JP4184183B2 - コーティング反射率の調整方法 - Google Patents
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Description
また、上記の点を解決するため、コーティング膜を堆積中に半導体レーザからの光出力をモニタし、これにより低反射膜特性を実現した例(非特許文献1)も開示されているが、0.1%以下の反射率では半導体レーザからの光出力のパワー変動が小さくなり、そのため膜厚制御は困難になっていた。
また、上記コーティング膜が2層低反射膜であることを特徴とすることができる。
(第1の実施の形態)
半導体光増幅器では利得が増加すると波長スペクトルにリップルが現れる。このリップルを抑制するには端面反射率を抑制することが必須となる。しかしながら、設計値からコーティング膜厚がずれると反射率が高くなるため、膜厚の制御性が重要となる。本発明の第1の実施形態として、TiOx膜とSiOx膜を使った反射防止膜を採用した。半導体光増幅器の上面にSiOx膜をコーティングし、下面にTiO x 膜をコーティングした後、その半導体光増幅器のスペクトル特性を測定し、その後に上面のSiOx膜を紫外レーザ光照射によるアブレーションでエッチングし、再度、そのスペクトル特性を測定してリップルの変化を調べた。
本発明の第2の実施形態として、前面側に設計反射率5%のAlOxコーティング膜、後面側(背面側)に設計反射率80%とするリッジ導波路型半導体レーザを用い、その前面側コーティング膜のエッチングをアブレーションにより実施した。
また、本実施形態では、同じエッチングはリニアなエッチングレートを持ち、再現性もあり、量産性にも優れている。
2 p−InGaAsPガイド層
3 n−InGaAsPガイド層
4 n−InP電流ブロック層
5 p−InP電流ブロック層
6 p−InPクラッド層
7 InGaAsPキャップ層
8 n−InP基板
9 SiNx絶縁膜
10 p電極
11 n電極
12 低反射膜
13 高反射膜
Claims (5)
- 半導体レーザ、半導体光増幅器、又は半導体光スイッチの光出射端面に形成された反射率制御用のコーティング膜に対して紫外レーザ光照射によるアブレーションでエッチングするエッチングステップと、
前記半導体レーザ、半導体光増幅器、又は半導体光スイッチのエッチング前後の閾値電流特性の変化又はスペクトルリップル特性の変化をモニタし、該エッチング前後の閾値電流特性の変化又はスペクトルリップル特性の変化から、前記コーティング膜が極小反射率又は極大反射率となる膜厚よりも厚いか薄いかを判定する評価ステップと
を有することを特徴とするコーティング反射率の調整方法。 - 半導体光導波路、又は平面光波回路の光出射端面又は光入射端面に形成された反射率制御用のコーティング膜に対して紫外レーザ光照射によるアブレーションでエッチングするエッチングステップと、
前記半導体光導波路、又は平面光波回路のエッチング前後のスペクトルリップル特性の変化をモニタし、該エッチング前後のスペクトルリップル特性の変化から、前記コーティング膜が極小反射率又は極大反射率となる膜厚より厚いか薄いかを判定する評価ステップと
を有することを特徴とするコーティング反射率の調整方法。 - 前記評価ステップにおいて前記コーティング膜が前記極小反射率又は極大反射率となる膜厚よりも厚いと判定された場合に、前記コーティング膜の反射率が所定の設計反射率になるまで、前記エッチングステップと前記評価ステップを繰り返す繰り返しステップをさらに有することを特徴とする請求項1または2に記載のコーティング反射率の調整方法。
- 前記繰り返しステップで得られたアブレーションの条件を用いて同じコーティングロットの他の素子に対して前記エッチングステップを同様に繰り返すことにより量産することを特徴とする請求項3に記載のコーティング反射率の調整方法。
- 前記コーティング膜が2層低反射膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の反射率の調整方法。
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