JP4179139B2 - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
また、請求項1に記載の発明では、半導体基板(5)のうちのセル部には、第3、第2半導体層(4、3)を貫通して第1半導体層(2)まで達するトレンチ(6)が形成され、このトレンチ(6)の内壁面には第1導電型のチャネル層(7)が形成されていると共に、このチャネル層(7)の上にさらに第2導電型の第5半導体層(8)が形成されており、さらに、セル部における第5半導体層(8)を第1ゲート層、第2半導体層(3)を第2ゲート層とし、第1ゲート層と第2ゲート層のうち少なくとも一方に電気的に接続されるゲート電極(9、10)と、第3半導体層(4)をソース層とし、該ソース層に電気的に接続されるソース電極(11)と、基板(1)の裏面側に形成されたドレイン電極(12)とを有することを特徴としている。このように、セル部にJ−FETが構成される炭化珪素半導体装置において適用することが可能である。
そして、半導体基板(5)のうちセル部に形成されたトレンチ(6)を第1トレンチとし、半導体基板(5)のうち外周部領域に形成されたトレンチ(13)を第2トレンチとすると、第1トレンチ(6)の幅よりも第2トレンチ(13)の幅の方を小さく設定し、第2トレンチ(13)の内部が第4半導体層(14)で完全に埋め込まれるようにすることができる。
また、請求項2に示されるように、第1トレンチ(6)の幅と第2トレンチ(13)の幅とを同等に設定し、第2トレンチ(13)の内部に第4半導体層(14)と、この第4半導体層(14)の表面に形成された第2導電型の第6半導体層(20)とが埋め込まれるようにすることもできる。
本発明の一実施形態を適用した炭化珪素半導体装置の断面構成を図1に示す。以下、この図に基づいて本実施形態における炭化珪素半導体装置の構成について説明する。
まず、上記不純物濃度で構成されたN+型基板1を用意し、N+型基板1の表面に、N−型ドリフト層2、P+型層3およびN+型層4を順にエピタキシャル成長させることで半導体基板6を形成する。
フォトリソグラフィにより、セル部において、N+型層4およびP+型層3を貫通してN−型ドリフト層2に達するトレンチ6を形成すると共に、外周部領域においても、N+型層4およびP+型層3を貫通してN−型ドリフト層2に達するトレンチ13およびトレンチ15を形成する。このとき、トレンチ6の幅に対して、トレンチ13の幅が小さくなるようにする。
次に、エピタキシャル成長法により、N−型エピ膜を半導体基板6の表面全面に形成する。このとき、N−型エピ膜によってトレンチ13がすべて埋め込まれるように、N−型エピ膜の厚さがトレンチ13の幅の半分以上となるようにする。
続いて、エピタキシャル成長法により、N−型エピ膜の表面にP+型エピ膜を形成する。このとき、P+型エピ膜によってトレンチ6の残りの部分が埋め込まれるようにP+型エピ膜の厚さを設定する。
本発明の第2実施形態について説明する。図4に、本実施形態における炭化珪素半導体装置の断面構成を示す。本実施形態は、第1実施形態に対して、トレンチ13の幅を変更したものである。
本発明の第3実施形態について説明する。図6に、本実施形態における炭化珪素半導体装置の断面構成を示す。本実施形態は、第2実施形態に対して、トレンチ13の内側にP+型層ではなく酸化膜が形成されるようにしたものである。
本発明の第4実施形態について説明する。図7に、本実施形態における炭化珪素半導体装置の断面構成を示す。本実施形態は、第3実施形態に対して、トレンチ13の内壁面に形成したN−型層14の表面に、熱酸化によって酸化膜40を形成したものである。熱酸化で形成された酸化膜40の厚みは、CVD法などで形成される第3実施形態の酸化膜30よりも薄いため、酸化膜30によってトレンチ13が埋め込まれた構成とはならないが、図示しない層間絶縁膜によってトレンチ13が埋め込まれた構成とされる。その他の点に関しては、第3実施形態と同様である。
本発明の第5実施形態について説明する。図8に、本実施形態における炭化珪素半導体装置の断面構成を示す。本実施形態は、第3実施形態に対して、トレンチ13の内壁面に形成したN−型層14のうち、トレンチ13の底面に位置する部分の表面に、バッファ層となるP/P+型層50を形成したものである。その他の点に関しては、第3実施形態と同様である。
上記実施形態では、ガードリングとしてP+型層3を機能させるように、トレンチ13を複数個形成すると説明したが、その数については特に制限されるものではなく、少なくとも1つP+型層5がガードリングとして機能する構成であれば良い。
5…半導体基板、6…トレンチ、7…N−型エピ層、8…P+型層、
9…第1ゲート電極、10…第2ゲート電極、11…ソース電極、
12…ドレイン電極、13…トレンチ、14…N−型エピ層、
20…P+型層、21…フィールドプレート、30、40…酸化膜、
50…P/P+型層。
Claims (12)
- 第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)の上に、該基板(1)よりも低濃度な炭化珪素からなる第1導電型の第1半導体層(2)、炭化珪素からなる第2導電型の第2半導体層(3)、炭化珪素からなる第1導電型の第3半導体層(4)が順に形成されてなる半導体基板(5)と、
前記半導体基板(5)のうち素子形成領域となるセル部と、
前記セル部を囲むように形成される外周部領域とを備えた炭化珪素半導体装置であって、
前記半導体基板(5)のうちの前記外周部領域には、前記第3、第2半導体層(4、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達し、かつ、前記セル部を囲むように前記第3、第2半導体層(3、4)を実質的に分断する第2トレンチ(13)が形成され、
前記第2トレンチ(13)の内壁面には、第1導電型の第4半導体層(14)が形成されており、
前記半導体基板(5)のうちの前記セル部には、前記第3、第2半導体層(4、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達する第1トレンチ(6)が形成され、
この第1トレンチ(6)の内壁面には第1導電型のチャネル層(7)が形成されていると共に、このチャネル層(7)の上にさらに第2導電型の第5半導体層(8)が形成されており、
さらに、前記セル部における前記第5半導体層(8)を第1ゲート層、前記第2半導体層(3)を第2ゲート層とし、前記第1ゲート層と前記第2ゲート層のうち少なくとも一方に電気的に接続されるゲート電極(9、10)と、
前記第3半導体層(4)をソース層とし、該ソース層に電気的に接続されるソース電極(11)と、
前記基板(1)の裏面側に形成されたドレイン電極(12)とを有し、
前記第1トレンチ(6)の幅よりも前記第2トレンチ(13)の幅の方が小さく設定されており、前記第2トレンチ(13)の内部が前記第4半導体層(14)で完全に埋め込まれていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)の上に、該基板(1)よりも低濃度な炭化珪素からなる第1導電型の第1半導体層(2)、炭化珪素からなる第2導電型の第2半導体層(3)、炭化珪素からなる第1導電型の第3半導体層(4)が順に形成されてなる半導体基板(5)と、
前記半導体基板(5)のうち素子形成領域となるセル部と、
前記セル部を囲むように形成される外周部領域とを備えた炭化珪素半導体装置であって、
前記半導体基板(5)のうちの前記外周部領域には、前記第3、第2半導体層(4、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達し、かつ、前記セル部を囲むように前記第3、第2半導体層(3、4)を実質的に分断する第2トレンチ(13)が形成され、
前記第2トレンチ(13)の内壁面には、第1導電型の第4半導体層(14)が形成されており、
前記半導体基板(5)のうちの前記セル部には、前記第3、第2半導体層(4、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達する第1トレンチ(6)が形成され、
この第1トレンチ(6)の内壁面には第1導電型のチャネル層(7)が形成されていると共に、このチャネル層(7)の上にさらに第2導電型の第5半導体層(8)が形成されており、
さらに、前記セル部における前記第5半導体層(8)を第1ゲート層、前記第2半導体層(3)を第2ゲート層とし、前記第1ゲート層と前記第2ゲート層のうち少なくとも一方に電気的に接続されるゲート電極(9、10)と、
前記第3半導体層(4)をソース層とし、該ソース層に電気的に接続されるソース電極(11)と、
前記基板(1)の裏面側に形成されたドレイン電極(12)とを有し、
前記第1トレンチ(6)の幅と前記第2トレンチ(13)の幅とが同等に設定されており、前記第2トレンチ(13)の内部が前記第4半導体層(14)と、この第4半導体層(14)の表面に形成された第2導電型の第6半導体層(20)とにより完全に埋め込まれていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 前記第4半導体層(14)はエピタキシャル層であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。
- 第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)の上に、該基板(1)よりも低濃度な炭化珪素からなる第1導電型の第1半導体層(2)、炭化珪素からなる第2導電型の第2半導体層(3)、炭化珪素からなる第1導電型の第3半導体層(4)が順に形成されてなる半導体基板(5)と、
前記半導体基板(5)のうち素子形成領域となるセル部と、
前記セル部を囲むように形成される外周部領域とを備えた炭化珪素半導体装置であって、
前記半導体基板(5)のうちの前記外周部領域には、前記第3、第2半導体層(4、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達し、かつ、前記セル部を囲むように前記第3、第2半導体層(3、4)を実質的に分断するトレンチ(13)が形成され、
前記トレンチ(13)の内壁面には、第1導電型の第4半導体層(14)が形成されており、
前記トレンチ(13)の幅は、前記第4半導体層(14)の厚みの2倍以上とされており、
前記第4半導体層のうち、前記トレンチ(13)の底面に位置する部分の表層部には、第2導電型のバッファ層(50)が形成され、
前記トレンチ(13)のうち前記第4半導体層(14)の表面には、絶縁膜(30、40)が形成されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 前記半導体基板(5)のうちの前記セル部には、前記第3、第2半導体層(4、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達するトレンチ(6)が形成され、
このトレンチ(6)の内壁面には第1導電型のチャネル層(7)が形成されていると共に、このチャネル層(7)の上にさらに第2導電型の第5半導体層(8)が形成されており、
さらに、前記セル部における前記第5半導体層(8)を第1ゲート層、前記第2半導体層(3)を第2ゲート層とし、前記第1ゲート層と前記第2ゲート層のうち少なくとも一方に電気的に接続されるゲート電極(9、10)と、
前記第3半導体層(4)をソース層とし、該ソース層に電気的に接続されるソース電極(11)と、
前記基板(1)の裏面側に形成されたドレイン電極(12)とが備えられ、
前記半導体基板(5)のうち前記セル部に形成されたトレンチ(6)を第1トレンチとし、
前記半導体基板(5)のうち前記外周部領域に形成されたトレンチ(13)を第2トレンチとすると、
前記第1のトレンチ(6)の幅よりも前記第2トレンチ(13)の幅の方が大きく設定されていることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素半導体装置。 - 第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)の上に、該基板(1)よりも低濃度な炭化珪素からなる第1導電型の第1半導体層(2)、炭化珪素からなる第2導電型の第2半導体層(3)、炭化珪素からなる第1導電型の第3半導体層(4)が順に形成されてなる半導体基板(5)を形成する工程と、
前記半導体基板(5)のセル部において、前記第3、第2半導体層(4、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達する第1トレンチ(6)を形成すると共に、前記半導体基板(5)のうち前記セル部を囲むように構成される外周部領域においても、前記第3、第2半導体層(4、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達し、かつ、前記セル部を囲むように前記第3、第2半導体層(3、4)を実質的に分断する第2トレンチ(13)を形成する工程と、
エピタキシャル成長により、前記第1トレンチ(6)の内壁面に第1導電型のチャネル層(7)を形成すると共に、前記第2トレンチ(13)の内壁面に第1導電型の第4半導体層(14)を形成する工程と、
前記チャネル層(7)の上に第2導電型の第5半導体層(8)を形成する工程と、
前記セル部における前記第5半導体層(8)を第1ゲート層、前記第2半導体層(3)を第2ゲート層とし、前記第1ゲート層と前記第2ゲート層のうち少なくとも一方に電気的に接続されるゲート電極(9、10)を形成する工程と、
前記第3半導体層(4)をソース層とし、該ソース層に電気的に接続されるソース電極(11)を形成する工程と、
前記基板(1)の裏面側に、ドレイン電極(12)を形成する工程とを有し、
前記第1および第2トレンチ(6、13)を形成する工程では、前記第2トレンチ(13)の幅が前記第1トレンチ(6)よりも小さくなるようにし、
前記エピタキシャル成長工程では、前記第4半導体層(14)によって前記第2トレンチ(13)が埋め込まれるようにすることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)の上に、該基板(1)よりも低濃度な炭化珪素からなる第1導電型の第1半導体層(2)、炭化珪素からなる第2導電型の第2半導体層(3)、炭化珪素からなる第1導電型の第3半導体層(4)が順に形成されてなる半導体基板(5)を形成する工程と、
前記半導体基板(5)のセル部において、前記第3、第2半導体層(4、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達する第1トレンチ(6)を形成すると共に、前記半導体基板(5)のうち前記セル部を囲むように構成される外周部領域においても、前記第3、第2半導体層(4、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達し、かつ、前記セル部を囲むように前記第3、第2半導体層(3、4)を実質的に分断する第2トレンチ(13)を形成する工程と、
エピタキシャル成長により、前記第1トレンチ(6)の内壁面に第1導電型のチャネル層(7)を形成すると共に、前記第2トレンチ(13)の内壁面に第1導電型の第4半導体層(14)を形成する工程と、
前記チャネル層(7)の上に第2導電型の第5半導体層(8)を形成する工程と、
前記セル部における前記第5半導体層(8)を第1ゲート層、前記第2半導体層(3)を第2ゲート層とし、前記第1ゲート層と前記第2ゲート層のうち少なくとも一方に電気的に接続されるゲート電極(9、10)を形成する工程と、
前記第3半導体層(4)をソース層とし、該ソース層に電気的に接続されるソース電極(11)を形成する工程と、
前記基板(1)の裏面側に、ドレイン電極(12)を形成する工程とを有し、
前記第1および第2トレンチ(6、13)を形成する工程では、前記第2トレンチ(13)の幅が前記第1トレンチ(6)と同等になるようにし、
前記第5半導体層(8)を形成する工程では、前記第2トレンチ(13)の内壁面に形成された前記第4半導体層(14)の表面に、第2導電型の第6半導体層(20)が形成されるようにすることにより、前記第2トレンチ(13)内を前記第4半導体層(14)と前記第6半導体層(20)にて完全に埋め込むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)の上に、該基板(1)よりも低濃度な炭化珪素からなる第1導電型の第1半導体層(2)、炭化珪素からなる第2導電型の第2半導体層(3)、炭化珪素からなる第1導電型の第3半導体層(4)が順に形成されてなる半導体基板(5)を形成する工程と、
前記半導体基板(5)のセル部において、前記第3、第2半導体層(4、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達する第1トレンチ(6)を形成すると共に、前記半導体基板(5)のうち前記セル部を囲むように構成される外周部領域においても、前記第3、第2半導体層(4、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達し、かつ、前記セル部を囲むように前記第3、第2半導体層(3、4)を実質的に分断する第2トレンチ(13)を形成する工程と、
エピタキシャル成長により、前記第1トレンチ(6)の内壁面に第1導電型のチャネル層(7)を形成すると共に、前記第2トレンチ(13)の内壁面に第1導電型の第4半導体層(14)を形成する工程と、
前記チャネル層(7)の上に第2導電型の第5半導体層(8)を形成する工程と、
前記セル部における前記第5半導体層(8)を第1ゲート層、前記第2半導体層(3)を第2ゲート層とし、前記第1ゲート層と前記第2ゲート層のうち少なくとも一方に電気的に接続されるゲート電極(9、10)を形成する工程と、
前記第3半導体層(4)をソース層とし、該ソース層に電気的に接続されるソース電極(11)を形成する工程と、
前記基板(1)の裏面側に、ドレイン電極(12)を形成する工程とを有し、
前記第1および第2トレンチ(6、13)を形成する工程では、前記第2トレンチ(13)の幅が、前記エピタキシャル成長工程で形成される前記第4半導体層(14)の2倍以上となるようにし、
さらに、前記第2トレンチ(13)の内部における前記第4半導体層(14)の表面に絶縁膜(30、40)を形成する工程を行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第1および第2トレンチ(6、13)を形成する工程では、前記第2トレンチ(13)の幅が、前記第1トレンチ(6)よりも広くなるようにすることを特徴とする請求項8に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜(30、40)を形成する工程では、CVD法により、前記絶縁膜に相当する酸化膜(30)を形成することを特徴とする請求項8または9に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜(30、40)を形成する工程では、熱酸化法により、前記絶縁膜に相当する酸化膜(40)を形成することを特徴とする請求項8または9に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第4半導体層(14)を形成する工程を行ったのち、前記絶縁膜(30、40)を形成する工程の前に、前記第2トレンチ(13)の底面に位置する前記第4半導体層(14)の表層部に、イオン注入により、第2導電型のバッファ層(50)を形成する工程を有することを特徴とする請求項8ないし11のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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