JP4227130B2 - 一対の樹脂基板に形成された導電性薄膜の接合方法 - Google Patents
一対の樹脂基板に形成された導電性薄膜の接合方法 Download PDFInfo
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(特開2000−301356号公報参照。)
図1(a)〜(c)は、本発明の一対の樹脂基板に形成された導電性薄膜の接合方法を示す工程断面図である。
まず、一方の樹脂基板1に複数の開口部7を有する導電性薄膜2と他方の基板樹脂基板4に形成された導電性薄膜3とを接合予定部位同士が整合するように重ね合わせ配置する。更に、該両樹脂基板1、4側を超音波溶接具である複数の突起部8を有するホーン5と複数の突起部8を有するアンビル6で鋏み込む。この場合、該ホーン5と該アンビル6の突起部8はそれぞれ位置が合うように配置され、かつ該樹脂基板1に形成された導電性薄膜の開口部7に2つ以上の該突起部8が入るように位置合わせされる(図1(a))。
次に、図1(b)に示すように、該ホーン5とアンビル6を図1(a)の矢印方向に移動させ、それぞれの樹脂基板1、4に接触後、更に圧力負荷をかけると該ホーンとアンビルの突起部により、該樹脂基板1と樹脂基板4のそれぞれに凹み9が生じる。
更に、図1(c)に示すように、該ホーンと該アンビルのより両樹脂基板1、4に圧力負荷を加えながら、超音波振動を与えると他方の樹脂基板に形成された導電性薄膜3が塑性流動を起こし、該ホーンの突起部8周囲に拡散し導電性薄膜3が除去され窓が形成され、更に、継続して超音波振動を加えると該窓部で他方の樹脂基板4と一方の樹脂基板1が融着される、同時に、一方の樹脂基板1に形成された導電性薄膜2と他方の樹脂基板4に形成された導電性薄膜3とが対峙して接触した部分は該ホーンと該アンビルの突起部以外の平坦部で圧力負荷と超音波振動により両導電性薄膜同士が融着され接合される。
複数の開口部7を有する導電性薄膜2を偏らないで配置した場合の具体例を図4に示す。図4に示すように、樹脂基板1は2つの接続箇所を有しており、該2つの接続箇所のそれぞれには複数の開口部7を有し、一方の樹脂基板1と他方の樹脂基板4(点線で示されており、他方の樹脂基板4上の全面に導電性薄膜4が形成されたもの)に対して、該複数の開口部7は偏らないように配置されている。このように偏らないように配置されているので両樹脂基板1、4が剥がされる力が強くなる。そして、両樹脂基板1、4の接着強度は複数の開口部7の面積で決まるので、一方の樹脂基板1他方の樹脂基板4とが対向する面に対して1/3程度が望ましい。それ以上になると両樹脂基板1、4の導電性薄膜の接合面積が小さくなり、電気抵抗が増えて良好な接続ができなくなる。
なお、偏らないで配置されるということは、本実施例の配置に限らず、略均一幅、略等間隔に配置されている開口穴を有していればよく、また、そのような構成なっていなくても、全体として四方に分散するように形成されていればよい。
図2(a)〜(c)は突起部8が開口部7に対してずれた場合の一対の樹脂基板1、4に形成された導電性薄膜2、3の接合状態を示すものである。ずれた場合でも、2つのうち1つの突起部8は開口部7にあるので、両樹脂基板1、4の樹脂同士の融着が行われる。
2 一方の樹脂基板に形成された導電性薄膜
3 他方の樹脂基板に形成された導電性薄膜
4 他方の樹脂基板
5 ホーン
6 アンビル
7 一方の樹脂基板に形成された導電性薄膜の開口部
8 ホーンまたはアンビルの突起部
9 ホーンまたはアンビルの突起部の圧力負荷による窪み
X0 一方の樹脂基板の形成された導電性薄膜の開口部のピッチ
X1 ホーンの突起部2個分のピッチ
X2 アンビルの突起部2個分のピッチ
Claims (6)
- 一方の樹脂基板に形成された複数の開口部を有する導電性薄膜と他方の樹脂基板に形成された導電性薄膜とを接合予定部位同士が整合するように重ね合わせ、該一方の樹脂基板と該他方の樹脂基板側から複数の突起部を有するホーンと複数の突起部を有するアンビルからなる超音波溶接具で挟み付け、該ホーンと該アンビルの該複数の突起部はそれぞれ位置が合うように配置され、かつ、該一方の樹脂基板の形成されている導電性薄膜が形成されていない複数の開口部のそれぞれには該ホーンと該アンビルの突起部が少なくとも1個以上あるように配置され、しかるのち、超音波溶接具に超音波振動を与えて、該他方の樹脂基板の全面に形成されている導電性薄膜を塑性流動により該突起部に対する部分の導電性薄膜を除去して窓を開け、該窓から臨む樹脂基板同士を融着させ、さらに、超音波振動を継続して与えて該ホーンと該アンビルの突起部の形成されていない平坦部により、該一方の樹脂基板に形成されている導電性薄膜と該他方の樹脂基板に形成されている導電性薄膜同士を融着して接合させる、ことを特徴とする一対の樹脂基板に形成された導電性薄膜の接合方法。
- 上記複数の開口部は、上記他方の樹脂基板と対向する一方の樹脂基板の対向面に対して、偏らないように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の一対の樹脂基板に形成された導電性薄膜の接合方法。
- 上記の複数の突起部の断面形状は円形、若しくは多角形であり、先端にいくほど細くなり、最先端部は平坦部を有するものであることを特徴とする請求項1、若しくは2に記載の一対の樹脂基板に形成された導電性薄膜の接合方法。
- 上記の他方の樹脂基板に形成されている導電性薄膜は樹脂基板の全面に形成されていることを特徴とする請求項1、2、若しくは3に記載の一対の樹脂基板に形成された導電性薄膜の接合方法。
- 上記の一方の樹脂基板に形成されている導電性薄膜は、上記の他方の樹脂基板に形成されている導電性薄膜よりも厚いものであることを特徴とする請求項1、2、3若しくは4に記載の一対の樹脂基板に規制された導電性薄膜の接合方法。
- 上記の一方の樹脂基板に形成されている導電性薄膜は銅金属薄膜であり、上記の他方の樹脂基板に形成されている導電性薄膜はカーボン薄膜であることを特徴とする請求項1、2、3、4若しくは5に記載の一対の樹脂基板に規制された導電性薄膜の接合方法。
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