JP4181795B2 - エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4181795B2 JP4181795B2 JP2002159645A JP2002159645A JP4181795B2 JP 4181795 B2 JP4181795 B2 JP 4181795B2 JP 2002159645 A JP2002159645 A JP 2002159645A JP 2002159645 A JP2002159645 A JP 2002159645A JP 4181795 B2 JP4181795 B2 JP 4181795B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting layer
- transport layer
- hole transport
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 50
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 32
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 122
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Aluminum - quinolinol Chemical compound 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004697 chelate complex Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はフラットパネルディスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンター等に用いられる発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、フラットパネル対応の自発光型デバイスが注目されている。自発光型デバイスとしては、プラズマ発光表示素子、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセンス素子等がある。
【0003】
この中で、特に、有機EL素子に関しては、1987年にT.W.Tangらにより蛍光性金属キレート錯体とジアミン系分子の薄膜を積層した構造を利用して、低電圧DC駆動で高輝度な発光が得られることが実証され、研究開発が精力的に進められている。これら低分子系の有機EL素子においては、緑単色や、青、赤等の色を加えたエリアカラータイプのディスプレイが製品化され、現在はフルカラー化への開発が活発化している。
【0004】
有機EL素子は、発光層に到達した電子と正孔が再結合する際に生じる発光を利用した、キャリア注入型の自発光デバイスである。図8は一般的な有機EL素子の構成である。陰極11には金属電極、発光した光を取り出すために陽極14には透明電極を用いる。両電極間に有機化合物層が挟持されている。各有機層は数十nm程度の膜厚が一般的である。一般に陰極11の金属材料としては、アルミニウムやアルミニウム・リチウムの合金、マグネシウム・銀の合金など仕事関数の小さな金属が用いられる。また、陽極14にはインジウム錫酸化物(ITO)等の仕事関数の大きな透明導電性材料が用いられる。
【0005】
有機化合物層は発光層12と正孔輸送層13からなる2層構造、あるいは、図9のような電子輸送層16、発光層12、正孔輸送層13の3層からなる構造が一般的である。ここで、正孔輸送層13は陽極からの正孔を効率よく発光層12に注入させるため、また、電子輸送層16は陰極からの電子を効率よく発光層12に注入させる機能を有している。また、同時に正孔輸送層13は電子を、電子輸送層16は正孔を発光層12に閉じこめる(キャリアブロック)機能を有し、発光効率を高める効果がある。
【0006】
フルカラーのフラットパネルディスプレイとしてすでに製品化されている液晶ディスプレイは、カラーフィルター等を用いてフルカラー化を実現しているが、有機EL素子は、発光層を構成する材料を適切に選ぶことより赤、緑、青の3原色を自発光させることができ、液晶ディスプレイよりも高速応答、広視野角と優れた特長を有している。
【0007】
一方、十分な実用性をもったフルカラーディスプレイを実現するためには、赤、緑、青、各色の発光素子の輝度、色度、発光効率に優れた素子を実現することが必要である。
【0008】
赤、緑、青、各色の輝度や色度を単独の発光材料からなる発光層によって、十分な特性を得ることが難しい。この問題に対して、ホスト材料に蛍光色素をドーピングした色素ドープ型有機EL素子が利用されている。これは、図8や図9の正孔輸送層13や電子輸送層16あるいは発光層12を構成する材料をホストとして、その層の中にごく少量の蛍光色素をドープすることにより、その蛍光色素からのルミネッセンスを発光色として取り出す手法である。この方法の特長としては、蛍光収率の高い色素が利用できるため効率の向上が期待できること、発光色の選択が大幅に向上することである。
【0009】
一般に有機EL素子に用いられている発光は、発光中心の分子の一重項励起子から基底状態になるときの蛍光が取り出されている。一方、一重項励起子を経由した蛍光発光を利用するのでなく、三重項励起子を経由した燐光発光を利用する素子の検討がなされている。発表されている代表的な文献は、文献1:Improved energy transfer in electrophosphorescent device(D.F.O’Brienら、Applied Physics Letters Vol 74,No3 p422(1999))、文献2:Very high−efficiency green organic light−emitting devices basd on electrophosphorescence(M.A.Baldoら、Applied Physics Letters Vol 75,No1 p4(1999))である。
【0010】
これらの文献では、図1に示す有機層の4層構成が主に用いられている。それは、陽極側から正孔輸送層13、発光層12、励起子拡散防止層17、電子輸送層16からなる。用いられている材料は、化1に示すキャリア輸送材料と燐光発光性材料である。各材料の略称は以下の通りである。
Alq3:アルミ−キノリノール錯体
α−NPD:N4,N4’−Di−naphthalen−1−yl−N4,N4’−diphenyl−biphenyl−4,4’−diamine
CBP:4,4’−N,N’−dicarbazole−biphenyl
BCP:2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−1,10−phenanthroline
PtOEP:白金−オクタエチルポルフィリン錯体
Ir(ppy)3:イリジウム−フェニルピリジン錯体
【0011】
【化1】
【0012】
文献1,2とも高効率が得られたのは、正孔輸送層13にα−NPD、電子輸送層16にAlq3、励起子拡散防止層17にBCP、発光層12にCBPをホスト材料として、6%程度の濃度で、燐光発光性材料であるPtOEPまたはIr(ppy)3を混入して構成したものである。
【0013】
燐光性発光材料が特に注目されている理由は、原理的に高発光効率が期待できるからである。その理由は、キャリア再結合により生成される励起子は1重項励起子と3重項励起子からなり、その確率は1:3である。これまでの有機EL素子は、1重項励起子から基底状態に遷移する際の蛍光を発光として取り出していたが、原理的にその発光収率は生成された励起子数に対して、25%でありこれが原理的上限であった。しかし、3重項から発生する励起子からの燐光を用いれば、原理的に少なくとも3倍の収率が期待され、さらに、エネルギー的に高い1重項からの3重項への項間交差による転移を考え合わせれば、原理的には4倍の100%の発光収率が期待できる。
【0014】
他に、三重項からの発光を要した文献には、特開平11−329739号公報(有機EL素子及びその製造方法)、特開平11−256148号公報(発光材料およびこれを用いた有機EL素子)、特開平8−319482号公報(有機エレクトロルミネッセント素子)等がある。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記燐光発光性材料を用いた有機EL素子は連続駆動による輝度劣化が問題であった。
【0016】
そこで、本発明は、連続駆動を行っても輝度劣化が少ない有機EL素子を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
前記課題に対し、本発明者らが鋭意検討した結果、発光層内のゲスト材料に濃度分布を設け、特に正孔輸送層側でその濃度を高くすることで耐久特性が改善することを見出した。特に、正孔輸送層と発光層界面において、その濃度を100%とすることでその効果がより高くなることを見出した。
【0018】
即ち、本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、陰極と陽極の間に、少なくとも有機化合物層を有し、
該有機化合物層が、少なくとも、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の積層構造をなしており、
該発光層はホスト材料に燐光発光性のゲスト材料が分散されており、
該ゲスト材料の濃度が、該正孔輸送層側で高く、該正孔輸送層と該発光層の界面で100%であり、発光層の厚さ方向に連続的に変化する濃度勾配を有することを特徴とする。
【0019】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、陰極と陽極の間に、少なくとも有機化合物層を有し、
該有機化合物層が、少なくとも、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の積層構造をなしており、
該発光層はホスト材料に燐光発光性のゲスト材料が分散されており、
該正孔輸送層と該発光層の間に、該ゲスト材料の濃度が100%の層を有することを特徴とする。
【0020】
本発明のエレクトロルミネッセンス素子においては、前記ゲスト材料は、以下の構造式の化合物であることが好ましく、前記ホスト材料はCBPであることがより好ましい。
【化1−1】
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明のエレクトロルミネッセンス素子の具体的な実施形態について説明するが、本発明は以下に限定されるものではない。
【0022】
図1、図2に示すエレクトロルミネッセンス素子では、透明な基板15上に陽極14が形成され、その上に有機化合物層が形成され、陰極11が形成される。
【0023】
有機化合物層は、少なくとも正孔輸送層13、発光層12、電子輸送層16の積層構造をなしており、図2に示す素子においては、更に、正孔輸送層13と発光層12の界面にゲスト分子層18を有するが、励起子拡散防止層17等の他の層を適宜設けてもよい。有機化合物層は、蒸着法等により形成される。
【0024】
発光層12としては、ホスト材料にゲスト材料をドープしたものが用いられる。図1に示す素子においては、発光層12内で、ゲスト材料の濃度に分布、好ましくは、発光層12の厚さ方向に連続的に変化する濃度勾配を有し、正孔輸送層13側でゲスト材料の濃度が高いことが好ましく、正孔輸送層13と発光層12の界面でゲスト材料の濃度が100%であることがより好ましい。図2に示す素子においては、正孔輸送層13と発光層12の界面に、発光層12にドープされているゲスト分子の濃度が100%のゲスト分子層18を有するため、発光層12内でゲスト材料の濃度に分布を持たせることは必ずしも必要ではない。
【0025】
ゲスト材料をホスト材料にドープする方法としては、ホスト材料、ゲスト材料を同時に真空蒸着する方法が挙げられ、それぞれの蒸着レートを調整することで任意のドープ濃度の発光層12が得られる。このとき、ゲスト材料の蒸着レートを連続的に変化することで、発光層12のゲスト濃度に分布を持たせることが可能である。
【0026】
ゲスト材料としては、低分子系の有機EL材料が好ましいが、ゲスト材料としては特に燐光発光性の材料が好ましい。
【0027】
基板15としては、ガラス基板や、poly−SiでTFT等の駆動回路を形成したガラス基板、シリコンウエハー上に駆動回路を設けたもの等、適宜用いることができる。
【0028】
陽極14としては、仕事関数の高い金属や、ITO等が好ましく、この構成の場合、透明電極であることが好ましい。
【0029】
陰極11の金属材料としては、アルミニウムやアルミニウム・リチウムの合金、マグネシウム・銀の合金など仕事関数の小さな金属が用いられ、その形成方法としては、マスクを介して任意の位置に上記金属材料を蒸着する方法が用いられる。
【0030】
また、基板上に積層した素子を酸素や水分から保護する目的で、金属やガラスのカバーで覆い外気と遮断することが好ましい(不図示)。
【0031】
以上の様にしてエレクトロルミネッセンス素子が作成される。
【0032】
エレクトロルミネッセンス素子の劣化現象については、よく分かっていないが、本発明による改善は、次のような現象であると考えられる。
【0033】
エレクトロルミネッセンス素子に電圧を印加した場合、陽極側から正孔が正孔輸送層に注入され、陰極側からは、電子が注入される。それぞれ注入された電荷は、発光層中で再結合し、発光する。このとき、注入された電荷はゲスト分子間をホッピングして伝導すると考えられる。
【0034】
従来の素子においては、図3(a)に示すように、正孔がゲスト分子にとどまっている間に、ゲスト分子は電界によってわずかに移動する。そして、長期間素子を駆動することにより、ゲスト分子はどんどん移動し、図3(b)に示すように、ついには電子輸送層界面に蓄積すると考えられる。その結果、濃度消光により輝度が減少したものと予想される。
【0035】
さて、本発明においては、図2に示す場合を例にとると、発光層中のゲスト材料と同じ材料の層(ゲスト分子層)が正孔輸送層と発光層の間に設けられている。正孔は、正孔輸送層からまずゲスト分子層に注入され、その後、発光層へ注入されるが、ゲスト分子層のゲスト分子は、電界により徐々に発光層へドリフトするために、発光層内のゲストの移動を補うことができ、輝度劣化を抑制したものと思われる(図3(c))。
【0036】
以下、図4〜6を参照して、本発明の素子において、アクティブマトリクス基板を用いた例について説明する。
【0037】
図4は、EL素子と駆動手段を備えたパネルの構成の一例を模式的に示したものである。パネルには、走査信号ドライバー、情報信号ドライバー、電流供給源が配置され、それぞれゲート選択線、情報信号線、電流供給線に接続される。ゲート選択線と情報信号線の交点には図5に示す画素回路が配置される。走査信号ドライバーは、ゲート選択線G1、G2、G3...Gnを順次選択し、これに同期して情報信号ドライバーから画像信号が印加される。
【0038】
次に画素回路の動作について説明する。この画素回路においては、ゲート選択線に選択信号が印加されると、TFT1がONとなり、Caddに画像信号が供給され、TFT2のゲート電位を決定する。EL素子には、TFT2のゲート電位に応じて、電流供給線より電流が供給される。TFT2のゲート電位は、TFT1が次に走査選択されるまでCaddに保持されるため、EL素子には次の走査が行われるまで流れつづける。これにより1フレーム期間常に発光させることが可能となる。
【0039】
図6は、本発明で用いられるTFT基板の断面構造の一例を示した模式図である。ガラス基板上にp−Si層が設けられ、チャネル、ドレイン、ソース領域にはそれぞれ必要な不純物がドープされる。この上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられると共に、上記ドレイン領域、ソース領域に接続するドレイン電極、ソース電極が形成されている。これらの上に絶縁層、及び画素電極としてITO電極を積層し、コンタクトホールにより、ITOとドレイン電極が接続される。
【0040】
本発明は、スイッチング素子に特に限定はなく、単結晶シリコン基板やMIM素子、a−Si型等でも容易に応用することができる。
【0041】
上記ITO電極の上に有機化合物層、陰極層を順次積層した基板を、導電性粘性物質を形成した対向基板と貼り合わせることで、EL表示パネルを得ることができる。
【0042】
【実施例】
<実施例1>
図2に示す構成の素子を作成した。ガラス基板(基板15)上に100nmのITO(透明電極14)をパターニングして、対向する電極面積が3mm2になるようにした。そのITO基板上に、以下の有機層と電極層を10-4Paの真空チャンバー内で抵抗加熱による真空蒸着により連続製膜し、素子Aを得た。
有機層1(正孔輸送層13)(40nm):α−NPD
有機層2(ゲスト分子層18)(2.5nm)
有機層3(発光層12)(40nm):CBP:ゲスト分子(重量比8重量%)
有機層4(励起子拡散防止層17)(10nm)BCP
有機層5(電子輸送層16)(60nm):Alq3
金属電極層1(15nm):AlLi合金(Li含有量1.8重量%)
金属電極層2(100nm):Al
【0043】
ゲスト分子としては、以下の金属配位化合物を用いた。
【0044】
【化2】
【0045】
比較のため、ゲスト分子層が無い以外は素子Aと同様の素子Bを得た。
【0046】
素子Aと素子Bを20mA/cm2の定電流で連続駆動を行い、輝度の変化を測定した結果を図7に示す。グラフを見て判る通り、輝度が半減する時間は素子Bに比べて、素子Aの方が約5倍となっており、連続駆動による輝度劣化が抑制されていることが分かる。
【0047】
なお、このときの初期輝度は、素子Aが800cd/m2、素子Bが1100cd/m2であった。
【0048】
<実施例2>
図1に示す構成の素子で、発光層12におけるゲスト材料の濃度を正孔輸送層13と発光層12の界面で100%、発光層12と励起子拡散防止層17の界面で8%とした素子Cを作成した。発光層12製膜時に、ゲスト材料の蒸着レートを連続的に変化させて形成した以外は、各層の材料、製法等は、実施例1と同様である。
【0049】
この素子を素子A、素子Bと同様に定電流にて連続駆動したところ、初期輝度は約600cd/m2で、素子Aと比べて悪くなったものの、輝度が半減する時間は700時間程度と、素子Bと比べ改善が見られた。
【0050】
<実施例3>
図5の画素回路を備えたアクティブマトリクス基板(図4)上に実施例1の素子を積層し、アクティブマトリクスパネルを作成した。作成したパネルは、良好な画質を示すと共に、実施例1と同様の耐久特性を示した。
【0051】
【発明の効果】
以上示したように、本発明によると、少なくとも正孔輸送層、発光層、電子輸送層を含む有機EL素子において、発光層にドープされているゲスト濃度に分布を持たせる、または正孔輸送層と発光層の間に、発光層にドープされているゲスト分子だけの層を配置することで、連続駆動による輝度劣化の少ない有機EL素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の素子の一例を示す図である。
【図2】本発明の素子の他の例を示す図である。
【図3】本発明の効果を説明する模式図である。
【図4】EL素子と駆動手段を備えたパネルの構成の一例を模式的に示した図である。
【図5】画素回路の一例を示す図である。
【図6】TFT基板の断面構造の一例を示した模式図である。
【図7】本発明による輝度劣化の改善効果を示すグラフである。
【図8】一般的な有機EL素子の構成を示す図である。
【図9】別の一般的な有機EL素子の構成を示す図である。
【符号の説明】
11 陰極
12 発光層
13 正孔輸送層
14 陽極
15 基板
16 電子輸送層
17 励起子拡散防止層
18 ゲスト分子層
Claims (4)
- 陰極と陽極の間に、少なくとも有機化合物層を有し、
該有機化合物層が、少なくとも、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の積層構造をなしており、
該発光層はホスト材料に燐光発光性のゲスト材料が分散されており、
該ゲスト材料の濃度が、該正孔輸送層側で高く、該正孔輸送層と該発光層の界面で100%であり、発光層の厚さ方向に連続的に変化する濃度勾配を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。 - 陰極と陽極の間に、少なくとも有機化合物層を有し、
該有機化合物層が、少なくとも、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の積層構造をなしており、
該発光層はホスト材料に燐光発光性のゲスト材料が分散されており、
該正孔輸送層と該発光層の間に、該ゲスト材料の濃度が100%の層を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。 - 前記ホスト材料はCBPであることを特徴とする請求項3に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002159645A JP4181795B2 (ja) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002159645A JP4181795B2 (ja) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004006102A JP2004006102A (ja) | 2004-01-08 |
JP4181795B2 true JP4181795B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=30429343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002159645A Expired - Fee Related JP4181795B2 (ja) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4181795B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012153603A1 (ja) | 2011-05-10 | 2012-11-15 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 燐光発光有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
US11696458B2 (en) | 2017-11-24 | 2023-07-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light-emitting device and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4649676B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2011-03-16 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US20060125379A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Au Optronics Corporation | Phosphorescent organic optoelectronic structure |
KR20080025393A (ko) * | 2005-07-06 | 2008-03-20 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
US7772761B2 (en) * | 2005-09-28 | 2010-08-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organic electrophosphorescence device having interfacial layers |
WO2008035595A1 (fr) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Dispositifs électroluminescents organiques |
JP5255794B2 (ja) | 2007-07-27 | 2013-08-07 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子 |
JP5130001B2 (ja) | 2007-07-27 | 2013-01-30 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP2009032990A (ja) | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
JP5497259B2 (ja) | 2007-07-27 | 2014-05-21 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子 |
JP2009055010A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
JPWO2009084413A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2011-05-19 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP5329342B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2013-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
EP2354207B1 (en) | 2010-01-20 | 2016-10-12 | Hitachi, Ltd. | Organic luminescent materials, coating solution using same for organic emitting layer, organic light emitting device using coating solution and light source device using organic light emitting device |
JP5011401B2 (ja) * | 2010-01-20 | 2012-08-29 | 株式会社日立製作所 | 有機発光層材料,有機発光層材料を用いた有機発光層形成用塗布液,有機発光層形成用塗布液を用いた有機発光素子および有機発光素子を用いた光源装置 |
WO2011096465A1 (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-11 | ケミプロ化成株式会社 | 発光効率を高める新規な有機el素子 |
JP5415340B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-02-12 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子 |
WO2012077714A1 (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
JP5771965B2 (ja) * | 2010-12-09 | 2015-09-02 | コニカミノルタ株式会社 | 多色燐光発光有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
JP5772835B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2015-09-02 | コニカミノルタ株式会社 | 多色燐光発光有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び照明装置 |
JP5703350B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2015-04-15 | 株式会社日立製作所 | 有機発光層材料,有機発光層材料を用いた有機発光層形成用塗布液,有機発光層形成用塗布液を用いた有機発光素子および有機発光素子を用いた光源装置 |
JP5998235B2 (ja) * | 2015-02-20 | 2016-09-28 | 株式会社日立製作所 | 有機発光素子の製造方法 |
CN113506852A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-10-15 | 宣城先进光伏技术有限公司 | 一种VOx-APPA为空穴传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法 |
CN113506855A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 |
CN114039006B (zh) * | 2021-11-09 | 2024-02-09 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种发光器件以及显示装置 |
CN114373877B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-08-29 | 昆山国显光电有限公司 | 一种有机电致发光器件和显示装置 |
-
2002
- 2002-05-31 JP JP2002159645A patent/JP4181795B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012153603A1 (ja) | 2011-05-10 | 2012-11-15 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 燐光発光有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
US11696458B2 (en) | 2017-11-24 | 2023-07-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light-emitting device and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004006102A (ja) | 2004-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4181795B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3902981B2 (ja) | 有機発光素子及び表示装置 | |
JP4298517B2 (ja) | 有機発光素子 | |
JP4343511B2 (ja) | 多色発光素子 | |
JP2008252082A (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
JP3861743B2 (ja) | 電界発光素子の駆動方法 | |
US6908694B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
US20170352709A1 (en) | Architecture for very high resolution amoled display | |
JP4254211B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
JP2007266160A (ja) | 有機発光素子アレイ | |
JP2004281087A (ja) | 有機elデバイスおよび有機elディスプレイ | |
JP2002359079A (ja) | 発光素子及び表示装置 | |
EP1511363A1 (en) | Organic field emission device and emission device | |
JPH08315986A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
US20070207344A1 (en) | Organic Electroluminescent Device and Display Apparatus Using the Same | |
KR100547055B1 (ko) | 유기 전계발광 소자 | |
JP2002164171A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2002373788A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050414 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080819 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |