JP4178098B2 - レチクルに形成されたパターンをウェハに投影させる光学システム、ウェハにイメージを形成する方法及びパターンのイメージをウェハ上に光学的に転写する方法 - Google Patents
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Description
目次一覧
1.概要
2.術語
3.ビームスプリッタ光学システムの設計
a.スペーサプレートを備えていないビームスプリッタ光学システムの設計
b.スペーサプレートを備えていないビームスプリッタ光学システムの設計における
イメージの経路
c.スペーサプレートを備えたビームスプリッタ光学システムの設計
d.スペーサプレートを備えたビームスプリッタ光学システムデの設計ンにおけるイ
メージの経路
4.結び
本発明は、リソグラフィックシステム及び、イメージ反転なく高品質のイメージを投影する反射屈折露光系を使用する方法に関する。本発明により、より効率的且つ適時に半導体を製造することができる。
本発明をより明確に詳述するために、明細書全体にわたり可能な限り一貫した以下の用語の規定に従う試みがなされた。
a.スペーサプレートを備えていないビームスプリッタ光学システムの設計
図2aは、スペーサプレートを備えていないビームスプリッタ立方体を有する本発明の実施形態を示す。図2bは、スペーサプレートを備えたビームスプリッタ立方体を有する本発明の別の実施形態を示す。図3aは、図2aの実施形態における光ビームの進行の経路を示す。図3bは、図2bの実施形態における光ビームの進行の経路を示す。
図3aは、反射屈折光学システム200の図2aにおける実施形態における光ビームの経路を示す。この実施形態においては、光はレチクル201を介して入射し、レンズ310のレチクル群を通過する。光301はレンズ310のレチクル群によって拡大、フォーカシング及び/又は調節される。図2aのレチクル光学群210はレチクル210及びレンズ310のレチクル群を包含する。
図2bは反射屈折光学システム200の別の実施形態を示す。図2bにはレチクル光学群210、非球面鏡光学群230、ビームスプリッタ立方体220、折畳鏡225、バッフル板250、ウェハ光学群240及び四分の一波長板202(a、b、c、d)が示されている。レチクル光学群210、非球面鏡光学群230、バッフル板250及びウェハ光学群240の構成要素及び機能は、図2aの実施形態と同様である。
図3bは、反射屈折光学システム200の図2bの実施形態におけるビームのイメージの経路を示す。図3bにはレチクル201、レチクル光学システム310、スペーサプレート223を備えたビームスプリッタ立方体220、非球面鏡光学群230、折畳鏡225、バッフル板250、ウェハ光学群340及び半導体ウェハ241が示されている。
ここに本発明の方法、システム及び構成要素の例示的な実施形態を説明した。他の個所でも言及したように、これらの例示的な実施形態は単に例的な目的で述べたに過ぎず、本発明を制限するものではない。別の実施形態も考えられ、またそれは本発明によりカバーされる。そのような実施形態は、ここに記載されている技術を基礎とする関連分野における当業者には明らかである。したがって、本発明の広さ及び範囲は上述の例示的な実施形態によって制限されるものではなく、請求項また同等のものと関連することによってのみ規定されるべきである。
Claims (23)
- レチクルに形成されたパターンをウェハに投影させる光学システムにおいて、
スペーサプレートによって隔てられたプリズムの組を有するビームスプリッタと、
前記レチクル及び前記ビームスプリッタの第1の側に隣接して配置されているレチクル光学群と、
前記ビームスプリッタの第2の側と隣接して配置されている非球面鏡光学群と、
前記ビームスプリッタの第3の側と隣接し、前記非球面鏡光学群とは反対側に配置されている折畳鏡光学系と、
前記ビームスプリッタの第4の側と隣接し、前記レチクル光学群とは反対側に配置されているウェハ光学群とを備え、
前記レチクル光学群を介して前記レチクルから投影された光は、前記ビームスプリッタによって前記非球面鏡光学群へと反射され、前記ビームスプリッタを介して前記折畳鏡光学系へと反射され、前記ビームスプリッタによって前記ウェハ光学群へと反射されることを特徴とする、光学システム。 - 前記光学システムはさらに、前記ビームスプリッタの第4の側及び前記ウェハ光学群と隣接して配置されているバッフル板を包含し、該バッフル板は前記ビームスプリッタ内の光の内部反射によって生じるバックグラウンド散乱光の前記ウェハ光学群への入射を阻止する、請求項1記載のシステム。
- 前記バッフル板は、前記ビームスプリッタから前記ウェハ光学群へと光が通過する際に中間イメージが形成される位置に配置される、請求項2記載のシステム。
- 前記非球面鏡光学群はさらに、1つの非球面鏡及び該非球面鏡と前記ビームスプリッタとの間に配置されている複数のレンズを包含する、請求項1記載のシステム。
- 前記ウェハ光学群はさらに、前記ビームスプリッタとウェハとの間の光路に配置されている複数のレンズを包含する、請求項1記載のシステム。
- 前記折畳鏡光学系は光学的なパワーを有する折畳鏡を包含する、請求項1記載のシステム。
- 前記折畳鏡光学系は平坦な折畳鏡を包含する、請求項1記載のシステム。
- レチクルに形成されたパターンをウェハに投影する光学システムにおいて、
レチクルレンズと、
プリズムの組を隔てるスペーサプレートを有するビームスプリッタと、
非球面鏡と、
折畳鏡と、
前記ビームスプリッタと前記ウェハとの間に配置されたウェハ光学素子とを包含し、
前記レチクルレンズを介して前記レチクルから投影された光は、前記ビームスプリッタによって前記非球面鏡へと反射され、前記ビームスプリッタを介して前記折畳鏡へと反射され、前記ビームスプリッタによって前記ウェハ光学素子へと反射されることを特徴とする、光学システム。 - 前記光学システムはさらに、前記ビームスプリッタと前記ウェハ光学素子との間に配置されているバッフル板を包含し、該バッフル板は前記ビームスプリッタ内の光の内部反射により生じたバックグラウンド散乱光が前記ウェハ光学素子に向かって通過する事を阻止する、請求項8記載のシステム。
- 前記バッフル板は、前記システムにおける迷光の効果を低減する不透明なシールドを包含する、請求項9記載のシステム。
- 前記非球面鏡と前記ビームスプリッタとの間に配置されている複数のレンズを包含する、請求項8記載のシステム。
- 前記ビームスプリッタを通過する光によって生じるオフセットは前記スペーサプレートの幅と共に変化する、請求項8記載のシステム。
- 光学システムにおいて、レチクルを通過する光によってウェハにイメージを形成する方法において、
(a)スペーサプレートによって隔てられた光学プリズム部を有するビームスプリッタに光を向けるステップと、
(b)偏光された光を前記ビームスプリッタから非球面鏡へと向きを変えるステップと、
(c)前記非球面鏡から反射された光を、前記ビームスプリッタ光学プリズム部及びスペーサプレートを通過させて折畳鏡に向けるステップと、
(d)前記折畳鏡から反射された光を、前記ビームスプリッタを介してウェハに向けるステップと、
を包含することを特徴とする、ウェハにイメージを形成する方法。 - 光学システムにおいて、レチクルと、スペーサプレートによって隔てられた第1の光学プリズム半部及び第2の光学プリズム半部を有するビームスプリッタとを通過する光によってウェハにイメージを形成する方法において、
(a)前記レチクル及び前記第1の光学プリズム半部を介して非球面鏡へと光を通過させ、前記非球面鏡によって光を前記ビームスプリッタへと反射させるステップと、
(b)前記非球面鏡による反射後に、前記第1の光学プリズム半部、前記スペーサプレート及び前記第2の光学プリズム半部を介して折畳鏡へと光を通過させ、該光を該折畳鏡によって反射させるステップと、
(c)前記折畳鏡による反射後に、前記第2の光学プリズム半部を介して、前記ウェハ上にイメージを形成するように光を向けるステップと、
を包含することを特徴とする、ウェハにイメージを形成する方法。 - レチクルに形成されたパターンをウェハに投影する光学システムにおいて、
プリズムの組を有するビームスプリッタと、
前記レチクル及び前記ビームスプリッタの第1の側と隣接して配置されているレチクル光学群と、
前記ビームスプリッタの第2の側と隣接して配置されている非球面鏡光学群と、
前記ビームスプリッタの第3の側と隣接し、前記非球面鏡光学群とは反対側に配置されている折畳鏡光学系と、
前記ビームスプリッタの第4の側と隣接し、前記レチクル光学群とは反対側に配置されているウェハ光学群とを包含し、
前記レチクル光学群を介して前記レチクルから投影された光は、前記ビームスプリッタによって前記非球面鏡光学群へと反射され、前記ビームスプリッタを介して前記折畳鏡光学系へと反射され、前記ビームスプリッタによって前記ウェハ光学群へと反射されることを特徴とする、光学システム。 - 前記ビームスプリッタにおける前記プリズムはスペーサプレートによって隔てられている、請求項15記載のシステム。
- 前記光学システムはさらに、前記ビームスプリッタの第4の側及びウェハ光学群に隣接して配置されているバッフル板を包含し、該バッフル板は前記ビームスプリッタ内の光の内部反射により生じたバックグラウンド散乱光の前記ウェハ光学群への入射を阻止する、請求項15記載のシステム。
- 前記バッフル板は、前記ビームスプリッタから前記ウェハ光学群へと光が通過する際に中間イメージが形成される位置に配置される、請求項17記載のシステム。
- 前記非球面鏡光学群はさらに、1つの非球面鏡及び該非球面鏡と前記ビームスプリッタとの間に配置されている複数のレンズを包含する、請求項15記載のシステム。
- 前記ウェハ光学群はさらに、前記ビームスプリッタとウェハとの間の光路に配置されている複数のレンズを包含する、請求項15記載のシステム。
- 前記折畳鏡光学系は光学的なパワーを有する折畳鏡を包含する、請求項15記載のシステム。
- 前記折畳鏡光学系は平坦な折畳鏡を包含する、請求項15記載のシステム。
- 光学システムにおいて、パターンのイメージをウェハ上に光学的に転写する方法において、
(a)レチクルレンズを通過させてビームスプリッタに光を入射させるステップであって、前記ビームスプリッタはスペーサプレートによって隔てられた光学プリズム部を有する、ステップと、
(b)前記ビームスプリッタにより光を反射して非球面鏡に向けるステップと、
(c)前記非球面鏡により光を反射し、前記ビームスプリッタを通過させて折畳鏡に向けるステップと、
(d)前記折畳鏡によって反射された光を、前記ビームスプリッタを介してウェハ光学素子に向けるステップであって、前記ウェハ光学素子はウェハ上におけるパターンのイメージを形成処理する、ステップと、
を含むことを特徴とするパターンのイメージをウェハ上に光学的に転写する方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/307,407 US6731374B1 (en) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | Beam-splitter optics design that maintains an unflipped (unmirrored) image for a catadioptric lithographic system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004186689A JP2004186689A (ja) | 2004-07-02 |
JP4178098B2 true JP4178098B2 (ja) | 2008-11-12 |
Family
ID=32176250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003402723A Expired - Fee Related JP4178098B2 (ja) | 2002-12-02 | 2003-12-02 | レチクルに形成されたパターンをウェハに投影させる光学システム、ウェハにイメージを形成する方法及びパターンのイメージをウェハ上に光学的に転写する方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6731374B1 (ja) |
EP (1) | EP1426825B1 (ja) |
JP (1) | JP4178098B2 (ja) |
KR (1) | KR100575499B1 (ja) |
CN (1) | CN100458566C (ja) |
DE (1) | DE60326532D1 (ja) |
SG (1) | SG106162A1 (ja) |
TW (1) | TW200410054A (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
TW538256B (en) * | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
US6731374B1 (en) * | 2002-12-02 | 2004-05-04 | Asml Holding N.V. | Beam-splitter optics design that maintains an unflipped (unmirrored) image for a catadioptric lithographic system |
US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
CN102207609B (zh) * | 2004-01-14 | 2013-03-20 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 反射折射投影物镜 |
US20080151364A1 (en) * | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
US8107162B2 (en) | 2004-05-17 | 2012-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
US20060072207A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Williams David L | Method and apparatus for polarizing electromagnetic radiation |
US20090128896A1 (en) * | 2005-02-03 | 2009-05-21 | Carl Zeiss Smt Ag, | Catadioptric projection objective with intermediate image |
WO2006128613A1 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective |
KR100714780B1 (ko) * | 2005-09-08 | 2007-05-04 | 한국기초과학지원연구원 | 노이즈 저감형 빔 라인 |
DE102007055567A1 (de) * | 2007-11-20 | 2009-05-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System |
US20090233456A1 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-17 | Sony Corporation | Irradiation optical system, irradiation apparatus and fabrication method for semiconductor device |
CN104867414A (zh) * | 2015-06-01 | 2015-08-26 | 安徽禄讯电子科技有限公司 | 一种具有数字显示屏功能的分划板及其制造方法 |
CN109313402B (zh) * | 2016-06-03 | 2020-08-28 | Asml控股股份有限公司 | 对准系统晶片堆叠光束分析器 |
TWI633356B (zh) * | 2017-07-12 | 2018-08-21 | 志聖工業股份有限公司 | 全內反射鏡與套筒結合應用於曝光機光源模組 |
CN207799321U (zh) * | 2018-01-26 | 2018-08-31 | 中强光电股份有限公司 | 投影装置及照明系统 |
CN115298590A (zh) * | 2020-02-25 | 2022-11-04 | 株式会社尼康 | 光学延迟系统 |
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-
2002
- 2002-12-02 US US10/307,407 patent/US6731374B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-11-26 SG SG200306876A patent/SG106162A1/en unknown
- 2003-11-27 DE DE60326532T patent/DE60326532D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-27 TW TW092133408A patent/TW200410054A/zh unknown
- 2003-11-27 EP EP03027402A patent/EP1426825B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-02 JP JP2003402723A patent/JP4178098B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-02 KR KR1020030086788A patent/KR100575499B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-12-02 CN CNB2003101187498A patent/CN100458566C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-24 US US10/807,268 patent/US6972830B2/en not_active Expired - Fee Related
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2005
- 2005-11-14 US US11/272,147 patent/US7199862B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1426825B1 (en) | 2009-03-11 |
KR20040048359A (ko) | 2004-06-09 |
CN1504829A (zh) | 2004-06-16 |
US7199862B2 (en) | 2007-04-03 |
KR100575499B1 (ko) | 2006-05-03 |
EP1426825A3 (en) | 2006-02-22 |
US6731374B1 (en) | 2004-05-04 |
US20060061748A1 (en) | 2006-03-23 |
TW200410054A (en) | 2004-06-16 |
DE60326532D1 (de) | 2009-04-23 |
EP1426825A2 (en) | 2004-06-09 |
US20040174617A1 (en) | 2004-09-09 |
JP2004186689A (ja) | 2004-07-02 |
SG106162A1 (en) | 2004-09-30 |
US6972830B2 (en) | 2005-12-06 |
CN100458566C (zh) | 2009-02-04 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A521 | Written amendment |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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