JP4085603B2 - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、J−FETを備えた炭化珪素半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図16に、パワー素子として用いられるSiC半導体装置の一例としてNチャネル型のJ−FETの断面構成を示す。図16に示されるように、Nチャネル型のJ−FETは、SiCからなるN+型基板J1の上にN-型エピ層J2を成長させた基板を用いて形成される。N-型エピ層J2の表層部にはP型の第1ゲート領域J3がイオン注入によって形成されている。そして、第1ゲート領域J3上を含み、N-型エピ層J2の上にチャネル層J4が形成されている。そして、このチャネル層J4のうち第1ゲート領域J3よりも上層に位置する領域にN+型ソース領域J5が形成されている。また、第1ゲート領域J3のうちN+型ソース領域J5よりも突き出すように延設された部分とオーバラップするように、チャネル層J4の表面にはエピタキシャル成長によるP型の第2ゲート領域J6が形成されている。そして、第1、第2ゲート領域J3、J6と接するように第1、第2ゲート電極J7、J8が形成されていると共に、N+型ソース領域J5と接するようにソース電極J9が形成され、さらに、N+型基板J1と接するようにドレイン電極J10が形成されて図16に示すJ−FETが構成されている。
【0003】
このような構成のJ−FETをノーマリオフ型とする場合には、第1、第2ゲート電極J7、J8に対して電圧を印加していない際に、第1、第2ゲート領域J3、J6からチャネル層J4に向けて伸びる空乏層によってチャネル層J4がピンチオフされるように設計する。そして、第1、第2ゲート領域J3、J6から伸びる空乏層幅を制御することでチャネルを形成し、チャネルを通じてソース−ドレイン間に電流を流すことでJ−FETを動作させる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来のJ−FETでは、第1、第2ゲート領域J3、J6やN+型ソース領域J5をイオン注入もしくはエピタキシャル成長に形成しているが、これら各不純物層をセルフアライン(自己整合)で形成していないため、作製時のマスクずれによるバラツキ、特にチャネル長のバラツキが生じる。このため、1セル中でオン抵抗の高い部分と低い部分、あるいは耐圧の高い部分と低い部分が形成されるという問題を発生させ、パワー素子全体のオン抵抗を増加させると共に、耐圧の低下をもたらすという問題を発生させる。
【0005】
また、上記従来のノーマリオフ型のJ−FETでは、第2ゲート領域J6、N+型ソース領域J5および第1ゲート領域J3によって形成される寄生PNPバイポーラトランジスタが動作してしまうことを防ぐために、各ゲートによるスイッチング動作はPNジャンクションでのビルトインポテンシャル(約2.9V)で制御することが限界である。
【0006】
しかし現状では、イオン注入によって形成される第1ゲート領域J3とチャネル層J4とのPNジャンクションでの欠陥あるいは再結合により、第1ゲート領域J3からホールが発生し、バイポーラトランジスタが動作してしまうことになる。このため、上記したSiCの理論限界であるPNジャンクションのビルトインポテンシャル(約2.9V)までの使用ができなかった。このように、第1、第2ゲート領域J3、J6の電圧を高くできなかったことから、第1、第2ゲート領域J3、J6から伸びる空乏層幅を十分に縮めることができず、チャネル抵抗低減が十分に行えなかった。
【0007】
本発明は上記点に鑑みて、耐圧低下を抑制できると共に、チャネル抵抗低減を図れる炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、基板(1)上に第1導電型の第1半導体層(2)、第2導電型の第2半導体層(3)および第1導電型の第3半導体層(5)を順にエピタキシャル成長させ、半導体基板(6)のセル部においては、第3、第2半導体層(5、3)を貫通して第1半導体層(2)まで達する第1トレンチ(7)と、第1トレンチ(7)の内壁面にエピタキシャル成長によって形成された第1導電型のチャネル層(8)と、チャネル層(8)の上に形成された第2導電型の第4半導体層(9)と、第2半導体層(3)を第1ゲート領域(3a)とし、第1ゲート領域(3a)に電気的に接続された第1ゲート電極(10)と、第4半導体層(9)を第2ゲート領域(9a)とし、第2ゲート領域(9a)に電気的に接続された第2ゲート電極(11)と、第3半導体層(5)をソース領域(5a)とし、ソース領域(5a)に電気的に接続されたソース電極(12)と、基板(1)の裏面側に形成されたドレイン電極(14)とが備えられ、半導体基板(6)のうち、セル部の外周を囲むように構成される外周耐圧部においては、第3、第2半導体層(5、3)を貫通して第1半導体層(2)まで達するガードリングが備えられていると共に、ガードリングを、第3、第2半導体層(5、3)を貫通して第1半導体層(2)まで達する第2トレンチ(20)と、第2トレンチ(20)の内壁に備えられた第2導電型の第5半導体層(9)とを有した構成にすると共に、第2トレンチ(20)の内壁面から第1〜第3半導体層(2、3、5)に広がるように延設されたバナジウムのイオン注入による半絶縁性領域(16)を含んだ構成にすることを特徴としている。
【0009】
このように、基板上に第1導電型の第1半導体層、第2導電型の第2半導体層および第1導電型の第3半導体層を順にエピタキシャル成長させた半導体基板を用い、かつ、第1トレンチの内壁面のチャネル層をエピタキシャル成長によって形成することで、これら各構成を結晶欠陥のない結晶性の良好な炭化珪素で構成できる。これにより、PNジャンクションでの欠陥あるいは再結合により寄生バイポーラトランジスタが動作してしまうことを防止でき、ビルトインポテンシャルまでの使用が可能となるため、チャネル抵抗を低減することができる。
【0010】
また、このような構成の炭化珪素半導体装置は、第1〜第3半導体層とチャネル層とが自己整合的に形成される。このため、素子形成時のマスクずれ等のバラツキの問題が生じるくとなく、チャネル長のバラツキも生じない。これにより、1セル中でオン抵抗の高い部分と低い部分、あるいは耐圧の高い部分と低い部分が形成されるという問題も発生させず、パワー素子全体のオン抵抗を増加させたり、耐圧の低下をもたらしたりすることも防止できる。
【0011】
そして、外周耐圧部にガードリングを形成した構成とすることができ、ガードリングを、第3、第2半導体層(5、3)を貫通して第1半導体層(2)まで達する第2トレンチ(20)と、第2トレンチ(20)の内壁に備えられた第2導電型の第5半導体層(9)とを有した構成にすると共に、第2トレンチ(20)の内壁面から第1〜第3半導体層(2、3、5)に広がるように延設されたバナジウムのイオン注入による半絶縁性領域(16)を含んだ構成にすることできる。
【0017】
請求項2乃至5に記載の発明は、本発明を炭化珪素半導体装置の製造方法として把握したものである。これらの方法により、本発明にかかる炭化珪素半導体装置を製造することができる。
【0018】
請求項3に記載の発明は、第4半導体層(9)を形成する工程では、チャネル層(8)の表層部に第2導電型不純物を拡散させることで、第4半導体層(9)を形成し、さらに、チャネル層(8)を形成する工程では、チャネル層(8)と共に第2トレンチ(20)内にも第1導電型の第6半導体層(15)を形成し、第5半導体層(9)を形成する工程では、第6半導体層(15)の表層部に第2導電型不純物を拡散させることで、第5半導体層(9)を形成し、さらに、チャネル層(8)を形成する工程では、チャネル層(8)と共に第2トレンチ(20)内にも第1導電型の第6半導体層(15)を形成し、第5半導体層(9)を形成する工程では、第6半導体層(15)の全域に第2導電型不純物を拡散させることで、第5半導体層(9)を形成することを特徴としている。
このように、チャネル層に第2導電型不純物を拡散させることで第4半導体層を形成することが可能である。このようにすれば、エピタキシャル成長で形成した場合と同様に、第4半導体層の結晶性を良好にすることができる。また、第6半導体層(15)の全域に第2導電型不純物を拡散させることで、ガードリングを構成する第5半導体層を形成することができる。
【0019】
請求項4に記載の発明では、第1トレンチ(7)を形成する工程と第2トレンチ(20)を形成する工程とを同時に行うことを特徴としている。このように、第1、第2トレンチを同時に形成することが可能である。
【0021】
請求項3に記載の発明では、第4半導体層(9)を形成する工程と第5半導体層(9)を形成する工程とを同時に行うことを特徴としている。このように、第4、第5半導体層を同時に形成することができる。
【0024】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0025】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
図1に、本発明の第1実施形態における炭化珪素半導体装置の断面構成を示す。図1(a)は、炭化珪素半導体装置のセル部に形成されるJ−FETの断面構成、図1(b)は、外周耐圧部の断面構成を示したものである。以下、図1に基づいて炭化珪素半導体装置の構成の説明を行う。
【0026】
図1(a)、(b)に示すように、炭化珪素半導体装置には、例えば1×1019cm-3以上の不純物濃度とされたN+型基板(基板)1と、例えば1×1015〜5×1016cm-3の不純物濃度とされたN-型ドリフト層(第1半導体層)2と、例えば1×1018〜5×1019cm-3の不純物濃度とされたP+型層(第2半導体層)3と、例えば1×1018〜5×1020cm-3の不純物濃度とされたN+型層(第3半導体層)5とが備えられている。これらN+型基板1、N-型ドリフト層2、P+型層3およびN+型層5は、炭化珪素によって構成されており、これらによって半導体基板6が構成されている。
【0027】
また、図1(a)に示すように、J−FET形成領域における半導体基板6の主表面側には、N+型ソース領域5およびP+型層3を貫通してN-型ドリフト層2まで達するトレンチ7が形成されている。このトレンチ7の内壁面には、例えば1μm以下の厚さ、5×1015〜5×1016cm-3の不純物濃度とされたN-型チャネル層8と、1×1018〜5×1020cm-3の不純物濃度とされたP+型層(第4半導体層)9とが順に成膜されている。
【0028】
J−FETにおいては、P+型層3、9によって第1ゲート領域3aと第2ゲート領域9aが構成され、N+型層5によってN+型ソース領域5aが構成される。第1、第2ゲート領域3a、9aの各表面には、例えばP+型層とオーミック接触可能な材質であるAlと、その上に積層されたNiとから構成された第1ゲート電極10および第2ゲート電極11が形成され、N+型ソース領域5aの表面には、例えばNiから構成されたソース電極12が形成されている。そして、これら第1、第2ゲート電極10、11とソース電極12とが層間絶縁膜13を介して電気的に分離された構成となっている。
【0029】
また、半導体基板6の裏面側にはN+型基板1と電気的に接続されたドレイン電極14が形成され、このような構成によって図1(a)に示すJ−FETが構成されている。
【0030】
一方、図1(b)に示すように、外周耐圧部においては、半導体基板6の表面にN-型層15が形成されている。このN-型層15は、J−FET形成領域におけるN-型チャネル層8と同時に形成されるものである。
【0031】
また、N-型層15の表面にはP+型層9が形成されている。そして、P+型層9の表面から、P+型層9、N-型層15、N+型層5およびP+型層3を貫通し、N-型ドリフト層2に達する半絶縁性領域16が形成されている。この半絶縁性領域16は、いわゆるガードリングとしての役割を果たすものであり、外周耐圧部に延びる電界をさらにセル部の外周側に延ばすことで、電界緩和を行うようになっている。
【0032】
そして、半絶縁性領域16を含むP+型層9の表面に層間絶縁膜13が形成され、半導体基板6の裏面側にドレイン電極14が形成されて、図1(b)に示す外周耐圧部が構成されている。
【0033】
このように構成されたJ−FETはノーマリオフで作動する。この作動は、第1、第2ゲート電極10、11の接続態様によって異なっており、以下のように行われる。
【0034】
▲1▼第1ゲート電極10と第2ゲート電極11との電位が独立して制御可能な態様の場合には、第1、第2ゲート電極10、11の電位に基づいて第1、第2ゲート領域3a、9aの双方からN-型チャネル層8側に延びる空乏層の延び量を制御するダブルゲート駆動が行われる。例えば、第1、第2ゲート電極10、11に電圧を印加していない時には、N-型チャネル層8が第1、第2ゲート領域3a、9aの双方から延びる空乏層によってピンチオフされる。これにより、ソース−ドレイン間の電流がオフされる。そして、第1、第2ゲート領域3a、9aとN-型チャネル層8との間に順バイアスをかけると、N-型チャネル層8に延びる空乏層の延び量が縮小される。これにより、チャネル領域が設定されて、ソース−ドレイン間に電流が流される。
【0035】
▲2▼第1ゲート電極10の電位のみが独立して制御可能で、第2ゲート電極11の電位がソース電極12と同電位とされる態様の場合には、第1ゲート電極10の電位に基づいて第1ゲート領域3a側からN-型チャネル層8側に延びる空乏層の延び量を制御するシングルゲート駆動が行われる。この場合にも基本的にはダブルゲート駆動の場合と同様の作動を行うが、チャネル領域の設定が第1ゲート領域3a側から延びる空乏層のみによって行われることになる。
【0036】
▲3▼第2ゲート電極11の電位のみが独立して制御可能で、第1ゲート電極10の電位がソース電極12と同電位とされる態様の場合には、第2ゲート電極11の電位に基づいて第2ゲート領域9a側からN-型チャネル層8側に延びる空乏層の延び量を制御するシングルゲート駆動が行われる。この場合にも基本的にはダブルゲート駆動の場合と同様の作動を行うが、チャネル領域の設定が第2ゲート領域9a側から延びる空乏層のみによって行われることになる。
【0037】
続いて、図1に示す炭化珪素半導体装置の製造工程について、図2〜図5に示す製造工程図を用いて説明する。なお、図2〜図5では、紙面左側にJ−FET形成領域の断面構成、紙面右側に外周耐圧部の段面構成を示してある。
【0038】
〔図2(a)、(b)に示す工程〕
まず、図2(a)に示すように、上記不純物濃度で構成されたN+型基板1を用意し、N+型基板1の表面に、N-型ドリフト層2、P+型層3およびN+型層5を順にエピタキシャル成長させることで半導体基板6を形成する。そして、フォトリソグラフィにより、図2(b)に示すように、J−FET形成予定領域において、N+型層5およびP+型層3を貫通してN-型ドリフト層2に達するトレンチ7を形成する。
【0039】
〔図3(a)(b)に示す工程〕
図3(a)に示すように、トレンチ7を含む半導体基板6の表面にN-型チャネル層8およびN-型層15をエピタキシャル成長させる。これにより、N-型チャネル層8が形成される。このとき、N-型ドリフト層2、P+型層3およびN+型層5をエピタキシャル成長によって形成しており、これらに形成したトレンチ7内にN-型チャネル層8をエピタキシャル成長させるようにしているため、N-型ドリフト層2、P+型層3およびN+型層5とN-型チャネル層8とが自己整合的に形成される。
【0040】
その後、例えば1800〜2000℃での雰囲気下における気相拡散を行うことで、N-型チャネル層8およびN-型層15の表層部にP型不純物を拡散させ、図3(b)に示すように所定深さとなるP+型層9を形成する。この気相拡散によれば、エピタキシャル成長と同様に、結晶欠陥がない結晶性の良好な炭化珪素でP+型層9を形成することができる。
【0041】
〔図4(a)、(b)に示す工程〕
フォトリソグラフィにより外周部耐圧領域の所定領域に開口部が形成されたマスクを配置したのち、V+(バナジウム)のイオン注入を行うことで、図4(a)に示すようにガードリングの役割を果たす半絶縁性領域16を形成する。そして、フォトリソグラフィによる選択的エッチングを行い、図4(b)に示すようにJ−FET形成領域におけるN+型層5の表面を露出させるコンタクトホールを形成する。
【0042】
〔図5に示す工程〕
フォトリソグラフィによる選択的エッチングを行い、N+型層5の所定領域をエッチし、P+型層3の表面を露出させる。
【0043】
この後の製造工程については図示しないが、半導体基板6の表面全面に層間絶縁膜13を成膜したのち、層間絶縁膜13にコンタクトホールを形成し、層間絶縁膜13の上に配線層を成膜すると共に配線層をパターニングすることで、第1、第2ゲート電極10、11、ソース電極12を形成する。そして、半導体基板6の裏面側にドレイン電極14を形成することで、図1に示す炭化珪素半導体装置が完成する。
【0044】
以上説明したように、本実施形態に示す炭化珪素半導体装置においては、N-型ドリフト層2、P+型層3およびN+型層5をエピタキシャル成長によって形成し、これらに形成したトレンチ7内にN-型チャネル層8をエピタキシャル成長させることで、N-型ドリフト層2、P+型層3およびN+型層5とN-型チャネル層8とが自己整合的に形成されるようにしている。このため、素子形成時のマスクずれ等のバラツキの問題が生じるくとなく、チャネル長のバラツキも生じない。これにより、1セル中でオン抵抗の高い部分と低い部分、あるいは耐圧の高い部分と低い部分が形成されるという問題も発生させず、パワー素子全体のオン抵抗を増加させたり、耐圧の低下をもたらしたりすることも防止できる。
【0045】
さらに、本実施形態では、N-型チャネル層8をエピタキシャル成長によって形成すると共に、気相拡散によってN-型チャネル層8内にP+型層9を形成するようにしている。このため、P+型層9もN-型チャネル層8と同様に、結晶欠陥がない結晶性の良好な炭化珪素で構成できる。これにより、PNジャンクションでの欠陥あるいは再結合により寄生バイポーラトランジスタが動作してしまうことを防止でき、ビルトインポテンシャルまでの使用が可能となるため、第1、第2ゲート領域3a、9aから延びる空乏層幅を十分に縮められ、チャネル抵抗を低減することができる。
【0046】
(第2実施形態)
図6に、本発明の第2実施形態における炭化珪素半導体装置の断面構成を示す。図6(a)は、炭化珪素半導体装置のセル部に形成されるJ−FETの断面構成、図6(b)は、外周耐圧部の断面構成を示したものである。以下、図6に基づいて炭化珪素半導体装置の構成の説明を行うが、本実施形態における炭化珪素半導体装置の基本構成は第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
【0047】
図6(b)に示すように、本実施形態は、外周耐圧部にトレンチ20を形成し、このトレンチ20の内壁表面にP+型層(第5半導体層)9および層間絶縁膜13を配置したことが第1実施形態と異なる。
【0048】
このようにP+型層9をトレンチ20の内壁面に配置し、P+型層9がN+型層5およびP+型層3を貫通してN-型ドリフト層2に達するような構成としても、第1実施形態における半絶縁性領域16と同様にガードリングとしての役割を果たさせることができる。
【0049】
図7〜図10に、本実施形態における炭化珪素半導体装置の製造工程を示す。以下、これらの図に基づいて炭化珪素半導体装置の製造方法について説明する。なお、図7〜図10では、紙面左側にJ−FET形成領域の断面構成、紙面右側に外周耐圧部の段面構成を示してある。
【0050】
〔図7(a)、(b)に示す工程〕
まず、図7(a)に示す工程では、第1実施形態における図2(a)と同様に、上記不純物濃度で構成されたN+型基板1を用意し、N+型基板1の表面に、N-型ドリフト層2、P+型層3およびN+型層5を順にエピタキシャル成長させることで半導体基板6を形成する。その後、フォトリソグラフィにより、図7(b)に示すように、J−FET形成予定領域において、N+型層5およびP+型層3を貫通してN-型ドリフト層2に達するトレンチ7を形成すると共に、外周耐圧部において、N+型層5およびP+型層3を貫通してN-型ドリフト層2に達するトレンチ20を形成する。
【0051】
〔図8(a)、(b)に示す工程〕
図8(a)に示すように、トレンチ7およびトレンチ20を含む半導体基板6の表面にN-型チャネル層8およびN-型層(第6半導体層)15を例えば1μmの厚さエピタキシャル成長させる。その後、フォトリソグラフィにより、図8(b)に示すように、外周耐圧部におけるN-型層15を選択的にエッチングし、N-型層15の膜厚を例えば0.2μmくらいまで薄くする。
【0052】
〔図9(a)、(b)に示す工程〕
例えば1800〜2000℃での雰囲気下における気相拡散を行うことで、N-型チャネル層8の表層部およびN-型層15にP型不純物を拡散させ、図9(a)に示すように所定深さとなるP+型層9を形成する。これにより、N-型層15の全域にP型不純物が拡散され、全域がP+型層9となる。この後、図4(b)と同様の工程を行い、J−FET形成領域におけるN+型層5の表面を露出させるコンタクトホールを形成する。
【0053】
〔図10に示す工程〕
図5と同様の工程を行い、N+型層5の所定領域をエッチングしてP+型層3の表面を露出させる。
【0054】
以上のようにして、図6に示す本実施形態の炭化珪素半導体装置が完成する。このようにしても、第1実施形態と同様の効果が得られると共に、第1実施形態で示した半絶縁性領域16を形成するためのイオン注入を行う必要がなくなることから、製造工程の簡略化を図ることができる。
【0055】
(第3実施形態)
本実施形態は、上記第2実施形態に対して、図11に示す工程を付加したものである。図11(a)に示す工程は、上記第2実施形態の図9(a)に示す工程まで行った場合における外周耐圧部の断面構成を示したものである。この工程まで行った後、図11(b)に示すように、基板表面にマスク材30をしたのち、マスク材30の上からVのイオン注入を行う。これにより、トレンチ20の内壁面からN+型層5、P+型層3およびN-型ドリフト層2側に広がるように半絶縁性領域31が形成される。その後、図11(c)に示すように、マスク材30を除去する。
【0056】
このように、トレンチ20の内壁面からさらに半絶縁性領域31が延設されるようにしても、第1実施形態で示したようなガードリング効果を得ることができる。
【0057】
(第4実施形態)
上記第2、第3実施形態では、トレンチ20の内壁にN-型層15を残し、N-型層15にP型不純物を拡散させることでP+型層9を形成するようにしているが、必ずしもN-型層15を残した構成とする必要はない。この場合、図12に示すように、トレンチ20を形成した後、トレンチ20の内壁面にVをイオン注入することで、トレンチ20の内壁面から半絶縁性材料31が延設された構成とすることができる。このようにしても、第3実施形態と同様に、半絶縁性材料31によってガードリング効果を得ることができる。
【0058】
(第5実施形態)
上記各実施形態では、外周耐圧部において、N-型層5およびP+型層3を貫通するような構成の半絶縁性領域16、31やトレンチ20を形成しているが、通常のガードリングを構成することも可能である。図13に、本実施形態における炭化珪素半導体装置の製造工程途中の断面構成を示し、この図に基づいて説明する。ただし、炭化珪素半導体装置の製造工程のうち第1実施形態と同様の部分については、第1実施形態を参照して説明する。
【0059】
まず、第1実施形態における図2(a)〜図3(b)に示す工程まで施したのち、図4(a)に示す工程は行わずに、図4(b)に示す工程を行う。そして、図5に示す工程を行う。このとき、外周耐圧部に関してはマスクで覆わずに、N-型層5が全面的に除去されるようにする。続いて、外周耐圧部が露出し、セル部が覆われるマスクを配置した後、エッチングを行って外周耐圧部のP+型層3を除去する。これにより、外周耐圧部におけるN-型層5およびP+型層3が除去された状態となる。
【0060】
そして、図13に示すように、N-型ドリフト層2の表面に、ガードリング形成予定位置が開口するカーボンレジスト等のマスク40を配置したのち、ArやC等のSiCに対して不活性なイオンを注入することで、N-型ドリフト層2の所定位置をアモルファス化させる。その後、先程使用したマスク40をそのまま用いてP型不純物を気相拡散させることで、N-型ドリフト層2の表層部に等間隔のP+型層41aを形成する。これにより、複数のP+型層30aから構成されるガードリング41が形成される。
【0061】
このように、外周耐圧部に関してはN-型層5およびP+型層3を除去し、N-型ドリフト層2の表層部にガードリング41を形成するようにしても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0062】
なお、ガードリング41を形成するに当たって、P型不純物が拡散される深さはアモルファス化させた領域の深さに依存することになるため、不活性なイオンを注入する深さによってガードリング41の深さを制御することが可能である。
【0063】
(第6実施形態)
第5実施形態で示したガードリング41に代えて、またはガードリング41と共に外周部P型領域を形成することもできる。図14に、本実施形態における炭化珪素半導体装置の製造工程途中の断面構成を示し、この図に基づいて説明する。ただし、炭化珪素半導体装置の製造工程のうち第5実施形態と同様の部分については、説明を省略する。
【0064】
まず、第5実施形態と同様に、外周耐圧部におけるN-型層5およびP+型層3を除去する。その後、図14に示すように、外周部P型領域形成予定位置が開口するカーボンレジスト等のマスク40を配置したのち、ArやC等のSiCに対して不活性なイオンを注入することで、N-型ドリフト層2の所定位置をアモルファス化させる。その後、先程使用したマスク40をそのまま用いてP型不純物を気相拡散させることで、N-型ドリフト層2の表層部に外周部P型領域42を形成する。
【0065】
このように、外周耐圧部に関してはN-型層5およびP+型層3を除去し、N-型ドリフト層2の表層部に外周部P型領域42を形成するようにしても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、この外周部P型領域42の深さに関しても、アモルファス化させた領域の深さに依存するため、不活性なイオンを注入する深さによって制御可能である。
【0066】
(第7実施形態)
また、第6実施形態で示した外周部P型領域42の構成を変えることもできる。図15に、本実施形態における炭化珪素半導体装置の製造工程途中の断面構成を示し、この図に基づいて説明する。ただし、炭化珪素半導体装置の製造工程のうち第6実施形態と同様の部分については、説明を省略する。
【0067】
まず、第6実施形態と同様に、外周耐圧部におけるN-型層5およびP+型層3を除去する。その後、外周部P型領域形成予定位置のうちの内周側が開口するカーボンレジスト等のマスクを配置したのち、ArやC等のSiCに対して不活性なイオンを注入することで、N-型ドリフト層2の所定位置をアモルファス化させる。その後、先程使用したマスクをそのまま用いてP型不純物としてAlを気相拡散させる。これにより、外周部P型領域42のうちの内周側領域42aが形成される。
【0068】
続いて、外周部P型領域形成予定位置のうちの外周側が開口するカーボンレジスト等のマスクを配置したのち、ArやC等のSiCに対して不活性なイオンを注入することで、N-型ドリフト層2の所定位置をアモルファス化させる。その後、先程使用したマスクをそのまま用いてP型不純物としてBを気相拡散させる。これにより、外周部P型領域42のうちの外周側領域42bが形成される。このとき、Bの方がAlよりも拡散し易いことから、外周部領域42bの方が内周部領域42aより深い位置まで形成されると共に、外周部領域42bは浅い位置から深い位置にかけて順に不純物濃度が薄くなっていくようなグラデュエーションが生じる。
【0069】
このように、外周部P型領域42を内周部領域42aと外周部領域42bとで構成し、外周部領域42bが内周部領域42aよりも深く、かつ、浅い位置から深い位置にかけて順に不純物濃度が薄くなっていくようなグラデュエーションを有する構成とすることも可能である。そして、このような構成とすることで、炭化珪素半導体装置の耐圧を向上させることができる。
【0070】
(他の実施形態)
なお、上記各実施形態では、N-型チャネル層8というN型不純物層がチャネルとなるJ−FETを備えた炭化珪素半導体装置について説明したが、炭化珪素半導体装置の各構成要素の導電型が反転させたP型不純物層がチャネルとなるJ−FETを備えた炭化珪素半導体装置についても本発明を適用することが可能である。
【0071】
また、上記実施形態では、ノーマリオフ型のJ−FETを例に挙げて説明したが、ノーマリオフ型に限らず、ノーマリオン型のJ−FETであっても適用可能である。この場合、例えば、N−型チャネル層8の不純物濃度を5×1016〜1×1017cm-3程度とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態における炭化珪素半導体装置の断面構成を示す図である。
【図2】図1に示す炭化珪素半導体装置の製造工程を示す図である。
【図3】図2に続く炭化珪素半導体装置の製造工程を示す図である。
【図4】図3に続く炭化珪素半導体装置の製造工程を示す図である。
【図5】図4に続く炭化珪素半導体装置の製造工程を示す図である。
【図6】本発明の第2実施形態における炭化珪素半導体装置の断面構成を示す図である。
【図7】図6に示す炭化珪素半導体装置の製造工程を示す図である。
【図8】図7に続く炭化珪素半導体装置の製造工程を示す図である。
【図9】図8に続く炭化珪素半導体装置の製造工程を示す図である。
【図10】図9に続く炭化珪素半導体装置の製造工程を示す図である。
【図11】本発明の第3実施形態における炭化珪素半導体装置の製造工程を示す図である。
【図12】本発明の第4実施形態における炭化珪素半導体装置の製造工程を示す図である。
【図13】本発明の第5実施形態における炭化珪素半導体装置の製造工程を示す図である。
【図14】本発明の第6実施形態における炭化珪素半導体装置の製造工程を示す図である。
【図15】本発明の第2実施形態における炭化珪素半導体装置の製造工程を示す図である。
【図16】従来の炭化珪素半導体装置の断面構成を示す図である。
【符号の説明】
1…N+型基板、2…N-型ドリフト層、3…P+型層、3a…第1ゲート領域、5…N+型層、5a…N+型ソース領域、6…半導体基板、7…トレンチ、8…N-型チャネル層、9…P+型層、9a…第2ゲート領域、10…第1ゲート電極、11…第2ゲート電極、12…ソース電極、14…ドレイン電極。
Claims (5)
- 第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)と、
前記基板(1)上にエピタキシャル成長によって形成され、前記基板(1)よりも低濃度とされた第1導電型の第1半導体層(2)と、
前記第1半導体層(2)上にエピタキシャル成長によって形成された第2導電型の第2半導体層(3)と、
前記第2半導体層(3)上にエピタキシャル成長によって形成された第1導電型の第3半導体層(5)とを備えた半導体基板(6)を有し、
該半導体基板(6)のセル部においては、
前記第3、第2半導体層(5、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達する第1トレンチ(7)と、
前記第1トレンチ(7)の内壁面にエピタキシャル成長によって形成された第1導電型のチャネル層(8)と、
前記チャネル層(8)の上に形成された第2導電型の第4半導体層(9)と、
前記第2半導体層(3)を第1ゲート領域(3a)とし、該第1ゲート領域(3a)に電気的に接続された第1ゲート電極(10)と、
前記第4半導体層(9)を第2ゲート領域(9a)とし、該第2ゲート領域(9a)に電気的に接続された第2ゲート電極(11)と、
前記第3半導体層(5)をソース領域(5a)とし、該ソース領域(5a)に電気的に接続されたソース電極(12)と、
前記基板(1)の裏面側に形成されたドレイン電極(14)とが備えられ、
前記半導体基板(6)のうち、前記セル部の外周を囲むように構成される外周耐圧部においては、
前記第3、第2半導体層(5、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達するガードリングが備えられ、かつ、前記ガードリングは、前記第3、第2半導体層(5、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達する第2トレンチ(20)と、該第2トレンチ(20)の内壁に備えられた第2導電型の第5半導体層(9)とを有して構成されていると共に、前記第2トレンチ(20)の内壁面から前記第1〜第3半導体層(2、3、5)に広がるように延設されたバナジウムのイオン注入による半絶縁性領域(16)を含んで構成されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)の上に、該基板(1)よりも低濃度な第1導電型の第1半導体層(2)、第2導電型の第2半導体層(3)、第1導電型の第3半導体層(5)を順にエピタキシャル成長させることで、前記基板(1)と前記第1〜第3半導体層(2、3、5)とを有してなる半導体基板(6)を形成する工程と、
該半導体基板(6)のセル部において、前記第3、第2半導体層(5、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達する第1トレンチ(7)を形成する工程と、
前記第1トレンチ(7)の内壁面にエピタキシャル成長によって第1導電型のチャネル層(8)を形成する工程と、
前記チャネル層(8)の上に第2導電型の第4半導体層(9)を形成する工程と、
前記第2半導体層(3)を第1ゲート領域(3a)とし、該第1ゲート領域(3a)に電気的に接続される第1ゲート電極(10)を形成する工程と、
前記第4半導体層(9)を第2ゲート領域(9a)とし、該第2ゲート領域(9a)に電気的に接続される第2ゲート電極(11)を形成する工程と、
前記第3半導体層(5)をソース領域(5a)とし、該ソース領域(5a)に電気的に接続されるソース電極(12)を形成する工程と、
前記基板(1)の裏面側に、ドレイン電極(14)を形成する工程とを有し、
前記第4半導体層(9)を形成する工程では、前記チャネル層(8)の表層部に第2導電型不純物を拡散させることで、前記第4半導体層(9)を形成しており、
前記半導体基板(6)のうち、前記セル部の外周を囲むように構成される外周耐圧部においては、
前記第3、第2半導体層(5、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達するガードリングを形成する工程を有し、
前記ガードリングを形成する工程では、前記第3、第2半導体層(5、3)を貫通して前記第1半導体層(2)まで達する第2トレンチ(20)を形成したのち、前記第2トレンチの内壁面に第2導電型の第5半導体層(9)を形成し、
さらに、前記チャネル層(8)を形成する工程では、前記チャネル層(8)と共に前記第2トレンチ(20)内にも第1導電型の第6半導体層(15)を形成し、
前記第5半導体層(9)を形成する工程では、前記第6半導体層(15)の全域に第2導電型不純物を拡散させることで、前記第5半導体層(9)を形成することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第4半導体層(9)を形成する工程と前記第5半導体層(9)を形成する工程とを同時に行うことを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第1トレンチ(7)を形成する工程と前記第2トレンチ(20)を形成する工程とを同時に行うことを特徴とする請求項2または3に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記ガードリングを形成する工程では、前記第2トレンチ(20)を形成したのち、該第2トレンチ(20)の内壁面に半絶縁性不純物をイオン注入することで、該第2トレンチ(20)の内壁面から前記第1〜第3半導体層(2、3、5)に広がる半絶縁性領域(16)を形成することを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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