JP4177092B2 - レジスト除去装置及びレジスト除去方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板表面のレジストを高効率に除去することができるレジスト除去装置及びレジスト除去方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体基板上に回路を形成する場合や、液晶基板上に色相の異なる複数の着色画素をパターン状に形成する場合には、フォトリソグラフィー工程が必須の工程である。例えば、半導体基板上に回路を形成する場合は、基板上にレジストを塗布し、通常のフォトプロセスにてレジストパターンからなる画像を形成し、これをマスクとしてエッチングした後、不要となったレジストを除去して回路を形成し、次の回路を形成するために、再度レジストを塗布して、画像形成−エッチング−レジストの除去というサイクルを繰り返し行う。
【0003】
不要となったレジストを除去するレジスト除去工程では、従来、半導体基板のレジスト除去には、アッシャー(灰化手段)や、硫酸や過酸化水素等を用いたRCA洗浄法が用いられており、液晶基板のレジスト除去には、有機溶媒とアミンとの混合溶液等が用いられていた。しかし、レジストの除去にアッシャーを用いると、高温のため半導体にダメージを与える恐れがあることに加え、無機系の不純物を除去することはできない。また、溶剤や薬品を用いてレジスト除去を行う場合は、十数バッチごとに新たな薬液に交換しなければならないことから、大量の薬液が必要とされ薬液コストがかさむとともに、大量の廃液が生じ、廃液処理の際にもコスト面及び環境面の両面で大きな不利益があった。
【0004】
オゾンガスを水に溶解して得られるオゾン水は、オゾンの持つ強い酸化力により殺菌・脱臭・漂白等に優れた効果を発揮し、しかもオゾンガスは時間とともに無害な酸素(気体)に自己分解して残留性がないことから、環境にやさしい殺菌・洗浄・漂白剤等として注目されている。近年、環境への関心が高まる中、上述のレジスト除去方法に代わる方法として、オゾン水を用いたレジスト除去プロセスが注目されている。
【0005】
オゾン水を用いたレジスト除去装置としては、例えば、特許文献1には、基板の回路非形成面を高圧ジェットノズルにて供給されるオゾン水とともに回転ブラシにより洗浄し、基板の回路形成面を高圧ジェットノズルにて供給されるオゾン水にて洗浄するレジスト装置が開示されている。また、例えば、特許文献2には、オゾンガスが気泡状態で混合されたガス混合オゾン水を回転する基板の中心部に供給し、基板の遠心力によりガス混合オゾン水を基板の中心部から外周部へ流動させる方法が開示されている。
しかしながら、これらの文献に開示されたオゾン水を用いたレジスト除去装置やレジスト除去方法により基板表面のレジストを除去しようとすると、何れも実用的なレジスト除去速度が得られなかった。また、基板の全表面にわたって均一にレジストを除去することも困難であるという問題があった。更に、高濃度のオゾン水を大量に製造することは困難であることから、より少量のオゾン水で効率よくレジスト除去を行うという要請もあった。
【0006】
【特許文献1】
特開平6−120192号公報
【特許文献2】
特開2001−351893号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記現状に鑑み、基板表面のレジストを高効率に除去することができるレジスト除去装置及びレジスト除去方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去するレジスト除去装置であって、少なくとも、ノズルより前記基板の処理面に対してオゾン水を460cm/sec以上の線速度で噴射する手段を有するレジスト除去装置である。
以下に本発明を詳述する。
【0009】
本発明のレジスト除去装置は、オゾン水を用いて基板表面のレジストの除去を行うものである。
本明細書においてオゾン水には、水にオゾンガスを溶解させたもののほか、酢酸又はその誘導体等の有機酸を溶解した水溶液にオゾンガスを溶解させたものも含む。また、上記基板としては特に限定されず、例えば、半導体装置に用いられる各種シリコンウエハ、ディスプレイパネルに用いられるガラス基板、その他樹脂基板等が挙げられる。
【0010】
本発明のレジスト除去装置は、ノズルより前記基板の処理面に対してオゾン水を460cm/sec以上の線速度で噴射する手段を有する。
本発明者らは、鋭意検討の結果、基板上のレジストは、オゾン水が基板の処理面上の1点に対して460cm/sec以上の線速度で到達したしたときに、その到達点において最も効率よく除去され、極めて高い効率でレジストを除去できることを見出した。
【0011】
オゾン水を用いてレジストを除去する際には、オゾン水中のオゾン成分によりレジストを水に溶解可能な分子量まで酸化分解する必要がある。しかし、オゾン水の常温での飽和濃度が60ppm程度であり、レジストに対して充分な高濃度にはできない。従来のノズル洗浄方式ではある一点にオゾン水を供給し、スピンによる遠心力等でオゾン水を全面に供給していたが、この方法では、オゾン水は層流となって基板の表面を流れるものと考えられる。この場合、基板表面近傍を流れるオゾン水流では、最初にレジストに触れた瞬間にオゾン成分がレジストとの反応により消費されてしまい、低濃度オゾン水の層流となってしまう。従って、ミクロな観点で見た場合、基板表面近傍には低濃度のオゾン水しか存在しないことになり、レジスト除去効果が劣っていたと考えられる。
【0012】
これに対して、本発明のレジスト除去装置では、一定以上の線速度のオゾン水流によって除去可能な分子量レベルにまで分解したレジストをできる限り早く除き、まだ分解されていないレジストに常に新しい高濃度のオゾン水が到達させることができることから、極めて高い効率でレジストの除去が可能になったものと考えられる。これは、単なる水流の物理的な効果による洗浄とは異なり、オゾンによるレジストの酸化分解反応と、高い線速度のオゾン水流による分解されたレジストの除去という二つの働きによってはじめて得られる効果である。オゾンを含まない水流ではいかに高い線速度で噴射してもレジストは除去されないし、また、いかに高濃度のレジスト水を用いても充分な線速度で噴射しなければ高効率なレジスト除去は達成できない。
【0013】
図1は、本発明のレジスト除去装置により基板上のレジストが除去される様子を示す模式図である。図1に示すように、本発明のレジスト除去装置では、基板1の処理面に対して例えば垂直方向からオゾン水が到達すると、基板1表面のレジスト2は、オゾン水の到達点を中心とする逆円錐状に除去される。これは、一定以上の線速度のオゾン水流によって除去可能な分子量レベルまで分解したレジストをできる限り早く除き、まだ分解されていないレジストに常に新しいオゾン水が到達しているためであると考えられる。
【0014】
本発明のレジスト除去装置では、上記オゾン水流の線速度の下限は460cm/secである。460cm/sec未満であると、効率よくレジストを除去することができない。好ましい下限は500cm/sec、より好ましい下限は800cm/secである。
上記オゾン水流の線速度の上限は特に限定されないが、好ましくは4000cm/secである。オゾン水を用いたレジスト除去方法では、単純な水流による物理的な除去ではなく、オゾンとレジストとの反応速度が大きく影響する。4000cm/secを超えると、オゾンとレジストとの反応速度から、もはや線速度を上げてもレジスト除去速度は向上せず、オゾン水の使用量に対するレジスト除去の効率がかえって低下することがある。また、現行の技術では、4000cm/secを超えるシステムの構築自体が困難であり、更に、オゾン水の使用量が増加すると、オゾン水を高濃度に維持することも困難となる。より好ましい上限は2000cm/sec、更に好ましい上限は1500cm/secである。
【0015】
上記ノズルは、棒流状ノズルであることが好ましい。これにより、更に高い効率でレジストを除去することができる。
本明細書において、上記棒流状ノズルとは、ノズルより噴射されたオゾン水をノズルの内径を大きく超えて広がることなく、ノズル内径と略同径の棒流として基板の処理面に到達させることのできるノズルを意味する。上記棒流状ノズルの噴射角、即ちノズルより噴射されたオゾン水の広がり角度の好ましい上限は10°、より好ましい上限は5°である。
このような棒流状ノズルは、管状の部材にドリルやレーザー等を用いて穴あけ加工を行ったり、中空糸をノズルとして用いたりすることにより得ることができる。
また、ノズルから噴射されたオゾン水流は、略連続的な流れとして供給されることが好ましい。
【0016】
上記ノズルは、ノズル内径が1.0mm以下であることが好ましい。1.0mmを超えると、ノズルから噴射されるオゾン水が一定の線速度を得るためには大量のオゾン水が必要となり、オゾン水の使用量に対するレジスト除去の効率が低下することがある。
【0017】
本発明のレジスト除去装置では、ノズルより噴射されたオゾン水は、到達点間の距離が3〜10mmとなるように基板の処理面の略全面に到達することが好ましい。
ここで「基板の処理面の略全面にオゾン水を噴射」とは、基板の処理面の全体に上記オゾン水流が一定の間隔で並んだ連なりとして到達することを意味する。即ち、図1に示したように、レジストはオゾン水の到達点を中心とする逆円錐状に除去されることから、図2に示したように、基板1の処理面の全面にわたって一定の間隔でオゾン水流が到達するようにすれば、逆円錐同士が重なりあって、全体としては極めて均一に、しかも効率よくレジスト2を除去することができる。なお、図2は、本発明のレジスト除去装置により基板上のレジストが除去される様子の別の一例を示す模式図である。
【0018】
本発明のレジスト除去装置において、ノズルより噴射され基板の処理面に到達するオゾン水の到達点間の距離の好ましい下限は3mm、好ましい上限は10mmである。3mm未満であると、オゾン水の使用量が増大するうえ、オゾン水流同士の干渉、例えば処理面ではねかえるオゾン水により隣のオゾン水の線速度が低下してしまうこと等によりかえってレジスト除去効率が悪くなることがあり、10mmを超えると、均一なレジスト除去ができないことがある。
【0019】
このようにオゾン水流を一定の間隔で並んだ連なりとして基板の処理面の略全面に到達させる方法としては特に限定されず、例えば、基板処理面の略全面に対して充分な数のノズルを基板の処理面に対向させる方法;ノズル又は基板を移動させることにより基板の処理面の略全面にオゾン水が到達するようにする方法等が挙げられる。後者の場合、例えば、ノズル自体の間隔を20mmとして設計しても、ノズル自体又は基板面を上下左右又は回転により移動させることにより、基板表面にオゾン水流が到達する位置の間隔を3〜10mmになるようにすればよい。この方法では、必要なノズルの本数を少なくすることができる。
【0020】
本発明のレジスト除去装置を用いることにより、高い効率でしかも均一にレジスト除去を行うことができる。本発明のレジスト除去装置を用いるレジスト除去方法もまた、本発明の1つである。
【0021】
【発明の実施の形態】
図3は、本発明のレジスト除去装置の1実施態様を示す概略図である。
図3に示す本発明のレジスト除去装置は、オゾン発生器3、オゾンガス検出器4、オゾン溶解モジュール5、オゾン水濃度検出器6、反応部7、及び、ポンプ8から構成されている。
【0022】
オゾン発生器3では、オゾンガスが生成される。オゾン発生器3としては特に限定されず、公知のオゾン発生器(オゾナイザ)を用いることができる。オゾン発生器3で生成されたオゾンガスの濃度はオゾンガス検出器4により測定・監視される。オゾンガス検出器4により測定されたオゾンガス濃度の値がオゾン発生器3にフィードバックされオゾン発生器3で生成されるオゾンガスの濃度が随時調整される。
【0023】
オゾン発生器3で生成したオゾンガスは、オゾン溶解モジュール5において水に溶解される。
オゾン溶解モジュール5は、非多孔性膜からなるガス透過膜が収容されている。このようなオゾン溶解モジュールを用いれば、いったんレジスト除去に用いたオゾン水を再度循環させて利用しても目詰まりが起こることがなく、高濃度のオゾン水を効率よく製造することができる。
オゾン溶解モジュール5において生成したオゾン水は、オゾン水流出口51から往路管9に排出されてオゾン水濃度検出器6に送られ、上記オゾン水の溶存オゾンガス濃度が監視・管理される。
【0024】
得られたオゾン水は、往路管9を通って反応部7に送られ、この反応部7において、基板上のレジストを除去するために用いられる。
本発明のレジスト除去装置の反応部7は、少なくとも基板を固定する基板固定部とノズルから上記基板の処理面の略全面に対してオゾン水を噴射する手段(以下、噴射部ともいう)とから構成されている。
【0025】
上記基板を基板固定部に固定する手段としては特に限定されず、例えば、両面テープ等の接着手段により固定する方法;基板を載置したホルダーをホルダー保持部に嵌合させる方法;真空ポンプで基板を基板固定部に吸着させるバキュームチャッキング法等が挙げられる。
【0026】
図4(a)は、本発明のレジスト除去装置における反応部7の実施態様の一例を示す模式図であり、(b)は、本発明のレジスト除去装置における反応部7の実施態様の別の一例を示す模式図であり、(c)は、本発明のレジスト除去装置における反応部7の実施態様の更に別の一例を示す模式図である。
本発明のレジスト除去装置における反応部7は、図4(a)〜(c)のいずれの形態であってもよく、これ以外の形態であってもよい。図4(a)〜(c)に示すように、反応部7がいずれの形態であっても、基板43は、基板固定部41の上面に固定され、ノズルは、基板43の上方に配置されている。
【0027】
図4(a)に示すノズル42は、往路管9に連結された円管状の本体部40aと半球状の先端部40bとからなる噴射部40の先端部40bに多数形成されており、このノズル42は、基板43の処理面の略全面にオゾン水を噴射させることができる位置に形成されている。
即ち、往路管9から反応部7に送られてきたオゾン水は、噴射部40の本体部40aから先端部40bに至り、ノズル42から基板43の処理面の略全面に噴射される。
【0028】
図4(b)に示すノズル402は、往路管9に連結された円管状の本体部401からなる噴射部400の端面に形成されており、この噴射部400は、ノズル側を基板43へ向けて、基板43の上方に一列に配設されている。また、基板固定部41又は噴射部400は、前後左右又は回転するように移動可能であり、これらを移動させることにより、往路管9から反応部7に送られてきたオゾン水は、本体部401を通ってノズル402から基板43の処理面の略全面に噴射される。
【0029】
図4(c)に示すノズル412は、往路管9に連結された管状の本体部411からなる噴射部410の側面に所定間隔で一列に設けられており、この噴射部410は、基板43の上方に複数個平行に配設されている。
また、基板固定部41又は噴射部410は、前後左右又は回転するように移動可能であり、これらを移動させることにより、往路管9から反応部7に送られてきたオゾン水は、本体部410を通ってノズル420から基板43の処理面の略全面に噴射される。
【0030】
上記ノズルが形成された噴射部の材質としては、耐オゾン性を有し、ある程度の水圧に耐えられるものであれば特に限定されず、例えば、フッ素系樹脂が好適である。上記フッ素系樹脂としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン樹脂(PTFE)、パーフルオロアルコキシ樹脂(PFA)、フッ化エチレンプロピレン樹脂(FEP)等の4フッ化エチレン共重合体;フッ素系ゴム等が挙げられる。
【0031】
反応部7は、紫外線を照射する手段を有してもよい。紫外線を照射することにより、オゾンの分解速度が促進され、レジスト除去効果を向上させることができる。上記紫外線を照射する手段としては特に限定されず、例えば、UVランプ等が挙げられる。照射される紫外線の波長は、オゾンが吸収する254nm近辺であることが好ましい。
【0032】
反応部7においてレジスト除去に供されたオゾン水は回収され、ポンプ8により復路管10を循環されて、再びオゾン溶解モジュール5に導かれ、オゾン発生器3において生成されたオゾンガスを溶解させられる。このようにオゾン水を循環させて用いることにより、必要なオゾン水量を節約できることに加え、より高い濃度のオゾン水を容易に得ることができる。
【0033】
また、本発明のレジスト除去装置は、オゾン水を加熱する手段を有することが好ましい。レジスト除去は、レジストとオゾンとの化学反応によりなされるものであることから、温度をかけることによってレジスト除去速度を高めることができる。
更に、本発明のレジスト除去装置は、装置内を加圧する手段を有することが好ましい。装置内を加圧することにより、過飽和のオゾン水を生成させることができ、このような高濃度のオゾン水を用いることにより、更に高い効率でレジスト除去を行うことができる。
【0034】
【実施例】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【0035】
(実施例1)
フッ素樹脂製のチューブに炭酸ガスレーザを用いて0.5mmの穴を1個開け、先端をチュービングストップにて止め、ノズルを作製した。このノズルから噴射した水流について、ノズルから30cm離れた点に到達した水流の直径を測定したところ約0.5mmであった。このことから、このノズルは棒流状ノズルであることがわかった。
このノズルから温度22℃、オゾン濃度55ppmのオゾン水を実施例1で作製した処理サンプルの処理面に対して垂直方向から到達時の線速度が480、800、1190及び1460cm/secとなるようにオゾン水を連続的に噴射した。
膜厚計(大塚電子社製、FE−3000型)を用いて、オゾン水噴射開始30秒後のレジスト除去部分の半径rと深さhとを測定して、下記式より除去されたレジストの体積Sを算出した。
S=1/3hπr2
結果を図5に示した。なお、図5は、線速度に対するレジスト除去体積をプロットした図である。
【0036】
(実施例2)
フッ素樹脂製のチューブに炭酸ガスレーザを用いて0.25mmの穴を1個開け、先端をチュービングストップにて止め、ノズルを作製した。このノズルから噴射した水流について、ノズルから30cm離れた点に到達した水流の直径を測定したところ約0.25mmであった。このことから、このノズルは棒流状ノズルであることがわかった。
このノズルから温度22℃、オゾン濃度55ppmのオゾン水を実施例1で作製した処理サンプルの処理面に対して垂直方向から到達時の線速度が480、800、1190及び1460cm/secとなるようにオゾン水を連続的に噴射した。
実施例1と同様の方法により除去されたレジストの体積を算出した。
結果を図6に示した。なお、図6は、線速度に対するレジスト除去体積をプロットした図である。
【0037】
図5及び図6より、内径0.25、0.5mmのいずれのノズルを用いた場合も、線速度が460cm/sec以上から急速にレジスト除去体積が大きくなることがわかった。一方、線速度2000cm/sec以上になるとそれ以上の除去体積の増大は認められなかった。
【0038】
(実施例3)
内径0.5mmのフッ素樹脂製の中空糸25本を中空糸の距離が5mmとなるように等間隔に枡目状に並べ、これをノズルとした。このノズルから噴射した水流について、ノズルから30cm離れた点に到達した水流の直径を測定したところ約0.5mmであった。このことから、このノズルは棒流状ノズルであることがわかった。
このノズルを30mm×30mmの大きさの処理サンプルの処理面に対向する位置に設置し、温度22℃、オゾン濃度55ppmのオゾン水を処理面に対して垂直方向から到達時の線速度が1500cm/secとなるようにオゾン水を連続的に噴射した。
なお、処理サンプルとしては、基板に予めレジスト液(富士フィルムアーチ社製、HPR−204LT)を塗布し、スピンコーター(ミカサ社製、1H−DX2型)にて2000rpm、30秒間処理した後、更に90℃20分間乾燥したものを30mm×30mmの大きさにカットして用いた。この処理サンプルの処理面におけるレジストの厚さは約1.0μmであった。
【0039】
膜厚計(大塚電子社製、FE−3000型)を用いて、レジストの厚さを測定して、レジスト除去速度を算出した。得られたデータから、オゾン水噴射開始30秒後の基板の厚さを示す3次元図を作製した。この3次元図を図7に示した。
図7より、基板の処理面のほぼ全面にわたってほぼ均一にレジストが除去されていることがわかった。
【0040】
【発明の効果】
本発明によれば、基板表面のレジストを高効率に除去することができるレジスト除去装置及びレジスト除去方法を提供できる。また、ノズルより噴射されたオゾン水を、到達点間の距離が3〜10mmとなるように基板の処理面の略全面に到達させることにより極めて均一にレジストを除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のレジスト除去装置により基板上のレジストが除去される様子を示す模式図である。
【図2】本発明のレジスト除去装置により基板上のレジストが除去される様子の別の一例を示す模式図である。
【図3】本発明のレジスト除去装置の1実施態様を示す概略図である。
【図4】(a)は、本発明のレジスト除去装置における反応部7の実施態様の一例を示す模式図であり、(b)は、本発明のレジスト除去装置における反応部7の実施態様の別の一例を示す模式図であり、(c)は、本発明のレジスト除去装置における反応部7の実施態様の更に別の一例を示す模式図である。
【図5】実施例1における線速度に対するレジスト除去体積をプロットした図である。
【図6】実施例2における線速度に対するレジスト除去体積をプロットした図である。
【図7】実施例3におけるオゾン噴射開始30秒後のレジストの厚さを示す3次元図である。
【符号の説明】
1 基板
2 レジスト
3 オゾン発生器
4 オゾンガス検出器
5 オゾン溶解モジュール
51 オゾン水流出口
52 オゾン水流入口
6 オゾン水検出器
7 反応部
71 基板固定部
72 ノズル
73 基板
8 循環ポンプ
9 往路管
10 復路管
Claims (4)
- オゾン水を用いて基板表面のレジストを酸化分解し、オゾン水の水流により分解されたレジストを除去するレジスト除去装置であって、少なくとも、棒流状ノズルより前記基板の処理面に対してオゾン水を460cm/sec以上の線速度で噴射する手段を有するものであり、かつ、前記棒流状ノズルから噴射されたオゾン水流が、到達点間の距離が3〜10mmとなるように基板の処理面の略全面に到達する手段を有することを特徴とするレジスト除去装置。
- ノズルより基板の処理面に対してオゾン水を2000cm/sec以下の線速度で噴射する手段を有することを特徴とする請求項1記載のレジスト除去装置。
- ノズルは、ノズル内径が1.0mm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のレジスト除去装置。
- 請求項1、2又は3記載のレジスト除去装置を用いることを特徴とするレジスト除去方法。
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