JP4186933B2 - 水素透過膜の製造方法 - Google Patents
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Description
前記製造方法はさらに、前記電解質層の成膜後に、前記基材の他方の表面に被覆金属層を成膜しても良い。かかる場合には、電解質層生成時における、基材の他方の表面と被覆金属層との間に生じる拡散を防止することができる。
として作用する
図8〜図11を参照して第2の実施例に係る水素透過膜の製造方法について説明する。図8は第2の実施例に係る水素透過膜の製造工程を示すフローチャートである。図9は第2実施例における、被覆金属層の表面に保護層30が成膜された状態を模式的に示す説明図である。図10は第2実施例における、被覆金属層上に成膜された保護層30を除去する様子を模式的に示す説明図である。図11は第2実施例に係る水素透過膜の製造方法によって製造される水素透過膜の構造を模式的に示す説明図である。
(1)上記第2の実施例において、保護層30を除去した後に、被覆金属層20の表面のクリーニング、すなわち、被覆金属層20の表面に存在する基材10の酸化物を除去する工程を加えても良い。かかる場合には、保護層30を除去した後に被覆金属層20に残留または現れた基材の酸化物を除去することができるので、被覆金属層20の表面に基材10の酸化物が存在することに起因する水素透過性能の低下を低減することができる。
20…被覆金属層
21…欠陥
30…保護層
40…電解質層
100…水素透過膜
200…成膜装置
210…基台
220…パルスレーザ
221…ターゲット
230…酸素導入部
240…レーザ装置
Claims (7)
- 水素透過膜の製造方法であって、
周期律表第5族の金属または合金からなる2つの表面を有する基材を用意し、
前記基材の少なくとも一方の表面に被覆金属層を成膜し、
前記被覆金属層の表面の少なくとも一部に酸素の透過を防止または抑制する保護層を成膜し、
所定温度以上の酸素雰囲気下において、前記被覆金属層または保護層の表面にプロトン伝導性を有する電解質層を成膜する
水素透過膜の製造方法。 - 請求項1に記載の水素透過膜の製造方法において、
前記被覆金属層は前記基材の一方の表面にのみ形成され、
前記製造方法はさらに、
前記電解質層の成膜後に、前記基材の他方の表面に被覆金属層を成膜する水素透過膜の製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載の水素透過膜の製造方法において、
前記電解質層の成膜は、前記保護層を除去した後に、前記被覆金属層の表面に電解質層を成膜することにより実行される水素透過膜の製造方法。 - 請求項1ないし請求項3いずれか記載の水素透過膜の製造方法において、
前記保護層の成膜は、前記被覆金属層に含まれる欠陥または粒界隙間を埋めることにより実行される水素透過膜の製造方法。 - 請求項4に記載の水素透過膜の製造方法において、
前記保護層の成膜は、20nm未満の保護層を形成することによって実行される水素透過膜の製造方法。 - 請求項1ないし請求項3いずれか記載の水素透過膜の製造方法において、
前記保護層の成膜は、前記被覆金属層の表面の全域に亘って前記保護層を形成することにより実行される水素透過膜の製造方法。 - 請求項6に記載の水素透過膜の製造方法において、
前記保護層の成膜は、20nm以上の保護層を形成することによって実行される水素透過膜の製造方法。
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