CN110927993B - 基于全介质超表面结构的退偏器 - Google Patents
基于全介质超表面结构的退偏器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110927993B CN110927993B CN201911333177.2A CN201911333177A CN110927993B CN 110927993 B CN110927993 B CN 110927993B CN 201911333177 A CN201911333177 A CN 201911333177A CN 110927993 B CN110927993 B CN 110927993B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- super
- dielectric
- nano
- unit
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 abstract description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 12
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005388 cross polarization Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002999 depolarising effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0136—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour for the control of polarisation, e.g. state of polarisation [SOP] control, polarisation scrambling, TE-TM mode conversion or separation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0136—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour for the control of polarisation, e.g. state of polarisation [SOP] control, polarisation scrambling, TE-TM mode conversion or separation
- G02F1/0139—Polarisation scrambling devices; Depolarisers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于全介质超表面结构的退偏器，包括：基底和全介质超表面纳米结构单元，所述基底采用介质材料，所述全介质超表面纳米结构单元为各向异性结构，全介质超表面纳米结构单元以快轴与x轴夹角角度随机分布在基底上，形成纳米单元阵列，当波长为250nm‑20μm的光波入射到表面时，经过纳米单元阵列的相位调制，透射光波将以随机偏振角度的集合射出，整体表现为非偏振光。本发明设计的光学退偏器具有超薄的厚度(纳米量级)，有利于器件与纳米光子学系统相结合，可以实现小体积、对入射角度不敏感、对入射线偏光方向不敏感以及宽带宽光退偏等。
Description
技术领域
本发明属于纳米光子学领域，特别涉及一种基于全介质超表面结构的光学退偏器。
背景技术
入射光的偏振态是光的最基本的属性之一，然而对于用于表征和成像的光栅光谱仪来说，线偏光是不需要的，它会影响仪器的测量精度。因此，人们开始利用退偏器来减小这些偏振光所带来的影响。早在1928年，Loyt第一次提出了一种无源的退偏器，由两个双折射元件串联而成的，它们光轴之间的夹角为45°，并且只能工作在宽波段光束下。随着激光器的产生，人们开始寻求退偏单色光的方法。1951年，Billings成功实现了对单色光的退偏，他通过利用随时间快速变化的偏振态来实现退偏性能，另一种典型的用于单色光退偏的退偏器由有结构角的楔形石英晶体构成，但是它要求垂直入射线偏光的偏振面与晶体快轴夹角为45度，才能实现退偏效果。21世纪以来，液晶退偏器不断被提出并广泛应用。
目前，退偏器或是体系复杂，结构庞大，或是只能应用于宽波段光束退偏，或是严格的要求入射偏振光的角度，更重要的是它们只能对大直径光束进行退偏(约为毫米量级)，然而这显然与现在的集成化小型化光学系统的要求是矛盾的。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种基于全介质超表面结构的光学退偏器。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：一种基于全介质超表面结构的退偏器，包括：基底和全介质超表面纳米结构单元，所述基底采用介质材料，所述全介质超表面纳米结构单元为各向异性结构，全介质超表面纳米结构单元以快轴与x轴夹角角度随机分布在基底上，形成纳米单元阵列，当波长为250nm-20μm的光波入射到表面时，经过纳米单元阵列的相位调制，透射光波将以随机偏振角度的集合射出，整体表现为非偏振光。
进一步的，基底和全介质超表面纳米结构单元介电常数的比值在1:1.3～1:3。
进一步的，基底采用低介电常数的低损耗材料，例如，透明玻璃、氟化钙、氟化钡或红外硫系玻璃等。
进一步的，全介质超表面纳米结构单元采用较高介电常数的低损耗介质材料或者半导体材料，例如氮化镓、二氧化铪、二氧化钛、硅、氮化硅或锗等。
进一步的，全介质超表面纳米结构单元在基底上采用准周期或者周期性排布，每个周期单元的基底的边长为P，P为0.5λ～λ，λ为入射光波波长。
进一步的，全介质超表面纳米结构单元的高度为H，其横截面的形状尺寸为特征尺寸，H为0.4λ～1.2λ，特征尺寸为0.2P～0.8P。
进一步的，纳米结构单元横截面的形状为几何图形，例如长方形或椭圆形。
进一步的，纳米结构阵列的尺寸为N×P，且为微米量级，N为正整数。
本发明提供的一种超表面退偏器选择高折射率低损耗材料作为纳米结构单元，通过调节纳米单元结构的尺寸可以实现较高的偏振转化效率；选用特定参数的纳米单元结构，构成整个超表面阵列，可以实现宽波段的单色光退偏。纳米结构单元的横截面为椭圆形或长方形，同一超表面阵列的单元结构形状相同。入射光在设计的纳米单元结构中，正交线偏振光的相位差为±π，表现为一种亚波长纳米半波片；超表面阵列对入射线偏光的偏振方向没有要求。
因此，相比现有技术，本发明具有以下有益效果：
1、本发明设计的光学退偏器具有超薄的厚度(纳米量级)，有利于器件与纳米光子学系统相结合。
2、由于基底为低介电常数的低损耗材料，超表面结构的材料为较高介电常数的低损耗介质材料或者半导体材料，因此本发明设计的超表面退偏器具有优秀的退偏效果。
3、基于超表面结构的退偏器可以实现小体积、对入射角度不敏感、对入射线偏光方向不敏感以及宽带宽光退偏等，这些特点在传统的退偏器中是很难实现的。本发明在对微米量级直径光束退偏方面有重要应用。
附图说明
图1是本发明实施例纳米单元结构的侧视图，其中，1-二氧化钛，2-石英玻璃，H-600nm。
图2是本发明实施例纳米单元结构的俯视图，其中，P＝450nm，Dx＝335nm，Dy＝120nm。
图3是本发明实施例纳米单元结构在不同波长下得到的偏振转化效率(虚线表示交叉偏振，点线表示共偏振)和相位延迟(实线所示)。
图4是本发明的退偏器部分结构转角示意图(箭头代表快轴方向)。
图5是本发明实施例中制备的超表面退偏器的光学显微镜图，比例尺为100μm。
图6是本发明实施例中制备的超表面退偏器的大区域扫描电子显微图，比例尺为5μm。
图7是图6在扫描电子显微镜下的局部放大图，比例尺为500nm。
图8是本发明实施例制备的超表面退偏器的具有一定倾斜角度的电子显微图，比例尺为2μm。图9是本发明实施例制备的超表面退偏器采用532nm激光的退偏测试结果。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
实施例
以石英玻璃为基底、二氧化钛为纳米结构单元材料。
一种基于全介质超表面结构的光学退偏器，设计具有高对称性的全介质超表面纳米结构单元，纳米结构单元的横截面可以是任意几何图形，例如长方形或椭圆形。基底为低介电常数的低损耗材料，如透明玻璃，氟化钙，氟化钡，以及红外硫系玻璃等。全介质超表面纳米结构单元的材料为较高介电常数的低损耗介质材料或者半导体材料，例如氮化镓，二氧化铪，二氧化钛，硅，氮化硅，锗等。本实施例以横截面为长方形的二氧化钛柱为例，退偏器的全介质超表面纳米结构单元在基底上采用准周期或者周期性排布，每个周期单元为一个微结构超表面单元，如图1所示，微结构超表面单元包括两个部分，1为二氧化钛介质柱，2为石英玻璃基底，周期P＝450nm，P是每个周期单元基底的边长，全介质超表面纳米结构单元的高度为H＝600nm，特征尺寸Dx＝335nm，Dy＝120nm。微结构超表面单元结构的俯视图如图2所示。
当入射线偏光的电场方向与纳米结构单元光轴夹角为θ时，透射光的偏振方向会沿着光轴的方向旋转2θ，因此，对于一个特定偏振方向的线偏光，当光轴方向随机分布时，出射光的偏振方向也是随机分布的，因此整体上表现为没有某一方向的偏振光更强，为非偏振光。为了量化表示偏振度，通过斯托克斯矢量来表示入射光偏振态，即Sin＝(I,Q,U,V)T，出射光偏振态为Sout＝(I′,Q′,U′,V′)T，偏振度用DOP来表示，因此
其中，I为入射光总强度，Q为入射光在x分量与y分量的强度差，U为入射光在+45°和-45°线偏振分量之差，V为右旋圆偏振分量与左旋圆偏振分量的强度差。
经过模拟计算，得到纳米结构单元在不同波长下的偏振转化效率和相位延迟，如图3所示。在选择纳米结构单元时应尽量选择相位延迟随波长变化不敏感的结构，有利于其在设计的整个波段都具有较高的偏振转化效率。根据随机生成的转角(快轴与x轴夹角)，以周期性P＝450nm将此纳米结构单元分布在基底上，形成具有特定转角的纳米单元阵列(部分结构转角示意图如图4所示)。当光波入射到退偏器时，经过纳米单元阵列的相位调制，透射光波将以随机偏振角度的集合射出，整体表现为非偏振光。
制备TiO2材料的加工过程主要为电子束曝光法(Electron beam lithography,EBL)和原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)过程。经过此方法得到了所设计的退偏器后，对样品进行表征，图5为超表面退偏器的光学显微镜图片，图6为制备的超表面退偏器大区域的扫描电子显微图，图7为局部放大图。由设计的结构可以看出，单元结构的转角是随机的，可以实现良好的退偏效果。
另外，对样品性能进行测试，当入射线偏光方向变化时，偏振度如图9所示，可以看出设计的退偏器具有良好的退偏性能。
上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种基于全介质超表面结构的退偏器，其特征在于：包括基底和全介质超表面纳米结构单元，所述基底采用介质材料，所述全介质超表面纳米结构单元为各向异性结构，全介质超表面纳米结构单元以快轴与x轴夹角角度随机分布在基底上，形成纳米单元阵列，当波长为250nm-20μm的光波入射到表面时，经过纳米单元阵列的相位调制，透射光波将以随机偏振角度的集合射出，整体表现为非偏振光；
所述全介质超表面纳米结构单元在基底上采用准周期或者周期性排布，每个周期单元的基底的边长为P，P为0.5λ～λ，λ为入射光波波长；
所述全介质超表面纳米结构单元的高度为H，其横截面的形状尺寸为特征尺寸，H为0.4λ～1.2λ，特征尺寸为0.2P～0.8P；
所述纳米结构单元横截面的形状为长方形；纳米结构阵列中纳米结构单元横截面尺寸相同；
所述纳米结构阵列的尺寸为N×P，且为微米量级，N为正整数。
2.根据权利要求1所述的基于全介质超表面结构的退偏器，其特征在于：所述基底和全介质超表面纳米结构单元介电常数的比值在1:1.3～1:3。
3.根据权利要求1所述的基于全介质超表面结构的退偏器，其特征在于：所述基底采用低介电常数的低损耗材料，所述低损耗材料为透明玻璃、氟化钙、氟化钡或红外硫系玻璃。
4.根据权利要求1所述的基于全介质超表面结构的退偏器，其特征在于：所述全介质超表面纳米结构单元采用氮化镓、二氧化铪、二氧化钛、硅、氮化硅或锗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911333177.2A CN110927993B (zh) | 2019-12-23 | 2019-12-23 | 基于全介质超表面结构的退偏器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911333177.2A CN110927993B (zh) | 2019-12-23 | 2019-12-23 | 基于全介质超表面结构的退偏器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110927993A CN110927993A (zh) | 2020-03-27 |
| CN110927993B true CN110927993B (zh) | 2024-04-09 |
Family
ID=69861727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911333177.2A Active CN110927993B (zh) | 2019-12-23 | 2019-12-23 | 基于全介质超表面结构的退偏器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110927993B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111722399A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-29 | 福州大学 | 准周期的光学超表面成像元件 |
| CN114639746A (zh) * | 2020-12-15 | 2022-06-17 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种基于二维材料的多偏振态检测光探测器及其制备方法 |
| CN113790802A (zh) * | 2021-10-27 | 2021-12-14 | 南京大学 | 基于全介质超表面结构的全斯托克斯偏振检测器 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102480058A (zh) * | 2011-03-31 | 2012-05-30 | 深圳光启高等理工研究院 | 一种基于超材料的去极化器 |
| JP2014006372A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 偏光解消素子及びその素子を用いた光学機器 |
| CN107315206A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-11-03 | 南京大学 | 基于全介质超表面结构的高效红外光学透镜及其制备方法 |
| CN108490509A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-09-04 | 武汉大学 | 低深宽比的电介质几何相位超表面材料及其结构优化方法 |
| CN108663740A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-10-16 | 武汉大学 | 基于电介质纳米砖超材料的线偏振光起偏器及制备方法 |
| CN109863433A (zh) * | 2018-10-12 | 2019-06-07 | 东莞理工学院 | 基于介质超表面的偏振发生器及其设计方法 |
| CN110335533A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-10-15 | 武汉大学 | 一种基于超表面阵列结构的光学信息隐藏方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190025463A1 (en) * | 2017-07-19 | 2019-01-24 | President And Fellows Of Harvard College | Substrate-formed metasurface devices |
-
2019
- 2019-12-23 CN CN201911333177.2A patent/CN110927993B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102480058A (zh) * | 2011-03-31 | 2012-05-30 | 深圳光启高等理工研究院 | 一种基于超材料的去极化器 |
| JP2014006372A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 偏光解消素子及びその素子を用いた光学機器 |
| CN107315206A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-11-03 | 南京大学 | 基于全介质超表面结构的高效红外光学透镜及其制备方法 |
| CN108490509A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-09-04 | 武汉大学 | 低深宽比的电介质几何相位超表面材料及其结构优化方法 |
| CN108663740A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-10-16 | 武汉大学 | 基于电介质纳米砖超材料的线偏振光起偏器及制备方法 |
| CN109863433A (zh) * | 2018-10-12 | 2019-06-07 | 东莞理工学院 | 基于介质超表面的偏振发生器及其设计方法 |
| CN110335533A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-10-15 | 武汉大学 | 一种基于超表面阵列结构的光学信息隐藏方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| All-Dielectric Metasurfaces for Simultaneous Giant Circular Asymmetric Transmission and Wavefront Shaping Based on Asymmetric Photonic Spin–Orbit Interactions;Fei Zhang, Mingbo Pu, Xiong Li, Ping Gao, Xiaoliang Ma, Jun Luo, Honglin Yu, and Xiangang Luo;advanced functional materials;第27卷(第47期);1704295.1-1704295.7 * |
| Mid-Infrared polarization devices based on the double-phase modulating dielectric metasurface;Zhongyi Guo, Lihua Tian, Fei Shen, Hongping Zhou, Kai Guo;Journal of Physics D Applied Physics;Vol. 50(No. 25);254001 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110927993A (zh) | 2020-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7069265B2 (ja) | メタ表面、メタ表面の製造方法及びデバイス | |
| Semnani et al. | Spin-preserving chiral photonic crystal mirror | |
| CN110927993B (zh) | 基于全介质超表面结构的退偏器 | |
| US20220268633A1 (en) | On-chip polarization detection and polarimetric imaging | |
| US10488651B2 (en) | Tunable elastic dielectric metasurface lenses | |
| Chen et al. | Integrated plasmonic metasurfaces for spectropolarimetry | |
| US6972906B2 (en) | Space-variant subwavelength polarization grating and applications thereof | |
| JP4210058B2 (ja) | フッ化カルシウム（ＣａＦ２）ストレスプレートおよびそれを作製する方法 | |
| Zhang et al. | Coherent control of optical spin-to-orbital angular momentum conversion in metasurface | |
| Yang et al. | Dynamic optical spin Hall effect in chitosan-coated all-dielectric metamaterials for a biosensing platform | |
| Bosch et al. | Polarization states synthesizer based on a thermo-optic dielectric metasurface | |
| Lin et al. | High‐Efficiency Optical Sparse Aperture Metalens Based on GaN Nanobrick Array | |
| Liu et al. | Highly efficient broadband wave plates using dispersion-engineered high-index-contrast subwavelength gratings | |
| Singh Chadha et al. | Polarization-and angle-dependent characteristics in two dimensional photonic crystal membrane reflectors | |
| Darki et al. | Profilometry and stress analysis of suspended nanostructured thin films | |
| Murakami et al. | Coronagraph focal-plane phase masks based on photonic crystal technology: recent progress and observational strategy | |
| Zhang et al. | Polarization sensitive terahertz all dielectric continuous trapezoid metasurface beam splitter | |
| CN114488366A (zh) | 一种反射式偏振双聚焦等离子体超透镜及其制备方法 | |
| US20040027670A1 (en) | Space-variant subwavelength polarization grating and applications thereof | |
| Tagashira et al. | Radial and azimuthal polarizer using a one-dimensional photonic crystal with a patterned liquid crystal defect layer | |
| Chen et al. | Quantitative analysis of wide field-of-view and broadband quarter-wave plate based on metasurface | |
| Cheng et al. | Thin-Film Terahertz Metamaterials Manufactured by Laser Direct Writing | |
| Altuzarra | Quantum interferences with nanostructured metamaterials | |
| Haimo et al. | Broadband and high-efficiency edge detection device based on quasi-continuous metasurface | |
| Haurylau et al. | Dynamically tunable 1D and 2D photonic bandgap structures for optical interconnect applications |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |