JP4230578B2 - 耐静電気ポリカーボネート組成物 - Google Patents

耐静電気ポリカーボネート組成物 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の背景】
本発明は、実質的に静電気耐性のポリカーボネート組成物に係る。
ポリカーボネート組成物は光学的情報記憶媒体を作成するために選択されている材料である。光学的情報記憶媒体には、レーザーにより情報の書込みと読取りを行なうことができるコンパクトディスク、オーディオディスク、レーザーディスク、光ディスクメモリー、および磁気−光ディスクのような物品が包含される。このような媒体は、業界で認識されている手段によってポリカーボネートから製造することができる。
【0002】
たとえば米国特許第5,606,008号に開示されているような溶融縮合法によって製造されるポリカーボネート組成物はコンパクトディスク(CD)製造に選択される材料となりつつある。コンパクトディスクを成型するのに用いるポリカーボネート組成物に対して、また性能にとって光の透過が重要であるようなポリカーボネートの他の用途に対して、良好な帯電防止性能が重大である。コンパクトディスクの射出成型中に発生した高い静電荷により、生成する成形品は、ほこりを寄せ付け、そのようなディスクの最終品質を落としてしまうことになり得る。また、高い静電荷により、ディスク同士が引き付けあい、輸送工程中、たとえば射出成形機からの移送中にディスクが互いにくっついてしまうため、CD製造を停止したりその歩留まりが落ちたりするという状況に至ることにもなり得る。書き換え可能な基板をディスク表面にスピンコートするCD用途の場合、書き換え可能な層の均一な湿潤のために低い静電荷が重大である。しかし、米国特許第5,606,008号に開示されているような溶融縮合法で作成したポリカーボネートから製造したCDでは、その特徴として、高い負の静電荷(典型的には<−2.0kV)が発生する。コンパクトディスク製造の際にポリカーボネート組成物をうまく使用するために、好ましくは、そのCDがもつ静電荷を約−2kVから約+2.0kVまでの間にしなければならない。
【0003】
帯電防止性ポリカーボネート組成物が特開昭62−207358号に開示されている。これらの組成物は、CD、ビデオディスクなどのような高密度光学的情報記録媒体に用いられ、適切な帯電防止特性をもっていると報告されている。これらの組成物中の帯電防止剤は、ポリカーボネートに対して0.01〜4.8重量%部のレベルで使用する部分的にエステル化された酸性リン酸誘導体に限定されている。
【0004】
したがって、溶融縮合法によって製造されたポリカーボネートから得られ、CD作成に用いたときに静電荷を約−2kV〜約+2kVに制限するポリカーボネート組成物が必要とされている。非酸性帯電防止剤を含有するポリカーボネート組成物も必要とされている。また、帯電防止剤の量が低下したポリカーボネート組成物に対するニーズもある。さらに、静電荷が約−2kV〜約+2kVに限定されている前記ポリカーボネート組成物から作成される光学的情報記憶媒体、特にCDからなる成型品に対するニーズがある。
【0005】
【発明の要約】
上述のニーズは本出願の発明によって満たされる。驚くべきことに、ポリカーボネート組成物中に約0.05%(ポリカーボネートに対する重量%)未満の非酸性帯電防止剤を用いると、成型されたCDの静電荷を約−2kVから約+2kVまでの間に制限する組成物が得られることが判明した。この結果は驚くべきものである。というのは、非酸性の帯電防止剤は、通常、所与の組成物の主要な樹脂成分(たとえば、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリエチレンまたはポリカーボネート(PC)など)の約0.05重量%より多い量で使用したときにのみ有効であるからである。
【0006】
本発明は、(a)ポリカーボネート、(b)ポリカーボネートに対して約0.01〜約0.1重量%の少なくとも1種の離型剤、(c)ポリカーボネートに対して0〜約0.05重量%の少なくとも1種の熱安定剤、および、(d)ポリカーボネートに対して約0.007〜約0.05重量%の少なくとも1種の帯電防止剤を含み、前記帯電防止剤がジステアリルヒドロキシルアミン、トリフェニルアミン、トリ‐n‐オクチルホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、ピリジンN‐オキシド、エトキシル化ソルビタンモノラウレート、
【0007】
【化7】
Figure 0004230578
【0008】
または
【0009】
【化8】
Figure 0004230578
【0010】
である良好な帯電防止性能を有するポリカーボネート組成物を提供する。ただし、ここで、R1 とR2 はそれぞれ独立して−H、−C1-22アルキル、−COC1-21アルキル、非置換−C6-14アリール、アルキル置換−C6-14アリール、または−テトラヒドロフルフリルを表し、R3 、R4 、R5 は各々がそれぞれ独立して−Hまたは−CH3 を表し、R6 とR7 はそれぞれ独立して−H、−C1-22アルキル、または−COC1-21アルキルを表し、R8 とR9 はそれぞれ独立して−Hまたは−CH3 を表し、j、k、nは各々がそれぞれ独立して約2〜約200の整数を表し、各pはそれぞれ独立して約1〜約6の整数を表し、各qはそれぞれ独立して約1〜約100の整数を表し、mは約1〜約100の整数を表す。
【0011】
本発明はまた、前記ポリカーボネート組成物を含む光学的情報記憶媒体も提供する。さらにまた、本発明は、前記ポリカーボネート組成物を含むコンパクトディスクを提供する。
【0012】
【発明の詳細な記述】
本発明で使用するポリカーボネートは次式で表される構造単位を多数含む。
【0013】
【化9】
Figure 0004230578
【0014】
ここで、A1 は二価の芳香族炭化水素基である。適切なA1 基としては、m‐フェニレン、p‐フェニレン、4,4′‐ビフェニレン、4,4′‐ビ(3,5‐ジメチル)‐フェニレン、2,2‐ビス(4‐フェニレン)プロパン、および、米国特許第4,217,438号に(一般または特定の)名称または式で開示されているジヒドロキシ置換芳香族炭化水素に対応するもののような類似の基がある。
【0015】
このA1 基は次式を有するのが好ましい。
【0016】
【化10】
Figure 0004230578
【0017】
ここで、A2 とA3 は各々単環式の二価の芳香族炭化水素基であり、Yは1個か2個の原子がA2 とA3 を隔てた炭化水素橋架け基である。式II中の自由原子価結合は通常、A2 とA3 においてYに対してメタかパラの位置にある。A1 が式IIを有する化合物はビスフェノールであり、本明細書中では簡略化のために「ビスフェノール」という用語はジヒドロキシ置換された芳香族炭化水素を指称するのに使用することがある。しかし、このタイプの非ビスフェノール化合物も適宜使用できるものと理解されたい。
【0018】
式IIでA2 基とA3 基は非置換のフェニレンでもよいし、炭化水素で置換されたその誘導体でもよく、その際の代表的な置換基(1個以上)はアルキルとアルケニルである。非置換のフェニレン基が好ましい。A2 とA3 の両方がp‐フェニレンであるのが好ましいが、両方がo‐フェニレンかm‐フェニレンでもよいし、あるいは一方がo‐またはm‐フェニレンで他方がp‐フェニレンでもよい。
【0019】
橋架け基Yは、1個か2個の原子がA2 とA3 を隔てるものである。好ましい具体例は1個の原子がA2 とA3 を隔てるものである。このタイプの代表的な基はメチレン、シクロヘキシル‐メチレン、2‐[2.2.1]‐ビシクロヘプチルメチレン、エチレン、イソプロピリデン、ネオペンチリデン、シクロヘキシリデン、シクロペンタデシリデン、シクロドデシリデンおよびアダマンチリデンである。gem‐アルキレン(アルキリデン)基が好ましい。しかし、不飽和の基も包含される。入手が容易であり、本発明の目的に特に適しているため、好ましいビスフェノールは、Yがイソプロピリデンで、A2 とA3 が各々p‐フェニレンである2,2‐ビス(4‐ヒドロキシフェニル)プロパン(すなわち「BPA」)である。本発明で使用するポリカーボネートの詳細な説明は米国特許第4,125,572号、同第3,028,365号、同第3,334,154号および同第3,915,926号(いずれも引用したことにより本明細書に含まれているものとする)に記載されている。
【0020】
本発明のひとつの態様では、少なくとも1種の離型剤を含むポリカーボネート組成物を提供する。本明細書で使用する離型剤は、一般に組成物に配合された場合その組成物を非粘着性にすることにより、射出成型中に金型から容易に離型できる能力を増大する化合物である。
本発明のポリカーボネート組成物は、少なくとも1種の離型剤を、ポリカーボネートに対して約0.01〜約0.1重量%含んでいる。離型剤の好ましい量はポリカーボネートに対して約0.015〜約0.06重量%である。離型剤の最も好ましい量はポリカーボネートに対して約0.02〜約0.04重量%である。
【0021】
当業者に知られている離型剤が本発明に有用である。離型剤の広範なリストは、カーク‐オスマーの化学技術全書(Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology) 第4版、第21巻、第207〜218頁、(1997年)(引用により本明細書に含まれているものとする)にみることができる。好ましい離型剤はペンタエリトリトールテトラステアレート、グリセロールモノステアレートまたはグリセロールトリステアレートであり、ペンタエリトリトールテトラステアレートとグリセロールモノステアレートが特に好ましい。
【0022】
本発明の別の態様では、少なくとも1種の熱安定剤を含むポリカーボネート組成物を提供する。本発明の組成物中に使用する熱安定剤は、射出成型中ポリカーボネート組成物に熱安定性と色安定性を付与する薬剤である。
本発明のポリカーボネート組成物は、少なくとも1種の熱安定剤を、ポリカーボネートに対して0〜約0.05重量%含んでいる。前記組成物は、少なくとも1種の熱安定剤を、ポリカーボネートに対して約0.01〜約0.03重量%含むのが好ましい。
【0023】
当業者に知られている熱安定剤は本発明で有効に使用することができる。前記熱安定剤は存在する場合少なくとも1種のホスファイトを基礎とする化合物であるのが好ましく、トリス(2,4‐ジ‐tert‐ブチルフェニル)ホスファイトとトリス‐ノニルフェニルホスファイトが特に好ましい。
本発明のさらに別の態様では、少なくとも1種の非酸性の帯電防止剤を含むポリカーボネート含有組成物を提供する。本発明の組成物中には、各種の非酸性帯電防止剤を単独または組合せて使用することができる。有用な帯電防止剤はCDの静電荷を約−2kVと約+2kVの間に維持するものである。帯電防止剤の広範なリストは、1991年10月、マグローヒル(McGraw Hill) 現代プラスチック辞典(Modern Plastics Encyclopedia)の第164〜167頁に記載されており、これを引用により本明細書に含まれているものとする。
【0024】
本発明のポリカーボネート組成物は、少なくとも1種の帯電防止剤を、ポリカーボネートに対して約0.007〜約0.05重量%含む。ポリカーボネートに対して約0.01〜約0.03重量%の少なくとも1種の帯電防止剤を含む組成物が好ましい。適した帯電防止剤としては、ジステアリルヒドロキシルアミン、トリフェニルアミン、トリ‐n‐オクチルホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、ピリジンN‐オキシド、エトキシル化ソルビタンモノラウレート、下記式III に示したタイプのポリ(アルキレングリコール)化合物、および下記式IVに示したタイプの化合物がある。本明細書で使用するポリ(アルキレングリコール)部分という用語は、ポリ(エチレングリコール)部分およびポリ(プロピレングリコール)部分の少なくとも1種をいう。ポリ(エチレングリコール)部分はまたポリオキシエチレンともいわれ、ポリ(プロピレングリコール)部分はポリオキシプロピレンともいわれる。
【0025】
【化11】
Figure 0004230578
【0026】
【化12】
Figure 0004230578
【0027】
式III で、R1 とR2 はそれぞれ独立して−H、−C1-22アルキル、−COC1-21アルキル、非置換−C6-14アリール、アルキル置換−C6-14アリール、または−テトラヒドロフルフリルを表し、R3 、R4 、R5 は各々がそれぞれ独立して−Hまたは−CH3 を表し、j、k、nは各々がそれぞれ独立して約2〜約200の整数を表す。また式IVで、R6 とR7 はそれぞれ独立して−H、−C1-22アルキル、または−COC1-21アルキルを表し、R8 とR9 はそれぞれ独立して−Hまたは−CH3 を表し、各pはそれぞれ独立して約1〜約6の整数を表し、各qはそれぞれ独立して約1〜約100の整数を表し、mは約1〜約100の整数を表す。
【0028】
本明細書で使用するアルキル基という用語は直鎖のアルキル、分枝アルキルおよびシクロアルキルを包含する。このアルキル基は飽和であってもよいし、少なくとも1個の不飽和点をもっていてもよい。不飽和のアルキル基を使用する場合、不飽和点は最大1個であるのが好ましい。アルキル基は置換されていても置換されていなくてもよい。置換されたアルキル基を使用する場合、好ましい置換基はアリール、カルボン酸またはヒドロキシルである。最も好ましい置換アルキル基はカルボン酸で置換されたC1-4 アルキルと、ヒドロキシ置換されたC2-4 アルキルである。上記定義のアルキル基はいずれも、本発明の組成物中の式III または式IVの帯電防止剤中の置換基として有用である。
【0029】
本発明の組成物中に使用する式III と式IVの帯電防止剤に置換基として存在する場合のアリール基には、単環式、二環式および三環式の芳香族炭化水素部分、たとえば、非置換または1〜3個の置換基で置換されたフェニル、ナフチルおよびアントラセニルが包含される。置換基の例示としてはC1-22アルキルとハロゲンがある。前記アリール基に置換基として存在する場合のアルキル基は、すでに定義したアルキル基を含む。好ましいアルキル基はC1-9 直鎖アルキルである。前記アリール基に存在する場合のハロゲン置換基は臭素か塩素が好ましい。
【0030】
さらに好ましい組成物は、帯電防止剤が式III または式IVで表されるタイプの少なくとも1種の化合物から誘導され、その式中のR1 とR2 が同じであっていずれも−H、−C1-22アルキル、−COC1-21アルキル、非置換−C6-14アリール、アルキル置換−C6-14アリール、または−テトラヒドロフルフリルであり、R3 、R4 、R5 が同じであって各々−Hまたは−CH3 であり、R6 とR7 が同じであっていずれも−Hであり、R8 とR9 が同じであっていずれも−Hであり、j、k、nが各々独立して約2〜約50の整数であり、各pが3であり、各qがそれぞれ独立して約1〜約50の整数を表し、mが約7〜約80の整数を表すものである。
【0031】
本発明で使用する最も好ましい帯電防止剤はエトキシル化されたソルビタンモノラウレート、ヤシ油のポリオキシエチレン(9)脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン(4)ラウリルエーテル、ポリオキシエチレン(20)オレイルエーテル、またはポリオキシエチレン(2)ステアリルエーテルである。括弧内の数は帯電防止剤中のオキシエチレン繰返し単位の概略平均数を示している。
【0032】
帯電防止剤の混合物は、本発明のポリカーボネート含有組成物中に使用するのに特に適している。本明細書で、帯電防止剤の混合物とは、化学的種類の異なる2種類以上の帯電防止剤から選んだものの混合物、または化学的種類の同じ2種類以上の帯電防止剤から選んだものの混合物をいう。異なる化学的種類の帯電防止剤の混合物の例としては、ポリオキシエチレンステアリルエーテルとトリ‐n‐オクチルホスフィンオキシドの混合物、またはトリフェニルホスフィンオキシドとエトキシル化ソルビタンモノラウレートの混合物がある。同じ化学的種類の帯電防止剤の混合物の例としては、ポリオキシエチレン(2)ステアリルエーテルとポリオキシエチレン(4)ステアリルエーテルの混合物、またはポリプロピレングリコール(20)とポリプロピレングリコール(18)の混合物、その他類似の混合物がある。さらに別の例として、ポリ(アルキレングリコール)と2種以上の異なる脂肪酸(たとえば、C8 、C10、C12、C14、C16およびC18の脂肪酸)との反応によって生成するポリ(アルキレングリコール)のエステルの混合物、またはポリ(アルキレングリコール)の反応を介して形成されるポリ(アルキレングリコール)の2種以上の異なるC8-22アルキル基とのエーテルの混合物がある。ヤシ油脂肪酸のポリオキシエチレンエステルの混合物は、同じ一般的化学種類に由来する帯電防止剤の混合物の一例である。さらに別の例としては、脂肪酸とポリ(アルキレングリコール)とのモノエステルとジエステルの混合物、またはC8-22アルキル基とポリ(アルキレングリコール)とのモノエーテルとジエーテルの混合物がある。同じ一般的化学種類に由来する2種以上の帯電防止剤の混合物は本発明の組成物で特に好ましい。
【0033】
本発明の別の態様では、本発明によって提供された組成物を含む光学的情報記憶媒体を提供する。光学的情報記憶媒体には、レーザーにより情報の書込みと読取りを行なうことができるコンパクトディスク、オーディオディスク、レーザーディスク、光ディスクメモリー、および磁気−光ディスクのような物品が包含される。
【0034】
少なくとも1種のポリ(アルキレングリコール)部分を含む帯電防止剤を驚く程低いレベルで用いると、ジフェニルカーボネートとビスフェノールAとの溶融エステル交換によって調製されたポリカーボネートを用いて作成したCDの静電荷の大きさもしくは符号または静電荷の大きさと符号の両方が変化することが発見された。得られる静電荷の符号と大きさは使用する帯電防止剤もしくはその混合物のタイプと量の両方で調節される。
【0035】
離型剤、熱安定剤および帯電防止剤のポリカーボネート組成物への添加法は特に重要なものではない。本発明を実施するひとつの方法によると、離型剤、熱安定剤および帯電防止剤をコンパウンディングするには、これらの材料のすべてをある容器内でポリカーボネートのペレットまたは粉末(またはペレットと粉末の混合物)と一緒にした後激しく混合してから押出すとよい。別の適した方法では、前記材料の少なくとも1種をポリカーボネート粉末(または粉末とペレットの混合物)内に濃縮したものを作成する。この濃縮物は、前記材料の少なくとも1種をある容器内でポリカーボネート粉末と一緒にした後激しく掻き混ぜた後押出すことによって作成でき、これが好ましい。この濃縮物中の離型剤、熱安定剤、帯電防止剤またはその混合物のレベルは、ポリカーボネートに対して約0.14〜約2.2重量%の範囲であり得る。濃縮物は、ポリカーボネート粉末を、このポリカーボネートに対して約0.14〜約1.0重量%の濃度の帯電防止剤と一緒にすることによって調製するのが最も好ましい。
【0036】
濃縮物の調製後、粉末濃縮物のフィーダーとバルクペレットのフィーダーを用いて押出すことによってこの濃縮物をポリカーボネートペレットとコンパウンディングすることができる。供給するバルクポリカーボネートと供給濃縮物との便利な比は95:5であるが、他の比でも適している。当業者に公知の関連する混合・コンパウンディング法も適している。
【0037】
以下、実施例により本発明を説明する。
【0038】
【実施例】
バレル設定温度260℃、全供給速度20ポンド(lbs) /時の、5バレルW&P製28mm二軸式エクストルーダー(TSE)を用いて押出すことにより、ポリカーボネート組成物をコンパウンディングした。スクリューの速度は毎分325回転(rpm) とした。押出したサンプルを直径約10.1cm、厚さ約0.3175cmの円板状試験片に成型した。ミーチ(Meech) 980手持ち式静電場計を用い、当業者に公知の手順を使用して、「成型直後」の静電荷を、直径7.6cmの試験板の中心から5.0cmの距離のところで測定した。
【0039】
各種帯電防止剤を表1に挙げた。アトマー(ATMER) はアイ・シー・アイ・アメリカ社(ICI Amercia Inc.)の登録商標である。
表 1
商標 帯電防止剤
ATMER 100 ソルビタンモノラウレート
ATMER 110 エトキシル化ソルビタンモノラウレート
ATMER 135 ポリオキシエチレン(4)ラウリルエーテル
ATMER 137 ポリオキシエチレン(20)オレイルエーテル
ATMER 154 ヤシ油のポリオキシエチレン(9)脂肪酸エステル
ATMER 502 ポリオキシエチレン(2)ステアリルエーテル
DMS C−21 ポリ(ジメチルシロキサン)‐コ‐4%ポリ(エチレングリコール)、MW4500〜5500
表2に、いろいろな量の帯電防止剤を含む組成物、およびこれらの組成物を用いて作成した試験板の静電荷を挙げた。
【0040】
Figure 0004230578
組成物に添加した帯電防止剤の量はポリカーボネートに対する重量%を示す。表2の組成物#1は帯電防止剤を含有しておらず、静電荷は−2.2kVであり、これは所望の範囲を外れている。一方、表2の組成物#2〜13は本発明の帯電防止剤を少なくとも1種含んでおり、静電荷は約−2kV〜約+2kVという所望の範囲に入っている。
【0041】
表2の成型した試験板の静電荷を制御するのに有効であった帯電防止剤は、離型剤の存在下で成型したコンパクトディスクの静電荷を制御するのにも有効であった。ネツタル・ディスク・ジェット(Netstal Disk Jet)600CD成型機で成型した「グリーン」(金属化してない)コンパクトディスクについて、「成型直後の」静電荷を測定した。アトマー(ATMER) (登録商標)154帯電防止剤とグリセロールモノステアレート(GMS)離型剤をさまざまなレベルで含有するポリカーボネート組成物から作成したコンパクトディスクの静電特性を表3に挙げた。組成物中の各添加剤の量はポリカーボネートに対する重量%を示す。
【0042】
Figure 0004230578
離型剤のみが存在し、帯電防止剤を添加してない場合(表3、組成物#1)、成型したコンパクトディスクの静電荷は約−2kV〜約+2kVという望ましい範囲から外れることが判明した。離型剤の存在下で非常に少量(ポリカーボネートに対して0.02重量%)の帯電防止剤を添加することによって静電荷に関して許容可能な値が達成された。
【0043】
クラウス・マッフェイ(Krauss Maffei) CD成型機で成型した「グリーン」(金属化してない)コンパクトディスクについて「成型直後の」静電荷を測定した。アトマー(ATMER) (登録商標)110帯電防止剤をさまざまなレベルで含有するポリカーボネート組成物から作成したコンパクトディスクの静電特性を表4に挙げた。組成物に添加した帯電防止剤の量はポリカーボネートに対する重量%を示す。組成物はすべて、離型剤として、ポリカーボネートに対して0.04重量%のグリセロールモノステアレートを、また熱安定剤として、ポリカーボネートに対して0.01重量%のトリス(2,4‐ジ‐tert‐ブチルフェニル)ホスファイトを含有している。
【0044】
Figure 0004230578
離型剤のみが存在し、帯電防止剤を添加してない場合(表4、組成物#1)、成型したコンパクトディスクの静電荷は約−2kV〜約+2kVという望ましい範囲から外れることが判明した。使用する帯電防止剤に応じて、ポリカーボネートに対して約0.01〜約0.025重量%という非常に少量の帯電防止剤を添加することによって静電荷に関して許容可能な値が達成された。より少ない量 (ポリカーボネートに対して0.005重量%)またはより多い量(ポリカーボネートに対して0.03重量%および0.05重量%)で帯電防止剤を添加すると、いずれの場合も、離型剤の所与のレベルで約−2kV〜約+2kVという所望の範囲から外れる静電荷の値が得られた。
【0045】
離型剤の存在下で少なくとも1個のポリ(アルキレングリコール)部分を含有する帯電防止剤を使用すると、溶融プロセスで調製されたポリカーボネート樹脂を用いて成型したCDの静電荷を制御することに関して、非常に少量(<0.03重量%)でも特に有効である。離型剤の存在下で有効量の帯電防止性添加剤を添加することによって、これらの組成物から成型されるCDの静電荷を約−2kV〜約+2kVに、好ましくはできる限りゼロに近く、維持して成型プロセス中に発生する静電荷を最小限にすることができる。特定の量のポリ(エチレングリコール)脂肪酸エステルおよびエトキシル化ソルビタンモノラウレート[アトマー(ATMER) (登録商標)110]が、離型剤としてのグリセロールモノステアレートの存在下で有効であった。
【0046】
シリコーンをベースとする帯電防止剤も本発明の組成物で有用である。表5に、本発明のポリカーボネート組成物中に使用したシリコーンをベースとする帯電防止剤の量と、試験板について測定したそれぞれの静電荷を挙げた。用いたシリコーンベースの帯電防止剤は、式IVで表され、置換基R6 とR7 が各々−H、R8 とR9 が各々−H、各pが3である化合物である。表中、非シロキサン%という用語は、シリコーンをベースとする帯電防止剤中のポリ(エチレングリコール)のパーセントを示す。
【0047】
表中に挙げたqとmに対する値は代表的な値であり、これに限定されるものではない。当業者には、表に挙げた範囲外のqおよびmの値も本発明の組成物に有用であることが理解されよう。組成物に添加した帯電防止剤の量はポリカーボネートに対する重量%を示す。
Figure 0004230578
成型された試験板の静電荷は、ポリカーボネートに対して約0.03重量%の帯電防止剤で約−2kV〜約+2kVの望ましい範囲内に入ることが判明した。

Claims (10)

  1. (a)ポリカーボネート、
    (b)ポリカーボネートに対して0.01〜0.1重量%の少なくとも1種の離型剤、
    (c)ポリカーボネートに対して0〜0.05重量%の少なくとも1種の熱安定剤、および
    (d)ポリカーボネートに対して0.007〜0.05重量%の少なくとも1種の帯電防止剤を含む、帯電防止性能を有するポリカーボネート組成物であって、
    帯電防止剤がジステアリルヒドロキシルアミン、トリフェニルアミン、トリ‐n‐オクチルホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、ピリジンN‐オキシド、エトキシル化ソルビタンモノラウレート、
    Figure 0004230578
    または
    Figure 0004230578
    [ただし、
    1 およびR2 はそれぞれ独立して−H、−C1-22アルキル、−COC1-21アルキル、非置換−C6-14アリール、アルキル置換−C6-14アリール、または−テトラヒドロフルフリルを表し、
    3 、R4 およびR5 は各々がそれぞれ独立して−Hまたは−CH3 を表し、
    6 およびR7 はそれぞれ独立して−H、−C1-22アルキル、または−COC1-21アルキルを表し、
    8 およびR9 はそれぞれ独立して−Hまたは−CH3 を表し、
    j、kおよびnは各々がそれぞれ独立して2ら200までの整数を表し、
    各pはそれぞれ独立して1ら6までの整数を表し、
    各qはそれぞれ独立して1ら100までの整数を表し、
    は1ら100までの整数を表す]である、ポリカーボネート組成物。
  2. 離型剤がペンタエリトリトールテトラステアレート、グリセロールモノステアレートまたはグリセロールトリステアレートである、請求項1記載のポリカーボネート組成物。
  3. 請求項1記載のポリカーボネート組成物を含む光学的情報記憶媒体。
  4. 熱安定剤がポリカーボネートに対して0.01〜0.1重量%のレベルで存在する請求項1記載のポリカーボネート組成物を含む光学的情報記憶媒体。
  5. (a)ポリカーボネート、
    (b)ポリカーボネートに対して0.01〜0.1重量%の、グリセロールモノステアレートまたはペンタエリトリトールテトラステアレートである離型剤の少なくとも1種、
    (c)ポリカーボネートに対して0.01〜0.05重量%の、トリス(2,4‐ジ‐tert‐ブチルフェニル)ホスファイトまたはトリス‐ノニルフェニルホスファイトである熱安定剤の少なくとも1種、および
    (d)ポリカーボネートに対して0.007〜0.05重量%の、ジステアリルヒドロキシルアミン、トリフェニルアミン、トリ‐n‐オクチルホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、ピリジンN‐オキシド、エトキシル化ソルビタンモノラウレート、または
    Figure 0004230578
    [ただし、R1 およびR2 はそれぞれ独立して−H、−C1-22アルキル、−COC1-21アルキル、非置換−C6-14アリール、アルキル置換−C6-14アリール、または−テトラヒドロフルフリルを表し、R3 、R4 およびR5 は各々がそれぞれ独立して−Hまたは−CH3 を表し、j、kおよびnは各々がそれぞれ独立して2ら200までの整数を表す]である帯電防止剤の少なくとも1種
    を含む帯電防止性能を有するポリカーボネート組成物を含む、光学的情報記憶媒体。
  6. (a)ポリカーボネート、
    (b)ポリカーボネートに対して0.01〜0.1重量%の、グリセロールモノステアレートである離型剤、
    (c)ポリカーボネートに対して0.01〜0.05重量%の、トリス(2,4‐ジ‐tert‐ブチルフェニル)ホスファイトである熱安定剤、および
    (d)ポリカーボネートに対して0.007〜0.05重量%の、
    Figure 0004230578
    [ただし、R1 およびR2 はそれぞれ独立して−COC1-21アルキルを表し、R3 、R4 およびR5 は各々がそれぞれ独立して−Hまたは−CH3 を表し、j、kおよびnは各々がそれぞれ独立して2ら50までの整数を表す]である帯電防止剤の少なくとも1種
    を含む帯電防止性能を有するポリカーボネート組成物を含む、光学的情報記憶媒体。
  7. 請求項1記載のポリカーボネート組成物を含むコンパクトディスク。
  8. 熱安定剤がポリカーボネートに対して0.01〜0.1重量%のレベルで存在する請求項1記載のポリカーボネート組成物を含むコンパクトディスク。
  9. (a)ポリカーボネート、
    (b)ポリカーボネートに対して0.01〜0.1重量%の、グリセロールモノステアレートまたはペンタエリトリトールテトラステアレートである離型剤の少なくとも1種、
    (c)ポリカーボネートに対して0.01〜0.05重量%の、トリス(2,4‐ジ‐tert‐ブチルフェニル)ホスファイトまたはトリス‐ノニルフェニルホスファイトである熱安定剤の少なくとも1種、および
    (d)ポリカーボネートに対して0.007〜0.05重量%の、ジステアリルヒドロキシルアミン、トリフェニルアミン、トリ‐n‐オクチルホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、ピリジンN‐オキシド、エトキシル化ソルビタンモノラウレート、または
    Figure 0004230578
    [ただし、R1 およびR2 はそれぞれ独立して−H、−C1-22アルキル、−COC1-21アルキル、非置換−C6-14アリール、アルキル置換−C6-14アリール、または−テトラヒドロフルフリルを表し、R3 、R4 およびR5 は各々がそれぞれ独立して−Hまたは−CH3 を表し、j、kおよびnは各々がそれぞれ独立して2ら200までの整数を表す]である帯電防止剤の少なくとも1種
    を含む帯電防止性能を有するポリカーボネート組成物を含む、コンパクトディスク。
  10. (a)ポリカーボネート、
    (b)ポリカーボネートに対して0.01〜0.1重量%の、グリセロールモノステアレートである離型剤、
    (c)ポリカーボネートに対して0.01〜0.05重量%の、トリス(2,4‐ジ‐tert‐ブチルフェニル)ホスファイトである熱安定剤、および
    (d)ポリカーボネートに対して0.007〜0.05重量%の、
    Figure 0004230578
    [ただし、R1 およびR2 はそれぞれ独立して−COC1-21アルキルを表し、R3 、R4 およびR5 は各々がそれぞれ独立して−Hまたは−CH3 を表し、j、kおよびnは各々がそれぞれ独立して2ら50までの整数を表す]である帯電防止剤の少なくとも1種
    を含む帯電防止性能を有するポリカーボネート組成物を含む、コンパクトディスク。
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