JP4210058B2 - フッ化カルシウム(CaF2)ストレスプレートおよびそれを作製する方法 - Google Patents
フッ化カルシウム(CaF2)ストレスプレートおよびそれを作製する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4210058B2 JP4210058B2 JP2001550056A JP2001550056A JP4210058B2 JP 4210058 B2 JP4210058 B2 JP 4210058B2 JP 2001550056 A JP2001550056 A JP 2001550056A JP 2001550056 A JP2001550056 A JP 2001550056A JP 4210058 B2 JP4210058 B2 JP 4210058B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- caf
- plate
- refractive index
- optical
- stress plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
- G03F7/70966—Birefringence
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/12—Halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/02—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
- G02B5/3083—Birefringent or phase retarding elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0128—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on electro-mechanical, magneto-mechanical, elasto-optic effects
- G02F1/0131—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on electro-mechanical, magneto-mechanical, elasto-optic effects based on photo-elastic effects, e.g. mechanically induced birefringence
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0136—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour for the control of polarisation, e.g. state of polarisation [SOP] control, polarisation scrambling, TE-TM mode conversion or separation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
Description
(発明の背景)
(発明の分野)
本発明は、一般に、光学波面を遅延するのに使用する光学ストレスプレートおよびそれを作製する方法に関する。
【0002】
(関連技術)
多くの半導体製作システムは、半導体ウエハを製作する際に、写真平版技術を利用している。製作中において、1層またはそれ以上の層の回路パターンが半導体ウエハ上に積み重ねられる。これは、レチクルを光で照射することにより達成され、この場合、このレチクルは、所望の回路パターンを含む。得られたレチクル画像は、次いで、この半導体ウエハを覆う感光性レジスト上に投射される。一連の露光および引き続いた加工の後、所望の回路パターンを含む半導体ウエハが製造される。
【0003】
この半導体ウエハ上で製作できる最小の特徴がその照射システムで使用される光の光学波長に限定されることは、周知である。回路のクロック速度の上限が半導体特徴のサイズとは逆に変わることもまた、周知である。従って、さらに速いクロック速度が要求されていることで、半導体は、より小さい回路特徴を有することが必要となっている。0.25μm(マイクロメーター)の回路特徴は、193nm(ナノメーター)の光波長を使用する写真平版システムを使って、達成される。0.25μmより小さい形状を得るためには、さらに小さい波長(例えば、157nm)を使用しなければならない。
【0004】
写真平版法で使用される照射システムは、種々の光学要素を含み、これらは、この半導体ウエハ上でレチクル画像を投射するように光を操作する。この照射システムにある1つの一般的な要素は、光学遅延プレート(これはまた、ストレスプレートとも呼ばれている)である。ストレスプレートは、光波面を規定量だけ遅延するのに使用できる。ストレスプレートはまた、光の偏光を1つの偏光から他の偏光へと変換するのに使用できる。例えば、その入射光に対して45度回転される1/4(クォーター)波ストレスプレートは、直線偏光を円偏光に変換し、逆もまた同様である。他の例では、1/4波ストレスプレートおよびミラーを使用することにより、水平偏光が垂直偏光へと変換される。これは、この1/4波ストレスプレートを通って水平偏光を伝達して円偏光(CP)を発生させることにより、行われる。このCP光は、次いで、このミラーから反射されて、そのCP偏光を逆にする。最後に、反射したCP光は、この1/4波ストレスプレートを通って戻されて、垂直偏光を発生させる。
【0005】
ストレスプレートが望ましいように機能するためには、それは、対象波長で十分な光を透過する材料から製作しなければならない。従来のストレスプレートは、溶融シリカまたは人造石英から作製されている。これらの従来の材料は、193nmより低い波長では、光を十分に透過しない。上で述べたように、この半導体ウエハ上で製作できる最小の特徴は、そのシステムで使用される光の光学波長に限定される。そういうものとして、従来のストレスプレートを利用する写真平版システムは、約0.25μmより小さい特徴を製造できない。従って、0.25μmより小さい回路特徴を有する半導体ウエハの製作を支援するために、193nmより低い光学波長(157nmを含めて)で機能するストレスプレートが必要とされている。
【0006】
(発明の要旨)
本発明は、フッ化カルシウム(CaF2)光学ストレスプレートおよびそれを作製する方法に関する。このCaF2ストレスプレートは、CaF2立方平面(cubic plane)にある表面を有し、そして透過軸に沿って1セットの立方平面に入射する光学波面を遅延する。所望の遅延を実行するために、このCaF2ストレスプレートは、第一屈折率(これは、この光学波面の第一フィールド要素で見える)および第二屈折率(これは、この光学波面の第二フィールド要素で見える)を有する。このストレスプレートの光学遅延は、2つの屈折率間の差に比例している。1実施態様では、第一屈折率は、このCaF2材料に特徴的な屈折率であり、そして第二屈折率は、この特徴的な屈折率よりも高いかまたは低い。代替実施態様では、第一屈折率は、この特徴的な屈折率よりも高く、そして第二屈折率は、この特徴的な屈折率よりも低い。
【0007】
CaF2から光学遅延を作ることの利点は、CaF2が、伝統的な光学材料(例えば、溶融シリカまたは人造石英)と比較したとき、殆ど減衰なしに、193nmより低い波長(157nmの波長を含めて)を有する光を透過できることにある。従って、CaF2ストレスプレートによれば、半導体製作システムは、157nm以下の光波長を使用して、0.25μm以下の回路特徴を作製できるようになる。
【0008】
本発明はまた、CaF2の試料から規定光学遅延を有するCaF2ストレスプレートを製作する方法を含む。この方法は、このCaF2試料が典型的には開裂平面に沿って配向されるので、この試料に対する立方平面の配向を決定する工程を包含する。次ぎに、この試料は、その表面がCaF2立方平面で配向されたCaF2プレートを作製するように、加工される。これは、その確認された立方平面に沿って、このCaF2試料からCaF2プレートを切断することに次いで、この試料を商用仕上げまで研磨することにより、行うことができる。次ぎに、この立方平面の表面の少なくとも一対に垂直で、入射光学波面に対する透過軸に垂直に、圧縮力または張力が加えられる。この圧縮力または張力は、その力ベクトルの方向に沿って配向された電磁場に対して特徴的な屈折率を変更する効果を有する。その後、このCaF2ストレスプレートは、効果的に、2つの屈折率を有し、この場合、その光学遅延量は、それらの屈折率の間の差に比例している。次ぎに、測定した遅延が規定遅延に十分に近いかどうかを決定するために、この光学遅延の量が測定される。もし、そうでないなら、所望の遅延が達成されるまで、さらに高い圧縮力または応力を加えることができる。本発明の実施態様では、300psi(1平方インチあたりのポンド数)〜500psiの力を加えると、その入射光学波面に対して、90度の光学遅延が起こる。
【0009】
代替実施態様では、圧縮力または張力の代わりに、このCaF2プレートには、剪断力が加えられる。これらの剪断力は、このCaF2プレートの立方平面に対して45度回転された機構面に沿って、加えられる。この圧縮力または張力と同様に、この剪断力は、結果として生じる力ベクトルの方向で、このCaF2プレートの屈折力を変えるように働く。
【0010】
本発明のさらに他の特徴および利点は、本発明の種々の実施態様の構造および操作と同様に、添付の図面を参照して、詳細に記述されている。1要素が最初に現れる図面は、典型的には、対応する参照番号において、最も左の文字および/または数字で示される。
【0011】
(好ましい実施形態の詳細な説明)
1.実施例環境
本発明を詳細に説明する前に、本発明の実施例環境を説明するのが有用である。この実施例環境の説明は、便宜上のためにのみ行われ、いずれの様式でも、本発明を限定するとは解釈されない。事実、本発明の説明を読んだ後、本明細書中で記述した環境よりもむしろ代替環境でいかにして本発明を実行するかは、当業者に明らかとなる。
【0012】
図1は、ウエハ127上で光を集中する照射システム100を含む実施例環境を図示している。照射システム100は、ウエハ127上で所望の回路パターンを製造する食刻システムの一部であり得る。照射システム100は、以下の部分を含む:光源103;ミラー106;ストレスプレート109;ビームスプリッタキューブ121(これは、セクション112および118およびコーティング115を有する);および焦点モジュール124。
【0013】
照射システム100は、以下のようにして作動する。光源103は、特定の波長および偏光を有する光波104(これは、ビームスプリッタキューブ121上で入射する)を提供する。論述の目的上、光波104は、垂直に偏光されるが、他の偏光も使用できる。
【0014】
光波104は、キューブ121のセクション112を通り、コーティング115上で入射する。コーティング115は、その入射光の偏光に依存して変わる光学透過特性を有する。この入射光が垂直に偏光されるとき、コーティング115は、光を反射する。この入射光が水平に偏光されるとき、コーティング115は、光を透過である。光波104は、垂直に偏光されるので、コーティング115によって、ストレスプレート109へと上方に反射される。
【0015】
ストレスプレート109は、対象波長で、約1/4波のストレスプレートであり、その入射波面に対するzx平面で、45度だけ回転される。その結果、ストレスプレート109は、垂直偏光を円偏光(CP)107に変換し、これは、ミラー106上に入射する。
【0016】
ミラー106は、CP光107を反射し、その円偏光を逆にして、逆CP光108を発生させる。CP光108は、ストレスプレート109を通って逆に伝播し、キューブ121上に入射する水平偏光110へと変換される。従って、ミラーを使用して直線偏光を1/4波のストレスプレートに2回通すことにより、その直線偏光は、維持されるが、その偏光は、90度だけ回転される。
【0017】
キューブ121は、水平偏光110を実質的に変えることなく焦点モジュール124に通す。これは、コーティング115が上述のように水平偏光を透過させるので、起こる。
【0018】
焦点モジュール124は、所望の回路パターンを有するレチクルを含む。焦点モジュール124は、このレチクルに入射光を通して、ウエハ127に集中するレチクル像126を発生させる。
2.フッ化カルシウム(CaF2)ストレスプレート
図2Aは、本発明の実施形態に従って光学波面を遅延するストレスプレート200を図示している。ストレスプレート200は、化学記号CaF2を有するフッ化カルシウム材料から作製される。CaF2は、面心立方である周知の結晶構造を有する。図2Bは、CaF2に対する面心立方構造を図示しており、これは、その立方体の6つの表面の各々の中心で追加のCaイオンを有する立方体を規定する8個のカルシウム(Ca)イオンを含む。(これらのフッ素イオンは、説明を簡単にするためには図示されていない)。この立方体の外面は、立方面であり、その開裂平面は、点線で規定されている。開裂平面の一部は、CaイオンであるCa1、Ca2およびCa3で規定され、斜めにハッチングされている。結晶性材料を最も切断または破断し易い平面は、その開裂平面に沿っており、その立方面ではない。
【0019】
CaF2から光学遅延を作製することの利点は、CaF2が伝統的な光学材料(例えば、溶融シリカまたは人造石英)と比較したとき、殆ど減衰なしに、193nmより低い波長(157nmの波長を含めて)を有する電磁波を透過できることにある。従って、CaF2ストレスプレートによれば、0.25μmより小さい回路形状を備えた半導体を製作する製造工程が可能となる。
【0020】
ストレスプレート200は、電磁(EM)場配向に依存して、EM場で見える2つの異なる屈折率を有する。第一屈折率は、n1であり、ベクトル203で配向するEM場で見える。第二屈折率は、n2であり、ベクトル206で配向するEM場で見える。理解できるように、ある材料に対する屈折率は、空き領域での位相速度に対して、その材料を通って移動している電磁波に対する位相速度を規定する。
【0021】
本発明の実施形態では、n1は、乱されていない(undisturbed)CaF2に特徴的な屈折率であり、そしてn2は、それより高いまたは低い屈折率であって、これは、ベクトル206と一直線になった圧縮力または張力で引き起こされる。圧縮力および/または張力を使用してCaF2に特徴的な屈折率を変えることは、以下の節でさらに論述する。あるいは、n1およびn2の両方は、乱されていないCaF2の屈折率とは異なり、この場合、その一方(n1またはn2)は、乱されていないCaF2の屈折率よりも高い屈折率を有し、他方は、乱されていないCaF2の屈折率よりも低い屈折率を有する。(以下、ベクトル203は、屈折率ベクトル203と呼び、その付随した屈折率n1を含むと仮定する。同様に、ベクトル206は、屈折率ベクトル206と呼び、その付随した屈折率n2を含むと仮定する)。
【0022】
図2Aで示すように、両方の屈折率ベクトル203および206は、CaF2立方面の付随セットに垂直であり、従って、互いに垂直である。ベクトル203および206はまた、ストレスプレート200に付随した透過軸209にも垂直である。透過軸209は、光学波面が所望の遅延を達成するためにストレスプレート200を通って移動する必要がある方向を規定する。ストレスプレート200については、図2Aに対する座標系で規定されるように、第一屈折率ベクトル203は、そのz軸に沿って整列され、また、第二屈折率ベクトル206は、そのx軸に沿って整列される。透過軸209は、平面200を通るy軸に沿っている。所望の光学遅延は、そのy軸に沿ってストレスプレート200のいずれかの側面を通って光学波面212を透過することにより、達成できる。
【0023】
光学波面212が透過軸209に沿ってこのストレスプレートを通るとき、この光学波面は、これらの屈折率ベクトルの間の差に比例した量だけ、遅延される(retarded or delayed)。この遅延は、光学波面212が第一屈折率ベクトル203で配向されるEM場成分を有するので、また、第二屈折率ベクトル206で配向されるEM場成分を有するので、起こる。結果として、ベクトル203で配向されたEM場成分は、ストレスプレート200を通っている間、ベクトル206で配向されたEM場成分の位相速度とは異なる位相速度を有し、それにより、この遅延を実行する。
3.CaF2ストレスプレートを製作する方法
上記のように、CaF2ストレスプレートは、光学波面の異なるEM場成分で見られる2つの異なる屈折率を有することにより、その光学波面を遅延するように作動する。本節は、CaF2プレートの立方面の表面に加えられる圧縮力、張力および剪断力を使用して、このCaF2ストレスプレートを製作する方法を記述する。
【0024】
A.圧縮力および/または張力
図3は、操作上のフローチャート300を描写しており、これは、本発明の実施形態に従って、CaF2材料の試料からCaF2ストレスプレートを製造する方法を記述している。フローチャート300は、以下のように記述される。
【0025】
工程302では、CaF2材料の試料が受容される。図4は、開裂平面404および立方面406を有するCaF2試料402を図示している。未加工の試料は、典型的には、開裂平面で配向される。何故なら、その開裂平面は、新たに成長したCaF2インゴットからこの試料を切断する最も好都合な平面であるからである。
【0026】
工程304では、このCaF2試料に対する立方面の配向が決定される。1試料に対する立方面の配向を決定することは、公知のX線技術または他の標準的な技術を使用して、行うことができる。この立方面の配向は、図4で立方面により規定されたCaF2プレート408で図示されているように、それらの立方面に沿って配向した表面を有するCaF2プレートがCaF2試料から切断できるように、決定される。
【0027】
工程306では、このCaF2試料は、CaF2立方面にある6個の全ての表面を有するCaF2プレートを作製するように、処理される。工程306は、さらに、図5で示したフローチャート500で記述され、これは、以下のようにして、記述される。工程502では、図4で示したCaF2プレートで図示されているように、このCaF2試料から、そのCaF2立方面で配向されたCaF2プレートが切断される。結晶材料を切断または研磨する種々の技術は、当業者により公知である。工程504では、このCaF2プレートは、商用仕上げまで研磨され、その結果、それらの表面は、光学透過に十分に平坦かつ平行になる。図6Aは、試料402から切断された後のCaF2プレート408を描写しており、この場合、このプレートの全ての6個の表面406a〜fは、CaF2立方面にある。
【0028】
工程308では、この立方面の表面の少なくとも1セットに垂直で入射光学波面に対する透過軸に垂直に、圧縮力または張力が加えられる。この圧縮力または張力は、その力の方向で、このプレートに応力を加え、これは、この応力の方向に沿って配向された電磁場に対する屈折率を変える。言い換えれば、応力を加えたCaF2プレートは、効果的に、2つの屈折率を有する。一方の屈折率は、この応力の方向で配向された電磁場で見える。他の屈折率は、非応力方向で配向された電磁場で見える。それは、その透過軸に沿って移動している光学波面に対する所望の遅延を引き起こす電磁場の配向に従った異なる屈折率である。フローチャート300の残りの工程は、以下でさらに記述する。
【0029】
図6B〜6Gは、CaF2プレート408に対して工程308で圧縮力および/または張力を加える種々の実施形態を図示している。これらの図は、加える力ベクトルに対して透過軸を規定するためにy軸に沿って表面406b上で入射する光学波面602を含む。(表面406bは、簡単にするために、下面として図示している)。最適な遅延結果を得るためには、光学波面602は、表面406bに垂直に(従って、その力ベクトルに垂直に)入射するべきである。もし、この光学波面が上面406a上で入射するなら、同じ遅延が達成される。もし、光学波面602が横電磁(TEM)波であるなら、波面602は、当業者が理解するように、x方向でEM場成分を有し、そしてz方向でEM場成分を有する。図6B〜6Dは、ここで、さらに詳細に議論される。
【0030】
図6Bでは、圧縮力604aおよび604bは、そのx方向に沿って、CaF2プレート408の表面406cおよび406dに垂直に加えられる。本発明の好ましい実施形態では、圧縮力は、表面406c、dに接している1個またはそれ以上のネジを使用して、加えることができる。最高の結果を得るためには、この圧縮力は、複数のネジを使用して、表面406cおよび406dに沿って、均一に加えられるべきである。この圧縮力は、x方向で配向されるEM場で見えるCaF2プレートに対する屈折率を変える内部応力を引き起こす。そのz方向で配向されるEM場に対する屈折率は、不変のままである。従って、光学波面602は、そのx方向で配向されるEM場がz方向で配向されるEM場と比較して遅延されるので、プレート408を通って移動することにより、遅延される。実験結果から、300〜500psiの力を加えることにより、157nmの波長で、90度の遅延が達成できることが明らかとなる。
【0031】
図6Cでは、張力(または引張り力)606a、bは、表面406cおよび406dに垂直に加えられる。好ましい実施形態では、張力は、各表面406cおよび406dに棒をエポキシ接着してこれらの棒を外向きに引っ張ることにより、加えることができる。上記のように、加えた力は、その力の方向で配向されるEM場に対する屈折率を変え、それにより、所望の遅延を引き起こす。
【0032】
図6Dでは、圧縮力608a、bは、表面406eおよび406fに加えられる。加えた力608は、x方向ではなくz方向で配向されるEM場に対する屈折率を変えて、それにより、所望の遅延を引き起こす。
【0033】
図6Eでは、張力(または引張り力)610a、bは、所望の遅延を実行するために、表面406eおよび406fに垂直に加えられる。
【0034】
図6Fでは、圧縮力612a、bは、表面406cおよび406dに垂直に加えられ、そして張力614a、bは、表面406eおよび406fに垂直に加えられる。この実施形態では、そのx方向で配向されるEM場に対する屈折率は、そのz方向で配向で配向されるEM場に対する屈折率と同様に、変えられる。しかしながら、一方の力が圧縮力であり、そして他方の力が張力であるので、一方の屈折率は、高くなり、そして他方の屈折率は、低くなる。
【0035】
図6Gでは、張力614a、bは、表面406cおよび406dに垂直に加えられ、そして圧縮力616a、bは、表面406eおよび406fに垂直に加えられる。図6Fで記述したものと類似して、そのx方向およびz方向の両方で配向されるEM波に対する屈折率は、変えられるが、それらの変化は、反対の符号を有する。
【0036】
図6B〜6Gでは、これらの圧縮力および/または張力は、入射光学波形(平面406aおよび406b)を受容するセットの平面ではない立方面に加えられることが注目される。その代わりに、これらの圧縮力または張力は、他の2セットの立方面の1個またはそれ以上に加えられる。これらの他のセットの立方面には、406c、406d、406eおよび406fがある。
【0037】
今ここで、フローチャート300に戻ると、工程310では、この光学遅延は、所望量の遅延であるかどうか決定するために、その対象波長で測定される。光学遅延を測定する種々の装置(偏光計を含めて)は、関連技術の当業者に公知である。
【0038】
図7は、応力プレート408の光学遅延が入力光学波面602に対して所望の90度に達したかどうかを決定する測定システム700を図示している。考察の目的のために、光学波面602は、垂直に偏光される。図7は、垂直偏光子703、ストレスプレート408、ミラー706および検出器709を含み、以下のようにして作動する。
【0039】
偏光子703は、垂直偏光波面602に一致しており、従って、波面602をストレスプレート408に実質的に通す。ストレスプレート408は、zx平面で45度回転され、それにより、波面602を円偏光波面707に変換する。ミラー706は、CP波面707を反射し、そしてCP偏光を逆にして、CP波面708を生じる。CP波面708は、戻って、ストレスプレート408を通り、もし、このストレスプレートの遅延が実質的に90度であるなら、実質的に水平に偏光した光704に変換される。垂直偏光子703は、光704を受容し、水平に偏光された任意のコンテントを拒絶し、この垂直コンテントを光702として通す。検出器709は、偏光子703を通る光702の信号強度を測定する。ストレスプレート408の遅延が90度に近くなる程、光704は、より多く拒絶され、光702に対して測定される信号強度がより小さくなる。このストレスプレートの遅延が90度から変わると、検出器709は、偏光子703を通っている光のさらに高い信号強度を検出する。
【0040】
工程312では、このストレスプレートの遅延が、その所望量に十分に近いかどうかが決定される。もし、測定システム700を使用するなら、光702の測定した信号強度に基づいて、決定312がなされる。言い換えれば、もし、この信号強度が閾値より上であるなら、この遅延は、所望の90度に十分に近くはない。もし、この遅延が十分であるなら、この工程は終わり、ストレスプレート408は、完成して、使える状態である。もし、この遅延が、十分ではないなら、この圧縮力および/または張力は、工程314で増加でき、その測定工程は、所望の遅延に達するまで、繰り返すことができる。
【0041】
B.剪断力
フローチャート300は、そのCaF2プレートの機械的平面および/または立方面に垂直に加えられる圧縮力および/または張力を使用して、CaF2ストレスプレートを作製する方法を記述した。あるいは、CaF2ストレスプレートは、このプレートに加えられる剪断力を使用して、製作できる。図8は、1つまたはそれ以上の剪断力を使用してCaF2ストレスプレートを作製する方法を記述しているフローチャート800を示す。フローチャート800の工程302、304および310〜314は、フローチャート300で記述したものと同じであり、これは、読者をさらに詳細な内容に誘導する。新しい工程802および804は、以下のようにして記述される。
【0042】
工程802では、そのCaF2試料は、その透過軸の周りでCaF2立方面に対して45度回転される機械的平面を有するCaF2プレートを作製するように、加工される。工程802は、さらに、図9で示したフローチャート900で記述され、以下のようにして記述される。工程902では、CaF2プレートは、これらの機械的平面のうちの4面(それは、この透過軸を規定しない)が工程304で見られたCaF2立方面に対して45度回転されるように、そのCaF2試料から切断される。結晶材料を切断または研磨する種々の技術は、当業者により公知である。他の2つの機械的平面は、CaF2立方面にあるように切断され、そして光学波面に対する透過軸を規定する。工程904では、これらの表面は、商用仕上げまで研磨され、その結果、これらの表面は、光学透過に必要なように十分に平坦で平行となる。
【0043】
図10Aは、工程902および904に従って加工した後のCaF2プレート1002を描写している。記述したように、CaF2プレート1002は、機械的平面1004a〜dを有し、これらは、立方面1006a〜dに対して、透過軸1008の周りで、45度回転される。そういうものとして、立方面1006a〜dは、図10Aで示すように、プレート1002内で「ダイヤモンド」形状をなす。機械的平面1004eおよび1004fは、それぞれ、プレート1002の「頂」および「底」面であり、CaF2立方面にある。そういうものとして、機械的平面1004eおよび1004fは、光学透過軸1008に垂直であり(それを規定する)。
【0044】
工程804では、その機械的平面に沿って、その入射光学波面の透過軸に垂直に、剪断力が加えられる。これらの剪断力は、このCaF2プレートが回転するのを防止する様式で、このCaF2プレートの対向しているコーナーに向けられる。この圧縮力/張力方法と同様に、これらの剪断力は、所望の光学遅延を実行するために、結果として生じる力ベクトルの方向で、このCaF2プレートの屈折率を変える。
【0045】
図10Bおよび10Cは、このCaF2プレートの屈折率を変える剪断力を加える種々の実施形態の一部を図示している。図10Bおよび10Cは、以下のようにして論述する。
【0046】
図10Bでは、剪断力1010aおよび1010bは、それぞれ、表面1004bおよび1004cに沿って、コーナー1012に加えられる。また、剪断力1016aおよび1016bは、それぞれ、表面1004aおよび1004dに沿って、コーナー1014に加えられる。剪断力は、各表面1004に棒をエポキシ接着してこの棒を適切な方向で引っ張ることにより、実行できる。結果として生じる力は、伸展力1018aおよび1018bであり、これらは、コーナー1012および1014を互いから離れて伸展するように作用する。また、圧縮力1019aおよび1019bは、コーナー1003および1005を互いに向かって圧縮するように作用する。伸展力1018a、bおよび圧縮力1019a、bは、それらの各個の軸の方向に沿って、その屈折率を変え、従って、所望の光学遅延を実行する。力1018a、bは、コーナー1012および1014により形成された対角線に沿って向けられる。従って、力1018a、bは、立方面1006b、1006dに垂直であるが、機械的平面1004a〜dに対して、そのzx平面で45度回転される。同様に、力1019a、bは、立方面1006aおよび1006cに垂直であるが、機械的平面1004a〜dに対して、そのzx平面で45度回転される。これは、図6A〜6Gの圧縮力および張力(これらは、全て、ストレスプレート408の機械的平面に垂直であった)とは対照的である。この違いの結果、剪断力を使用して製作した90度ストレスプレートは、その入射光学波面の偏光を直線偏光から円偏光へとシフトするために、そのzx平面で45度回転する必要はなく、逆もまた同様である。その理由は、結果として生じる力ベクトル1018および1019がそのzx平面で既に45度回転しているからである。
【0047】
図10Cでは、コーナー1012には、表面1004bおよび1004cに沿って、それぞれ、剪断力1020aおよび1020bが加えられる。また、コーナー1014には、表面1004aおよび1004dに沿って、それぞれ、剪断力1022aおよび1022bが加えられる。その結果、圧縮力1024aおよび1024bは、コーナー1012、1014で形成された対角線に沿って作用し、この対角線に沿って、その屈折率を変える。また、伸展力1026aおよび1026bは、コーナー1003、1005の対角線に沿って作用し、この対角線に沿って、その屈折率を変える。図10Bのように、結果として生じる圧縮力1024a、bは、立方面1006bおよび1006dに垂直であるが、機械的平面1004a〜dに対して45度回転される。同様に、伸展力1026a、bは、立方面1006aおよび1006cに垂直であるが、機械的平面1004a〜dに対して45度回転される。従って、その入射光学波面の偏光を直線偏光から円偏光へと変えるために、このストレスプレートを回転する必要はなく、逆もまた同様である。
【0048】
(結論)
本発明の方法および要素の模範実施形態が本明細書中で記述されている。他の箇所で述べたように、これらの模範実施形態は、例示のためにのみ記述されており、限定するものではない。他の実施形態は可能であり、本発明に含まれる。このような他の実施形態は、本明細書中に含まれる教示に基づいて、当業者に明らかとなる。それゆえ、本発明の広がりおよび範囲は、上記の代表的な実施形態のいずれにも限定されないが、上記請求の範囲およびそれらの等価物に従ってのみ、規定すべきである。
【図面の簡単な説明】
本発明は、添付の図面を参照して記述される。
【図1】 図1は、本発明の模範実施態様である照射システムのダイヤグラムを図示している。
【図2A】 図2Aは、本発明の実施態様に従ったCaF2ストレスプレートを図示している。
【図2B】 図2Bは、CaF2に対する面心立方結晶構造を図示している。
【図3】 図3は、本発明の実施態様に従って、圧縮力および/または張力を使用して、CaF2ストレスプレートを作製するフローチャート300を図示している。
【図4】 図4は、本発明の実施態様に従って、立方平面に沿って配向されたCaF2プレートを含む開裂平面に沿って配向された未加工CaF2の試料を図示している。
【図5】 図5は、本発明の実施態様に従って立方平面に沿って配向されたCaF2プレートを製造するためにCaF2の試料を加工するフローチャート500を図示している。
【図6A】 図6Aは、本発明の実施態様に従って立方平面に沿って配向されたCaF2プレートを図示している。
【図6B】 図6Bは、本発明の実施態様に従って所望の光学遅延を実行するためにCaF2立方平面に垂直に圧縮力および/または張力を加える種々の組合せを図示している。
【図6C】 図6Cは、本発明の実施態様に従って所望の光学遅延を実行するためにCaF2立方平面に垂直に圧縮力および/または張力を加える種々の組合せを図示している。
【図6D】 図6Dは、本発明の実施態様に従って所望の光学遅延を実行するためにCaF2立方平面に垂直に圧縮力および/または張力を加える種々の組合せを図示している。
【図6E】 図6Eは、本発明の実施態様に従って所望の光学遅延を実行するためにCaF2立方平面に垂直に圧縮力および/または張力を加える種々の組合せを図示している。
【図6F】 図6Fは、本発明の実施態様に従って所望の光学遅延を実行するためにCaF2立方平面に垂直に圧縮力および/または張力を加える種々の組合せを図示している。
【図6G】 図6Gは、本発明の実施態様に従って所望の光学遅延を実行するためにCaF2立方平面に垂直に圧縮力および/または張力を加える種々の組合せを図示している。
【図7】 図7は、本発明の実施態様に従って90度ストレスプレートを測定する測定システム700を図示している。
【図8】 図8は、本発明の実施態様に従って剪断力を使用してCaF2ストレスプレートを作製するフローチャート800を図示している。
【図9】 図9は、本発明の実施態様に従って、CaF2立方平面に対して透過軸の周りに45度回転された機構面を有するCaF2プレートを製造するためにCaF2の試料を加工するフローチャート900を図示している。
【図10A】 図10Aは、CaF2立方平面に対して45度回転された機構面を有するCaF2プレートを図示している。
【図10B】 図10Bは、本発明の実施態様に従って光学遅延を実行するためにCaF2立方平面に沿って(またはそれに隣接して)剪断力を加える種々の実施態様を図示している。
【図10C】 図10Cは、本発明の実施態様に従って光学遅延を実行するためにCaF2立方平面に沿って(またはそれに隣接して)剪断力を加える種々の実施態様を図示している。
Claims (7)
- CaF2ストレスプレートを作製する方法であって、該ストレスプレートは、透過軸に沿って該ストレスプレートに入射する光学波面に対して規定遅延を有し、該方法は、以下:
(1)第一セットの面および第二セットの面を有するCaF2プレートを用意する工程であって、該第一セットの面は、CaF2立方面に対して約45度回転され、そして該第二セットの面は、CaF2立方面にあり、該透過軸を規定する工程;および
(2)該CaF2プレートの該第一セットの面に剪断力を加えて、それにより、該剪断力は、該透過軸に沿って移動している光学波面に対して該規定遅延を引き起こす工程、
を包含する、方法。 - さらに、
(3)前記工程(1)の前に、未配向CaF2試料の立方面の配向を決定する工程;および
(4)該立方面の配向に基づいて該CaF2試料を処理して、第一セットの面および第二セットの面を有するCaF2プレートを作製する工程であって、該第一セットの面は、CaF2立方面に対して約45度回転され、そして該第二セットの面は、CaF2立方面にある工程を包含する、請求項1に記載の方法。 - 前記工程(4)が、
(a)前記試料の前記立方面の配向に従って、前記試料から前記CaF2プレートを切断する工程;および
(b)該CaF2プレートの前記表面を研磨する工程を包含する、請求項2に記載の方法。 - 第一フィールド要素および第二フィールド要素を有する光学波面を遅延する光学遅延装置であって、該光学遅延装置は、以下:
CaF2プレートであって、該CaF2プレートは、第一屈折率および第二屈折率を有し、該第一屈折率は、該第一フィールド要素を生じ、そして該第二屈折率は、該第二フィールド要素を生じ、それにより、該光学遅延は、該第一屈折率と該第二屈折率との差に比例している、CaF2プレートを備え、
前記第二屈折率が、前記CaF 2 プレートに加えられる剪断力により決定される、
装置。 - 前記第一屈折率が、CaF2に特徴的な屈折率であり、そして前記第二屈折率が、該CaF2に特徴的な屈折率よりも高いかまたは低い、請求項4に記載の光学遅延装置。
- 前記第一屈折率が、前記CaF2に特徴的な屈折率よりも高く、そして前記第二屈折率が、該CaF2に特徴的な屈折率よりも低い、請求項4に記載の光学遅延装置。
- 第一屈折率ベクトルおよび第二屈折率ベクトルを有するCaF2プレートを含む光学遅延装置であって、該第一屈折率ベクトルは、該CaF2プレートに関連した第一セットの立方面に垂直であり、そして該第二屈折率ベクトルは、該CaF2プレートに関連した第二セットの立方面に垂直であり、ここで、該第一および第二屈折率ベクトルは、該CaF2プレートに関連した透過軸に垂直であり、それにより、該透過軸に沿って該CaF2プレートを通って移動している光学波面は、該第一屈折率ベクトルと該第二屈折率ベクトルとの間の差に比例した量だけ遅延される、
前記第二屈折率ベクトルが、前記CaF 2 プレートに加えられる剪断力により決定される、
光学遅延装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/471,484 | 1999-12-23 | ||
US09/471,484 US6324003B1 (en) | 1999-12-23 | 1999-12-23 | Calcium fluoride (CaF2) stress plate and method of making the same |
PCT/US2000/034645 WO2001050161A1 (en) | 1999-12-23 | 2000-12-21 | CALCIUM FLUORIDE (CaF2) STRESS PLATE AND METHOD OF MAKING THE SAME |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003519401A JP2003519401A (ja) | 2003-06-17 |
JP2003519401A5 JP2003519401A5 (ja) | 2008-02-14 |
JP4210058B2 true JP4210058B2 (ja) | 2009-01-14 |
Family
ID=23871805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001550056A Expired - Fee Related JP4210058B2 (ja) | 1999-12-23 | 2000-12-21 | フッ化カルシウム(CaF2)ストレスプレートおよびそれを作製する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6324003B1 (ja) |
EP (1) | EP1242836B1 (ja) |
JP (1) | JP4210058B2 (ja) |
KR (1) | KR100723561B1 (ja) |
AU (1) | AU2443001A (ja) |
DE (1) | DE60026885T2 (ja) |
WO (1) | WO2001050161A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6937394B2 (en) * | 2001-04-10 | 2005-08-30 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Device and method for changing the stress-induced birefringence and/or the thickness of an optical component |
US7239447B2 (en) * | 2001-05-15 | 2007-07-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective with crystal lenses |
EP1390783A2 (de) * | 2001-05-15 | 2004-02-25 | Carl Zeiss | Objektiv mit fluorid-kristall-linsen |
JP2004531764A (ja) * | 2001-05-16 | 2004-10-14 | コーニング インコーポレイテッド | 好ましい結晶方位をもつ立方晶系結晶材料光学素子 |
US6683710B2 (en) * | 2001-06-01 | 2004-01-27 | Optical Research Associates | Correction of birefringence in cubic crystalline optical systems |
US6785051B2 (en) | 2001-07-18 | 2004-08-31 | Corning Incorporated | Intrinsic birefringence compensation for below 200 nanometer wavelength optical lithography components with cubic crystalline structures |
US6844972B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-01-18 | Mcguire, Jr. James P. | Reducing aberration in optical systems comprising cubic crystalline optical elements |
US7453641B2 (en) * | 2001-10-30 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Structures and methods for reducing aberration in optical systems |
US6995908B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-02-07 | Asml Netherlands B.V. | Methods for reducing aberration in optical systems |
US6970232B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-11-29 | Asml Netherlands B.V. | Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems |
JPWO2003054590A1 (ja) * | 2001-12-10 | 2005-04-28 | 株式会社ニコン | 光リソグラフィー装置に用いられる光学素子用のフッ化物結晶材料及びその製造方法 |
US7292388B2 (en) * | 2002-05-08 | 2007-11-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Lens made of a crystalline material |
AU2002356590A1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Lens consisting of a crystalline material |
US20050190446A1 (en) * | 2002-06-25 | 2005-09-01 | Carl Zeiss Amt Ag | Catadioptric reduction objective |
DE10229614A1 (de) * | 2002-06-25 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
US6958864B2 (en) * | 2002-08-22 | 2005-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Structures and methods for reducing polarization aberration in integrated circuit fabrication systems |
US6969028B2 (en) * | 2003-01-22 | 2005-11-29 | The Boeing Company | Scarf nozzle for a jet engine and method of using the same |
US7408616B2 (en) * | 2003-09-26 | 2008-08-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method |
US7084960B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7158275B2 (en) * | 2004-04-13 | 2007-01-02 | Intel Corporation | Polarization modulator |
KR101248328B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2013-04-01 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소 |
DE102007014587A1 (de) | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Doppelbrechende Verzögerungsplattenanordnung |
DE102012211549B3 (de) * | 2012-07-03 | 2013-07-04 | Polytec Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur interferometrischen Vermessung eines Objekts |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1485083A (fr) | 1965-07-08 | 1967-06-16 | Ibm | Lames à retard de phase variable |
US3600611A (en) | 1970-03-18 | 1971-08-17 | Kettering Scient Research Inc | Elasto-optic device with mechanical bias |
JPH09248488A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-09-22 | Toto Ltd | 空気清浄装置 |
DE19637563A1 (de) | 1996-09-14 | 1998-03-19 | Zeiss Carl Fa | Doppelbrechende Planplattenanordnung und DUV-Viertelwellenplatte |
KR100223812B1 (ko) * | 1996-10-30 | 1999-10-15 | 구본준 | 위상반전 마스크의 제조방법 |
DE19810089A1 (de) | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Zeiss Carl Fa | Doppelbrechende Plattenanordnung mit Spannungsdoppelbrechung |
JP3856265B2 (ja) | 1998-03-12 | 2006-12-13 | 株式会社ニコン | 光学素子の製造方法、光学素子の複屈折算出方法及び複屈折判定方法 |
-
1999
- 1999-12-23 US US09/471,484 patent/US6324003B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-12-21 AU AU24430/01A patent/AU2443001A/en not_active Abandoned
- 2000-12-21 KR KR1020027008159A patent/KR100723561B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-12-21 JP JP2001550056A patent/JP4210058B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-21 WO PCT/US2000/034645 patent/WO2001050161A1/en active IP Right Grant
- 2000-12-21 DE DE60026885T patent/DE60026885T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-21 EP EP00988198A patent/EP1242836B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2001050161A9 (en) | 2002-05-16 |
EP1242836A1 (en) | 2002-09-25 |
WO2001050161A1 (en) | 2001-07-12 |
JP2003519401A (ja) | 2003-06-17 |
KR100723561B1 (ko) | 2007-06-04 |
US6324003B1 (en) | 2001-11-27 |
DE60026885T2 (de) | 2006-08-17 |
KR20020077370A (ko) | 2002-10-11 |
DE60026885D1 (de) | 2006-05-11 |
EP1242836B1 (en) | 2006-03-22 |
AU2443001A (en) | 2001-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4210058B2 (ja) | フッ化カルシウム(CaF2)ストレスプレートおよびそれを作製する方法 | |
JP7069265B2 (ja) | メタ表面、メタ表面の製造方法及びデバイス | |
JP5118311B2 (ja) | 位相差および光軸方位の測定装置 | |
US7265834B2 (en) | Polarization analyzer | |
JP4589804B2 (ja) | 偏光制御素子および偏光制御素子の偏光制御方法 | |
US20010012149A1 (en) | Optical elements comprising photonic crystals and applications thereof | |
CN110927993B (zh) | 基于全介质超表面结构的退偏器 | |
KR101190438B1 (ko) | 마이크로 리소그라피 투영노출장치의 광학장치 | |
US7239450B2 (en) | Method of determining lens materials for a projection exposure apparatus | |
US11815671B2 (en) | Flat optics for image differentiation | |
CN110274693A (zh) | 一种偏振检测装置 | |
US20230187241A1 (en) | Single-Material Waveplates for Pupil Polarization Filtering | |
JP4975162B2 (ja) | 紫外線用自己クローニングフォトニック結晶 | |
Sakurai | Special polarization characteristic features of a three dimensional terahertz photonic crystal not apparently apply to physical and optical basic rules | |
Deng et al. | Fabrication and properties of visible‐light subwavelength amorphous silicon transmission gratings | |
JP5256945B2 (ja) | 光処理素子 | |
Cheng et al. | Thin-Film Terahertz Metamaterials Manufactured by Laser Direct Writing | |
Li et al. | Spin photonics on chip based on a twinning crystal metamaterial | |
Nomura et al. | Polarimetry of illumination for 193-nm lithography used for the manufacture of high-end LSIs | |
Lutkenhaus et al. | Holographic fabrication of woodpile-type photonic crystal templates using silicon based single reflective optical element | |
JP2004053631A (ja) | 紫外線応用の波長板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061124 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20061124 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070803 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070815 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070828 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080603 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080903 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080926 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081024 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |