JP4235686B2 - Icモジュール、icインレット及びic実装体 - Google Patents
Icモジュール、icインレット及びic実装体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4235686B2 JP4235686B2 JP2008509740A JP2008509740A JP4235686B2 JP 4235686 B2 JP4235686 B2 JP 4235686B2 JP 2008509740 A JP2008509740 A JP 2008509740A JP 2008509740 A JP2008509740 A JP 2008509740A JP 4235686 B2 JP4235686 B2 JP 4235686B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- capacitor
- chip
- module
- insulating base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45169—Platinum (Pt) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
- H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Details Of Aerials (AREA)
Description
通称ICカードと呼ばれるが、カード形態をとるものだけでなく、物に貼り付けられるシート状のタグや容器に封入されたタグや腕時計型のキャリア等、種々の形態のものを含んでいる。
接触式は、IC実装体の表面に露出した外部接続端子を有し、その外部接続端子を外部機器に接触させることによって通信を行うものである。
また、非接触式は、IC実装体内部に埋め込まれたコイル状の内蔵アンテナを有し、その内蔵アンテナで外部機器と非接触で通信を行うものである。
また、接触、非接触共用式は、IC実装体表面の外部接続端子及び内蔵アンテナの両方を有し、同一のICチップが外部機器と接触及び非接触の何れでも通信できるものである。接触、非接触共用式は、コンビ式又はデュアルインターフェース式とも称されている。
本発明は、これらの内、非接触式と接触、非接触共用式(以下、これらを総称して「RFID(Radio Frequency Identification:無線自動識別)式」という。)のIC実装体と、これらに用いられるICモジュール、ICインレットに関するものである。
本願は、2006年3月30日に日本に出願された特願2006−093349号、及び2006年4月27日に日本に出願された特願2006−123420号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
このように、コンデンサーを有するRFID式IC実装体として、絶縁基板の一方の面にICチップとマイカコンデンサーとが並べて搭載されたICカードが知られている(特許文献1)。
また、マイカフィルムの一部を一対の電極で挟みマイカコンデンサーを構成すると共に、このマイカフィルムの電極が設けられていない部分に、電極と並べるようにしてICチップが搭載されたICカードが知られている(特許文献2)。
また、特許文献1、2に記載された従来技術は、いずれもICチップとコンデンサーを有するICモジュールを小さい面積で構成することが困難である。そのため、例えばコイン状のような小さい面積のIC実装体を製造することが困難であった。また、規格(ISO7816、JISX6303)で定められた外部接続端子上にICチップとコンデンサーの双方を搭載できないため、汎用のICモジュールの製造装置を使用することができず、製造コストが高くなるという問題があった。
並びにこのICモジュールを用い、共振周波数の精度が高く、非接触通信の信頼性に優れ、かつ小面積とすることが可能なICインレット及びIC実装体を提供することを課題とする。
(1)絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面に設けられた少なくとも一対のアンテナ接続端子と、ICチップ及び板状コンデンサーが積層された積層体とを備え、
前記板状コンデンサーは、マイカコンデンサーであって、前記ICチップが外部機器と通信するための共振回路を構成するためのものであり、
前記積層体は、前記絶縁性基材の前記少なくとも一対のアンテナ接続端子と同一面側に搭載され、前記ICチップ及び前記板状コンデンサーが、前記少なくとも一対のアンテナ接続端子と電気的に接続されていることを特徴とするICモジュール。
(2)前記ICチップ及び前記板状コンデンサーと、前記少なくとも一対のアンテナ接続端子との電気的接続が、ワイヤによりなされている(1)に記載のICモジュール。
(3)前記絶縁性基材の他方の面に、外部機器と接触して導通可能であって、前記ICチップと電気的に接続された外部接続端子が設けられている(1)又は(2)に記載
のICモジュール。
(4)絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面に設けられた少なくとも一対のアンテナ接続端子と、ICチップ及び板状コンデンサーが積層された積層体と、前記絶縁性基材の他方の面に設けられた外部機器と接触して導通可能な外部接続端子を備え、
前記板状コンデンサーは、前記ICチップが外部機器と通信するための共振回路を構成するためのものであって、マイカフィルムと、該マイカフィルムを挟んで形成された第1電極及び第2電極と、前記マイカフィルムの第1電極と同じ側の面に該第1電極と離間して形成された端子電極とを有し、前記第2電極と端子電極とが、前記マイカフィルムを貫通する接続部により電気的に接続されたものであり、
前記積層体は、前記絶縁性基材の前記少なくとも一対のアンテナ接続端子と同一面側に板状コンデンサーを絶縁性基材側として搭載され、
前記ICチップは、前記板状コンデンサーの第1電極及び端子電極とワイヤにより電気的に接続され、該第1電極及び端子電極は、前記少なくとも一対のアンテナ接続端子と各々ワイヤにより電気的に接続されており、前記外部接続端子は、前記絶縁性基材に設けられた導通部とワイヤにより前記ICチップと電気的に接続されていることを特徴とするICモジュール。
(5)絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面に設けられた少なくとも一対のアンテナ接続端子と、ICチップ及び板状コンデンサーが積層された積層体と、前記絶縁性基材の他方の面に設けられた外部機器と接触して導通可能な外部接続端子を備え、
前記板状コンデンサーは、前記ICチップが外部機器と通信するための共振回路を構成するためのものであって、第1コンデンサーと第2コンデンサーが接着ガラス層を介して積層された2層コンデンサーであり、
前記第1コンデンサーは、第1マイカフィルムと、該第1マイカフィルムを挟んで形成された第1電極及び第2電極と、前記第1マイカフィルムの第1電極と同じ側の面に該第1電極と離間して形成された端子電極とを有し、
前記第2コンデンサーは、第2マイカフィルムと、該第2マイカフィルムを挟んで形成された第3電極及び第4電極とを有し、
前記第1コンデンサーと第2コンデンサーとは、前記第2電極及び第4電極を内側として積層され、
前記第2電極、第4電極及び端子電極が、前記第1マイカフィルム及び接着ガラス層を貫通する接続部により電気的に接続されたものであり、
前記第1電極と第3電極が、前記第1マイカフィルム、接着ガラス層及び第2マイカフィルムを貫通する接続部により電気的に接続されたものであり、
前記積層体は、前記絶縁性基材の前記少なくとも一対のアンテナ接続端子と同一面側に板状コンデンサーを絶縁性基材側として搭載され、
前記ICチップは、前記板状コンデンサーの第1電極及び端子電極とワイヤにより電気的に接続され、該第1電極及び端子電極は、前記少なくとも一対のアンテナ接続端子と各々ワイヤにより電気的に接続されており、前記外部接続端子は、前記絶縁性基材に設けられた導通部とワイヤにより前記ICチップと電気的に接続されていることを特徴とするICモジュール。
(6)(1)から(5)の何れかに記載のICモジュールにアンテナが接続されていることを特徴とするICインレット。
(7)(1)から(5)の何れかに記載のICモジュールと前記ICモジュールに接続されたアンテナが、本体に内蔵されていることを特徴とするIC実装体。
(8)(3)から(5)の何れかに記載のICモジュールと前記ICモジュールに接続されたアンテナが、前記外部接続端子を表面に露出させた状態で、本体に内蔵されていることを特徴とするIC実装体。
本発明のICインレット及びIC実装体は、本発明のICモジュールを用いているので、共振周波数の精度が高く、非接触通信の信頼性に優れ、かつ小面積とすることも可能である。
11 絶縁性基材
12 外部接続端子
13 マイカコンデンサー
14 ICチップ
15 積層体
16a、16b アンテナ接続端子
21a、21b、22a、22b、26 ワイヤ
30 封止材
1、2 ICインレット
110、111 板状コンデンサー
120、130 コンデンサー単位
160 第1電極端子
170 第2電極端子
180 ICチップ
190 封止材
100、101 ICモジュール
200 アンテナ、
図1〜3は、本発明のICモジュールの第1実施形態である接触、非接触共用式のICモジュールを示す図であり、図1が表面を下側として示した断面図、図2は表面図、図3は裏面図である。なお、図1は図3のI−I線で切断した断面図である。
本実施形態のICモジュール10は、絶縁性基材11の表面に、規格(ISO7816、JISX6303)に適合する外部接続端子12を備えている。また、絶縁性基材11の裏面には、マイカコンデンサー13とICチップ14が順次積層されている。マイカコンデンサー13とICチップ14とは、積層体15を構成している。絶縁性基材11の裏面には、積層体15を挟んで一対のアンテナ接続端子16a、16bが設けられている。
また、絶縁性基材11には、複数の導通部25、25・・・が設けられ、ICチップ14は、これらの導通部25、25・・・を通されたワイヤ26、26・・・により外部接続端子12の複数の接続箇所と電気的に接続されている。
さらに、封止材30が設けられ、この封止材30に封止されることによって、積層体15や各ワイヤが保護されている。なお、図1、3では、説明の便宜上、封止材30を取り除いた状態の図としており、封止材30が設けられる範囲は、破線で示している。
これらの中でも、ガラスエポキシ基板及びポリイミドフィルム基板が、耐熱性や価格の点で好ましい。
外部接続端子12は、例えば、絶縁性基材11に貼付された銅箔を所定パターンにエッチング処理し、その上にニッケルメッキと、金メッキを施すことにより形成されている。
本実施形態では、ICチップ14は、導通部25、25・・・と、ワイヤ26、26・・・により、C1〜C3、及びC5〜C7の6エリアと電気的に接続されている。
図4のマイカコンデンサー13Aは単層のコンデンサーで、マイカフィルム41と、その両面に形成された電極42a〜42dを備えている。電極42aと電極42cは、スルーホール43により接続されている。
マイカコンデンサー13Aを用いる場合、図1、3で示したワイヤ21a、22aは電極42aに、ワイヤ21b、22bは電極42bに接続され、電極42b、42c間で構成されるコンデンサーと、ICチップ14とアンテナ接続端子16a、16bとが並列の関係で接続されるようになっている。なお、電極42dは電気的な機能を有していないダミー電極で、全体の厚みを揃えるために、電極42cと下面が揃うように並べて設けられている。
電極42a〜42dは、蒸着、めっき、印刷工法等、種々の方法で形成できるが、印刷工法による場合は、金属微粉末を液状樹脂やガラスフリットと混錬した導電性インクを用いて形成する。この場合、金属微粉末としては、銀、金、銅、ニッケル、アルミ等の微粉末が使用できる。電極42a〜42dの厚みに限定はないが、10μm以下のものが好適に使用できる。
スルーホール43は、マイカコンデンサー13A全体を貫通して設けられた貫通孔の内面に導体が塗布されたものである。塗布される導体としては、電極42a〜42dを印刷工法により形成する場合の導電性インクと同様のものが使用できる。
コンデンサー50は、マイカフィルム51と、その両面に形成された電極52a〜52cを備えている。コンデンサー60は、マイカフィルム61と、その両面に形成された電極62a〜62cを備えている。コンデンサー50とコンデンサー60の間には、接着ガラス層71が設けられ、電極52cと電極62cとの間が接着されている。また、ビア72a、72bがコンデンサー50とコンデンサー60を貫通して設けられており、ビア72aにより、電極52a、52c、62c、62aが、ビア72bにより、電極52bと62bが、各々接続されている。
電極52a〜52c、62a〜62cとしては、電極42a〜42dと同様のものが使用できる。接着ガラス層71の材質としては、ほうけい酸ガラスを主成分とする低融点系ガラスが挙げられる。ビア72a、72bは、コンデンサー50とコンデンサー60全体を貫通して設けられた貫通孔内に導体が充填されたものである。充填される導体としては、電極42a〜42dを印刷工法により形成する場合の導電性インクと同様のものが使用できる。
アンテナ接続端子16a、16bは、絶縁性基材11に、金属箔のエッチング、印刷、導線、蒸着、メッキなどで作成されたものである。アンテナ接続端子16a、16bを構成する金属箔としては、金、銅、アルミニウム、銀、ニッケル等が使用できる。
ワイヤ21a、21b、22a、22b、26、26・・・としては、金ワイヤが好ましいが、銀、白金、アルミニウム、銅等のワイヤを使用することもできる。
封止材30としては、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂等が使用できる。
本発明者らは、従来のIC実装体では、接続配線自身のインダクタンスや抵抗により共振周波数のずれが生じることを見いだした。本実施形態のICモジュール10は、接続配線を短くすることにより共振周波数に与える影響を小さくできるので、これを内蔵させることにより、共振周波数の精度が高く、非接触通信の信頼性に優れたIC実装体を製造することができる。
また、本実施形態のICモジュール10は外部接続端子12を備えているので、これを表面に露出させた状態で内蔵させることにより、接触通信が可能なIC実装体を製造することができる。すなわち、接触、非接触共用式のIC実装体を得ることができる。
また、本発明で用いる板状コンデンサーはマイカコンデンサーに限られず、例えば、セラミックコンデンサーやフィルムコンデンサー等を使用してもよい。
例えば、同一の電極に両面から接続できる図5のマイカコンデンサー13Bを用いる場合、ICチップ14はフェースダウン式にマイカコンデンサー13Bに重ねることによって、電極52a及び電極52bとACF接続させることができる。一方、マイカコンデンサー13Bを、下面側がアンテナ接続端子16a、16bに重なるような大きさとすれば、電極62a及び電極62bとアンテナ接続端子16a、16bとのACF接続が可能となる。
また、本実施形態のICモジュール10は、一対のアンテナ接続端子16a、16bを備えた構成としたが、アンテナ接続端子は二対以上あってもよい。
本発明のICインレットは、本発明のICモジュールにアンテナが接続されたものである。本発明のICインレットの第1実施形態として、図1〜3の実施形態に係るICモジュール10を用いたICインレットについて説明する
また、ICモジュール10は外部接続端子12を有しているので、これが表面に露出するようにして本体に内蔵させると、ICチップ14と外部機器との接触式による通信も可能な接触、非接触共用式のIC実装体が得られる。
アンテナが形成された絶縁性支持体は、例えば、絶縁性支持体と金属箔を接着して回路基材を得、この回路基材の金属箔をパターニングすることによって得ることができる。
金属箔のパターニングは、例えば次のように行なうことができる。まず、回路基材の金属箔上に感光樹脂層を設け、ネガ又はポジの写真フィルムやクロム膜により形成したマスクを用いて感光樹脂層をパターニングする方法や、印刷やレタリング等の各種方法でパターンを回路基材の金属箔上に直接描く。そして、形成されたパターンをマスクとして、不要な金属部分を第二塩化鉄溶液や苛性ソーダ溶液等を使用して所謂エッチングにより溶かし出すことにより、金属箔のパターンを形成することができる。
絶縁性支持体の材質は、ICモジュールの絶縁性基材と同様のものから選択できる。
アンテナを形成するための金属箔の材質としては、銅、銀、アルミニウム、金等、若しくはこれらの合金、又はそれらの金属の微粉末を含む導電性インク等が挙げられる。
なお、アンテナを絶縁性素材で被覆したアンテナ線を用いれば、多重に巻回すことが容易となり、ICインレットにおけるアンテナの配置についての自由度が高くなる。
ICモジュール100は、板状コンデンサー110と、板状コンデンサー110の対向する2つの側面(第1側面と第2側面)側に各々外嵌された第1電極端子160及び第2電極端子170と、板状コンデンサー110の上に積層されたICチップ180とを備えている。
図8に示すように、板状コンデンサー110は、コンデンサー単位120とコンデンサー単位130を有している。コンデンサー単位120は、マイカフィルム121と、その下面と上面に各々形成された電極122、123を備えている。コンデンサー単位130は、マイカフィルム131と、その下面と上面に各々形成された電極132、133を備えている。
コンデンサー単位120とコンデンサー単位130の間には、接着ガラス層141が設けられ、電極123と電極133との間が接着されている。
また、本実施形態では、第1電極端子160の一部から第2電極端子170の一部にかけて、ICチップ180を被うように封止材190が設けられている。なお、図7では、説明の便宜上、封止材190を取り除いた状態の図としている。
電極122(電極132)と電極123(電極133)とは、電極本体122a(電極本体132a)と電極本体123a(電極本体133a)の部分でマイカフィルム121(マイカフィルム131)を挟み、これにより、コンデンサーが構成されている。
また、電極122(電極132)は、板状コンデンサー110の側面110a側が、板状コンデンサー110の幅方向全面に形成された接続部122b(接続部132b)とされ、この接続部122b(接続部132b)が、第1電極端子160の導電性樹脂層161に接触して電気的に接続されている。
同様に、電極123(電極133)は、板状コンデンサー110の側面110b側が、板状コンデンサー110の幅方向全面に形成された接続部123b(接続部133b)とされ、この接続部123b(接続部133b)の部分が、第2電極端子170の導電性樹脂層171に接触して電気的に接続されている。
図11に示すように、外装電極151は、バンプ接続部151aと端子接続部151bとからなり、バンプ接続部151aに異方導電性樹脂膜185を介してバンプ181が、端子接続部151bに側面110a側に外嵌された第1電極端子160が接続するようになっている。
同様に、外装電極152は、バンプ接続部152aと端子接続部152bとからなり、バンプ接続部152aに異方導電性樹脂膜185を介してバンプ182が、端子接続部152bに側面110b側に外嵌された第2電極端子170が接続するようになっている。
そして、アンテナ200は、板状コンデンサー110の上面側において、第1電極端子160のはんだメッキ層163、及び第2電極端子170のはんだメッキ層173の、各々封止材190で被われていない部分に接続している。
これらの接続関係の結果、ICチップ180に対して、コンデンサー単位120及びコンデンサー単位130、並びにアンテナ200が並列の関係で接続された共振回路が形成されている。
外装147、148の厚みに限定はないが、ICモジュール100の強度を保つため10〜300μmが好ましく、100〜200μmがより好ましい。
また、電極122、123、132、133は、電極42a〜42dと同等のものが使用できる。
外装電極151、152は、外装148上に、金属箔のエッチング、印刷、導線、蒸着、メッキなどで形成することができる。外装電極151、152を構成する金属箔としては、金、銅、アルミニウム、銀、ニッケル等が使用できる。
ICチップ180としては、ICチップ14と同等のものが使用できる。
封止材190としては、封止材30と同等のものが使用できる。
本実施形態のICインレット2は、本発明の第3実施形態に係るICモジュール101と、このICモジュール101に接続されたアンテナ200とから構成されている。
ICモジュール101は、板状コンデンサー111と、板状コンデンサー111の対向する2つの側面(第1側面と第2側面)側に各々外嵌された第1電極端子160及び第2電極端子170と、板状コンデンサー110の上に積層されたICチップ180とを備えている。
本実施形態のICモジュール101では、ICチップ180と第1電極端子160及び第2電極端子170との接続が、ワイヤ186、187によって成されている。なお、ICチップ180は、フェイスアップの状態とされ、第2実施形態のICチップ180とは、表裏が逆の関係になっている。
ワイヤ186、187としては、金ワイヤが好ましいが、銀、白金、アルミニウム、銅等のワイヤを使用することもできる。
本実施形態では、これらワイヤ186、187も封止材190内に収納されている。
本発明者らは、従来のIC実装体では、接続配線自身のインダクタンスや抵抗により共振周波数のずれが生じることを見いだした。上記実施形態のICモジュール100、101は、余分な配線をなくすことにより共振周波数に与える影響を小さくできるので、これを内蔵させることにより、共振周波数の精度が高く、非接触通信の信頼性に優れたIC実装体を製造することができる。
また、第1電極端子、第2電極端子は、3層構造に限られず、1層構造又は2層構造としても、4層以上としてもよい。
また、本発明で用いる板状コンデンサーはマイカコンデンサーに限られず、例えば、セラミックコンデンサーやフィルムコンデンサー等を使用してもよい。
また、第2実施形態では、図7として、アンテナ200が、ICモジュール100と離れた場所で巻回された構成を示したが、例えば、ICモジュールの周囲を囲むようにして巻回してもよい。この場合、このICモジュールを内蔵することにより、より小面積のIC実装体を得ることが可能となる。
本発明のIC実装体は、本発明のICモジュールと、このICモジュールに接続されたアンテナが本体に内蔵されたものである。
なお、アンテナは、予めICモジュールと一体化してICインレットを構成してから本体に内蔵させても良いし、予め本体内にアンテナを形成しておき、ここに、ICモジュールをはめ込むようにしてもよい。
図6は、本発明のIC実装体の第1実施形態として、図1〜3の実施形態に係るICモジュール10を用いたICカードについて説明する図である。なお、図6において、図1〜3と同一の構成部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
なお、アンテナ接続端子16a、16bと端子81a、81bとの接続をより確実にするために、両者の間に、導電ペーストや導電シート等を介在させることが好ましい。
これにより、ICモジュール10のICチップ14にマイカコンデンサー13とアンテナとが、並列の関係で接続された共振回路が形成され、ICチップ14と外部機器との非接触式による通信が可能となる。すなわち、本実施形態のICカードは、接触、非接触共用式のICカードである。
一対の本体基材の一方にアンテナを形成する方法としては、上記ICインレットで説明したアンテナが形成された絶縁性支持体と同様に、本体基材に金属箔を接着した後、金属箔をパターニングすることによって得ることができる。
なお、アンテナを絶縁性素材で被覆したアンテナ線を用いれば、多重に巻回すことが容易となり、カード本体80内におけるアンテナの配置についての自由度が高くなる。
また、これらの基材等の表面に、必要に応じて印刷層、磁気層、保護層等を設けてもよい。更に感熱・熱転写・インクジェット等の機能性の表面コートが施されていてもよい。
本発明のICインレット及びIC実装体は、本発明のICモジュールを用いているので、共振周波数の精度が高く、非接触通信の信頼性に優れ、かつ小面積とすることも可能である。
Claims (8)
- 絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面に設けられた少なくとも一対のアンテナ接続端子と、ICチップ及び板状コンデンサーが積層された積層体とを備え、
前記板状コンデンサーは、マイカコンデンサーであって、前記ICチップが外部機器と通信するための共振回路を構成するためのものであり、
前記積層体は、前記絶縁性基材の前記少なくとも一対のアンテナ接続端子と同一面側に搭載され、
前記ICチップ及び前記板状コンデンサーが、前記少なくとも一対のアンテナ接続端子と電気的に接続されていることを特徴とするICモジュール。 - 前記ICチップ及び前記板状コンデンサーと、前記少なくとも一対のアンテナ接続端子との電気的接続が、ワイヤによりなされている請求項1に記載のICモジュール。
- 前記絶縁性基材の他方の面に、外部機器と接触して導通可能であって、前記ICチップと電気的に接続された外部接続端子が設けられている請求項1又は請求項2に記載のICモジュール。
- 絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面に設けられた少なくとも一対のアンテナ接続端子と、ICチップ及び板状コンデンサーが積層された積層体と、前記絶縁性基材の他方の面に設けられた外部機器と接触して導通可能な外部接続端子を備え、
前記板状コンデンサーは、前記ICチップが外部機器と通信するための共振回路を構成するためのものであって、マイカフィルムと、該マイカフィルムを挟んで形成された第1電極及び第2電極と、前記マイカフィルムの第1電極と同じ側の面に該第1電極と離間して形成された端子電極とを有し、前記第2電極と端子電極とが、前記マイカフィルムを貫通する接続部により電気的に接続されたものであり、
前記積層体は、前記絶縁性基材の前記少なくとも一対のアンテナ接続端子と同一面側に板状コンデンサーを絶縁性基材側として搭載され、
前記ICチップは、前記板状コンデンサーの第1電極及び端子電極とワイヤにより電気的に接続され、該第1電極及び端子電極は、前記少なくとも一対のアンテナ接続端子と各々ワイヤにより電気的に接続されており、前記外部接続端子は、前記絶縁性基材に設けられた導通部とワイヤにより前記ICチップと電気的に接続されていることを特徴とするICモジュール。 - 絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面に設けられた少なくとも一対のアンテナ接続端子と、ICチップ及び板状コンデンサーが積層された積層体と、前記絶縁性基材の他方の面に設けられた外部機器と接触して導通可能な外部接続端子を備え、
前記板状コンデンサーは、前記ICチップが外部機器と通信するための共振回路を構成するためのものであって、第1コンデンサーと第2コンデンサーが接着ガラス層を介して積層された2層コンデンサーであり、
前記第1コンデンサーは、第1マイカフィルムと、該第1マイカフィルムを挟んで形成された第1電極及び第2電極と、前記第1マイカフィルムの第1電極と同じ側の面に該第1電極と離間して形成された端子電極とを有し、
前記第2コンデンサーは、第2マイカフィルムと、該第2マイカフィルムを挟んで形成された第3電極及び第4電極とを有し、
前記第1コンデンサーと第2コンデンサーとは、前記第2電極及び第4電極を内側として積層され、
前記第2電極、第4電極及び端子電極が、前記第1マイカフィルム及び接着ガラス層を貫通する接続部により電気的に接続されたものであり、
前記第1電極と第3電極が、前記第1マイカフィルム、接着ガラス層及び第2マイカフィルムを貫通する接続部により電気的に接続されたものであり、
前記積層体は、前記絶縁性基材の前記少なくとも一対のアンテナ接続端子と同一面側に板状コンデンサーを絶縁性基材側として搭載され、
前記ICチップは、前記板状コンデンサーの第1電極及び端子電極とワイヤにより電気的に接続され、該第1電極及び端子電極は、前記少なくとも一対のアンテナ接続端子と各々ワイヤにより電気的に接続されており、前記外部接続端子は、前記絶縁性基材に設けられた導通部とワイヤにより前記ICチップと電気的に接続されていることを特徴とするICモジュール。 - 請求項1から請求項5の何れかに記載のICモジュールにアンテナが接続されていることを特徴とするICインレット。
- 請求項1から請求項5の何れかに記載のICモジュールと前記ICモジュールに接続されたアンテナが、本体に内蔵されていることを特徴とするIC実装体。
- 請求項3から請求項5の何れかに記載のICモジュールと前記ICモジュールに接続されたアンテナが、前記外部接続端子を表面に露出させた状態で、本体に内蔵されていることを特徴とするIC実装体。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006093349 | 2006-03-30 | ||
JP2006093349 | 2006-03-30 | ||
JP2006123420 | 2006-04-27 | ||
JP2006123420 | 2006-04-27 | ||
PCT/JP2007/056188 WO2007116677A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-03-26 | Icモジュール、icインレット及びic実装体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008271072A Division JP4800368B2 (ja) | 2006-03-30 | 2008-10-21 | Icモジュール、icインレット及びic実装体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4235686B2 true JP4235686B2 (ja) | 2009-03-11 |
JPWO2007116677A1 JPWO2007116677A1 (ja) | 2009-08-20 |
Family
ID=38580976
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008509740A Expired - Fee Related JP4235686B2 (ja) | 2006-03-30 | 2007-03-26 | Icモジュール、icインレット及びic実装体 |
JP2008271072A Expired - Fee Related JP4800368B2 (ja) | 2006-03-30 | 2008-10-21 | Icモジュール、icインレット及びic実装体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008271072A Expired - Fee Related JP4800368B2 (ja) | 2006-03-30 | 2008-10-21 | Icモジュール、icインレット及びic実装体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090173793A1 (ja) |
EP (1) | EP2000958A2 (ja) |
JP (2) | JP4235686B2 (ja) |
KR (1) | KR20080113056A (ja) |
WO (1) | WO2007116677A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100194331A1 (en) * | 2009-02-05 | 2010-08-05 | James Chyi Lai | electrical device having a power source with a magnetic capacitor as an energy storage device |
DE102010032839B4 (de) | 2010-07-30 | 2019-03-28 | Jörg R. Bauer | Sandwichbauteil mit einer Bedienschicht und einer Funktionsschicht |
CN102832449B (zh) * | 2011-06-16 | 2015-04-08 | 赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司 | 天线组件和该天线组件的制造方法 |
US8649820B2 (en) | 2011-11-07 | 2014-02-11 | Blackberry Limited | Universal integrated circuit card apparatus and related methods |
US8936199B2 (en) | 2012-04-13 | 2015-01-20 | Blackberry Limited | UICC apparatus and related methods |
USD703208S1 (en) | 2012-04-13 | 2014-04-22 | Blackberry Limited | UICC apparatus |
USD701864S1 (en) | 2012-04-23 | 2014-04-01 | Blackberry Limited | UICC apparatus |
FR3038105B1 (fr) * | 2015-06-29 | 2017-08-04 | Oberthur Technologies | Module equipe d'un condensateur et d'une antenne, avec disposition d'electrode de condensateur amelioree |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0435058A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Hitachi Ltd | 複合集積回路装置および混成集積回路装置 |
DE4345610B4 (de) * | 1992-06-17 | 2013-01-03 | Micron Technology Inc. | Verfahren zur Herstellung einer Hochfrequenz-Identifikationseinrichtung (HFID) |
US5635767A (en) * | 1995-06-02 | 1997-06-03 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having built-in high frequency bypass capacitor |
WO1999026195A1 (fr) * | 1997-11-14 | 1999-05-27 | Toppan Printing Co., Ltd. | Module ci composite et carte ci composite |
JP2000182017A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 接触型非接触型共用icカードおよびその製造方法 |
JP3687459B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2005-08-24 | ソニーケミカル株式会社 | Icカード |
JP2001043336A (ja) | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Sony Chem Corp | Icカード |
JP2006093349A (ja) | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路基板の生産方法 |
JP2006123420A (ja) | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Kyocera Mita Corp | 電波時計を備える電子機器 |
-
2007
- 2007-03-26 KR KR1020087024890A patent/KR20080113056A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-03-26 WO PCT/JP2007/056188 patent/WO2007116677A1/ja active Application Filing
- 2007-03-26 EP EP07739626A patent/EP2000958A2/en not_active Withdrawn
- 2007-03-26 JP JP2008509740A patent/JP4235686B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-26 US US12/295,566 patent/US20090173793A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-10-21 JP JP2008271072A patent/JP4800368B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080113056A (ko) | 2008-12-26 |
JP4800368B2 (ja) | 2011-10-26 |
US20090173793A1 (en) | 2009-07-09 |
EP2000958A2 (en) | 2008-12-10 |
JPWO2007116677A1 (ja) | 2009-08-20 |
WO2007116677A1 (ja) | 2007-10-18 |
EP2000958A9 (en) | 2009-03-25 |
JP2009026333A (ja) | 2009-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4800368B2 (ja) | Icモジュール、icインレット及びic実装体 | |
JP4631910B2 (ja) | アンテナ内蔵型記憶媒体 | |
US8025237B2 (en) | Antenna built-in module, card type information device, and methods for manufacturing them | |
KR100833752B1 (ko) | 박형 집적회로 태그 및 그 제조 방법 | |
WO2001001342A1 (fr) | Carte a circuit integre | |
WO2007125948A1 (ja) | アンテナ内蔵電子回路モジュールとその製造方法 | |
JP2008107947A (ja) | Rfidタグ | |
JP2006059373A (ja) | Icカード | |
JPWO2006085466A1 (ja) | アンテナ内蔵半導体メモリモジュール | |
US10476147B2 (en) | Antenna device and method of manufacturing the same | |
JP2004310619A (ja) | Icカードの製造方法 | |
JP2016127601A (ja) | フレキシブルrfidアンテナ | |
US20210406636A1 (en) | Electronic module for chip card | |
JP6367661B2 (ja) | Icモジュール | |
CN101416206A (zh) | Ic模块、ic引入线以及ic封装体 | |
JP6554899B2 (ja) | 非接触通信インレイ | |
JP2015114754A (ja) | デュアルicカード | |
JPH1134562A (ja) | 非接触カード | |
JP7159663B2 (ja) | ブースタアンテナおよびデュアルicカード | |
JP2018092482A (ja) | Icモジュール、icモジュールを搭載した媒体およびicモジュールの製造方法 | |
JP2022118350A (ja) | 無線通信デバイス、及び、無線通信組立体 | |
JP2017156929A (ja) | アンテナシートの製造方法、アンテナシート及び非接触情報媒体 | |
JP2014236436A (ja) | アンテナシート及びその製造方法 | |
CN112703510A (zh) | 便携式物体的电子模块的制造方法 | |
JP2000099674A (ja) | 非接触伝達機構付icカード |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081215 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4235686 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131219 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141219 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |