JP4183987B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線を有する液晶表示装置およびその製造方法に関し、特に、電気的な腐食が抑制された配線を有する液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶表示装置は、マトリクス状に配列された複数の絵素電極とこれら絵素電極と対向して配される共通電極である対向電極とを備え、両電極間に表示媒体である液晶を介在させている。表示にあたっては、絵素電極に選択的に電位が書き込まれ、この絵素電極と対向電極との間の電圧差により、介在する液晶の光学的変調が行われ、表示パターンとして視認されることとなる。
【０００３】
絵素電極の駆動方法としては、マトリクス状に配された絵素電極のそれぞれにスイッチング素子を接続し、絵素電極個々をスイッチング素子にて駆動する、いわゆるアクティブマトリクス駆動方式が知られている。上記のスイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、ＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子等が一般的である。
【０００４】
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、透明な絶縁基板上に複数のゲート配線（走査線）と複数のソース配線（データ線）とが互いに交差して配設されると共に、各交差部ごとに、絵素電極、該絵素電極を駆動するスイッチング素子が形成された回路基板と、透明な絶縁基板上に対向電極が形成された対向基板とが、各対向面に配向膜を備えると共に、液晶層を介して貼り合わされている。
【０００５】
さらに、上記回路基板は、液晶表示を行うための液晶駆動用ＩＣを備えている。上記液晶駆動用ＩＣは、回路基板における入力配線（各ゲート配線および各ソース配線）に設けられている入力端子（ゲート端子およびソース端子）に接続されている。上記液晶駆動用ＩＣの回路基板への実装構造としては、例えば、ＣＯＧ実装方式が採用されている。このＣＯＧ実装方式によれば、この回路基板から製造される液晶表示装置において、低コスト、高信頼性、および薄膜化が可能となるという利点がある。
【０００６】
また、入力端子を有する各入力配線は、最終的に互いに独立した島状となっている。しかしながら、上記回路基板の製造過程において、上記入力端子を始めから島状に形成した場合、上記スイッチング素子の静電破壊が生じる可能性がある。そこで、回路基板の製造過程においては、図５に示すように、各入力端子（ゲート端子または各ソース端子）を形成していない側（非端子側）に各入力配線（各ゲート配線または各ソース配線）１３０を接続する短絡配線（ショートリンク）１２９を形成して、短絡させることにより、スイッチング素子の静電破壊を防止することが行われている。そして、後にこの短絡配線１２９は、切断ラインＬに沿って切断され、各入力配線１３０が島状にされ、入力配線１３０が電気的に開放される。
【０００７】
さらに、従来の反射型液晶表示装置に用いられる回路基板の製造方法の一例について図６（ａ）および（ｂ）に基づいて説明する。図６（ａ）は上記回路基板におけるＴＦＴ部の製造工程を示す図であり、（ｂ）は上記回路基板における切断部の製造工程を示す図である。ここでは、ＴＦＴ部および切断部は同時に形成されるので、各工程で平行して説明する。なお、上記回路基板では、ゲート配線（電極）にＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ、ソース配線（電極）にＡｌ／Ｔｉを用いている。
【０００８】
まず、工程（１）では、絶縁基板１２１上の一部にスパッタリング法などにより作製したＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉをエッチングし、ゲート配線１２２を形成する。
【０００９】
次に、工程（２）で、プラズマＣＶＤ法などにより窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜１２３及び非晶質シリコン膜または多結晶シリコン膜からなる半導体層１２４を積層する。さらに、ゲート絶縁膜１２３及び半導体層１２４をエッチングによりパターン形成する。
【００１０】
次に、工程（３）でスパッタリング法などにてソース（ドレイン）配線Ａｌ／Ｔｉ１２５を形成する。さらに、ソース（ドレイン）配線Ａｌ／Ｔｉ１２５をエッチングし、パターン形成する。切断部では、上記エッチングによりソース配線材料を除去しており、ソース配線パターンの形成はない。
【００１１】
次に、工程（４）でプラズマＣＶＤ法などより形成される窒化シリコン膜などから成る保護膜１２６を積層し、工程（５）で有機絶縁膜１２７をスピンコート法などより所定のパターンに従って積層する。
【００１２】
さらに、工程（６）で、有機絶縁膜１２７をマスクとして保護膜１２６をエッチングし、スパッタリング法等によりＡｌ、Ｍｏ、Ａｇなどの反射膜１２８を積層する。工程（３）と同様、切断部の反射膜１２８はエッチングにより除去されパターン形成はない。上記の各工程において、切断部では、図５に示すように、上記短絡配線１２９も形成されている。この後、上記切断部Ｌにおいて切断され、短絡配線１２９が除去される。ゲート配線１２２およびソース配線１２５は、図５における入力配線１３０に相当する。
【００１３】
上記のように入力配線を低抵抗にして消費電力を抑えるために、入力配線には、配線材料として、例えばＡｌもしくはＡｌ合金を用いた層を少なくとも１層形成している。
【００１４】
上記のように回路基板が切断ラインＬに沿って切断されると、上記入力配線は大気に露出されることとなる。このとき、上記入力配線に用いられるＡｌを含む材料は耐腐食性が低いため、上記配線は腐食される可能性がある。この腐食は、上記回路基板における隣合う配線間に生じる電位差により生じる電気化学的腐食である。さらに、上記入力配線が大気中の湿気や不純物等により汚染される可能性があり、この汚染により上記の腐食はより促進される傾向にある。
【００１５】
上記腐食は、液晶表示装置の歩留まりの増加や耐信頼性低下の一因となる。具体的には、腐食等による入力配線の断線や腐食発生の際の水素等によるシール力低下、さらに液晶表示装置としたときの表示領域内における気泡の発生による表示不良を引き起こす。そこで、その回路基板の切断面に樹脂を塗布することにより、入力配線の腐食を防止している。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記回路基板の切断面に樹脂等を塗布しても、高温多湿等の厳しい環境下では、水分の侵入を完全には防止することができず、依然として入力配線の電気化学的腐食が生じる。
【００１７】
本発明は、上記従来の問題に鑑みなされたものであり、その目的は、隣り合う配線における、印加電圧の影響に伴う腐食の発生を抑制することができる耐腐食に優れた配線配置を有する液晶表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置は、上記課題を解決するために、複数の絵素電極、該絵素電極に個別に接続されるスイッチング素子、該スイッチング素子を介して絵素電極を駆動する、格子状に配設された複数のゲート配線およびソース配線を絶縁基板上に有する液晶表示装置において、上記ゲート配線およびソース配線の少なくとも一方は、第１配線と、第２配線とを少なくとも有し、上記第２配線は、第１配線よりもイオン化傾向の低い材料からなり、上記第１配線に隣り合う配線の少なくとも一方は、第２配線であり、上記第１配線には、第２配線より低い駆動電位が印加されるようになっていることを特徴としている。
【００１９】
上記の構成によれば、第１配線が第２配線よりも電位が低い場合、第２配線の材料が第１配線の材料よりもイオン化傾向が低いため、第２配線におけるアノード反応による電気的な腐食を抑制することができる。もちろん、第１配線では上記のようなアノード反応による電気的な腐食は生じない。上記のように腐食を抑制することができるため、腐食による断線や腐食発生の際に生じる水素を抑制することができる。そのため、上記液晶表示装置では、基板における配線、樹脂等のシール力の低下、表示領域内における気泡の発生等による表示不良等を抑制することができる。従って、液晶表示装置の製品信頼性を向上させることができる。
【００２０】
本発明の液晶表示装置は、上記の構成に加えて、上記第１配線は、Ａｌを含むことが好ましい。
【００２１】
これにより、上記第１配線における抵抗を低抵抗にして消費電力を抑制することができ、さらに、低コスト化を図ることができる。
【００２２】
また、上記第２配線は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒからなる群から選択される材料からなることが好ましい。
【００２３】
さらに、上記第２配線は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒからなる群から選択される材料の不動態であることが好ましい。
【００２４】
これにより、上記不動態は、電気的に安定であるため、上記配線が露出していても上記の腐食をより抑制することができる。
【００２５】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記課題を解決するために、絶縁基板上に、複数の絵素電極、該絵素電極に個別に接続されるスイッチング素子、該スイッチング素子を介して絵素電極を駆動する、格子状に配設された複数のゲート配線及びソース配線を形成する液晶表示装置の製造方法において、上記ゲート配線およびソース配線の少なくとも一方を形成する工程が、第１配線を形成するステップと、第１配線よりもイオン化傾向の低い材料からなり、かつ、上記第１配線より高い電位が印加されるようになっている第２配線を、該第１配線に隣り合うように形成するステップとを含むことを特徴としている。
【００２６】
上記の構成によれば、第１配線が第２配線よりも電位が低い場合、第２配線の材料が第１配線の材料よりもイオン化傾向が低いため、第２配線におけるアノード反応による電気的な腐食を抑制することができる液晶表示装置を提供することができる。もちろん、第１配線では上記のようなアノード反応による電気的な腐食は生じない。上記のように腐食を抑制することができるため、腐食による断線や腐食発生の際に生じる水素を抑制することができる。そのため、上記液晶表示装置では、基板における配線、樹脂等のシール力の低下、表示領域内における気泡の発生等による表示不良等を抑制することができる。従って、製品信頼性を向上させた液晶表示装置を提供することができる。
【００２７】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記の構成に加え、Ａｌ層およびそれよりイオン化傾向の低い材料からなる層により上記第１配線を形成し、上記第１配線のＡｌ層を除去することにより上記第２配線を形成することが好ましい。
【００２８】
上記の構成によれば、前記配線形成は従来のプロセスを使用することで可能である。従って、新たにマスクの形成等の製造プロセスの追加等がないので、コストの増加を抑えることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態にかかる液晶表示装置について、図１に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００３０】
本発明の実施の一形態にかかる液晶表示装置は、回路基板と、透明な絶縁基板上に対向電極が形成された対向基板とが、各対向面に配向膜を備えると共に、液晶層を介して貼り合わされている構成である。
【００３１】
本実施形態では、上記回路基板について、回路基板としてＴＦＴ基板を例に挙げて説明する。
【００３２】
本実施の形態にかかる回路基板は、図１に示すように、透明な絶縁基板１上に複数のゲート配線（走査線）２・２と複数のソース配線（データ線）３・３とが格子状に互いに交差して配設されると共に、各交差部ごとに、絵素電極４、該絵素電極４を駆動するスイッチング素子であるＴＦＴ５が形成されている。そして、上記ゲート配線２・２およびソース配線３・３は、それぞれ、絶縁基板１の１端でゲート信号入力端子６およびソース信号入力端子７に接続されている。そして、上記配線等の上には、保護膜、絶縁樹脂膜等が形成されている。
【００３３】
また、絶縁基板１のこれらゲート信号入力端子およびソース信号入力端子の形成されていない端部（ゲート信号非入力側８およびソース信号非入力側９）では、それぞれ、上記ゲート配線２・２およびソース配線３・３（合わせて配線と呼ぶことにする）が露出している。
【００３４】
これら配線の露出は、上記ゲート信号非入力側８およびソース信号非入力側９において、上記従来の技術で説明した通り、上記回路基板の製造過程においてＴＦＴ（スイッチング素子）の静電破壊を防止するために形成した短絡配線（ショートリンク）が、切断線Ｌに沿って切断除去されることにより生じる。
【００３５】
上記回路基板における配線の露出した部分では、各配線に電圧を印加した駆動状態において、腐食が発生する場合がある。この腐食は、各配線に印加される電圧極性や配線電位、配線間電位差に起因していることが明らかとなった。
【００３６】
例えば、互いに隣合う配線（第１配線および第２配線）において、どちらか一方の配線により高い電位が印加されると、電位の低い配線における露出部分では、アノード反応により配線となっている金属が溶出する、電気的な腐食が生じやすい。特に、上記材料がイオン化傾向の高い場合には、上記電気的な腐食が生じやすい。
【００３７】
上記配線は、低抵抗にして消費電力を抑制するために、例えばＡｌ、Ａｌ合金等の電導性の高い材料からなる層を備えることが一般的である。さらに、上記のように配線にＡｌ、Ａｌ合金等の安価な材料を用いることにより、低コスト化が図られている。
【００３８】
しかしながら、上記Ａｌ、Ａｌ合金等の標準電極電位の卑な金属は、イオン化しやすく、水、水蒸気との反応性が高い。そのため、Ａｌ、Ａｌ合金等の標準電極電位の卑な金属は、上記のように回路基板から露出すると、外部大気中の水、水蒸気等との反応により腐食しやすい。また、Ａｌ、Ａｌ合金等の標準電極電位の卑な金属は、近接する金属より高電位となったとき、電気的な腐食が生じやすい。
【００３９】
そこで、本実施の形態にかかる配線基板では、互いに隣り合う第１配線と第２配線において、上記第２配線の配線基板から露出している部分は上記第１配線よりもイオン化傾向の低い（上記第１配線よりも標準電極電位の貴な）材料からなっている。また、第２配線自体が上記第１配線よりもイオン化傾向の低い（上記第１配線よりも標準電極電位の貴な）材料からなっていてもよい。言い換えれば、上記第２配線は、第１配線よりも耐腐食性の材料からなっている。
【００４０】
例えば、上記第１配線と上記第２配線とが、同一の材料で配線が形成されている場合、どちらか一方の配線により高い電位が印加されると、電位の低い配線には電気的な腐食が生じやすい。特に、より高い電位が印加された配線の材料がイオン化傾向の高い場合にはなおさら電気的な腐食が生じやすい。しかしながら、上記の構成とすることにより、第１配線が第２配線よりも電位が低い場合、第２配線の材料が第１配線の材料よりもイオン化傾向が低いため、第２配線におけるアノード反応による電気的な腐食を抑制することができる。もちろん、第１配線では上記のようなアノード反応による電気的な腐食は生じない。上記のように腐食を抑制することができるため、腐食による断線や腐食発生の際に生じる水素を抑制することができる。そのため、上記配線基板を用いた液晶表示装置では、基板における配線、樹脂等のシール力の低下、表示領域内における気泡の発生等による表示不良等を抑制することができる。従って、上記回路基板を用いた液晶表示装置の製品信頼性を向上させることができる。
【００４１】
上記第１配線は、Ａｌ、Ａｌ合金等の金属を含んでいることが好ましい。これにより、上記第１配線における抵抗を低抵抗にして消費電力を抑制することができ、さらに、低コスト化を図ることができる。
【００４２】
上記のように、上記第１配線にＡｌ、Ａｌ合金を用いた場合には、第２配線には、よりイオン化傾向の低い材料として、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ等からなる群から選択される材料を用いることが好適である。
【００４３】
さらに、上記第２配線の回路基板から露出している部分は、上記材料の不動態となっていることが好ましい。上記に示したように、回路基板において短絡配線を形成した後に、その短絡配線を切断した場合、切断部が大気に露出する。つまり、配線がその切断部において露出する。その切断部における配線の露出部分を不動態化しておくことが好ましい。上記不動態は、電気的に安定であるため、上記配線が露出していても上記の腐食を抑制することができる。
【００４４】
また、上記露出部分は、汚れ等を防止する樹脂を塗布する必要はなく、コストがかからない。
【００４５】
さらに、上記の回路基板を用いている液晶表示装置では、ＡｌあるいはＡｌ合金を用いている第１配線に、第２配線よりも低い電位が印加されるようになっていることが好ましい。言い換えれば、上記液晶表示装置では、表示駆動した場合に、上記液晶表示装置における回路基板の第１配線の電位が、第２配線よりも低くなるように制御されていることが好ましい。
【００４６】
これにより、回路基板における第１配線のアノード反応による電気的腐食を抑制することができる。つまり、上記のように第１配線の電位が第２配線の電位より低いので、腐食がほぼ生じることがなく、腐食による断線や腐食発生の際に生じる水素を抑制することができる。そのため、液晶表示装置における配線、樹脂等のシール力の低下、表示領域内における気泡の発生等による表示不良等を抑制することができる。従って、上記回路基板を用いた液晶表示装置の製品信頼性をさらに高くすることができる。
【００４７】
ここで、本実施形態にかかる液晶表示装置における回路基板の製造方法の一例について、図２（ａ）および（ｂ）に基づいて説明する。図２（ａ）は上記回路基板におけるＴＦＴ部の製造工程を示す図であり、（ｂ）は上記回路基板における切断部の製造工程を示す図である。ここでは、ＴＦＴ部および切断部は同時に形成されるので、各工程で平行して説明する。
【００４８】
本実施の形態の回路基板では、ガラスからなる絶縁基板上にゲート配線（電極）を形成する例を挙げて説明する。このとき印加電圧の値によって腐食の起こりうる配線にはＡｌを含む材料を用いた配線を形成しない。そして、配線上には、ゲート絶縁膜を形成する。
【００４９】
次に、ソース（ドレイン）配線（電極）を形成する。このとき上記で形成しなかった印加電圧の値によって腐食の起こりうるゲート配線をソース配線の一部で形成する。このソース配線の一部で形成したゲート配線は、最終的にＡｌが残らないように、エッチング等を行う。
【００５０】
さらに、本実施形態にかかる液晶表示装置について、反射型液晶表示装置を例に挙げてより具体的に説明する。本実施の形態では、ゲート配線にＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ膜を、ソース（ドレイン）配線にＡｌ／Ｔｉ膜を用いた場合について説明する。ＴＦＴ部については、上記従来の技術と同様に製造する。
【００５１】
図２に示すように、まず、工程（１）において、絶縁基板２１上にスパッタリング法などにより、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ膜を形成する。次いで、所定のパターン通りにエッチングすることによりゲート配線（第１配線）２２を形成する。このとき、切断部では、腐食の起こり得るゲート配線は形成せず、エッチングにより排除しておく。
【００５２】
次に、工程（２）において、プラズマＣＶＤ法などにより窒化シリコン膜または酸化シリコン膜を形成し、所定のパターン通りにエッチングすることによりゲート絶縁膜２３を形成する。このゲート絶縁膜２３上に非晶質シリコン膜または多結晶シリコン膜を形成し、所定のパターン通りにエッチングすることにより半導体層２４を積層する。
【００５３】
次に、工程（３）において、スパッタリング法などにてＡｌ／Ｔｉ膜を形成し、所定のパターン通りにエッチングすることにより、ソース（ドレイン）配線を形成する。このとき、切断部では、上記エッチングにより、工程（１）で形成しなかったゲート配線２５を形成する。このゲート配線２５は、ソース配線の材料により形成されている。
【００５４】
次に、工程（４）において、プラズマＣＶＤ法などより窒化シリコン膜などの無機系絶縁膜からなる保護膜２６を積層する。
【００５５】
次いで、工程（５）で有機絶縁膜２７をスピンコート法などより所定のパターンに従って積層する。ここで、切断部では、ゲート配線２５上に有機絶縁膜２７を形成しないようにパターンを形成する。
【００５６】
さらに、工程（６）において、有機絶縁膜２７をマスクとして保護膜２６をエッチングする。これにより、有機系絶縁膜２７および保護膜２６は櫛歯状のパターンとなる。さらに、スパッタリング法等によりＡｌ、Ｍｏ、Ａｇなどからなる反射膜２８を積層する。工程（３）と同様、切断部の反射膜２８はエッチングにより除去されパターン形成はない。この反射膜２８のエッチングと同時に、切断部におけるゲート配線２５のＡｌ層をエッチングにより除去し、ゲート配線（第２配線）２５’となる。これにより、製造工程が増加することはない。このとき、有機系絶縁膜２７および保護膜２６、並びに反射膜２８およびゲート配線２５のＡｌ層を除去しているので、最表面は、ゲート配線２５’のＴｉ層となる。
【００５７】
前記配線形成は従来のプロセスを使用することで可能である。従って、新たにマスクの形成等の製造プロセスの追加等がないので、コストの増加を抑えることができる。
【００５８】
なお、上記の各工程において、切断部では、図３に示すように、上記短絡配線１０も形成されている。この後、上記切断部Ｌにおいて切断され、短絡配線１０が除去される。これにより、Ａｌを含むゲート配線２５と、Ａｌを含まないゲート配線２５’を形成することができる。
【００５９】
上記のように、第１配線が第２配線よりも電位が低い場合、第２配線の材料が第１配線の材料よりもイオン化傾向が低いため、第２配線におけるアノード反応による電気的な腐食を抑制することができる液晶表示装置を提供することができる。もちろん、第１配線では上記のようなアノード反応による電気的な腐食は生じない。上記のように腐食を抑制することができるため、腐食による断線や腐食発生の際に生じる水素を抑制することができる。そのため、上記液晶表示装置では、基板における配線、樹脂等のシール力の低下、表示領域内における気泡の発生等による表示不良等を抑制することができる。従って、製品信頼性を向上させた液晶表示装置を提供することができる。
【００６０】
さらに、ゲート配線２５’に対して不動態化処理を施してもよい。これにより、上記不動態は、電気的に安定であるため、上記配線が露出していても上記の腐食をより抑制することができる。
【００６１】
また、ソース配線において、上記ゲート配線と同様に隣り合う配線同士がＡｌを含まないようにするには、所定の配線のみをエッチングによりＡｌ層を除去すればよい。
【００６２】
【実施例】
以下、実施例および比較例によって、Ａｌを含む配線と、Ａｌを含まない配線とにおける、電気的な腐食について具体的に検討した。
【００６３】
〔実施例１〕
上記実施の形態に従って形成された配線パターンと印加電圧の一例をゲート信号非入力側とソース信号非入力側とのそれぞれについて図４に示している。図４に示した配線におけるＡ−Ａ’線は、図２（ｂ）の工程（６）に示した配線Ａ−Ａ’における配線に相当する。ここで、配線ａ、ｂおよびｄはＡｌを含まない配線であり、配線ｃ、ｅおよびｆはＡｌを含む配線である。また、配線ａはソース配線、配線ｂおよびｄはＣＯＭ配線、配線ｃは短絡配線、配線ｅはゲート配線である。静電破壊防止パターンのゲート配線形成（短絡配線）ｃは、配線が電気的に開放される為ゲート形成のままとすることによってＴＦＴ形成プロセスでの静電破壊は防止される。
各配線に印加する電圧は、表１に示す。この表では、最大電位であるＶｇｈ、ゲート配線ａ−ＣＯＭ配線ｂ間の最大電位差、ＣＯＭ配線ｄ−ソース配線ｅ間の電位差（一定）およびこれら配線間にかかり得る最大の電位差を示している。
【００６４】
【表１】

ここで、上記の電位を印加した配線について、表２に示す条件１〜３で各配線の腐食について光学顕微鏡にて観察した。その結果についても表２に示す。
【００６５】
【表２】

この結果より、各配線において、腐食は生じなかった。よって、上記実施の形態のように、Ａｌに隣り合う配線にＡｌを含まない配線を形成することにより、Ａｌを含む配線の腐食を抑制することができることが分かった。
【００６６】
〔比較例１〕
従来の技術に従って形成された配線パターンと印加電圧の一例をゲート信号非入力側とソース信号非入力側とのそれぞれについて図７に示している。図７に示した配線におけるＡ−Ａ’線は、図６（ｂ）の工程（６）に示した配線Ａ−Ａ’における配線に相当する。ここでは、上記実施例において、Ａｌを含まない配線ａ、ｂおよびｄがＡｌを含む配線ａ’、ｂ’およびｄ’となっている構成である。各配線に印加する電位は、上記実施例と同様である。
【００６７】
ゲート信号非入力側とソース信号非入力側をそれぞれ示しているが、ソース信号非入力側ではソース配線ａ’−配線ｂ’間の電位差により電極作用を起こし、＋電極となったソース配線ａ’のＡｌの腐食が生じた。さらに、配線ａ’の電圧は可変の為その変化に伴い配線ｂ’での腐食も発生した。
【００６８】
また、ゲート信号非入力側ではゲート配線ｄ’−配線ｅ間の電位差の影響で同様に＋電極となった配線ｄ’のＡｌの腐食が生じた。配線ｄ’−配線ｅ間の電位差は固定である為、腐食の発生する配線はｄ’のみであった。電位差の増加に伴い腐食発生の時間と進行速度は速くなることも経験則的に見られた。電位差は配線ａ’−ｂ’間よりも配線ｄ’−ｅ間の方が大きく、前記の通り配線ｄ’−ｅ間での腐食発生と進行速度は速かった。また、配線ａ’−ｂ’間の電位差を大きくすることによってもその傾向がみられた。
【００６９】
【発明の効果】
本発明の液晶表示装置は、以上のように、複数の絵素電極、該絵素電極に個別に接続されるスイッチング素子、該スイッチング素子を介して絵素電極を駆動する、格子状に配設された複数のゲート配線およびソース配線を絶縁基板上に有する液晶表示装置において、上記ゲート配線およびソース配線の少なくとも一方は、第１配線と、第２配線とを少なくとも有し、上記第２配線は、第１配線よりもイオン化傾向の低い材料からなり、上記第１配線に隣り合う配線の少なくとも一方は、第２配線であり、上記第１配線には、第２配線より低い駆動電位が印加されるようになっている構成である。
【００７０】
上記の構成によれば、第１配線が第２配線よりも電位が低い場合、第２配線の材料が第１配線の材料よりもイオン化傾向が低いため、第２配線におけるアノード反応による電気的な腐食を抑制することができる。もちろん、第１配線では上記のようなアノード反応による電気的な腐食は生じない。上記のように腐食を抑制することができるため、腐食による断線や腐食発生の際に生じる水素を抑制することができる。そのため、上記液晶表示装置では、基板における配線、樹脂等のシール力の低下、表示領域内における気泡の発生等による表示不良等を抑制することができる。従って、液晶表示装置の製品信頼性を向上させることができるという効果を奏する。
【００７１】
本発明の液晶表示装置は、上記の構成に加えて、上記第１配線は、Ａｌを含むことが好ましい。
【００７２】
これにより、上記第１配線における抵抗を低抵抗にして消費電力を抑制することができ、さらに、低コスト化を図ることができるという効果を奏する。
【００７３】
また、上記第２配線は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒからなる群から選択される材料からなることが好ましい。
【００７４】
さらに、上記第２配線は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒからなる群から選択される材料の不動態であることが好ましい。
【００７５】
これにより、上記不動態は、電気的に安定であるため、上記配線が露出していても上記の腐食をより抑制することができるという効果を奏する。
【００７６】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、以上のように、絶縁基板上に、複数の絵素電極、該絵素電極に個別に接続されるスイッチング素子、該スイッチング素子を介して絵素電極を駆動する、格子状に配設された複数のゲート配線及びソース配線を形成する液晶表示装置の製造方法において、上記ゲート配線およびソース配線の少なくとも一方を形成する工程が、第１配線を形成するステップと、第１配線よりもイオン化傾向の低い材料からなり、かつ、上記第１配線より高い電位が印加されるようになっている第２配線を、該第１配線に隣り合うように形成するステップとを含む構成である。
【００７７】
上記の構成によれば、第１配線が第２配線よりも電位が低い場合、第２配線の材料が第１配線の材料よりもイオン化傾向が低いため、第２配線におけるアノード反応による電気的な腐食を抑制することができる液晶表示装置を提供することができる。もちろん、第１配線では上記のようなアノード反応による電気的な腐食は生じない。上記のように腐食を抑制することができるため、腐食による断線や腐食発生の際に生じる水素を抑制することができる。そのため、上記液晶表示装置では、基板における配線、樹脂等のシール力の低下、表示領域内における気泡の発生等による表示不良等を抑制することができる。従って、製品信頼性を向上させた液晶表示装置を提供することができるという効果を奏する。
【００７８】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記の構成に加え、上記第１配線は、Ａｌ層およびそれよりイオン化傾向の低い材料からなる層から形成され、上記第２配線は、上記第１配線と同時に形成されたＡｌ層およびそれよりイオン化傾向の低い材料からなる層のうちのＡｌ層を除去することにより形成されることが好ましい。
【００７９】
上記の構成によれば、前記配線形成は従来のプロセスを使用することで可能である。従って、新たにマスクの形成等の製造プロセスの追加等がないので、コストの増加を抑えることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置における回路基板の平面図である。
【図２】 （ａ）は上記回路基板におけるＴＦＴ部の製造工程を示す断面図であり、（ｂ）は上記回路基板における切断部の製造工程を示す断面図である。
【図３】 上記回路基板における切断部の平面図である。
【図４】 上記回路基板における切断部の配線の一部を示す平面図である。
【図５】 従来の液晶表示装置の回路基板における短絡回路を示す図である。
【図６】 （ａ）は従来の液晶表示装置の回路基板におけるＴＦＴ部の製造工程を示す断面図であり、（ｂ）は上記回路基板における切断部の製造工程を示す断面図である。
【図７】 従来の回路基板における切断部の配線の一部を示す平面図である。
【符号の説明】
１ 絶縁基板
２ ゲート配線（配線）
３ ソース配線（配線）
４ 絵素電極
５ ＴＦＴ（スイッチング素子）
６ ゲート入力端子
７ ソース入力端子
８ ゲート信号非入力側
９ ソース信号非入力側
２５ ゲート配線（第１配線）
２５’ ゲート配線（第２配線）

Claims (6)

1. 複数の絵素電極、該絵素電極に個別に接続されるスイッチング素子、該スイッチング素子を介して絵素電極を駆動する、格子状に配設された複数のゲート配線およびソース配線を絶縁基板上に有する液晶表示装置において、
   上記ゲート配線およびソース配線の少なくとも一方は、第１配線と、第２配線とを少なくとも有し、
   上記第２配線は、第１配線よりもイオン化傾向の低い材料からなり、
   上記第１配線に隣り合う配線の少なくとも一方は、第２配線であり、
   上記第１配線には、第２配線より低い駆動電位が印加されるようになっていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 上記第１配線は、Ａｌを含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 上記第２配線は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒからなる群から選択される材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 上記第２配線は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒからなる群から選択される材料の不動態であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
5. 絶縁基板上に、複数の絵素電極、該絵素電極に個別に接続されるスイッチング素子、該スイッチング素子を介して絵素電極を駆動する、格子状に配設された複数のゲート配線及びソース配線を形成する液晶表示装置の製造方法において、
   上記ゲート配線およびソース配線の少なくとも一方を形成する工程が、
   第１配線を形成するステップと、
   第１配線よりもイオン化傾向の低い材料からなり、かつ、上記第１配線より高い電位が印加されるようになっている第２配線を、該第１配線に隣り合うように形成するステップとを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
6. Ａｌ層およびそれよりイオン化傾向の低い材料からなる層により上記第１配線を形成し、
   上記第１配線のＡｌ層を除去することにより上記第２配線を形成することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。

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