JP4184199B2 - パワーウインド挟み込み防止装置 - Google Patents

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Description

本発明は、車両のパワーウインドによる異物(例えば、人の手指、首、等)の挟み込みを防止する装置に関し、特に、異物の挟まれを誤認無く迅速に判定するパワーウインド挟み込み防止装置の改良に関する。
車両のウインドガラスを自動開閉する装置は、一般にパワーウインドと呼ばれ、モーターによりウインドガラスを開閉させる装置である。パワーウインドにはウインドガラスによる異物の挟まれを防止する対策としてジャミング・プロテクション(即ち、Jamming protection)を備えるためにパワーウインド挟み込み防止装置が採用されているが、一般的なパワーウインド挟み込み防止装置では、ウインドガラスの上昇中に異物の挟まれが発生した際、挟まれた異物に掛かる荷重がモーター電流の増加により著しく増大してしまうため、このモーター電流の増加を抑制するようにモーター電流を制限する必要があった。
そこで、上記事情に鑑みて改良されたパワーウインド挟み込み防止装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−295129号公報
以下の図面の記載において、同一または機能的に類似する部分には同一または類似の符号を付している。
特許文献1で提案されているパワーウインド挟み込み防止装置について添付図面を参照して詳細に説明する。
(パワーウインド挟み込み防止装置の概要)
図6は、特許文献1で提案されているパワーウインド挟み込み防止装置の一例のブロック図である。このパワーウインド挟み込み防止装置は、挟まれ等による異常電流検出回路2と、正転・反転回路を備えたパワーウインドモーター5と、挟み込み判定回路6と、モーター電流制限回路7と、を有している。尚、正転・反転回路を備えたパワーウインドモーター5は、パワーウインドモーターを含んだ正転・反転回路5と考えてもよい。電流検出回路2と、正転・反転回路5と、電流制限回路7の三つの回路は、モーター電流IDの流れる電線1に直列に接続されて電源供給装置VBに接続される。
(挟まれ等による異常電流検出回路2の概要)
電流検出回路2は、モーター電流IDの挟まれ等による異常電流を検出して、信号線9を介して異常電流検出信号(電流制限制御信号)を電流制限回路7に出力する。電流検出回路2は、マルチソース電界効果トランジスタ(FET)またはマルチ抵抗と、電流追随回路3と、スタート回路4と、を有している。
マルチソースFETは、メインFETとリファレンス(Reference)FETで構成される。また、マルチ抵抗は、シャント抵抗とリファレンス(Reference)抵抗で構成される。マルチソースFETまたはマルチ抵抗のカレントセンシングレシオ(n:Current Sensing Ratio)すなわち、例えばメイン抵抗に対するリファレンス抵抗の抵抗成分の比を1を超えて好ましくは100以上に設定する。モーター電流IDをメインFETまたはシャント抵抗に流す。そして、ID=n*Irefの条件を満たすリファレンス電流IrefがリファレンスFETまたはリファレンス抵抗に流れるように、リファレンス電流Irefを制御する。
メインFETまたはシャント抵抗がモーターのハイサイド(High side:モーターに対して電源側)に有る場合には、メインFET のソース電位またはシャント抵抗のモーター側電位VSAと、リファレンスFET のソース電位またはリファレンス抵抗の接地側電位VSBとは、上記ID=n*Irefの条件を満足するために、VSA=VSBの条件を満足する必要がある。モーターが正常回転しているとき、ウインドガラスの駆動力の変動によりモーター電流IDが変化するとメインFET のソース電位等VSAも変化するが、リファレンス電流Irefを制御してVSA=VSBの条件を維持する。
次に、挟まれ(Jamming)等によって発生する異常電流を検出する方法について説明する。リファレンス電流Irefを追随速度の異なる2つの電流成分に分ける。リファレンス電流Irefは、追随速度の遅い電流成分Iref-sと、追随速度の速い成分Iref-fとに分けられて流れる。追随速度の遅い電流成分Iref-sはモーターが正常に回転しているときのモーター電流IDの変化には追随するが、挟まれが発生したときのモーター電流IDの急激な変化には追随できないように設定する。一方、追随速度の速い電流成分Iref-fは挟まれが発生したときの電流変化のみならず、モーター電流IDの中に含まれる脈動成分にも追随できるように設定する。追随速度の速い電流成分Iref-fの追随性を良くすればするほど、追随速度の遅い電流成分Iref-sは変化する必要がなくなり安定してくる。このような条件を満足させるため、追随速度の速い電流成分Iref-fの追随速度は、追随速度の遅い電流成分Irsf-sの800〜1000倍の速さに設定する。
このように設定すると、半導体スイッチング素子のOn/Off動作時を除けば追随速度の速い電流成分Iref-fはモーター電流IDの変化を正確に反映する。追随速度の速い電流成分Iref-f を、リファレンス抵抗より抵抗値の大きい抵抗に流すことによりモーター電流IDの変化を電圧に変換する。この電圧の変換により、モーター電流IDの変化をシャント抵抗またはメインFETのオン抵抗で電圧に変換して得られる微小変動を増幅した変動が検出できる。
挟まれが発生すると追随速度の速い電流成分Iref-fはモーター電流IDに追随して増加するが、追随速度の遅い電流成分Iref-sはほとんど変化しない。そのため追随速度の速い電流成分Iref-fの平均値と追随速度の遅い電流成分Iref-sの間には差が生じ、(Iref-fの平均値)>(Iref-s)の大小関係となる。この大小の差があらかじめ設定した値を超えたら、異常電流検出信号を発生させ、モーターのハイサイド(High side)にあるマルチソースFETまたはモーターのロウサイド(Low side:接地側)にある電流制限回路7の半導体スイッチング素子(FETまたはバイポーラ(Bipolar)トランジスタ)をオフする。
その後、挟み込みが発生している間、マルチソースFETまたはモーターのロウサイドにある半導体スイッチング素子がOn/Off動作と連続On動作を繰り返す動作を行なう。このOn/Off動作と連続On動作を繰り返す動作により、以下に説明するがモーター電流IDの増加を制限することができる。
(モーター電流制限回路7の概要)
電流制限回路7は、異常電流検出信号を入力されて、モーター電流IDが増加していかないように制限する。この制限は、マルチソースFETまたはモーターのロウサイドにある半導体スイッチング素子がOn/Off動作と連続On動作を交互に繰り返すことにより行なわれ、このOn/Off動作と連続On動作を繰り返す動作の信号が信号線10を介して挟み込み判定回路6に出力される。電流制限回路7は、モーター電流IDをOnOffすることが可能なFET等の半導体スイッチング素子と、この半導体スイッチング素子のOnの基準電圧とOffの基準電圧を生成する基準電圧回路8と、を有している。
モーター電流IDが、On/Off動作と連続Onを繰り返す動作に入ると、モーター電流IDは電流制限されて、その平均値は挟まれ発生直前より若干大きい値に維持される。モータートルクはモーター電流に比例するので、これによりモータートルクはウインドガラスの駆動に要するトルクより若干大きいトルクに保持される。このような必要最小限のトルクを確保することで、悪路等によるガラス駆動力の瞬間的変動があっても誤反転しないという条件下での、最小の挟まれ荷重を実現することが可能となる。
(挟み込み判定回路6の概要)
挟み込み判定回路6は、入力したOn/Off動作と連続On動作を繰り返す動作の信号に基づいて挟み込みか否かを判定する。挟み込みと判定した場合は、信号線11を介してウインドガラスを開ける旨のウインドダウン信号を正転・反転回路5に出力する。
挟み込みの判定には、挟まれによりモーター回転数が低下するに連れて、半導体スイッチング素子のOn/Off動作の期間が長くなり、半導体スイッチング素子の連続On動作の期間が短くなることを利用する。例えば、On/Off動作の期間が一定の長さに達したときに、挟み込みと判定する。挟み込みと判定すると、マルチソースFETまたは半導体スイッチング素子を遮断して、モーターを停止させ、一定時間経過後、モーター5を反転駆動させる。このことにより、ウインドガラスが開き、挟まれた異物の挟み込みを防止することができる。
(正転・反転回路を備えたパワーウインドモーター5の概要)
正転・反転回路5は、ウインドアップの信号を入力することにより、ウインドガラスを閉める方向にモーターを回転させ、ウインドダウンの信号を入力することにより、ウインドガラスを開ける方向にモーターを回転させる。さらに、信号線11を介してウインドダウン信号を入力した場合は、ウインドガラスを閉める方向から開ける方向にモーターの回転を反転させる。正転・反転回路5は、Hブリッジ回路またはリレー回路を有している。Hブリッジ回路を用いる場合、Hブリッジ回路を構成、あるいは接続する4個のFETを用いる。4個のFET のうちハイサイドのトランジスタを用いて電流検出回路2および電流制限回路7を構成してもよいし、ハイサイドのトランジスタを用いて電流検出回路2を構成し、ロウサイドのトランジスタを用いて電流制限回路7を構成してもよい。
図7(a)〜図7(c)は、パワーウインド挟み込み防止装置のブロック図の変形例を示している。すなわち、電流検出回路2は、電源供給装置VBのプラス端子またはマイナス端子と等価なグランドに接続し、正転・反転回路5および電流制限回路7についてはモーター電流IDを流す順番は構わない。具体的には、図7(a)に示されるように電流検出回路2→電流制限回路7→正転・反転回路といった順番、図7(b)に示されるように電流検出回路2→正転・反転回路5→電流制限回路7といった順番(即ち、図6に示される順番と同じ順番)、図7(c)に示されるように正転・反転回路5→電流制限回路7→電流検出回路2といった順番、等でもよく、これらのような順番の違いによりパワーウインド挟み込み防止装置の作用や効果に大きな違いは生じないものと考えて良い。
図8は、パワーウインド挟み込み防止装置の回路図の一例を示している。パワーウインド挟み込み防止装置における電流検出回路2、電流制限回路7および挟み込み判定回路の回路構成と回路の動作について、ここで詳細に説明する。
1.電流検出回路2の説明
1−1.電流検出回路2の回路構成
シャント抵抗とリファレンス抵抗を用い、リファレンス電流Irefを2つの追随速度の異なる電流成分Iref-sとIref-fに分けて異常電流を検出する回路について説明する。
図8の電流検出回路2は、電源供給装置VBのプラス端子に接続するシャント抵抗R1とリファレンス抵抗R20と、その抵抗R1とR20に接続する電流追随回路3と、電流追随回路3にプラス入力端子とマイナス入力端子が接続し出力端子が電流制限回路7に接続するコンパレータCMP2と、5V電源とCMP2の出力端子間に接続する抵抗R25と、を有している。
電流追随回路3は、プラス入力端子がリファレンス抵抗R20に接続し、マイナス入力端子がシャント抵抗R1に接続するコンパレータCMP1と、CMP1の出力端子に接続し、抵抗R21と接地するコンデンサC1を直列接続して構成される第1の充放電回路と、CMP1の出力端子に接続し、抵抗R22と接地するコンデンサC2を直列接続して構成される第2の充放電回路と、コンデンサC1とC2の間に接続される抵抗R28と、ドレイン端子がCMP1のプラス入力端子に接続されゲート端子がコンデンサC1に接続されるnMOSFET(T21)と、一端がFET(T21)のソース端子とCMP2のプラス入力端子に接続し他端が接地する抵抗R23とで構成される第1のソースフォロア回路と、ドレイン端子がCMP1のプラス入力端子に接続されゲート端子がコンデンサC2に接続されるnMOSFET(T22)と、アノード端子がFET(T22)のソース端子と接続するダイオードD21と、一端がダイオードD21のカソード端子とCMP2のマイナス入力端子に接続し他端が接地する抵抗R24とで構成される第2のソースフォロア回路と、を有している。
尚、図8中の抵抗R21等に添えられた910Kは、抵抗R21の抵抗値が910KΩであることを表している。同様に、コンデンサC2等に添えられた0.1ufは、コンデンサC2の容量が0.1μFであることを表している。
1−2.電流検出回路2の動作説明
図8ではシャント抵抗R1、正転・反転リレー回路5とOn/Off動作を行なう半導体スイッチング素子(FET)T1が、モーター電流IDの流れる電線1に対して直列に接続され、電源供給装置(例えば、バッテリ)VBのプラス端子およびマイナス端子に接続されている。正転・反転リレー回路5の正転・反転リレーはトランジスタT2およびT3により駆動され、正転(アップ(Up)動作)ではT2がオンし、反転(ダウン(Down)動作)ではT3がオンする。マルチ抵抗はシャント抵抗R1とリファレンス抵抗R20で構成される。図8の回路例ではR1の抵抗値は34mΩ、R20の抵抗値は55Ωに設定されている。モーター電流IDはシャント抵抗R1を流れ、リファレンス電流Irefはリファレンス抵抗R20を流れる。抵抗R1及びコンデンサC2等の抵抗値及び容量を便宜上抵抗R1等の符号R1と同じR1等と表記する。そこで、R1*ID=R20*Irefの条件を満足するときの電流比nは式1のようになる。
n=ID/Iref=R20/R1=55/0.034=1618 …式1
コンパレータCMP1はオペアンプからなり、CMP1のマイナス入力端子にはシャント抵抗R1のモーター側電位が入力され、CMP1のプラス入力端子にはリファレンス抵抗R20の接地側電位が入力される。CMP1の出力と接地電位レベル(GND)間には抵抗R21とコンデンサC1を直列接続した第1の充放電回路が接続され、コンデンサC1はCMP1の出力により、抵抗R21を介して充放電される。コンデンサC1の非接地側はFET T21のゲート端子に接続され、FET T21のドレイン端子はリファレンス抵抗R20に接続され、T21のソース端子は抵抗R23を通して接地されている。FET T21と抵抗R23は第1のソースフォロア回路を構成するので、FET T21および抵抗R23にはコンデンサC1の電位に比例した電流が流れる。この電流がリファレンス電流Irefの追随速度の遅い電流成分Iref-sになる。一方、コンパレータCMP1の出力と接地電位レベル(GND)間には抵抗R22とコンデンサC2を直列接続した第2の充放電回路が接続され、コンデンサC2はCMP1の出力により、抵抗R22を介して充放電される。コンデンサC2の非接地側はFET T22のゲート端子に抵抗R28を介して接続され、FET T22のドレイン端子はリファレンス抵抗R20に接続され、T22のソース端子はダイオードD21と抵抗R24を通して接地されている。FET T22とダイオードD21および抵抗R24は第2のソースフォロア回路を構成するので、FET T22、ダイオードD21、および抵抗R24にはコンデンサC2の電位に比例した電流が流れる。これがリファレンス電流Irefにおける追随速度の速い電流成分Iref-fになる。コンデンサC1とC2の非接地側は抵抗R28で接続され、モーター電流IDが変化しないときはC1およびC2の電位が等しくなるようなっている。すなわち、コンパレータCMP1の出力にはコンデンサC1、C2と抵抗R21、R22からなる2つの充放電回路が並列に接続され、それぞれのコンデンサC1、C2の電位に比例した電流を流す2つのソースフォロア回路がリファレンス抵抗R20と接地間に並列接続されることになる。第1の充放電回路の時定数は第2の充放電回路の時定数より大きく設定される。この回路例では第1の充放電回路の時定数は式2のようになり、第2の充放電回路の時定数は式3のようになり、その比は1:894となる。
(第1の充放電回路の時定数)=R21*(R22+R28)/(R21+R22+R28)*C1
=910K*(5.1K+910K)/(910K+5.1K+910K)*1μf=456ms …式2
(第2の充放電回路の時定数)=R22*C2=5.1K*0.1μf=0.51ms …式3
挟み込みの検出はコンパレータCMP2で行なう。CMP2のプラス入力端子にはT21のソース電位が入力され、マイナス入力端子にはT22のソース電位よりダイオードD21の順方向電圧降下約0.7Vだけ低下した電位が入力される。T21とT22のゲート〜ソース間電位はほぼ等しいので、D21の電圧降下分が挟み込みにより増加する異常電流の検出値となる。挟み込みが発生してIref-fが増加するとCMP2の出力(電流制限制御信号CPOUT_B)がHレベルからLレベルに変化する。そして、電流制限回路7のNOR1の出力がHレベルになり、トランジスタT31がオンし、半導体スイッチング素子であるトランジスタT1がオフする。このときの挟み込みによる異常電流の検出は次のようにしてなされる。
(a)まず、リファレンス電流Irefを図8のように追随速度の遅い成分Iref-sと速い成分Iref-fに分けて構成する。モーター電流IDの変化は脈動成分まで含めてIref-fに現れ、T22のソース電位、すなわちCMP2のマイナス入力端子電圧(Vins)に正確に反映される。その結果、Iref-s側のT21のソース電位、すなわちCMP2のプラス入力端子電圧(Vc)はモーター電流IDの速い変動の影響を受けなくなり、長い期間の平均値のみが反映される。このため挟み込みが発生して電流制限を行なう間はほぼ一定の電位を保ち、理想的な基準電圧を実現することができる。
(b)追随速度の速い成分Iref-fにはモーター電流の脈動成分による変動分が含まれている。脈動電流の振幅をΔID-rip、Iref-fの脈動成分をΔIref-f-ripとするとΔIref-f-rip=ΔID-rip/nとなる。ΔIref-f-ripにより抵抗R24に発生する電圧変動分ΔVripは、式4のようにR24=1.5KΩ、ΔID-rip=0.5Aの場合は、0.46Vとなる。
ΔVrip=ΔIref-f-rip*R24
=ΔID-rip/n*R24=0.5A/1618*1.5K=0.46V …式4
すなわち、CMP2のマイナス入力端子電圧は脈動成分により、振幅±0.23V(±ΔVrip/2)で振動している。 従ってIref-fの平均値が0.47V(=0.7V−0.23V)増加するとCMP2の出力はHレベルからLレベルに反転することになる。
この0.47Vをモーター電流IDに換算すると0.51A(=0.47V/R24*n=0.47V/1.5K*1618)となる。すなわち、図8の回路例では挟み込みによりモーター電流IDの平均値が0.51A増加するとCMP2出力はLレベルとなり、T31がオンしT1はオフ状態に向かう。
(c)図9に示すように、CMP2の出力がLレベルに反転する前(時間t1の前)はモーター電流IDが増加しているので、CMP1の出力はHレベルになっている。T31がオンするとT1のゲートに過充電された電荷が放電する時間だけ遅れてモーター電流IDは減少し始める。この時点でCMP1の出力はH→Lレベルに遷移し始めるが、CMP1はオペアンプで構成されているので、オペアンプの応答遅れのため、出力がHからLに変化するのに遅れ時間が発生する。
CMP2の出力がLレベルに反転してからCMP1出力がHレベルから低下してコンデンサC2の電位に等しくなるまでの時間t1の間はC2が充電されるので、Iref-fは増加し、CMP2のマイナス入力端子電圧は増大する。その後、CMP1の出力がC2電位より低くなるとC2は放電され始め、時間t1の間に充電された電荷量が放電し終わるまでの時間t2の後にCMP2のマイナス入力端子電圧は元の電圧、すなわちCMP2出力がH → Lに遷移し始めたときの電圧に戻る。この間プラス入力端子電圧は変化しない。
時間t2を過ぎるとCMP2出力はHレベルに反転し、FET T1はオンする。すなわち、モーター電流IDが増加してCMP2の出力がLレベルに反転してから時間t1+t2の間はCMP2出力はLレベルを維持する。C2の電位がCMP1の出力のHレベルとLレベルの中間にあるとt1≒t2の関係となる。時間t1+t2はT1のターンオフ遅れ時間、オペアンプの応答速度およびモーター電流IDの減少速度により決まるが、T1のターンオフ遅れ時間とオペアンプの応答速度は一定であるので、時間t1+t2はモーター電流IDの減少速度に依存し、減少速度が遅くなるに連れて長くなる。
CMP2出力が再度L→Hになり、T1がオンするとモーター電流IDが増加し始める。このため、CMP1の出力はLからHに向かうが、CMP1の出力がC2の電位より低い間、C2は放電され続ける。CMP2の出力がHレベルに反転してからCMP1出力がコンデンサC2の電位に等しくなるまでの時間を時間t3とする。CMP1の出力がC2電位を超えるとC2は充電され始める。時間t3に放電した電荷量と同量の電荷が充電されるまでの時間t4を経過するとCMP2の出力は反転してLになり、T1はオフする。すなわち、時間t3+t4の間はCMP2の出力がHレベルを維持する。時間t3+t4はオペアンプの応答速度およびモーター電流IDの増加速度により決まるが、オペアンプの応答速度は一定であるので、時間t1+t2はモーター電流IDの増加速度に依存し、増加速度が速くなるに連れて短くなる。
(d)挟み込み検出値の設定にダイオードD21の順方向電圧降下を用いたのはモーター電流IDが変化して、Iref-fの平均値が変化しても挟み込み検出値を一定にするためである。しかし、この方法では挟み込み検出値を変更する必要がある場合はダイオードD21の順方向電圧降下を変更できないので、抵抗R24の値を調整して行なうことになる。上述の(b)項の説明から判るようにR24の値を大きくすると挟み込み検出値は小さくなり、逆にR24の値を小さくすると挟み込み検出値が大きくなる。
(e)挟み込み検出値の設定をダイオードD21に代えて抵抗を用いて行なうことも可能である。この場合、モーター電流IDが増加するとそれに比例して挟み込み検出値が大きくなる。
2.電流制限回路7の説明
2−1.電流制限回路7の回路構成
図8の電流制限回路7は、入力端子がCMP2の出力端子に接続するNORゲートNOR1と、出力端子がNOR1の入力端子に接続するコンパレータCMP3と、CMP3のマイナス入力端子に接続する基準電圧回路8と、ドレイン端子がCMP3のプラス入力端子に接続し、ソース端子が接地された半導体スイッチング素子T1と、スイッチング素子T1のゲート端子に接続された可変抵抗R32と、ゲート端子がNOR1の出力端子に接続し、ドレイン端子が抵抗R32に接続し、ソースが接地されたFET(T31)と、電源供給装置VBのプラス端子とT31のドレイン端子間に接続された抵抗R31と、CMP3のプラス入力端子と接地間に接続された抵抗R33と、CMP3の出力端子と5V電源間に接続された抵抗R37と、を有している。
基準電圧回路8は、CMP3のマイナス入力端子と電源供給装置VB間に接続された抵抗R35と、CMP3のマイナス入力端子と接地間に接続された抵抗R36と、CMP3のマイナス入力端子に接続された抵抗R34と、アノード端子が抵抗R34に接続されたダイオードD31と、ドレイン端子がダイオードD31のカソード端子に接続し、ソース端子が接地され、ゲート端子がCMP3の出力端子に接続されたFET(T32)と、を有している。
2−2.電流制限回路7の動作説明
モーター電流IDの制限は図8の電流検出回路2と電流制限回路7を組み合わせて行なう。
始めに電流制限回路7の動作について説明する。電流検出回路2のコンパレータCMP2の出力がHレベルのときはNORゲートNOR1の出力がLレベルとなり、トランジスタT31はオフとなり、スイッチング素子(トランジスタ)T1がオンする。T1がFETの場合について説明すると、このときコンパレータCMP3のプラス入力端子電圧はT1のドレイン端子に接続しているので、ほぼ接地電位レベルが入力される。一方、CMP3のマイナス入力端子電圧は、R34、R35、R36、ダイオードD31とトランジスタT32で構成される基準電圧回路8で決まり、R34=3.3KΩ、R35=10KΩ、R36=24KΩに設定すると電源電圧VBが12.5Vのとき、T32がオフであれば8.82Vとなり、T32がオンであれば3.03Vになる。いずれにせよ3.03V以下には低下しないので、CMP3出力(On/Off回数カウント用信号:DUMMY)はLレベルとなる。従って、T32はオフになっている。挟まれが発生してコンパレータCMP2の出力がLレベルになるとNOR1の出力がHレベルになり、T31がオンし、T1がオフする。T1のドレイン電圧VDSは接地電位レベルから上昇を始める。T32がオフになっているので、CMP3のマイナス入力端子電圧は8.82Vであり、T1のドレイン電圧VDSが8.82V以上になるとCMP3の出力はHレベルに反転し、NOR1の出力がLレベルになり、T31がオフし、T1がオンする。このとき同時にT32もオンするので、CMP3のマイナス入力電圧は3.03Vに低下する。従ってT1は一旦オンするとドレイン電圧VDSが3.03V以下に低下するまでオン状態を維持する。T1のドレイン電圧VDSが3.03V以下になるとCMP3の出力は再度Lレベルになり、T1がオフし、同時にT32がオフして、CMP3のマイナス端子入力は8.82Vに上昇する。T1のドレイン電圧VDSが8.82Vを超えるまでT1はオフを続ける。これがOn/Off動作の1周期で、この状態はCMP2の出力がLレベルである限り継続する。
●On/Off動作におけるモーター電流IDの不変性について
次に上記On/Off動作を行なうとき、On/Off動作の1周期ではモーター電流IDがほとんど変化しないことを説明する。図10にFET T1の負荷線を付加した静特性曲線を示す。挟まれが発生する以前のモーターが正常に回転しているとき、T1はA点で動作している。モーター負荷電流IDが変化すると動作点はオーミック領域の例えばA点とB点の間で上下する。挟まれが発生するとモーター負荷電流IDは増加し、T1の動作点は上方に移動して、B点に達するとT1はオフする。B点とA点の電流差が挟み込み検出値である。T1がオフするとドレイン〜ソース間電圧VDSは拡大するが、そのときのT1の動作点はB点を通る水平線上を右側に向かって移動する。言い換えれば、ドレイン電流ID(=モーター負荷電流)はT1がオフしたときの値を維持したままT1のドレイン〜ソース間電圧VDSは拡大する。これはT1のドレイン〜ソース間電圧VDSが接地電位レベルと電源電圧の間を移動しているときはT1のゲート〜ドレイン間容量がミラー(Miller)効果により、見かけ上大きくなり、ゲート〜ソース間電圧VGSがほとんど変化しなくなるからである。
●ミラー効果について
図11は、スイッチング素子T1の等価回路図である。ゲートドライバーによる充電で、ゲート〜ソース間電圧VGSが微小電圧ΔVGS上昇したとする。これによりモーター電流IDがΔID増加し、モーターのインダクタンスLにより逆起電力Ec(=L*dID/dt)が発生する。ゲート〜ドレイン間容量CGDに充電される電荷ΔQは、式5で表される。
ΔQ=CGD*(ΔVGS+ΔID*Ra+Ec) …式5
ここでRaは電機子抵抗である。また、ゲート端子から見たCGDの容量Cmは式6で表される。
Cm=ΔQ/ΔVGS=CGD*(1+ΔID*Ra/ΔVGS +Ec/ΔVGS) …式6
容量Cmが“Miller容量”で、容量CGDの両端の電圧変化がΔVGSよりはるかに大きいことから生じる見かけ上の容量である。 ゲートドライバーがゲート抵抗RGを介してFETのゲート電荷を充放電するときドライバー側から見える容量はCGDではなくてCmとなる。モーターのインダクタンスLが大きいと容量CmはCGDに比べて大きな値になり、On/Off動作時、ゲートドライバーがT1のゲートを充放電してもゲート〜ソース間電圧VGSはほとんど変化しなくなる。但しMiller効果が有効なのはメインFET(T1)のドレイン電位VDSが接地電位レベル(GND)と電源電圧(VB)の間にあって自由に変化できるときだけある。このときT1はピンチオフ領域にあるので、T1の伝達コンダクタンスをGmとするとID=Gm*VGS が成立する。この式からVGSがほぼ一定となればIDも変化せず、ほぼ一定になることが判る。
図8においてトランジスタT32がオンおよびオフしているときのコンパレータCMP3のマイナス入力端子電圧を図10においてそれぞれVLおよびVHとする。この回路例ではVL=3.03V、VH=8.82Vとなる。T1の動作点が図10のB点を通る水平線上を右側に移動して電圧VHよりドレイン電圧VDSが大きくなるとCMP3出力がHレベルになり、T1はオンする。実際の回路では回路の遅れによりVHを超えてしばらくしてから、オンする。図10ではVDSが10Vを超えたC点でオンし、VDSは接地電位レベルに向かって低下していく。VDSが電圧VLより小さくなるとCMP3の出力はLレベルになり、T1は再びオフする。このようにしてT1はCMP2の出力がLレベルである限り、On/Off動作を継続する。
●On/Off動作によるIDの減少について
次にOn/Off動作を継続している間にドレイン電流IDが徐々に減少することを説明する。On/Off動作を開始したとき、T1のドレイン電圧VDSは基準電圧VLおよびVHで規制されるので、T1の動作点は、図10のC点〜D点間で振動する。このときのVDSの平均値はG点であり、ほぼC点〜D点間の中央になる。G点はT1のDC的動作点である。これに対して線分CDはAC動作曲線となる。図10において直線aは、電源供給装置VBが12.5Vの場合のモーターが停止しているときのT1の負荷直線であり、その勾配は電機子抵抗Raで決まる。直線b〜gは直線aに平行で、それらの横軸上への投影はドレイン電流ID(=モーター電流)がモーターに流れたときの電圧降下量を表わすことができる。
まず、挟まれが発生する直前について考察する。このときのT1の動作点はA点である。モーター逆起電力をEmotor-A、ドレイン〜ソース間電圧をVDSonとすると、式7が成立する。
VB=VDSon+Ra*ID+Emotor-A …式7
次に、挟まれが発生し、On/Off動作を開始した直後について考察する。IDはOn/Off動作に同期して変動するAC成分IDAとそれ以外のDC的成分IDDからなる。すなわちIDは、ID=IDA+IDDの関係を有する。IDDが変化するとモーターインダクタンスLにより逆起電力Eonoffが発生する。その大きさは式8から求まる。
Eonoff=L*d(IDD)/dt …式8
On/Off動作時にけるT1のドレイン〜ソース間電圧VDSの平均値をVDSonoffとするとこれは図10おけるG点に相当する。On/Off動作1周期の間はモーターの回転数が変化しないと仮定する。一方IDも変化しないから式9が成立する。
VB=VDSonoff+Ra*ID+Emotor-A+Eonoff …式9
式7の両辺から式9の両辺を引くことにより、式10を得ることができる。
0=VDSon−VDSonoff−Eonoff
Eonoff=VDSon−VDSonoff …式10
ここで、VDSonは連続On時のドレイン〜ソース間電圧で約0.3Vである。VDSonoffはG点の電圧で、おおよそ6.5Vである。これによりEonoffは式10より−6.2Vのマイナスの値となる。そして、Eonoffがマイナスの値になるので、式8よりIDDが減少することがわかる。
●最小の反転荷重の実現(悪路等による誤作動防止)について
IDのDC的成分IDDがOn/Off動作を行ないながら動作点Gから動作点Hに向かって減少すると、Iref-fがIDDに追随して減少し、IDDが図10のH点に達するとCMP2がLレベルからHレベルに反転し、FET T1の動作点はH点からF点に移動して、T1は連続Onの状態になる。連続On状態になるとIDは増加し、A点を経由してB点に至り、T1は再びOn/Off動作に入る。この間Iref-sは変化しないから、CMP2のプラス入力端子電圧は変化しないので、A点が固定され、それに伴いB〜F点も変化しない。従ってOn/Off動作と連続Onの状態を繰り返す間は電流IDの電流値が一定範囲に制限される。
この一定範囲に制限された電流IDの平均値は、電流制限動作に入る直前のIDの電流値よりわずかに大きい値に維持される。このことは2つの重要な意味を持つ。
1つ目は、モータートルクは電流に比例するから、モータートルクを一定範囲に制限できることである。これにより、挟み込み荷重を制限することができる。
2つ目は、悪路等を走行して挟み込みが発生しないにも関わらず反転するという誤作動を防止できることである。悪路等を走行中にパワーウインドを動作させたとき、車体の上下動により、ウインドガラスの駆動力が変化し、瞬間的に駆動力が増加して、それに伴いモーター回転数が低下して、IDが増加し、T1がオフし、電流制限モードに入る可能性がある。しかし、電流制限モードに入ってもその直前のガラス駆動力を維持しているので、上下動による荷重増加が無くなったときモーター回転数を元に回復させ、誤反転を回避することができる。但し、ガラス駆動力はこの間変化しないということが前提となる。そして、この前提は大部分のケースで成立する。以上の特徴により、悪路等による瞬間的駆動力の増加では誤反転を起さないという条件下で最小の反転荷重を実現することができる。
●モーター回転数の低下に伴うOn/Off動作期間と連続On期間の変化について
次に式7と式9を一般化した場合を考える。挟まれが発生してしばらく経過すると、モーター回転数は低下する。モーター逆起電力はモーター回転数に比例するから、そのときのモーター逆起電力を図10に示すEmotor-Bとすると、Emotor-B<Emotor-Aの関係となる。この低下した回転数すなわちEmotor-Bの大きさの逆起電力で、T1が連続Onの状態になるとIDの増加スピードは以前と違って速くなり、モーターのインダクタンスLにより、逆起電力Eonが発生する。Eon=L*dID/dtとなる。Eonは式7にはなかったもので、これを用いて式7を書きなおすと式11のようになる。
VB=VDSon+Ra*ID+Emotor-B+Eon …式11
式11に対応するOn/Off動作の式は連続OnとOn/Off動作でモーター回転数が変わらないと仮定すると式9のEmotor-AをEmotor-Bに置き換えることにより、式12となる。
VB=VDSonoff+Ra*ID+Emotor-B+Eonoff …式12
式11と式12から式13が得られる。
Eon−Eonoff=VDSonoff−VDSon=6.5V−0.3V=6.2V …式13
Eonの符号はプラス、Eonoffの符号はマイナスであるから、式13の意味することは連続On時の逆起電力EonとOn/Off動作時の逆起電力Eonoffは符号が反対でその絶対値の和は一定となり、それぞれのVDSの差VDSonoff−VDSonに等しいということである。VDSの差はモーター回転数には関係なく一定である。モーター回転数が低下するに連れて、Emotor-Bが小さくなるので、Eonoffの絶対値は小さくなり、Eonの絶対値は大きくなる。すなわち、モーター回転数が低下するとOn/Off動作時のIDの減少速度は低下し、連続On時のIDの増加速度は速くなることが判る。
更に、図10から判るように、On/Off動作に入った直後(G点)のEonoff(図10のEonoff-D)より、On/Off動作を抜け出すとき(H点)のEonoff(図10のEonoff-C)の方が小さくなる。これはOn/Off動作期間中に電流の減少率が段々小さくなることを表わしている。また図10でEon-Fより、Eon-Eの方が小さいことは連続On期間中に電流の増加率が段々小さくなることを表わしている。
●On/Off動作の周期について
T31がオンするとT1のゲート電荷はR32を通して放電され、T1のゲート〜ソース間電圧VGSが低下し始める。ID=Gm*VGSであるから、IDが減少し始める。IDの減少によりモーターのインダクタンスLによる逆起電力Ecが発生し、且つ電機子抵抗Raによる電圧降下もわずかではあるが縮小する。すなわち、モーターの電圧降下が降下分ΔVM(=Ec+Ra*ΔID)だけ縮小する。ここでΔIDはIDの減少分を表わす。また、逆起電力EcはEc=L*ΔID/Δtで求まる。尚、On/Off動作1周期の間にモーター回転数は変化しないと仮定している。
モーターの電圧降下の縮小分ΔVMによりT1のドレイン電圧VDS(ソースが接地されているので、ドレイン〜ソース間電圧に等しい)は上昇し始める。T1のゲート〜ドレイン間電圧がΔVMだけ拡大し、ゲート〜ドレイン間容量CGDがΔVMだけ充電される。この充電によりゲートに電荷が供給されるので、R32を通して電荷が放電されてもゲート電荷は減少しない。従って、ゲート〜ソース間電圧VGSは実質的にほとんど減少しない。これがMiller効果である。
R32を通しての放電が続くとVDSは増加し、基準電圧VHを超えるとT31がオフし、T1のゲートには電源電圧VBから抵抗R31とR32を経由して電流が流れ、ゲートは充電され始める。ゲートの充電によりゲート〜ソース間電圧VGSが増加し始めるとIDが増加し、ゲート電荷放電の場合と同じようにMiller効果により、ゲート電荷が吸収される。このためゲート〜ソース間電圧VGSは実質的にほとんど変化しない。すなわち、R31とR32を経由して充電される電荷はMiller効果によりキャンセルされる。ゲートの充電が進むとVDSが低下し、基準電圧VLを下回るとCMP3出力がLになり、T1はオフ状態に入る。
Miller効果によりT1のゲートに電荷を供給するまたはキャンセルする電荷量は基準電圧VLとVHで決まり、一定量である。この電荷量をゲート回路が充電し、その後放電するに要する時間がOn/off動作の1周期になる。ゲートの充電時間は電源電圧とゲート抵抗R31+R32で決まり、放電時間はゲート抵抗R32で決まる。すなわちOn/Off動作の周期は基準電圧VLとVH、電源電圧VB、およびゲート抵抗R31とR32により決まる。従って、On/Off動作の周期はゲート抵抗、より具体的には抵抗R32を変えることにより変更できる。
3.挟み込み判定回路6の説明
3−1.挟み込み判定回路6の回路構成
図8の挟み込み判定回路6は、入力端子が電流制限回路7のCMP3の出力端子に接続され、80μ秒間カウントしないとリセットする16パルスカウンタで構成できる。
3−2、挟み込み判定回路6の動作説明
パワーウインド挟み込み防止装置は、電流検出回路2で挟み込みを検知し、電流制限回路7で電流制限してモーター電流IDを一定範囲に保った後、挟み込み判定回路6で挟み込みか否かを判定する。その判定方法について説明する。挟み込みによりモーター回転数が低下してくるとT1のOn/Off動作期間が長くなり、T1の連続On期間が短くなる。この特性を利用して、挟み込みか否かを判定する。具体的な判定方法は下記の3通りがある。
(a)連続On期間とOn/Off動作期間の比を検出して一定値に達したら挟み込みと判定する。連続On期間、およびOn/Off期間はCMP2出力で判る。CMP2の出力がHレベルであれば連続Onで、LレベルであればOn/Off動作である。従ってCMP2の出力をアナログ信号として平均化すれば目的とする比を検出できる。
(b)連続On期間またはOn/Off動作期間を計時して、一定値に達したら挟み込みと判定する。CMP2の出力のH期間またはL期間を計時して判定する。
(c)On/Off動作期間内のOn/Off回数をカウントして、一定値に達したら挟み込みと判定する。図8に示すように、CMP3の出力レベルの立ち上がり回数をカウントし、図8の例では16パルスに達すると挟み込みと判定する。このとき連続Onの期間を含んでカウントしないように、パルスが一定期間途切れたら、カウンタをリセットするようにしている。図8の例では80μs間、CMP3出力が変化しないとカウンタをリセットする。挟み込みと判定するときの回転数は、挟み込み発生以前の回転数より約60%低下した状態に設定している。この設定値は悪路等で発生する衝撃的負荷変動による回転数の落ち込みでは発生しないレベルの値である。
●挟み込み判定値の設定方法について
挟み込み判定値の設定方法についてまとめると次のようになる。
(i)悪路等で生じる衝撃的負荷変動によるモーター回転数の落ち込みでは発生しないレベルに判定値を設定する。
(ii)On/Off動作の継続期間はT1のオフ遅れ時間とCMP1に用いるオペアンプの応答性に依存するので、これらの特性の標準値を前提にして上記判定値に相当するOn/Off回数を決め、カウンタ値を設定する。
(iii)T1のオフ遅れ時間とオペアンプ応答性がばらついて判定値を調整する必要があるときはT1のゲート直列抵抗を変更してOn/Off動作の周期を変化させることにより、これらのばらつきに対処する。T1のオフ遅れ時間とオペアンプの応答性がばらついても、これによりカウンタ値を固定することが可能になる。カウンタ値の固定はIC化する場合に好都合である。
●On/Off動作時におけるモーター回転数の変化について
モーター回転数の低下によりOn/Off動作期間が長くなり、連続On期間が短くなると説明してきたが、これには仮定があった。すなわち、On/Off動作1周期でモーター回転数がほとんど変化しないという仮定である。これはOn/Off動作時でもモーターは一定の力でガラスを押しつづけているという方法で実現させている。On/Off動作時のモーター端子間電圧はVB−VDSonoffあるので、モーター出力をPmとすると式14のようになる。
Pm=(VB−VDSonoff)*ID−Ra*ID2
=(VB−VDSonoff−Ra*ID)*ID
=(Emotor−Eonoff)*ID …式14
式14より次のことが判る。
(i)On/Off動作中、モーターは回転数に関わらずほぼ一定の出力を出している。
(ii)On/Off動作では連続On時よりVDSonoff*IDだけ出力が低下する。
すなわち、On/Off動作中もモーターは一定の出力を出し、ウインドガラスを駆動している。これはウインドガラスを押し続けていることを意味し、モーター回転数は常にウインドガラスの速度とリンクしている。ウインドガラスの動きはゆっくりしているので、On/Off1周期ではほとんど変化しない。従ってOn/Off1周期ではモーター回転数もほとんど変化しないことになり、仮定は成立する。
上述のパワーウインド挟み込み防止装置ならびに特許文献1に開示されている他の実施形態および変形例によれば、異物の挟まれを誤認無く迅速に判定してモーター電流を制限できるが、パワーウインドモーターの動作中に、例えば、ウインドガラスの建付け状態やウインドガラス枠の経年変化等による瞬間的なフリクション増加で生じるモーター回転数の落ち込み、車両の悪路走行等による瞬間的な衝撃的負荷変動で生じるモーター回転数の落ち込み、等によりモーター電流が瞬間的に急増した際の誤停止防止ならびに誤反転防止性能を向上させると更に好ましい。具体的には、図12に一例が示されるようにパワーウインド挟み込み防止装置がモーター電流IDの瞬間的な急増に伴い誤停止動作ならびに誤反転動作しないことが望まれる。図12は、例えば衝撃等によりモーター電流IDが瞬間的に急増し、それを異物の挟み込みとしてパワーウインド挟み込み防止装置が誤認するに至る例をモーター電流ID、リファレンス電流Iref、CMP2の出力(CPOUT_B)、T1(nMOSFET)のゲート電圧、CMP3の出力(DUMMY)、およびT1のドレイン〜ソース間電圧(VDS)それぞれの推移を用いて示している。図12に示されるように、急激なモーター電流IDの変化(即ち、(1)の状態)にリファレンス電流Irefが追随出来ず挟まれと検知されてCPOUT_BがHレベルからLレベルに推移し、これに伴いT1のゲート電圧がHレベルからLレベルとなってT1がOff状態へ向かう。このT1がOff状態へ向かう過程でVDSが約3/4VBまで上昇するとDUMMYがLレベルからHレベルに推移すると共にT1のゲート電圧がLレベルからHレベルとなってT1がOn状態へ向かう。このT1がOn状態へ向かう過程でVDSが約1/4VBまで低下するとDUMMYがHレベルからLレベルに推移すると共にT1のゲート電圧がHレベルからLレベルとなり、再びT1がOff状態へ向かう。このようにして電流制限回路8のOn/Off動作は繰り返される。挟み込み判定回路6は、DUMMYのパルスの立ち上がり回数をカウントして、その回数が例えば80μsの間に一定値(例えば、16パルス)に達したら挟まれと判定する。図12に示されるように、DUMMYのパルスの立ち上がり回数が一定値に達して、挟み込み判定回路6が挟まれと誤検出(誤判定)してしまうと、パワーウインドモーター5は停止させられた後、反転させられる。モーター電流IDは、パワーウインドモーター5の停止時、0Aとなり、そしてパワーウインドモーター5の反転起動時、急増して(即ち、突入電流となり)、その後安定する(即ち、(2)の状態)。尚、パワーウインドモーター5の停止時、CPOUT_BはLレベルからHレベルに推移し、これに伴いT1のゲート電圧がHレベルからLレベルとなってVDSがVBと等しくなりHレベルのDUMMYが維持される。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ウインドガラスによる異物の挟み込みをモーター電流の変化から検出するパワーウインド挟み込み防止装置において、異物の挟まれからモーター電流に生じる異常電流を誤認無く確実に検出してモーター電流を制限する改良されたパワーウインド挟み込み防止装置を提供することにある。
前述した目的を達成するために、本発明のパワーウインド挟み込み防止装置は、請求項1に記載したように、
正転・反転可能なパワーウインドモーターと、前記パワーウインドモーターに流れるモーター電流を検出する電流検出回路と、前記モーター電流の増加量が所定値を超えた際に前記電流検出回路から出力される電流制限制御信号を受けて前記モーター電流をOn/Off動作により減少させる電流制限回路と、前記電流制限回路から出力される前記On/Off動作の回数をパルス数で示すOn/Off回数カウント用信号をカウントすることによってパワーウインドの挟み込みを判定し前記パワーウインドモーターを反転させる挟み込み判定回路と、を備えたパワーウインド挟み込み防止装置において
前記挟み込み判定回路が、前記On/Off回数カウント用信号の1回目のパルスを受けた際、前記電流制限回路のOn/Off動作を予め定められた一定時間の終了時まで禁止するマスク信号を出力し、
そして、前記電流制限回路が、前記予め定められた一定時間の終了時に、前記モーター電流の増加量が所定値を超えていることを示す前記電流制限制御信号を受けている場合、On/Off動作を行なって前記モーター電流を減少させるとともに、前記挟み込み判定回路が、前記On/Off動作の回数をパルス数で示すOn/Off回数カウント用信号をカウントしてカウント回数が一定値に達したら挟み込みと判定し、前記パワーウインドモーターを反転させることを特徴としている。
請求項1に記載の発明によれば、パワーウインド挟み込み防止装置において、電流制限回路が、モーター電流をOn/Off動作により減少させ且つ当該On/Off動作回数をパルス数で示すOn/Off回数カウント用信号を挟み込み判定回路に出力し、当該挟み込み判定回路が、On/Off回数カウント用信号の1回目のパルスを受けた際、電流制限回路のOn/Off動作を予め定められた一定時間の終了時まで禁止するマスク信号を出力し、そして、電流制限回路が、前記予め定められた一定時間の終了時に、モーター電流の増加量が所定値を超えていることを示す電流制限制御信号を受けている場合、On/Off動作を行なってモーター電流を所定の範囲で減少させるので、異物の挟まれからモーター電流に生じる異常電流を誤認無く確実に検出してモーター電流を制限することができる。また、パワーウインドモーターの動作中に、異物の挟み込みが生じていないにも拘わらず、例えば、ウインドガラスの建付け状態やウインドガラス枠の経年変化等による瞬間的なフリクション増加で生じるモーター回転数の落ち込み、車両の悪路走行等による瞬間的な衝撃的負荷変動で生じるモーター回転数の落ち込み、等によりモーター電流が瞬間的に急増した際のパワーウインド挟み込み防止装置の誤停止防止ならびに誤反転防止性能が向上する。
本発明によれば、パワーウインド挟み込み防止装置において、電流制限回路が、モーター電流をOn/Off動作により減少させ且つ当該On/Off動作回数をパルス数で示すOn/Off回数カウント用信号を挟み込み判定回路に出力し、当該挟み込み判定回路が、On/Off回数カウント用信号の1回目のパルスを受けた際、電流制限回路のOn/Off動作を予め定められた一定時間の終了時まで禁止するマスク信号を出力し、そして、電流制限回路が、前記予め定められた一定時間の終了時に、モーター電流の増加量が所定値を超えていることを示す電流制限制御信号を受けている場合、On/Off動作を行なってモーター電流を所定の範囲で減少させるので、異物の挟まれからモーター電流に生じる異常電流を誤認無く確実に検出してモーター電流を制限することができる。また、パワーウインドモーターの動作中に、異物の挟み込みが生じていないにも拘わらず、例えば、ウインドガラスの建付け状態やウインドガラス枠の経年変化等による瞬間的なフリクション増加で生じるモーター回転数の落ち込み、車両の悪路走行等による瞬間的な衝撃的負荷変動で生じるモーター回転数の落ち込み、等によりモーター電流が瞬間的に急増した際のパワーウインド挟み込み防止装置の誤停止防止ならびに誤反転防止性能が向上する。
以上、本発明について簡潔に説明した。更に、以下に説明される発明を実施するための最良の形態を添付の図面を参照して通読することにより、本発明の詳細は更に明確化されるであろう。
以下、本発明に係る好適な実施形態を添付図面に基づき詳細に説明する。図1は本発明に係る一実施形態であるパワーウインド挟み込み防止装置を模式的に示す回路図、図2はパワーウインドの動作中における挟まれ発生から図1のパワーウインド挟み込み防止装置により挟まれが検出されるまでに至るモーター電流ID、第2基準電圧Vins、第3基準電圧Vc、およびコンパレータCMP2の出力(CPOUT_B)それぞれの推移を示す特性図(タイミングチャート)、図3は図1のパワーウインド挟み込み防止装置における挟み込み判定回路6aおよび電流制限回路7aの動作例を模式的に示す動作フローチャート、図4は挟み込み判定回路6aによるマスク制御動作を模式的に示す動作フローチャート、そして図5はパワーウインドモーターの動作中における図1のパワーウインド挟み込み防止装置の挟み込み判定回路6aおよび電流制限回路7aによる制御動作をモーター電流ID、リファレンス電流Iref、CMP2の出力(CPOUT_B)、T1のゲート電圧、CMP3の出力(DUMMY)、挟み込み判定回路6a(カウンター回路6b)の出力(MASK)、およびT1のドレイン〜ソース間電圧(VDS)それぞれの推移を用いて示す特性図(タイミングチャート)である。
図1に示される本発明のパワーウインド挟み込み防止装置は、図8のパワーウインド挟み込み防止装置を既に説明したように図7(c)の如く変形し、ダイオードD21に代えて抵抗を用いて変形した電流検出回路の一例(2a)と、80μsタイマ機能を取り除き且つマスクタイマ機能を付加した挟み込み判定回路の一例(6a)と、挟み込み判定回路6aに対応して変形した電流制限回路の一例(7a)と、を備える。尚、更に本発明のパワーウインド挟み込み防止装置の電流検出回路2aでは、シャント抵抗R1とリファレンス抵抗R20がパワーウインドモーター5のロウサイド(即ち、接地側)に配置され、これに応じて電流追随回路の回路構成も変更されている。
図1に示されるように、本発明のパワーウインド挟み込み防止装置は、正転・反転回路を備えたパワーウインドモーター5に流れるモーター電流IDの増加を検出する電流検出回路2aと、モーター電流IDの増加量が所定値を超えた際に電流検出回路2aから出力される電流制限制御信号CPOUT_Bに従ってモーター電流IDを所定の範囲で減少および増加させる電流制限回路7aと、当該電流制限回路7aとパワーウインドモーター5とに接続され、モーター電流IDの増加から挟まれを判定してパワーウインドモーター5を反転させる挟み込み判定回路6aと、を備えている。尚、パワーウインドモーター5の回路構成は図8のパワーウインド挟み込み防止装置の回路構成と実質的に同じである。
電流検出回路2aは、パワーウインドモーター5および電流制限回路7aに直列に接続され且つ一端が電源供給装置VBのマイナス端子(即ち、接地端子;グランド)に接続されてモーター電流IDが電源供給装置VBから流されるシャント抵抗R1と、該シャント抵抗R1のn倍の抵抗値を有し、一端が電源供給装置VBのマイナス端子に接続されたリファレンス抵抗R20と、該リファレンス抵抗R20およびシャント抵抗R1それぞれの他端に接続され、該シャント抵抗R1に掛かる電圧に基づいて、リファレンス抵抗R20に流すリファレンス電流Irefを増減させる電流追随回路3aと、電流追随回路3aにプラス入力端子とマイナス入力端子が接続し且つ出力端子が電流制限回路7aのOR2の入力端子に接続するコンパレータ(第2のコンパレータ)CMP2と、5V電源とCMP2の出力端子間に接続されて電流制限制御信号CPOUT_Bをプルアップする抵抗R25と、を有している。
電流追随回路3aは、モーター電流IDのn分の1となるリファレンス電流の増減を制御するリファレンス電流制御回路を有する。当該リファレンス電流制御回路は、電線1に一端が接続された抵抗R24と、当該抵抗R24の他端に一端が接続され且つその抵抗R24との接続線にCMP2のプラス入力端子が接続された抵抗R27と、当該抵抗R27の他端にドレイン端子が接続され且つソース端子がリファレンス抵抗R20の他端に接続されるように抵抗R27とリファレンス抵抗R20との間に設けられたnMOSFETT22と、当該T22のソース端子にプラス入力端子が接続され且つ出力端子がT22のゲート端子に接続されたオペアンプAMP1と、当該オペアンプAMP1のマイナス入力端子に一端が接続され且つ他端がシャント抵抗R1の他端に接続された抵抗R29と、電線1に一端が接続された抵抗R23と、当該抵抗R23の他端にエミッタ端子が接続され且つコレクタ端子がT22のソース端子に接続されたPNP型のバイポーラトランジスタT23と、当該T23のエミッタ端子にマイナス入力端子が接続され、出力端子がT23のベース端子に接続され、そしてプラス入力端子がCMP2のマイナス入力端子に接続されたオペアンプAMP2と、を含む。
オペアンプAMP1は、シャント抵抗R1に流れるモーター電流IDの増減に応じてT22からリファレンス抵抗R20に電流Iref-fが流されるように、出力端子からT22のゲート端子に適宜な電圧を印可して制御する。この制御では、モーター電流IDが増加すると瞬時にAMP1の入力端子電圧が高くなるのでAMP1からT22のゲート端子に印加される電圧が高くなって電流Iref-fが多く流され、そして逆にモーター電流IDが減少するとAMP1の入力端子電圧が瞬時に低くなるのでAMP1からT22のゲート端子に印加される電圧が低くなって電流Iref-fが少なくなる。尚、AMP1のマイナス入力端子とシャント抵抗R1との間には抵抗R29が設けられているが、この抵抗R29はAMP1の入力インピーダンス調整用抵抗であり、設けなくてもよい。抵抗R29を設けない場合、シャント抵抗R1とリファレンス抵抗R20それぞれに掛かる電圧が常に等しくなるようにリファレンス電流Irefがリファレンス抵抗R20に流されることとなる。
電流追随回路3aは、更に、オペアンプAMP2のプラス入力端子にマイナス入力端子が接続され且つプラス入力端子がT22のドレイン端子(即ち、抵抗R27の他端)に接続された第1のコンパレータCMP1、および充放電回路を有する。当該充放電回路は、一端が電線1に接続され且つ他端がCMP1のマイナス入力端子に接続されたコンデンサC1と、当該コンデンサC1と並列接続され、入力側端子が電線1に接続された第1の電流源AS1と、当該電流源AS1の出力側端子に接続され且つCMP1の出力端子に接続されて当該CMP1の出力に従いOn/Off動作する半導体スイッチSSW1と、当該半導体スイッチSSW1に入力側端子が接続され且つ出力側端子が電源供給装置VBのマイナス端子に接続された第2の電流源AS2と、を含む。
電流追随回路3aでは、T22のドレイン端子(即ち、抵抗R27の他端)の電位である第1基準電圧Vc2がコンパレータCMP1のプラス入力端子に印加される。また、CMP2のプラス入力端子に印加される第2基準電圧Vinsは抵抗R27の分だけVc2よりも高い電圧値を示す。また、Vc2の平均値となるように制御されて第3基準電圧VcがコンデンサC1の充放電により生成され、CMP1のマイナス入力端子ならびにCMP2のマイナス入力端子に印加される。Vc2、VinsならびにVcは、リファレンス電流Irefがリファレンス電流制御回路を通ることによって生成され、VcとVc2との差はVcとVinsとの差に比例するようになっている。
オペアンプAMP2は、電流Iref-sの電流値が、抵抗R23の両端に掛かる電圧(即ち、電線1の電位とVcとの差分電圧)をR23の抵抗値で割ったものであるので、その出力端子からT23のベース端子に適宜な電圧を印可して抵抗R23に電流Iref-sが流れるようにT23を制御する。この制御では、モーター電流IDが増加するとAMP2の入力端子電圧(Vc)が主にコンデンサC1の充放電によって遅れて低くなるのでAMP2からT23のベース端子に印加される電圧がゆっくりと低くなって電流Iref-sが多く流され、そして逆にモーター電流IDが減少するとAMP2の入力端子電圧(Vc)が主にコンデンサC1の充放電によって遅れて高くなるのでAMP2からT23のベース端子に印加される電圧がゆっくりと高くなって電流Iref-sが少なくなる。
尚、リファレンス抵抗R20に流れるリファレンス電流Irefは、抵抗R24および抵抗R27に流れる電流Iref-fと抵抗R23に流れる電流Iref-sの合計であり、図8の回路構成の場合と同様にモーター電流IDの数千〜数万分の1に相当する電流であって、モーター電流IDと同様に脈動している。Vinsは抵抗R24と抵抗R27との間の電位を示すものであり、このVinsから抵抗R27により或る値だけ電圧降下した電位がVc2であるので、このVc2もVinsと同様に脈動する。但し、VinsとVc2の脈動波形が、モーター電流IDの脈動波形に対して反転されることは言うまでもない。
CMP1は、Vc2の脈動電圧がVc以上になるとHレベルの信号を出力し、そしてVc2がVc以下になるとLレベルの信号を出力する。このようにCMP1はHレベルとLレベルといった2つの電圧レベルを交互に推移させる信号を出力する。CMP1からHレベルの出力信号を半導体スイッチSSW1が受けると、回路がオープンされて第1の電流源AS1からの電流IによりコンデンサC1が充電される。一方、CMP1からLレベルの出力信号を半導体スイッチSSW1が受けると、回路がショートされて第2の電流源AS2からグランドへ前記電流Iの2倍の電流2Iが流れることにより、第1の電流源AS1から第2の電流源AS2へ電流Iが流れ、そしてコンデンサC1からは電流Iが第2の電流源AS2へ流れて当該コンデンサC1が放電させられる。このようにして充放電回路において安定した基準電圧VcがコンデンサC1の充放電により生成されVinsに追随するように制御される。
図1のパワーウインド挟み込み防止装置では、図2に示されるように、ウインドガラスのアップ動作中に挟まれが発生してモーター電流IDが急増すると、モーター電流IDの瞬時値を示すCMP2のプラス入力端子電圧(Vins)が下がり、コンデンサC1の充放電のためVinsの低下に遅れながらも追随してCMP2のマイナス入力端子電圧(Vc)もゆっくりと下がっていく。そしてVinsとVcとがクロスし(即ち、Vinsの電位がVcの電位以下となり)、このクロスしている間CMP2の出力(CPOUT_B)がHレベルからLレベルへと推移する。そしてCPOUT_BがLレベルとなったとき、電流制限回路7aにおいて半導体スイッチング素子T1がOn/Off制御され、このOn/Off動作期間内のOn/Off回数を挟み込み判定回路6aが電流制限回路7aのCMP3の出力パルスの立ち上がり回数を基にカウントして、一定値(例えば、16パルス)に達したら挟まれと判定する。
電流制限回路7aは、出力端子が信号線10に接続され且つ当該出力端子からDUMMY(On/Off回数カウント用信号)を出力するコンパレータ(第3のコンパレータ)CMP3と、当該CMP3の出力端子と5V電源間に接続されてDUMMYをプルアップする抵抗R37と、CMP3の出力端子、プラス入力端子、およびマイナス入力端子に接続された基準電圧回路8aと、ドレイン端子が基準電圧回路8aおよびパワーウインドモーター5に接続され、そしてソース端子がシャント抵抗R1の他端に接続された半導体スイッチング素子(本実施形態ではnMOSFETを用いた。)T1と、信号線9および信号線10に接続されてCPOUT_BおよびDUMMYが入力され且つT1のゲート端子に接続されてT1のOn/Off動作を制御する半導体スイッチング素子制御回路7bと、を含む。このように電流制限回路7aには、図8のパワーウインド挟み込み防止装置の電流制限回路7と比較して、NOR1、T31、R31、およびR32が設けられていない代わりに半導体スイッチング素子制御回路7bが設けられている。いずれにしても、電流制限回路7aはCMP2の出力(CPOUT_B)がLレベルでないとCMP3からHレベルのDUMMYが出力されないように構成されている。
挟み込み判定回路6aは、信号線9、信号線10、信号線11(パワーウインドモーター5)、および電流制限回路7aの半導体スイッチング素子制御回路7bに接続されている。この挟み込み判定回路6aは、信号線9および信号線10に接続されてCPOUT_BおよびDUMMYがそれぞれ入力され且つ半導体スイッチング素子制御回路7bへマスク信号MASKを送出するカウンター回路(マスクタイマ制御回路)6bを備えている。このカウンター回路6bは、DUMMYおよびCPOUT_Bそれぞれの電圧レベルを監視する。カウンター回路6bは、DUMMYがLレベルからHレベルになると、予め定められた一定時間(マスク期間)Tmの終了時まで、HレベルのMASKを出力する。このHレベルのMASKの出力はDUMMYの1回目のパルスの立ち上がりエッジをトリガーとして開始される。そしてカウンター回路6bは、一定時間Tmの終了と同時にMASKをLレベルにして、そのときCPOUT_BがLレベルであればDUMMYのパルス数のカウントを開始する。このカウンター回路6bのカウント動作はCPOUT_BがLレベルとなっている期間実行されるが、そのカウント数は、CPOUT_BがLレベルからHレベルになる際の立ち上がりエッジを検出する都度クリア(即ち、0(ゼロ)にリセット)される。尚、一定時間Tmは、パワーウインド(サンプル)を用い、ウインドガラスの建付け状態やウインドガラス枠の経年変化等による瞬間的なフリクション増加で生じるモーター回転数の落ち込み、車両の悪路走行等による瞬間的な衝撃的負荷変動で生じるモーター回転数の落ち込み、等により異物の挟み込みが生じていないにも拘わらずモーター電流IDが瞬間的に急増する期間を予め測定して、当該期間よりも僅かに長くなるような値でカウンター回路6bの記憶領域にプリセットされている。この一定時間Tmは例えば5.6ms(Typ.)である。尚、カウンター回路6bは、複数のマスク期間Tmが連続して生じないように、DUMMYの1回目のパルスの立ち上がりエッジから予め定められた一定時間Ts(例えば96ms(Typ.))の終了時までは次のマスク動作を行なわない(即ち、時間Tsから時間Tmを差し引いた期間はMASKをHレベルにしない)ように構成されている。
半導体スイッチング素子制御回路7bは、一方の入力端子が信号線9を介してCMP2の出力端子に接続されてCPOUT_Bが入力され、そして他方の入力端子が信号線10を介してCMP3の出力端子に接続されてDUMMYが入力される第1OR回路(第1論理和回路)OR2と、一方の入力端子がカウンター回路6bの出力端子に接続されてMASKが入力され、そして他方の入力端子がOR2の出力端子に接続された第2OR回路(第2論理和回路)OR3と、当該OR3の出力端子に一方の入力端子が接続され、そして他方の入力端子にウインドガラスの閉動作を指示するウインドアップ信号(Up)が入力されるAND回路(論理積回路)AND3と、当該AND3の出力端子に一方の入力端子が接続され、そして他方の入力端子にウインドガラスの開動作を指示するウインドダウン信号(Down)が入力される第3OR回路(第3論理和回路)OR4と、を有している。
基準電圧回路8aは、一端が電線1に接続され且つ他端がCMP3のマイナス入力端子に接続された抵抗R35と、一端がCMP3のマイナス入力端子に接続され且つ他端が電源供給装置VBのマイナス端子に接続された抵抗R36と、一端がCMP3のプラス入力端子に接続され且つ他端がT1のドレイン端子に接続された抵抗R38と、一端が電線1に接続され且つ他端がT1のドレイン端子に接続された抵抗R33と、一端がCMP3のマイナス入力端子に接続された抵抗R34と、当該R34の他端にドレイン端子が接続され、ソース端子が電源供給装置VBのマイナス端子に接続され、そしてゲート端子がCMP3の出力端子に接続されたFETT32と、を有している。この基準電圧回路8aは、図8のパワーウインド挟み込み防止装置の基準電圧回路8と比較して、ダイオードD31を持たないが、これに応じて抵抗R33および抵抗R38が電流制限回路7aに設けられているので、その動作は基準電圧回路8とほぼ同じと考えてよい。
次に、挟み込み判定回路6a(特にカウンター回路6b)および電流制限回路7a(特に半導体スイッチング素子制御回路7b)の動作例を図3に示される動作フローチャートを参照しながら説明する。先ず、ウインドアップ信号(Up)がHレベルとなってウインドガラスの閉動作が指示されているパワーウインドモーター5の動作中において(即ち、ステップS1がYes)、VinsとVcとがクロスしない、電流検出回路2aのCMP2の出力(CPOUT_B)がHレベル(即ち、ステップS2がNo)のときは、CMP3の出力(DUMMY)がLレベルであるので半導体スイッチング素子制御回路7bのOR2の出力はHレベルである。このとき、DUMMYがLレベルであるためカウンター回路6bからはLレベルのMASKが出力されているのでOR3の出力はHレベルである。よって、AND3の出力はHレベル、そしてウインドダウン信号(Down)はLレベルであるので、OR4の出力(即ち、T1のゲート電圧)はHレベルである(即ち、ステップS6)。尚、ウインドダウン信号(Down)がHレベルとなってウインドガラスの開動作が指示されているパワーウインドモーター5の動作中において、VinsとVcとがクロスしない、CPOUT_BがHレベルのときも、DUMMYがLレベルであるのでOR2の出力はHレベルである。このとき、DUMMYがLレベルであるためカウンター回路6bからはLレベルのMASKが出力されているのでOR3の出力はHレベルであり、そしてウインドアップ信号(Up)がLレベルであるので、AND3の出力はLレベルである。よって、OR4の出力(即ち、T1のゲート電圧)はHレベルである。
次に、ウインドアップ信号(Up)がHレベルとなってウインドガラスの閉動作が指示されているパワーウインドモーター5の動作中において(即ち、ステップS1がYes)、異物の挟み込みによるモーター電流IDの急増にリファレンス電流Irefが追随できずVinsとVcとがクロスすると、CPOUT_BがHレベルからLレベル(即ち、ステップS2がYes)になる。このときマスク期間Tm内(ステップS3がYes)、即ち、MASKがHレベルであれば、T1のゲート電圧がHレベルとなり、他方、マスク期間Tm内でなければ(ステップS3がNo)、即ち、MASKがLレベルであれば、ステップS4へ進む。ステップS4において、DUMMYがLレベルであれば、ステップS5へ進んでT1のゲート電圧がLレベルとなり、他方、DUMMYがLレベルでなければ、ステップS6へ進んでT1のゲート電圧がHレベルとなる。
挟み込み判定回路6a(カウンター回路6b)によるマスク制御動作は、図4に模式的に示されるように、DUMMYの1回目のパルスの立ち上がりエッジを検出すると(即ち、ステップS11がYes)、ステップS12へ進んでMASKをHレベルにして、それを一定時間Tm終了時まで維持し(即ち、ステップS13)、MASKをLレベルにするというものである。
図5には、パワーウインドモーター5の動作中において挟まれが発生していないにも拘わらずモーター電流IDが瞬間的に急増したときの挟み込み判定回路6aおよび電流制限回路7aによる作用・効果が示されている。図5に示されるように、パワーウインドモーター5の動作中に、例えば、ウインドガラスの建付け状態やウインドガラス枠の経年変化等による瞬間的なフリクション増加で生じるモーター回転数の落ち込み、車両の悪路走行等による瞬間的な衝撃的負荷変動で生じるモーター回転数の落ち込み、等によりモーター電流IDが瞬間的に急増し且つ、この急激なモーター電流IDの変化にリファレンス電流Irefが追随出来ないと、CPOUT_BがHレベルからLレベルに推移し、これに伴いT1のゲート電圧がHレベルからLレベルとなってT1がOff状態へ向かう。このT1がOff状態へ向かう過程でVDSが約3/4VBまで上昇すると、DUMMYがLレベルからHレベルに推移すると共にMASKがLレベルからHレベルとなるのでT1のゲート電圧がLレベルからHレベルとなる。MASKは一定時間Tm内Hレベルとなるので、この一定時間Tm内はT1のゲート電圧もHレベルを維持されてT1が連続On状態(VDSがほぼ0(ゼロ)V)となる。この一定時間Tm終了時、図5に示されるように、CPOUT_BがHレベルとなっていれば、定常状態のモーター電流IDにリファレンス電流Irefが追随し、T1のゲート電圧がHレベル、そしてDUMMYがLレベルのまま推移する。このように、モーター電流IDが瞬間的に急増しても、挟み込み判定回路6aからHレベルのマスク信号MASKが出力される一定時間Tm内は電流制限回路7aのOn/Off動作が禁止されてDUMMYのパルス数(換言すれば、ゲート電圧パルス数)が増加しないため、T1のOn/Off動作が抑制されて、パワーウインドモーター5の誤停止ならびに誤反転が防止されている。
また、図5には、挟まれが発生したときの挟み込み判定回路6aおよび電流制限回路7aによる作用も示されている。図5に示されるように、挟まれが発生してモーター電流IDが急増し、このモーター電流IDの急増にリファレンス電流Irefが追随出来ずCPOUT_BがHレベルからLレベルに推移すると、これに伴いT1のゲート電圧がHレベルからLレベルとなってT1がOff状態へ向かう。このT1がOff状態へ向かう過程でVDSが約3/4VBまで上昇すると、DUMMYがLレベルからHレベルに推移すると共にMASKがLレベルからHレベルとなるのでT1のゲート電圧がLレベルからHレベルとなる。MASKは一定時間Tm内Hレベルとなるので、この一定時間Tm内はT1のゲート電圧もHレベルを維持されてT1が連続On状態(VDSがほぼ0(ゼロ)V)となる。この一定時間Tmの終了時、半導体スイッチング素子制御回路7bが受けているCPOUT_Bが図5に示されるようにLレベルである場合、MASKは一定時間Ts経過しない限り再度Hレベルにはならないので、再びT1のゲート電圧がHレベルからLレベルとなってT1がOff状態へ向かう。このT1がOff状態へ向かう過程でVDSが約3/4VBまで上昇するとDUMMYがLレベルからHレベルに推移すると共にT1のゲート電圧が再びLレベルからHレベルとなってT1がOn状態へ向かう。このT1がOn状態へ向かう過程でVDSが約1/4VBまで低下するとDUMMYがHレベルからLレベルに推移すると共にT1のゲート電圧がHレベルからLレベルとなり、再びT1がOff状態へ向かう。このようにして電流制限回路7aはOn/Off動作を繰り返してモーター電流IDを所定の範囲で減少させ、そして挟み込み判定回路6a(カウンター回路6b)が、DUMMYのパルスの立ち上がり回数をカウントして、その回数が一定値(例えば、16パルス)に達したら挟まれと判定し、パワーウインドモーター5が停止させられた後、反転させられる。
尚、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形,改良,等が可能である。その他、前述した実施形態における各構成要素の形態,数,配置個所,等および数値,波形,等は本発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。
本発明に係る一実施形態であるパワーウインド挟み込み防止装置を模式的に示す回路図である。 パワーウインドの動作中における挟まれ発生から図1のパワーウインド挟み込み防止装置により挟まれが検出されるまでに至るモーター電流、第2基準電圧、第3基準電圧、およびコンパレータの出力それぞれの推移を示す特性図(タイミングチャート)である。 図1のパワーウインド挟み込み防止装置における挟み込み判定回路および電流制限回路の動作例を模式的に示す動作フローチャートである。 挟み込み判定回路によるマスク制御動作を模式的に示す動作フローチャートである。 パワーウインドモーターの動作中における図1のパワーウインド挟み込み防止装置の挟み込み判定回路および電流制限回路による制御動作をモーター電流、リファレンス電流、CMP2の出力、T1のゲート電圧、CMP3の出力、カウンター回路の出力、およびT1のドレイン〜ソース間電圧、それぞれの推移を用いて示す特性図(タイミングチャート)である。 従来のパワーウインド挟み込み防止装置のブロック図である。 従来のパワーウインド挟み込み防止装置の変形例を説明するためのブロック図である。 従来のパワーウインド挟み込み防止装置の回路図である。 従来のパワーウインド挟み込み防止装置の電流検出回路のOnoff動作を説明するための図である。 従来のパワーウインド挟み込み防止装置の電流制限回路の半導体スイッチング素子の動作を説明するための負荷線を付加した静特性曲線図である。 従来のパワーウインド挟み込み防止装置の電流制限回路の半導体スイッチング素子の動作を説明するための等価回路図である。 挟まれが生じていないにも拘わらずモーター電流IDが瞬間的に急増し、それを異物の挟み込みとして誤認するに至る例をモーター電流、リファレンス電流、CMP2の出力、T1のゲート電圧、CMP3の出力、およびT1のドレイン〜ソース間電圧、それぞれの特性の推移を用いて示す特性図(タイミングチャート)である。
符号の説明
5: パワーウインドモーター
ID: モーター電流
2a: 電流検出回路
CPOUT_B: 電流制限制御信号
7a: 電流制限回路
6a: 挟み込み判定回路
VB: 電源供給装置
R1: シャント抵抗
R20: リファレンス抵抗
3a: 電流追随回路
Vc2: 第1基準電圧
Vins: 第2基準電圧
Vc: 第3基準電圧
CMP1: 第1のコンパレータ
C1: コンデンサ
AS1: 第1の電流源
SSW1: 半導体スイッチ
AS2: 第2の電流源
CMP2: 第2のコンパレータ
CMP3: 第3のコンパレータ
8a: 基準電圧回路
6b: カウンター回路(マスクタイマ制御回路)
7b: 半導体スイッチング素子制御回路
DUMMY: On/Off回数カウント用信号
MASK: マスク信号
T1: 半導体スイッチング素子

Claims (1)

  1. 正転・反転可能なパワーウインドモーターと、前記パワーウインドモーターに流れるモーター電流を検出する電流検出回路と、前記モーター電流の増加量が所定値を超えた際に前記電流検出回路から出力される電流制限制御信号を受けて前記モーター電流をOn/Off動作により減少させる電流制限回路と、前記電流制限回路から出力される前記On/Off動作の回数をパルス数で示すOn/Off回数カウント用信号をカウントすることによってパワーウインドの挟み込みを判定し前記パワーウインドモーターを反転させる挟み込み判定回路と、を備えたパワーウインド挟み込み防止装置において
    前記挟み込み判定回路が、前記On/Off回数カウント用信号の1回目のパルスを受けた際、前記電流制限回路のOn/Off動作を予め定められた一定時間の終了時まで禁止するマスク信号を出力し、
    そして、前記電流制限回路が、前記予め定められた一定時間の終了時に、前記モーター電流の増加量が所定値を超えていることを示す前記電流制限制御信号を受けている場合、On/Off動作を行なって前記モーター電流を減少させるとともに、前記挟み込み判定回路が、前記On/Off動作の回数をパルス数で示すOn/Off回数カウント用信号をカウントしてカウント回数が一定値に達したら挟み込みと判定し、前記パワーウインドモーターを反転させることを特徴とするパワーウインド挟み込み防止装置。
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