物を使う場合は、同樹脂を溶解できる溶剤、例えばメチルエチルケトンなどに溶解し、同様に溶解した熱硬化性樹脂、例えばエポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤などと配合し、さらにフィラーを配合する。このワニスを、熱可塑性ポリイミドを含む接着剤ワニスと同じように、例えばシリコーン系材料で表面処理し、剥離特性のよいＰＥＴシート等のベースフィルム上で1層目をコート乾燥後、２層目を、さらに３層目をその上にコート乾燥すれば形成できる。
ダイシングテープにあらかじめ本発明のダイボンドフィルムの（A’）層側を接着してなるフィルムでは、ＤＢＦおよびダイシングテープの２回の貼り付け工程を１回に省く意味で工程合理化に貢献する。より好ましくは７０℃以下で接着できる（Ａ）層を有していれば、ウエハに本フィルム状接着剤を市販のダイシングテープ貼りつけ機で貼り付けることができ、市販ダイシングテープにとっても耐熱性を要求されず好ましい。
ダイシング時に用いるリング状支持体への粘着固定及び取り外し、さらには長尺フィルムでの位置ずれを考慮すると、本発明のフィルム状接着剤をウエハより大きく、リングフレーム内周より小さい範囲でダイシングテープ上に形成してなるフィルム状接着剤は好ましい態様である。
このようなフィルムの製造方法としては、セパレータ上に（Ａ）、（Ｂ）、（A’）層をコート乾燥して形成後、ウエハより大きく、リングフレーム内周より小さい範囲の例えば円形もしくは楕円形に接着層を残すように接着層を切り、セパレータはハーフカットする。円形もしくは楕円形部以外の接着層を剥離除去後、ダイシングフィルムに接着層（A‘）を介してセパレータごとラミネートして巻き取る方法などが挙げられる。
本発明のフィルム状接着剤の接着工法には、例えば以下のようなものが挙げられる。すなわち、半導体ウエハの裏面にセパレータ／（Ａ）層／（Ｂ）層／（A’）層という構成の接着フィルムを形成する工程、セパレータをはがす工程、（Ａ）層を介して半導体ウエハ裏面にフィルム状接着剤をロールラミネートする工程、ウエハ外周でフィルム状接着剤をカットする工程、フィルム状接着剤付きウエハにダイシングテープを貼りつけリングフレームに固定する工程、ダイシング工程、ピックアップ工程、支持体に（Ｂ）層あるいは（A’）層を介してチップをマウントする工程からなる工法が挙げられる。
本発明のフィルム状接着剤の接着工法には、例えば以下のようなものが挙げられる。すなわち、半導体ウエハの裏面にセパレータ／（Ａ）層／（Ｂ）層／（A’）層という構成の接着フィルムを形成する工程、セパレータをはがす工程、（Ａ）層を介して半導体ウエハ裏面にフィルム状接着剤をロールラミネートする工程、ウエハ外周でフィルム状接着剤をカットする工程、フィルム状接着剤付きウエハにダイシングテープを貼りつけリングフレームに固定する工程、ダイシング工程、ピックアップ工程、支持体に（Ｂ）層あるいは（A’）層を介してチップをマウントする工程からなる工法が挙げられる。
また、あらかじめダイシングテープ上にリング内周より小さい範囲例えば円形もしくは楕円形に（Ａ）、（Ｂ）、（A’）層が形成されてなるセパレータ／（Ａ）層／（Ｂ）層／（A’）層／ダイシングテープよりなる接着フィルムにおいては、例えば、セパレータをはがす工程、位置決めし（Ａ）層を介して半導体ウエハ裏面に接着フィルムをロールラミネートしダイシングテープ部分でリングフレームに固定する工程、ダイシング工程、ピックアップ工程、支持体に接着層（A’）を介してチップをマウントする工程からなる工法でチップマウントまで完了させることができる。
以上の貼りつけ工法は一例であって、本発明のフィルム状接着剤の接着工法は上記に限定されるものではない。以上の貼りつけ工程において、６０℃から１１０℃でウエハ裏面に（Ａ）層を介してロールラミネートできると、周辺部材の耐熱性やウエハ反りの観点で好ましい。ダイシングテープごと使う前記接着工法のフィルム状接着剤では、７０℃以下での貼りつけが、ダイシングテープの耐熱性を考慮すると、好ましい。
本発明のフィルム状接着剤を介して半導体素子をその支持体に接着してなる半導体装置としては、半導体パッケージや、基板に直接チップを接着してなる半導体装置などをあげることができる。
本発明のフィルム状接着剤を介して半導体素子をその支持体に接着してなる半導体装置としては、半導体パッケージや、基板に直接チップを接着してなる半導体装置などをあげることができる。
合成例（ａ）
温度計、攪拌機、メシチレンを満たしたディーンスターク管、窒素吹き込み管を備えた５００ｍＬの五つ口フラスコに、ＡＰＢ５（前記式（III）の構造のジアミン）１９．７ｇ、シリコーンジアミン（α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（ＡＰＰＳ）、平均分子量９２０）４８．２ｇ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１６２ｇ、メシチレン６９．６ｇをとり、窒素フロー下で５０℃に加熱し攪拌した。ジアミンの溶解後、４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）２１．９８ｇ、エチレングリコールビストリメリテート二無水物（ＥＧＴＡ）９．６９ｇを少量ずつ添加した。窒素ガスを吹き込みながら系を油浴で１７０〜１８０℃に加熱し、水を共沸除去しながら１０時間保持した後、室温まで冷却しポリイミドワニスを得た（ポリイミドワニス１）。
合成例（ｂ）
温度計、攪拌機、メシチレンを満たしたディーンスターク管、窒素吹き込み管を備えた５００ｍＬの五つ口フラスコに、ＡＰＢ５（前記式（III）の構造のジアミン）１５．６ｇ、シリコーンジアミン（α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（ＡＰＰＳ）、平均分子量９２０）５５．９ｇ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１６２ｇ、メシチレン６９．６ｇをとり、窒素フロー下で５０℃に加熱し攪拌した。ジアミンの溶解後、４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）２１．９８ｇ、エチレングリコールビストリメリテート二無水物（ＥＧＴＡ）９．６９ｇを少量ずつ添加した。窒素ガスを吹き込みながら系を油浴で１７０〜１８０℃に加熱し、水を共沸除去しながら１０時間保持した後、室温まで冷却しポリイミドワニスを得た（ポリイミドワニス２）。
温度計、攪拌機、メシチレンを満たしたディーンスターク管、窒素吹き込み管を備えた５００ｍＬの五つ口フラスコに、ＡＰＢ５（前記式（III）の構造のジアミン）１９．７ｇ、シリコーンジアミン（α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（ＡＰＰＳ）、平均分子量９２０）４８．２ｇ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１６２ｇ、メシチレン６９．６ｇをとり、窒素フロー下で５０℃に加熱し攪拌した。ジアミンの溶解後、４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）２１．９８ｇ、エチレングリコールビストリメリテート二無水物（ＥＧＴＡ）９．６９ｇを少量ずつ添加した。窒素ガスを吹き込みながら系を油浴で１７０〜１８０℃に加熱し、水を共沸除去しながら１０時間保持した後、室温まで冷却しポリイミドワニスを得た（ポリイミドワニス１）。
合成例（ｂ）
温度計、攪拌機、メシチレンを満たしたディーンスターク管、窒素吹き込み管を備えた５００ｍＬの五つ口フラスコに、ＡＰＢ５（前記式（III）の構造のジアミン）１５．６ｇ、シリコーンジアミン（α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（ＡＰＰＳ）、平均分子量９２０）５５．９ｇ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１６２ｇ、メシチレン６９．６ｇをとり、窒素フロー下で５０℃に加熱し攪拌した。ジアミンの溶解後、４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）２１．９８ｇ、エチレングリコールビストリメリテート二無水物（ＥＧＴＡ）９．６９ｇを少量ずつ添加した。窒素ガスを吹き込みながら系を油浴で１７０〜１８０℃に加熱し、水を共沸除去しながら１０時間保持した後、室温まで冷却しポリイミドワニスを得た（ポリイミドワニス２）。
上記ポリイミドワニス１に熱硬化性樹脂、フィラーを表１のように配合し、自転公転を高速で行う混練兼脱泡きである泡取り錬太郎（（株）シンキー製）で混錬した。なお、表１において、種々の記号は下記のものを意味する。
ＶＧ３１０１：三井化学（株）製 ３官能エポキシ樹脂
２ＭＡＯＫ：四国化成製、イミダゾール硬化剤
１ＦＸ ： （株）龍森製 溶融球状シリカ 平均粒径０．３μｍ
ＮＭＰ：１−メチル−２−ピロリドン
メシチレン：１，３，５−トリメチルベンゼン
表−１
ＶＧ３１０１：三井化学（株）製 ３官能エポキシ樹脂
２ＭＡＯＫ：四国化成製、イミダゾール硬化剤
１ＦＸ ： （株）龍森製 溶融球状シリカ 平均粒径０．３μｍ
ＮＭＰ：１−メチル−２−ピロリドン
メシチレン：１，３，５−トリメチルベンゼン
表−１
（実施例および比較例）
表−１に従って作成した配合ワニスを、乾燥後の厚みが各２５μｍになるように表面処理ＰＥＴ（帝人デュポンフィルム製、Ａ３１、５０μｍ厚）上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥し、各配合単独でフィルムのＴｇ（℃）、１８０℃で３時間硬化後の２５０℃での貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表−２に示した。Ｔｇは未硬化状態のフィルムのＴＭＡで求めた。貯蔵弾性率は、表面処理ＰＥＴ上から剥離したＤＢＦを加圧下で、構成する層の最も高いＴｇより３０℃高い温度で積層してフィルム厚みが４００〜６００μｍになるようにし、１８０℃で３時間硬化してから測定した。測定はレオメトリクス 社製ＲＳＡ−ＩＩを用い、引張モードで、昇温速度５℃／分、周波数１０Ｈｚで行った。
表−２
表−１に従って作成した配合ワニスを、乾燥後の厚みが各２５μｍになるように表面処理ＰＥＴ（帝人デュポンフィルム製、Ａ３１、５０μｍ厚）上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥し、各配合単独でフィルムのＴｇ（℃）、１８０℃で３時間硬化後の２５０℃での貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表−２に示した。Ｔｇは未硬化状態のフィルムのＴＭＡで求めた。貯蔵弾性率は、表面処理ＰＥＴ上から剥離したＤＢＦを加圧下で、構成する層の最も高いＴｇより３０℃高い温度で積層してフィルム厚みが４００〜６００μｍになるようにし、１８０℃で３時間硬化してから測定した。測定はレオメトリクス 社製ＲＳＡ−ＩＩを用い、引張モードで、昇温速度５℃／分、周波数１０Ｈｚで行った。
表−２
（実施例１）
配合１のワニスを乾燥後０．５μｍになるようにＡ−３１上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合３のワニスを乾燥後２５μｍになるように塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥し離型フィルム付きＤＢＦを作成した。Ａ−３１の上に形成した２層のＤＢＦはＡ−３１から容易に剥がれ、柔軟性があった。０．５μｍ側の表面粗さは０．１μｍ以下であった。また、最外層の表面粗さは０．２μｍであった。このフィルムを７０℃で１００μｍ厚みのシリコンウェハの鏡面に８Ｎの加重ローラ、３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に０．５μｍ層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の９０度ピール強度は３Ｎ／ｃｍ−１であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるＤＢＦのバリの発生はなく、チップ飛びもなかった。ＤＢＦ付きチップを０．２ｍｍ厚みのＰＫＧ用配線基板に１５０℃、０．０８ＭＰａの圧力、１秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は３ＭＰａであった。これは次工程に進むに充分な強度である。ダイマウントしたチップをモールド相当の１０ＭＰａの圧力で６０秒間配線基板に圧着した。その後１８０℃のオーブンで３時間ＤＢＦを硬化させた。このＤＢＦで接合したチップ、配線基板複合体を８５℃、６０％の恒温恒湿ボックス内で１６８時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度２５０℃のリフロー炉を３回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察したが膨れ、剥がれは発生していなかった。
配合１のワニスを乾燥後０．５μｍになるようにＡ−３１上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合３のワニスを乾燥後２５μｍになるように塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥し離型フィルム付きＤＢＦを作成した。Ａ−３１の上に形成した２層のＤＢＦはＡ−３１から容易に剥がれ、柔軟性があった。０．５μｍ側の表面粗さは０．１μｍ以下であった。また、最外層の表面粗さは０．２μｍであった。このフィルムを７０℃で１００μｍ厚みのシリコンウェハの鏡面に８Ｎの加重ローラ、３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に０．５μｍ層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の９０度ピール強度は３Ｎ／ｃｍ−１であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるＤＢＦのバリの発生はなく、チップ飛びもなかった。ＤＢＦ付きチップを０．２ｍｍ厚みのＰＫＧ用配線基板に１５０℃、０．０８ＭＰａの圧力、１秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は３ＭＰａであった。これは次工程に進むに充分な強度である。ダイマウントしたチップをモールド相当の１０ＭＰａの圧力で６０秒間配線基板に圧着した。その後１８０℃のオーブンで３時間ＤＢＦを硬化させた。このＤＢＦで接合したチップ、配線基板複合体を８５℃、６０％の恒温恒湿ボックス内で１６８時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度２５０℃のリフロー炉を３回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察したが膨れ、剥がれは発生していなかった。
（実施例２）
配合５のワニスを乾燥後０．５μｍになるようにＡ−３１上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合３のワニスを乾燥後２５μｍになるように塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥し、離型フィルム付きＤＢＦを作成した。Ａ−３１の上に形成した２層のＤＢＦはＡ−３１から容易に剥がれ、柔軟性があった。０．５μｍ側の表面粗さは０．１μｍ以下であった。また、最外層の表面粗さは０．２μｍであった。このフィルムを９０℃で１００μｍ厚みのシリコンウェハの鏡面に８Ｎの加重ローラ、３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に０．５μｍ層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の９０度ピール強度は２．５Ｎ／ｃｍ−１であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるＤＢＦのバリの発生はなかく、チップ飛びもなかった。ＤＢＦ付きチップを０．２ｍｍ厚みのＰＫＧ用配線基板に１５０℃、０．０８ＭＰａの圧力、１秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は３ＭＰａであった。これは次工程に進むに充分な強度である。ダイマウントしたチップをモールド相当の１０ＭＰａの圧力で６０秒間配線基板に圧着した。その後１８０℃のオーブンで３時間ＤＢＦを硬化させた。このＤＢＦで接合したチップ、配線基板複合体を８５℃、６０％の恒温恒湿ボックス内で１６８時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度２５０℃のリフロー炉を３回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察したが膨れ、剥がれは発生していなかった。
配合５のワニスを乾燥後０．５μｍになるようにＡ−３１上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合３のワニスを乾燥後２５μｍになるように塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥し、離型フィルム付きＤＢＦを作成した。Ａ−３１の上に形成した２層のＤＢＦはＡ−３１から容易に剥がれ、柔軟性があった。０．５μｍ側の表面粗さは０．１μｍ以下であった。また、最外層の表面粗さは０．２μｍであった。このフィルムを９０℃で１００μｍ厚みのシリコンウェハの鏡面に８Ｎの加重ローラ、３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に０．５μｍ層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の９０度ピール強度は２．５Ｎ／ｃｍ−１であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるＤＢＦのバリの発生はなかく、チップ飛びもなかった。ＤＢＦ付きチップを０．２ｍｍ厚みのＰＫＧ用配線基板に１５０℃、０．０８ＭＰａの圧力、１秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は３ＭＰａであった。これは次工程に進むに充分な強度である。ダイマウントしたチップをモールド相当の１０ＭＰａの圧力で６０秒間配線基板に圧着した。その後１８０℃のオーブンで３時間ＤＢＦを硬化させた。このＤＢＦで接合したチップ、配線基板複合体を８５℃、６０％の恒温恒湿ボックス内で１６８時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度２５０℃のリフロー炉を３回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察したが膨れ、剥がれは発生していなかった。
（実施例３）
配合１のワニスを乾燥後０．５μｍになるようにＡ−３１上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合３のワニスを乾燥後２４μｍになるように塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥した。乾燥フィルムの上に、配合５のワニスを乾燥後１μｍになるように塗布し、熱風乾燥機で９０℃で３分間乾燥し離型フィルム付きＤＢＦを作成した。Ａ−３１の上に形成した３層のＤＢＦはＡ−３１から容易に剥がれ、柔軟性があった。０．５μｍ側の表面粗さは０．１μｍ以下であった。また、最外層の表面粗さは０．２μｍであった。このフィルムを７０℃で１００μｍ厚みのシリコンウェハの鏡面に８Ｎの加重ローラ、３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に０．５μｍ層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の９０度ピール強度は３Ｎ／ｃｍ−１であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるＤＢＦのバリの発生はなく、チップ飛びもなかった。ＤＢＦ付きチップを０．２ｍｍ厚みのＰＫＧ用配線基板（ソルダーレジスト面のうねりは最大１５μｍであった）に１２０℃、０．０８ＭＰａの圧力、１秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は３．５ＭＰａであった。ダイマウントしたチップをモールド相当の１０ＭＰａの圧力で６０秒間配線基板に圧着した。その後１８０℃のオーブンで３時間ＤＢＦを硬化させた。このＤＢＦで接合したチップ、配線基板複合体を８５℃、６０％の恒温恒湿ボックス内で１６８時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度２５０℃のリフロー炉を３回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察したが膨れ、剥がれは発生していなかった。
配合１のワニスを乾燥後０．５μｍになるようにＡ−３１上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合３のワニスを乾燥後２４μｍになるように塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥した。乾燥フィルムの上に、配合５のワニスを乾燥後１μｍになるように塗布し、熱風乾燥機で９０℃で３分間乾燥し離型フィルム付きＤＢＦを作成した。Ａ−３１の上に形成した３層のＤＢＦはＡ−３１から容易に剥がれ、柔軟性があった。０．５μｍ側の表面粗さは０．１μｍ以下であった。また、最外層の表面粗さは０．２μｍであった。このフィルムを７０℃で１００μｍ厚みのシリコンウェハの鏡面に８Ｎの加重ローラ、３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に０．５μｍ層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の９０度ピール強度は３Ｎ／ｃｍ−１であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるＤＢＦのバリの発生はなく、チップ飛びもなかった。ＤＢＦ付きチップを０．２ｍｍ厚みのＰＫＧ用配線基板（ソルダーレジスト面のうねりは最大１５μｍであった）に１２０℃、０．０８ＭＰａの圧力、１秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は３．５ＭＰａであった。ダイマウントしたチップをモールド相当の１０ＭＰａの圧力で６０秒間配線基板に圧着した。その後１８０℃のオーブンで３時間ＤＢＦを硬化させた。このＤＢＦで接合したチップ、配線基板複合体を８５℃、６０％の恒温恒湿ボックス内で１６８時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度２５０℃のリフロー炉を３回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察したが膨れ、剥がれは発生していなかった。
（実施例４）
配合１のワニスを乾燥後０．５μｍになるようにＡ−３１上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合２のワニスを乾燥後２５μｍになるように塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥し離型フィルム付きＤＢＦを作成した。Ａ−３１の上に形成した２層のＤＢＦはＡ−３１から容易に剥がれ、柔軟性があった。０．５μｍ側の表面粗さは０．１μｍ以下であった。また、最外層の表面粗さは０．２μｍであった。このフィルムを７０℃で１００μｍ厚みのシリコンウェハの鏡面に８Ｎの加重ローラ、３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に０．５μｍ層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の９０度ピール強度は３Ｎ／ｃｍ−１であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるＤＢＦのバリの発生はなく、チップ飛びもなかった。ＤＢＦ付きチップを０．２ｍｍ厚みのＰＫＧ用配線基板に１５０℃、０．０８ＭＰａの圧力、１秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は３．５ＭＰａであった。これは次工程に進むに充分な強度である。ダイマウントしたチップをモールド相当の１０ＭＰａの圧力で６０秒間配線基板に圧着した。その後１８０℃のオーブンで３時間ＤＢＦを硬化させた。このＤＢＦで接合したチップ、配線基板複合体を８５℃、６０％の恒温恒湿ボックス内で１６８時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度２５０℃のリフロー炉を３回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察したが膨れ、剥がれは発生していなかった
配合１のワニスを乾燥後０．５μｍになるようにＡ−３１上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合２のワニスを乾燥後２５μｍになるように塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥し離型フィルム付きＤＢＦを作成した。Ａ−３１の上に形成した２層のＤＢＦはＡ−３１から容易に剥がれ、柔軟性があった。０．５μｍ側の表面粗さは０．１μｍ以下であった。また、最外層の表面粗さは０．２μｍであった。このフィルムを７０℃で１００μｍ厚みのシリコンウェハの鏡面に８Ｎの加重ローラ、３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に０．５μｍ層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の９０度ピール強度は３Ｎ／ｃｍ−１であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるＤＢＦのバリの発生はなく、チップ飛びもなかった。ＤＢＦ付きチップを０．２ｍｍ厚みのＰＫＧ用配線基板に１５０℃、０．０８ＭＰａの圧力、１秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は３．５ＭＰａであった。これは次工程に進むに充分な強度である。ダイマウントしたチップをモールド相当の１０ＭＰａの圧力で６０秒間配線基板に圧着した。その後１８０℃のオーブンで３時間ＤＢＦを硬化させた。このＤＢＦで接合したチップ、配線基板複合体を８５℃、６０％の恒温恒湿ボックス内で１６８時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度２５０℃のリフロー炉を３回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察したが膨れ、剥がれは発生していなかった
（比較例１）
配合４のワニスを乾燥後２５μｍになるようにＡ−３１上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥し、離型フィルム付きＤＢＦを作成した。Ａ−３１の上に形成した単層のＤＢＦはＡ−３１から容易に剥がれ、柔軟性があった。離型フィルム側の表面粗さは０．１μｍ以下であった。また、反対面の表面粗さは０．３μｍであった。このフィルムの離型フィルム側の面を１１０℃で１００μｍ厚みのシリコンウェハの鏡面に８Ｎの加重ローラ、３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の９０度ピール強度は０．５Ｎ／ｃｍ−１であり、ウェハとＤＢＦの接着強度が弱く、ＤＢＦをラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるチップ飛びが生じるものがあった。ＤＢＦ付きチップを０．２ｍｍ厚みのＰＫＧ用配線基板に１５０℃、０．０８ＭＰａの圧力、１秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は１ＭＰａであった。これは次工程に進むに不充分な強度であった。
配合４のワニスを乾燥後２５μｍになるようにＡ−３１上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥し、離型フィルム付きＤＢＦを作成した。Ａ−３１の上に形成した単層のＤＢＦはＡ−３１から容易に剥がれ、柔軟性があった。離型フィルム側の表面粗さは０．１μｍ以下であった。また、反対面の表面粗さは０．３μｍであった。このフィルムの離型フィルム側の面を１１０℃で１００μｍ厚みのシリコンウェハの鏡面に８Ｎの加重ローラ、３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の９０度ピール強度は０．５Ｎ／ｃｍ−１であり、ウェハとＤＢＦの接着強度が弱く、ＤＢＦをラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるチップ飛びが生じるものがあった。ＤＢＦ付きチップを０．２ｍｍ厚みのＰＫＧ用配線基板に１５０℃、０．０８ＭＰａの圧力、１秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は１ＭＰａであった。これは次工程に進むに不充分な強度であった。
（比較例２）
配合１のワニスを乾燥後２５μｍになるようにＡ−３１上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥し、離型フィルム付きＤＢＦを作成した。Ａ−３１の上に形成した単層のＤＢＦはＡ−３１から容易に剥がれ、柔軟性があった。離型フィルム側の表面粗さは０．１μｍ以下であった。また、最外層の表面粗さも０．１μｍ以下であった。このフィルムを７０℃で１００μｍ厚みのシリコンウェハの鏡面に８Ｎの加重ローラ、３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に０．５μｍ層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の９０度ピール強度は３Ｎ／ｃｍ−１であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、バリの発生があり、実用上支障が出る恐れがあった。ＤＢＦ付きチップを０．２ｍｍ厚みのＰＫＧ用配線基板に１１０℃、０．０８ＭＰａの圧力、１秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は２．５ＭＰａであった。これは次工程に進むに充分な強度である。ダイマウントしたチップをモールド相当の１０ＭＰａの圧力で６０秒間配線基板に圧着した。その後１８０℃のオーブンで３時間ＤＢＦを硬化させた。このＤＢＦで接合したチップ、配線基板複合体を８５℃、６０％の恒温恒湿ボックス内で１６８時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度２５０℃のリフロー炉を３回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察した結果、ＤＢＦ内の膨れ、配線基板上での剥がれが発生していた。
配合１のワニスを乾燥後２５μｍになるようにＡ−３１上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥し、離型フィルム付きＤＢＦを作成した。Ａ−３１の上に形成した単層のＤＢＦはＡ−３１から容易に剥がれ、柔軟性があった。離型フィルム側の表面粗さは０．１μｍ以下であった。また、最外層の表面粗さも０．１μｍ以下であった。このフィルムを７０℃で１００μｍ厚みのシリコンウェハの鏡面に８Ｎの加重ローラ、３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に０．５μｍ層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の９０度ピール強度は３Ｎ／ｃｍ−１であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、バリの発生があり、実用上支障が出る恐れがあった。ＤＢＦ付きチップを０．２ｍｍ厚みのＰＫＧ用配線基板に１１０℃、０．０８ＭＰａの圧力、１秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は２．５ＭＰａであった。これは次工程に進むに充分な強度である。ダイマウントしたチップをモールド相当の１０ＭＰａの圧力で６０秒間配線基板に圧着した。その後１８０℃のオーブンで３時間ＤＢＦを硬化させた。このＤＢＦで接合したチップ、配線基板複合体を８５℃、６０％の恒温恒湿ボックス内で１６８時間吸湿させた。この吸湿させたチップ、配線基板複合体を最高温度２５０℃のリフロー炉を３回通過させた。リフロー炉を通したチップ、配線基板複合体を超音波顕微鏡で観察した結果、ＤＢＦ内の膨れ、配線基板上での剥がれが発生していた。
（比較例３）
配合１のワニスを乾燥後０．５μｍになるようにＡ−３１上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合４のワニスを乾燥後２５μｍになるように塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥し離型フィルム付きＤＢＦを作成した。Ａ−３１の上に形成した２層のＤＢＦはＡ−３１から容易に剥がれ、柔軟性があった。０．５μｍ側の表面粗さは０．１μｍ以下であった。また、最外層の表面粗さは０．３μｍであった。このフィルムを７０℃で１００μｍ厚みのシリコンウェハの鏡面に８Ｎの加重ローラ、３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に０．５μｍ層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の９０度ピール強度は３Ｎ／ｃｍ−１であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるＤＢＦのバリの発生はなく、チップ飛びもなかった。ＤＢＦ付きチップを０．２ｍｍ厚みのＰＫＧ用配線基板に１５０℃、０．０８ＭＰａの圧力、１秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は１ＭＰａであった。これは次工程に進むのに不充分な強度であった。
配合１のワニスを乾燥後０．５μｍになるようにＡ−３１上に塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２分間乾燥し、乾燥して形成したフィルム上に配合４のワニスを乾燥後２５μｍになるように塗布し、熱風乾燥機で９０℃で２０分間乾燥し離型フィルム付きＤＢＦを作成した。Ａ−３１の上に形成した２層のＤＢＦはＡ−３１から容易に剥がれ、柔軟性があった。０．５μｍ側の表面粗さは０．１μｍ以下であった。また、最外層の表面粗さは０．３μｍであった。このフィルムを７０℃で１００μｍ厚みのシリコンウェハの鏡面に８Ｎの加重ローラ、３０ｃｍ／ｓの速度でシリコンウエハ鏡面に０．５μｍ層を介して貼り付けた。室温でのフィルム状接着剤の９０度ピール強度は３Ｎ／ｃｍ−１であった。ウェハラミしたウェハをダイシングフィルムに貼り公知の方法でダイシングしたところ、実用上支障となるＤＢＦのバリの発生はなく、チップ飛びもなかった。ＤＢＦ付きチップを０．２ｍｍ厚みのＰＫＧ用配線基板に１５０℃、０．０８ＭＰａの圧力、１秒間でダイマウントした。ダイマウントしたチップの室温での剪断強度は１ＭＰａであった。これは次工程に進むのに不充分な強度であった。
Claims (7)
- 主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂、またはフィラーを３体積％以下含有してなる熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂からなり、６０〜１１０℃のいずれかの温度でシリコン鏡面にロール貼り付けした時のピール強度が１Ｎ・ｃｍ−１以上であり、未硬化状態でのガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下で、表面粗さが０．２μｍ未満である接着剤層（Ａ）と、
主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂とフィラーからなり、該フィラーの含有量が前記接着剤層（Ａ）のフィラーの含有量より５から３０体積％高く、未硬化状態でのガラス転移温度（Ｔｇ）が７０℃以下である接着剤層（Ｂ）から構成され、
前記接着剤層（Ａ）および前記接着剤層（Ｂ）のフィラー含有量の合計が５体積％以上、３０体積％以下であることを特徴とするダイボンドフィルム。 - 主に熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂、またはフィラーを３体積％以下含有してなる熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂からなり、６０〜１１０℃のいずれかの温度でシリコン鏡面にロール貼り付けした時のピール強度が１Ｎ・ｃｍ−１以上であり、未硬化状態でのガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下である接着剤層（Ａ’）を更に含み、
前記接着剤層（Ａ’）、前記接着剤層（Ｂ）および前記接着剤層（Ａ）の順に構成され、前記接着剤層（Ａ）、前記接着剤層（Ｂ）および前記接着剤層（Ａ’）のフィラー含有量の合計が５体積％以上、３０体積％以下であることを特徴とする請求項１記載のダイボンドフィルム。 - フィラーの平均粒径が１μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載のダイボンドフィルム。
- 前記接着剤層（Ａ）の厚みが０．１〜１μｍ、前記接着剤層（Ｂ）の厚みが５〜５０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１または３記載のダイボンドフィルム。
- 前記接着剤層（Ａ）の厚みが０．１〜１μｍ、前記接着剤層（Ｂ）の厚みが５〜５０μｍ、前記接着剤層（Ａ’）の厚みが０．１〜１μｍの範囲にあることを特徴とする請求項２記載のダイボンドフィルム。
- フィラーの平均粒径が１μｍ以下であることを特徴とする請求項５記載のダイボンドフィルム。
- 前記接着剤層（Ｂ）あるいは前記接着剤層（Ａ’）側が、ウエハサイズより大きく、ダイシングテープ支持リングフレームより小さな範囲内で、ダイシングテープに接着されていることを特徴とする請求項５または６記載のダイボンドフィルム。
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