KR100464377B1 - 반도체 레이저 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 레이저 장치 및 그 제조방법 Download PDF

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KR100464377B1 KR10-2002-0011494A KR20020011494A KR100464377B1 KR 100464377 B1 KR100464377 B1 KR 100464377B1 KR 20020011494 A KR20020011494 A KR 20020011494A KR 100464377 B1 KR100464377 B1 KR 100464377B1
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region

Abstract

본 발명은 반도체 레이저 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소정 파장의 광을 발진시키기 위한 레이저 발진부와; 상기 광을 고정된 이득으로 증폭하기 위한 이득고정-증폭부로 구성되며, 상기 레이저 발진부는 반도체 기판 위에 형성된 제 1 및 제 2클래드층; 상기 제 1 및 제 2클래드층 사이에 개재된 활성층, 상기 제 2클래드층 위에 형성된 제 1상부전극; 및 상기 반도체 기판 배면에 형성된 하부전극을 포함하며, 상기 증폭부는 상기 반도체 기판의 나머지 영역에 선택적으로 형성된 회절격자층; 상기 제 1 및 제 2클래드층; 상기 활성층; 상기 제 1상부전극과 전기적/광학적으로 분리되어 형성된 제 2상부전극; 및 상기 하부전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 함으로써, 상온 이상의 고온에서 별도의 냉각장치 없이도 항상 일정한 출력을 갖는 비냉각식 레이저 장치로 동작하게 된다.

Description

반도체 레이저 장치 및 그 제조방법{Semiconductor Laser Diode and Method for Fabricating Therefor}
본 발명은 반도체 레이저 장치에 관한 것으로, 특히 광 정보 처리용으로써, 상온 이상의 고온에서 별도의 냉각장치 없이도 레이저의 특성이 나빠지지 않는 비냉각식 레이저 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
레이저는 강한 방향성의 단색성 빛을 제공하는 광학소자로써, 광통신용이나 광 정보처리 등에 반도체 레이저가 널이 사용되고 있다. 또한, 근거리 통신을 위한 1300nm 파장대의 액세스 네트워크(access network)용 광통신 소자로는 멀티모드(multi-mode)로 동작하는 FP-레이저 다이오드(Fabry-Perot cavity Laser Diode)가 주로 이용되고 있다.
도 1은 일반적인 FP-레이저 다이오드의 사시도로써, 반도체 기판(1)에 차례로 성장된 클래드층(7), SCH(separate confinement hetero-structure)층(8), MQW(multi-quantum well)층(9), SCH층(8), MQW층(9), 클래드층(7) 및 p-InP, n-InP 전류차단(current blocking)층(11), 콘택층(13), 절연층(14), 기판 상, 하부에 형성된 전극(14, 15), 고반사층(16)을 구비한다.
한편, 레이저의 기본적인 온도 특성의 척도가 되는 지표는 특성온도(characteristic temperature) 즉, T0가 있으며, 이는 임계전류(threshold current)의 동작 온도 의존성으로부터 구해지는 값으로 클수록 온도 변화에 덜 민감하므로 비냉각식 소자 제조시 적합하다. 비냉각식 소자란 상온(25℃) 이상의 고온에서 별도의 냉각장치 없이도 그 특성이 나빠지지 않는 소자를 일컫는다.
FP-레이저 다이오드의 활성층 형성을 위한 물질로 주로 이용되고 있는 InGaAsP 물질은 소자 기술은 성숙되어 있으나 기본적인 온도특성을 가늠하는 특성온도 T0가 50K 정도로 매우 낮다. 이로 인해, 냉각 디바이스로서는 전혀 문제가 없으나 넓은 온도범위(25℃ 내지 85℃)를 갖는 비냉각 디바이스로 사용하는 데에는 문제가 따른다. 비냉각 디바이스가 고온에서 동작할 때 생기는 가장 큰 문제점은 레이저의 광 특성이 나빠진다는 점으로, 발진 개시 전류는 커지고, 기울기 효율은 나빠지며, 따라서 광 출력도 줄어들게 된다는 점이다. 다음으로 대역폭(bandwidth)의 문제인데 레이저의 특성이 나빠지기 때문에 고온에서의 전송 밴드-갭이 줄어들게 되어 전송 속도 및 전송 거리에 나쁜 영향을 주게 된다.
이를 해결하기 위하여 현재, T0가 높은 물질계를 활성층으로 이용하는 비냉각식 FP-레이저를 만드는 연구가 진행되고 있으며, 지금까지 연구되고 있는 물질은 InGaAlAs나 InGaAsN가 주종을 이루고 있다. 이들 물질은 T0가 100K 정도로 InGaAsP 물질보다는 훨씬 우수하나 아직은 결정의 특성(crystal quality), 소자 구조, 소자 특성, 신뢰성 면에서 미흡한 점이 많아 좀 더 연구가 이루어져야 상용화가 가능할 것으로 판단된다.
따라서, 본 발명의 목적은 기존의 InGaAsP 물질을 활성층으로 이용하면서도 온도에 무관하게 일정한 출력을 갖는 레이저 장치 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 레이저 장치는 반도체 기판의 일측 상부에 형성되어 소정 파장의 광을 발진시키는 레이저 발진부와; 상기 반도체 기판의 타측 상부에 형성되어 상기 레이저 발진부에 의해 발진된 광을 증폭하는 증폭부로 구성되며,상기 레이저 발진부는 상기 일측 반도체 기판 위에 차례로 형성된 제1 도전형의 클래드층 및 제2 도전형의 클래드층과; 상기 제1 도전형 및 제2 도전형의 클래드층 사이에 개재된 활성층과; 상기 제2 도전형의 클래드층 위에 형성된 제1 상부전극; 및 상기 반도체 기판 배면에 형성된 하부전극을 포함하며,상기 증폭부는 상기 레이저 발진부로부터 연장되어 상기 타측 반도체 기판 위에 차례로 형성된 제1 도전형의 클래드층, 활성층 및 제2 도전형의 클래드층과; 상기 타측 반도체 기판과 상기 제1 도전형의 클래드층 사이에 선택적으로 형성된 회절격자층과; 상기 제1 상부전극과 전기적/광학적으로 분리되어 상기 제2 도전형의 클래드층 위에 형성된 제2 상부전극; 및 상기 레이저 발진부로부터 연장되어 상기 타측 반도체 기판 배면에 형성된 하부전극을 포함함을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 레이저 발진부의 전단면에 형성된 비반사층과; 상기 증폭부의 후단면에 형성된 고반사층을 더 포함함을 특징으로 한다.
더욱 바람직하게는, 상기 활성층은 InGaAsP계 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 레이저 장치 제조방법은 소정 파장의 광을 발진시키기 위한 레이저 발진부와; 상기 광을 고정된 이득으로 증폭하기 위한 증폭부로 구성된 레이저 장치 제조방법에 있어서, 예정된 증폭부의 반도체 기판 위에 회절격자를 형성하는 단계; 상기 회절격자 위에 서로 조성이 다른 영역을 동시에 성장하기 위한 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 구조 전체 상부에 하부 클래드층, 활성층, 상부 클래드층을 차례로 형성하는 단계; 상기 상부 클래드층 위에 전기적/광학적으로 서로 격리된 제 1 및 제 2상부전극을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 배면에 하부전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 레이저 발진부의 전단면에 비반사층을 형성하는 단계; 상기 증폭부의 후단면에는 고반사층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는 상기 활성층은 InGaAsP계 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
더욱 바람직하게는, 상기 회절격자 위에 서로 조성이 다른 영역을 동시에 성장하기 위한 마스크 패턴을 형성하는 단계는 상기 회절격자 위에 마스크 패턴의 폭과 동일한 간격만큼 서로 이격된 제 1 및 제 2 SiO2마스크 패턴를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래의 FP-레이저 장치의 구성을 나타내는 사시도,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 레이저 장치의 구성을 나타내는 개략적인 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 레이저 장치의 이득곡선을 나타내는 도면,
도 4a 내지 도 4d는 이득고정-증폭부에 선택적으로 회절격자를 형성한 다음, SAG패턴을 형성하는 과정을 나타내는 도면,
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 레이저 장치의 제조과정을 나타내는 단면도.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도 2, 도 3, 도 4a 내지 도 4d 및 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 참조번호 및 부호로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 레이저 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이며, 도 3은 본 발명에 따른 레이저 장치의 이득곡선을 나타내는 도면으로써, '가'는 레이저의 발진파장을, '나'는 증폭부의 이득곡선을 나타낸다.
도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 레이저 장치는 이득고정-증폭부(GC-SOA; Gain Clamped Semiconductor Optical Amplifier)(100)와 FP-레이저 발진부(200)로 구성된다.
이득고정-증폭부(100)는 InP기판(1) 위에 선택적으로 형성된 회절격자층(grating)(4)과, InGaAsP활성층(89), 클래드층(7), 상부전극(15'), 하부전극(15) 및 고반사층(High Reflective mirror)(16)으로 구성된다.
FP-레이저 발진부(200)는 InP기판(1) 위에 형성된 InGaAsP활성층(89), 클래드층(7), 상부전극(15'), 하부전극(15) 및 비반사층(Anti Reflective mirror)(17)으로 구성된다.
일반적으로 InGaAsP계 FP-레이저의 온도에 따른 파장의 변화는 0.4㎚/K 이고, 동작 온도 범위는 85℃까지이므로 상온(25℃)을 기준으로 하면 약 24㎚의 파장변화가 예상된다. 따라서, 상온에서의 레이저의 발진파장(가)을 1310㎚로 놓고, 증폭부의 이득곡선의 중심이 1334㎚ 정도가 되도록 설계하여 증폭부 이득 곡선상의 단파장 영역에서 파장이 길어짐에 따라 더 많은 이득을 얻도록 함으로써 장파장화에 따른 소자의 출력이 줄어드는 것을 이득고정-증폭부가 보상(compensation)하도록 한다. 즉, 온도가 높아지고 장파장화가 되더라도 항상 일정한 출력을 갖는 비냉각식(uncooled) 레이저 장치로 동작하게 된다. 이때, 이득고정-증폭부(100)와 FP-레이저 발진부(200)의 파장은 SAG(SAG; Selective Area Grating)의 피치(gratingpitch)로써 조절(detuning)한다. SAG는 SiO2를 마스크로 한 선택영역 성장법을 의미하며 서로 조성이 다른 영역을 동시에 성장하고 싶을 때 사용하는 기술이다. 이 방법을 이용하면 마스크 사이의 노출(open)영역에는 마스크가 없는 영역보다 밴드-갭(band-gap)이 작은 물질이 성장되며, 두 영역간의 밴드-갭 에너지(band-gap energy) 또는 밴드-갭 파장(band-gap wavelength)은 마스크 사이의 노출 영역의 폭과 마스크 자체의 폭을 변화시키면 이에 따라 결정된다.
이득고정-증폭부(100)에는 고반사층(16)을 두고, FP-레이저 발진부(200)에는 비반사층(17)을 두어 파워 부스팅(power boosting)이 가능하도록 한다.
상기 클래드층(7)의 위에 서로 전기적으로 격리되어 형성된 상부전극(15')을 통해 이득고정-증폭부(100) 및 FP-레이저 발진부(200)에 각각 소정 레벨의 전류가 인가된다.
도 4a 내지 도 4d 및 도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 레이저 장치 제조과정을 나타내는 공정도로써, 이를 통해 본 발명의 레이저 장치를 구현하는 공정을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 4a 내지 도 4d는 이득고정-증폭부에 선택적으로 회절격자를 형성한 다음, SAG패턴을 형성하는 과정을 나타내는 도면이다.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이 n-InP 기판(1)에 p-InGaAs층(2)을 200 내지 300Å두께로 형성한 다음, FP-레이저 발진부의 상기 p-InGaAs층 위에 SiO2마스크(3)를 형성한다.
이어서, 전체구조 상부에 회절격자 제조용 감광막을 도포한 다음 노광 및 현상 공정을 거쳐 회절격자의 예정된 격자주기 만큼의 간격을 가지고 배열된 감광막 마스크 패턴을 형성한다(도시하지 않음). 계속해서 상기 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 하부의 상기 p-InGaAs층을 식각한 다음, 감광막 마스크 패턴을 제거함으로써 도 4b에 도시된 바와 같이 이득고정-증폭부가 형성될 영역에만 선택적으로 회절격자(4)가 형성되도록 한다.
다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이 상기 회절격자(4) 위에 다시 마스크 패턴(5)를 형성한 다음, 이를 식각마스크로 이용하여 상기 FP-레이저 발진부의 SiO2마스크(3), 노출된 상기 회절격자(4), InGaAs층(2)을 제거한다.
이어서, 도 4d에 도시된 바와 같이 상기 마스크 패턴(5)을 제거한 다음, 잔류하는 상기 회절격자(4) 위에 SAG 형성용 SiO2마스크(6)를 형성한다. 이때, SAG 형성용 SiO2마스크는 마스크 자체의 폭과 노출영역의 폭이 각각 15㎛가 되도록 하며, 마스크 및 노출영역의 폭에 따라 밴드 갭 에너지가 정해지게 된다.
이후의 과정은 일반적인 FP-레이저 다이오드 제조공정과 동일하며, 도 5a 내지 도 5c를 통해 간단히 설명하면 다음과 같다.
도 5a는 상기와 같이 이득고정-증폭부에 선택적으로 회절격자층을 형성한 후, n-InP 기판(1)에 SiO2마스크(3)를 형성한 다음, n-InP클래드층(7a), n-InGaAsP-SCH층(8a), n-InGaAsP-MQW층(9), p-InGaAsP-SCH층(8b), p-InP클래드층(7b)층을 차례로 형성한 상태를 나타낸다.
이어서, 도 5b에 도시된 바와 같이 상기 SiO2마스크(3)를 제거하고, CVD 및 포토리소그래피 공정으로 SiO2마스크(10)를 다시 형성한 다음, p-InP, n-InP 전류 차단층(11a, 11b)을 형성한다.계속해서, 도 5c에 도시된 바와 같이 상기 SiO2마스크(10)를 제거하고 p-InP층(12), p-InGaAs 콘택층(13), 절연층(14)을 형성한 다음 기판 상부 및 하부에 p형 및 n형 전극(15', 15)을 형성한다. 이때, 이득고정-증폭부(100)와 FP-레이저 발진부(200)에 형성되는 상부전극은(15')은 식각(etching) 또는 프로톤(proton) 이온주입공정에 의해 서로 분리되어 전기적으로 격리되도록 한다.
끝으로, 이득고정-증폭부에는 반사율 80% 이상의 고반사층을, FP-레이저 발진부에는 비반사층을 두어 파워 부스팅(power boosting)이 가능하도록 한다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명은, 온도가 높아짐에 따라 파장이 길어지게 되고 이에 따라 소자의 출력이 줄어드는 것을 증폭부에서 보상하도록 함으로써, 온도가 높아지고 장파장화가 되더라도 별도의 냉각 장치 없이도 항상 일정한 출력을 갖는 비냉각식(uncooled) 레이저 장치로 동작하게 된다.

Claims (10)

  1. 반도체 기판의 일측 상부에 형성되어 소정 파장의 광을 발진시키는 레이저 발진부와; 상기 반도체 기판의 타측 상부에 형성되어 상기 레이저 발진부에 의해 발진된 광을 증폭하는 증폭부로 구성되며,
    상기 레이저 발진부는 상기 일측 반도체 기판 위에 차례로 형성된 제1 도전형의 클래드층 및 제2 도전형의 클래드층과; 상기 제1 도전형 및 제2 도전형의 클래드층 사이에 개재된 활성층과; 상기 제2 도전형의 클래드층 위에 형성된 제1 상부전극; 및 상기 반도체 기판 배면에 형성된 하부전극을 포함하며,
    상기 증폭부는 상기 레이저 발진부로부터 연장되어 상기 타측 반도체 기판 위에 차례로 형성된 제1 도전형의 클래드층, 활성층 및 제2 도전형의 클래드층과; 상기 타측 반도체 기판과 상기 제1 도전형의 클래드층 사이에 선택적으로 형성된 회절격자층과; 상기 제1 상부전극과 전기적/광학적으로 분리되어 상기 제2 도전형의 클래드층 위에 형성된 제2 상부전극; 및 상기 레이저 발진부로부터 연장되어 상기 타측 반도체 기판 배면에 형성된 하부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저 발진부의 전단면에 형성된 비반사층과;
    상기 증폭부의 후단면에 형성된 고반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 활성층은
    InGaAsP계 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  4. 반도체 기판의 일측 상부에 형성되어 소정 파장의 광을 발진시키는 레이저 발진부와; 상기 반도체 기판의 타측 상부에 형성되어 상기 레이저 발진부에 의해 발진된 광을 고정된 이득으로 증폭하는 증폭부로 구성된 반도체 레이저 장치의 제조방법에 있어서,
    예정된 증폭부의 상기 반도체 기판 위에만 선택적으로 회절격자를 형성하는 단계;
    상기 회절격자 위에 서로 조성이 다른 영역을 동시에 성장하기 위한 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 구조 전체 상부에 하부 클래드층, 활성층, 상부 클래드층을 차례로 형성하는 단계;
    상기 상부 클래드층 위에 전기적/광학적으로 서로 격리된 제 1 및 제 2상부전극을 형성하는 단계;
    상기 반도체 기판 배면에 하부전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 레이저 발진부의 전단면에 비반사층을 형성하는 단계;
    상기 증폭부의 후단면에는 고반사층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치 제조방법.
  6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서, 상기 활성층은
    InGaAsP계 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  7. 제 4항에 있어서, 상기 예정된 증폭부의 반도체 기판 위에만 선택적으로 회절격자를 형성하는 단계는
    상기 반도체 기판 전체 상부에 흡수층을 형성하는 단계;
    레이저 발진부의 상기 흡수층 위에 SiO2마스크를 형성하는 단계;
    전체구조 상부에 회절격자 제조용 감광막을 도포한 다음 노광 및 현상 공정을 거쳐 회절격자의 예정된 격자주기 만큼의 간격을 가지고 배열된 감광막 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 하부의 상기 흡수층을 식각한 다음, 상기 감광막 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치 제조방법.
  8. 제 4항에 있어서, 상기 회절격자 위에 서로 조성이 다른 영역을 동시에 성장하기 위한 마스크 패턴을 형성하는 단계는
    상기 회절격자 위에 마스크 패턴의 폭과 동일한 간격만큼 서로 이격된 제 1 및 제 2 SiO2마스크 패턴를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치 제조방법.
  9. 제 4항에 있어서, 상기 상부 클래드층 위에 전기적/광학적으로 서로 격리된 제 1 및 제 2상부전극을 형성하는 단계는
    상기 상부 클래드층 위에 금속층을 형성하는 단계;
    레이저 발진부와 증폭부 사이의 상기 금속층에 프로톤을 이온주입하여 전기적으로 서로 격리된 제 1 및 제 2상부전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치 제조방법.
  10. 제 4항에 있어서, 상기 상부 클래드층 위에 전기적/광학적으로 서로 격리된 제 1 및 제 2상부전극을 형성하는 단계는
    상기 상부 클래드층 위에 금속층을 형성하는 단계;
    레이저 발진부와 증폭부 사이의 상기 금속층을 선택적으로 식각하여 제거함으로써 서로 격리된 제 1 및 제 2상부전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치 제조방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100794653B1 (ko) * 2005-12-06 2008-01-14 한국전자통신연구원 분포궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물
KR101009408B1 (ko) 2008-12-08 2011-01-19 한국광기술원 다중 영역 반도체 레이저 및 그의 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4575851A (en) * 1981-12-07 1986-03-11 Nippon Electric Co., Ltd. Double channel planar buried heterostructure laser with periodic structure formed in guide layer
JPH06268325A (ja) * 1993-03-16 1994-09-22 Fujitsu Ltd 光半導体装置
JPH06268313A (ja) * 1993-03-11 1994-09-22 Fujitsu Ltd 半導体発光装置
JPH08335742A (ja) * 1995-04-07 1996-12-17 Mitsubishi Electric Corp 光半導体デバイス

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4575851A (en) * 1981-12-07 1986-03-11 Nippon Electric Co., Ltd. Double channel planar buried heterostructure laser with periodic structure formed in guide layer
JPH06268313A (ja) * 1993-03-11 1994-09-22 Fujitsu Ltd 半導体発光装置
JPH06268325A (ja) * 1993-03-16 1994-09-22 Fujitsu Ltd 光半導体装置
JPH08335742A (ja) * 1995-04-07 1996-12-17 Mitsubishi Electric Corp 光半導体デバイス

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100794653B1 (ko) * 2005-12-06 2008-01-14 한국전자통신연구원 분포궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물
KR101009408B1 (ko) 2008-12-08 2011-01-19 한국광기술원 다중 영역 반도체 레이저 및 그의 제조방법

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