JP4169366B2 - レーザー表面処理のエネルギーおよび空間最適化用の多レーザーユニットを備えたレーザー源制御装置 - Google Patents
レーザー表面処理のエネルギーおよび空間最適化用の多レーザーユニットを備えたレーザー源制御装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4169366B2 JP4169366B2 JP50898197A JP50898197A JP4169366B2 JP 4169366 B2 JP4169366 B2 JP 4169366B2 JP 50898197 A JP50898197 A JP 50898197A JP 50898197 A JP50898197 A JP 50898197A JP 4169366 B2 JP4169366 B2 JP 4169366B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- laser beam
- units
- energy
- source control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
- H01S3/2316—Cascaded amplifiers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2383—Parallel arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
レーザー表面処理には、通常、表面のスケール除去、清浄、研磨および調製のような適用がある。一層特に、基板上に設けられたアモルファスシリコンの層をエキシマレーザーでアニーリングする適用がある。
通常の用語において、エキシマレーザーによるアモルファスシリコンのアニーリングは、ポリシリコンの形態の結晶化を得るために、アモルファスシリコンの層の温度を融点まで非常に急速に上昇させることにある。シリコンの層の溶融は標準ガラス基板に余りにも重大な障害を与えてはならない。
実際に、加熱効果は、例えば30nm以下の厚さにわたってアモルファスシリコンの薄膜によってレーザービームを光学的に吸収することによって生じる。
エキシマレーザーによるアモルファスシリコンのアニーリングは、本出願人がフランス国において1995年8月11日に出願番号第9509778号にて出願した発明の名称「レーザー表面処理の制御装置および方法」の特許出願に少なくとも部分的に述べたように、処理すべきサンプルの構造上の特徴の卓越した認識を必要とし、前記特許出願の内容はすべての有用な目的のために本願と一体の部分を成している。
第1に、レーザーによる加熱は、サンプルにおける熱変化に大きく影響するので、特に、完壁でなければならないシリコンの層の溶融および避けられなければならない基板の溶融に関して有効でなければならない。
第2に、シリコンの層の冷却および凝固速度は、アニーリング後の層内に存在するポリシリコン粒子のサイズを決めるので、相対的に遅くなければならず、大きな結晶は、シリコンをベースとするある特定のマイクロ電子装置において最適に機能させるのに最も有利である。
本出願人の観察によれば、単一レーザー源を用いてこのような最適処理を得ることは、エネルギーおよび空間の観点から困難あることが判った。
従って、少なくとも二つのレーザーユニットを備えるレーザー源を使用することが提案される。
しかしながら、複数のユニットを備えたレーザー源の制御は、レーザー表面処理との関連において実行し難い。
本発明はこの問題を解決することにある。
本発明の目的は、少なくとも二つのレーザーユニットと、各レーザーユニットからの複数のレーザービームを結合して表面処理用の合成レーザービームを供給するのに適した結合手段とを有するレーザー源を制御する装置を提供することにある。
本発明の一般的な定義によれば、レーザー表面処理に関連して、各レーザーユニットからの複数のレーザービームの特性を、レーザー表面処理に最適なようにされたエネルギーの時間プロファイルをもつ合成レーザービームを得るべく調整するようにされた手段が設けられ、また、前記合成レーザービームのエネルギー分布を空間的に均質化するのに最適な均質化手段であって、空間と前記合成レーザービームのエネルギー分布とを組合わせて、選択した表面処理に適合させるようにできる均質化手段とが設けられる。
合成レーザービームは多数の初期レーザービームからなるビームを意味している。
実際に、エキシマレーザーによるアモルファスシリコンのアニーリングからなる適用例では、合成レーザービームのパワーの時間プロファイルは、加熱効率を改善するための急な立上り縁部と、基板の溶融を避けながら処理の深さまでアモルファスシリコンの層を完全に溶融させるように選択される、処理の深さに相応した実質的に平らなピークと、再結晶化を促進させるゆるやかな立下がり縁部とを備えている。
本発明の他の特徴および利点は以下の詳細な説明および図面を考慮することにより明らかとなる。
図1は、三つのレーザーユニットを直列に装着したレーザー源を概略的に表す。
図2は、三つのレーザーユニットを反射ミラーおよび焦点合わせレンズに直列に装着したレーザー源を概略的に表す。
図3は、三つの増幅レーザーユニットを並列に装着したレーザー源を概略的に表す。
図4は、二つの発振レーザーユニットを並列に装着し、これらの発振レーザーユニットの一方に増幅ユニットを組合わせたレーザー源を概略的に表す。
図5は、二つの発振レーザーユニットを並列に装着し、これらの各発振レーザーユニットに増幅ユニットを組合わせたレーザー源を概略的に表す。
図6Aは、各々レーザーユニットからの二つのレーザービームの時間プロファイルを概略的に表す。
図6Bは、図6Aの二つのレーザービームの時間プロファイルに対する処理時間の関数としての溶融深さを概略的に表す。
当該記載は、限定されるものではないが、“Active Matrix Liquid Crystal Display”を略してAMLCDとも呼ばれる、アクティブマトリックス液晶スクリーンの製造に関する本発明の特定の実施例に基いており、そして、より詳細には、スクリーンおよびディスプレイ素子用の制御回路を製造するのに必要な、ポリシリコントランジスタ(ポリシリコン薄膜トランジスタ、TFT)の製造からなる工程について説明する。
この技術は、紫外線領域におけるシリコンの特に強い吸収性を利用することがなり、基板のガラスは同じ波長に対しては完全に透過性である。高出力の脈動レーザービームにより、基板に影響を与えずにアモルファスシリコンの層の温度を選択的に融点まで上昇させることができる。
本方法の利点は、非常に早くできることである(308nmのエキシマレーザーの1パルスの平均持続時間はほんの150nmである)。大きな表面を均質に処理するのを確実にするために、高出力エキシマレーザー、例えば有効出力1kWのX線により再イオン化するエキシマレーザー(すなわち10J×100Hzまたは13J×80Hz)を使用する必要がある。
この形式のレーザーは、相対的に低い繰返し数で脈動する高出力レーザービームを有利に供給し、それにより単一レーザーパルスで各パネルの全体にわたるような大きな表面積にわたって処理することができる。
図1において、アニーリングプロセスを実施する装置はレーザー源LAを有し、このレーザー源LAは電源(図示せず)およびLA1〜LA3で個々に示された複数のエキシマレーザーユニットを備えている。高出力のレーザーユニットは、非常に高出力例えば45Jの単一レーザービームを発生するように配置されかつ相互に結合される。
図1においては、三つのレーザーヘッドが直列に装着される。
レーザー源LAはレーザー発振器を構成している。通常はこのレーザー発振器は、
−入射波を増幅できるアクティブレーザー物質すなわち媒体;
−アクティブ媒体における反転分布を達成するために、励起レベルの少なくともひとつをホピュレートするのに適した媒体エネルギーをもたらす光学ポンピング手段(図示せず);および
−相対して配置され、幾つかのモードに集中される誘導放射を蓄積する二つのミラーからなる光学共振器を備えている。
レーザー発振器の場合には、二つのミラーの方は最大反射性である。この一方のミラーは、符号RMで表されている。この一方のミラーRMに直径上相対して配置されたミラーRTは半反射性である。
ミラーRMは簡単な最大反射性ミラーであることができる。変形例(図1および図2)として、ミラーRMは、立方体の隅角部、三長方形二面体、または最大反射に加えて立方体等の隅角部の光軸に対してレーザービームのエネルギーおよび空間分布を対称にさせる機能をもつ二面体の形態に構成され得る。こうして対称にされたこのレーザービームは、合成レーザービームのエネルギーおよび空間分布において相当な効果をもたらすことができ、それについては以下に詳細に説明する。
この発振器LA1の後には二つのレーザー増幅器ユニットLA2、LA3が直列に配置されている。これらのレーザー増幅器ユニットLA2、LA3はミラーRMおよびRTを備えていない。これらのレーザー増幅器ユニットLA2、LA3は、それらが受けるビームのパワーを増幅する。
発振器のミラーRMの反射はエキシマレーザーの波長ここでは308nmで最大となる。発振器LA1の出口ミラーRTは約4〜40%の反射係数を有している。
レーザーユニットLA1〜LA3の寸法はほぼ次の通りである。
ユニット間の距離は、空洞の長さおよびレーザーパルスの持続時間を考慮して、
a)ミラーおよび窓に対するいかなる損傷
b)レーザービームの自動吸収
を避けるようにされる。
このようなレーザー源の欠点はかさ張ることにある。これは、このようにして異なるレーザーユニットを直列に配列するのに大きな寸法の設備が必要となるからである。
一つの解決法(図2)は、そのようなレーザー源のかさを減少するために複数の反射ミラーと複数の焦点合わせレンズを使用することからなる。
この場合も、上述のレーザーユニットLA1、LA2、LA3が再び設けられる。
図2は、合成レーザービームをターゲットCIBへ導くために反射ミラーM1、M2、M3、M4を使用している点で図1のものと異なっている。
また、焦点合わせレンズL1、L2が設けられ、レンズL1はレーザーユニットLA1、LA2間の波の焦点を合わせ、レンズL2はレーザーユニットLA2、LA3間の波の焦点を合わせる。
本発明によれば、レーザーユニットLA1、LA2間およびレーザーユニットLA2、LA3間には調整機構REG1、REG2が設けられ、これらの調整機構REG1、REG2は所望のレーザー時間プロファイルに従ってこれら二つのユニット間の距離を調節し、それについては以下に詳細に説明する。
本発明によれば、種々のユニットの長さおよび直列に配置された種々のユニット間の距離を選択することにより、平面CIBにて処理すべき試料に照射するようにされた合成レーザービームFLARによって供給されるエネルギーを調整できるようになる。
例えば、調整機構REG1、REG2は、レーザービームの光軸に沿って光学素子M1、L1、M2およびM3、L2、M4を動かすのに適した手段である。それらにより、入射および出射ビームの軸線に平行な並進運動によって、調整機構REG1ではレーザーユニットLA1、LA2間の光学通路の長さを、また調整機構REG2ではレーザーユニットLA2、LA3間の光学通路の長さをそれぞれ変えることができるようになる。
変形例として、図3を参照すると、レーザーユニットは並列に配置され得る。従ってこの場合も上述の三つのレーザーユニットLA1、LA2、LA3が設けられている。これらのレーザーユニットは全て発振器の働きをし、各々最大反射性ミラーRMと部分反射性ミラーRTとを備えている。反射ミラーMP1、MP2、MP3、MP4で形成された結合手段により、各発振器からの脈動レーザービームFLA1、FLA2、FLA3はターゲット平面CIBに向って結合することができる
有利には、各レーザーユニットからのレーザービームを均質化する均質化装置HOが設けられる。
この均質化装置は、好ましくは、「レーザービームを均質化する光学装置」の名称で本特許出願と同日に本出願人が出願した特許出願に記載したものであり、その内容はすべての有効な目的のためにこの特許出願の一体部分を形成する。
均質化装置HOは、一般的な用語において次のものを有する。
−集束性であり、また、各レーザーユニットからのレーザービームの伝搬方向と垂直に隣接してm列およびn行に配置され、処理すべきレーザービームをm・n個のレーザービームに分割でき、各レーザービームが実質的に一様な横断面および実質的に均質なエネルギー分布をもつ複数のm・nの前方レンズLFと、
−レーザービームの進む方向における前方レンズLFの下流に、処理すべきレーザービームの伝搬方向と垂直に配置され、選択した平面CIBにおいて前方レンズからのビームの焦点を合わせるのに適した少なくとも一つの集束集光レンズLC。
均質化装置HOは、好ましくは、二つの集光レンズLC1、LC2を有し、これらの集光レンズLC1、LC2は光軸に沿って移動でき、本発明によれば、選択した適用に合成レーザービームFLARのサイズおよびエネルギーを適合させるために二つのレンズ間の距離dが選択される。
有利には、集光レンズLC1、LC2の組合せは、均質化手段と結合したレーザー源の全ての光学収差を最少化するように、かつまた単位表面当りのエネルギー特性(合成レーザービームの光束密度)を改善するように計算される。
図4にはレーザー源の変形例が表されている。上述のレーザーユニットLA1、LA2、LA3が再び設けられる。
図3と比較して、ユニットLA1は、この場合、図3に関して記載した発振器の役割に代わって増幅器の役割を果たす。また、ユニットLA2、LA1は直列に配置されて、ターゲット平面CIBに向って送られるように設定された脈動合成レーザービームFLA2を供給する。
均質化装置HOは、レーザービームFLA3を供給するユニットLA3からのレーザービームおよび直列に配置されたユニットLA2、LA1からのレーザービームFLA2を均質化するように構成される。
ユニットLA2、LA1間には、これらの二つのユニット間の距離を調整すべく調整機構REG3が設けられている。反射ミラーM4、M5、M6、M7は、ユニットLA2からのレーザービームFLA2をユニットLA1に向ってまたレーザービームFLA1をターゲットCIBに向って伝搬させる。
調整機構REG3には有利には、レーザービームを光学素子の動きの関数として焦点を合わせるべく焦点合わせレンズL3が設けられる。
図5は四つのレーザーユニットを備えたレーザー源を表す。この装置は対称に構成される。図5の装置は図4の発振レーザーユニットLA3と直列に設けられた付加的な増幅レーザーユニットLA4を有している点において図4に関して説明したものと異なっている。
サイズの大きな液晶スクリーンを製造するためのアモルファスシリコンのアニーリングからなる応用例では、各パネルの寸法は約550×650mmである。合成レーザービームは、処理すべきパネルのサイズに合わせた寸法を有する。
図6Aは、レーザーユニットからそれぞれ来る二つのレーザービームによって供給されるエネルギーの二つの時間プロファイルを表している。各ビームの総エネルギーは0.8J/cm2である。Y軸上にはエネルギーmW/cm2が示され、X軸上には時間nsが示されている。図示例は二つの異なったレーザービームに関する二つのプロファイルの場合である。例えばレーザービームFLA2はレーザービームFLA1より急速に高エネルギーを供給することがわかる。
図6Bは、図6Aに関して記載した二つのレーザービームFLA1、FLA2による時間に応じた溶融層の厚さを表す。
レーザービームFLA2は、レーザービームFLA1の出力立上り縁部1aより急な出力立上り縁部2aを備えていることがわかる。
また、レーザービームFLA1は、レーザービームFLA2の出力ピーク2bより50nmの深さにおいて実質的に平坦な出力ピーク1bを有することがわかる。例えば、50nmの深さは、レーザーによってアニーリングすべきアモルファスシリコン層の厚さに対応している。
最後に、レーザービームFLA1は、レーザービームFLA2の出力立下り縁部2cより実質的に緩やかである出力立下り縁部1cを有することがわかる。
エキシマレーザーによるアモルファスシリコンのアニーリングからなる応用例において、所望の合成レーザービームの時間プロファイルは、加熱効率を改善するために実質的に急な出力立上り縁部と、基板の溶融を避けながら前記深さのアモルファスシリコンの層の総溶融を得るように選択した処理深さで実質的に平坦な出力ピークと、結晶の成長を促進させるために実施的に緩やかな出力立下り縁部とを備えている。
本発明によれば、各レーザーユニットからのレーザービームは、このような時間プロファイルをもつ合成レーザービームとなるように調整される。
例えば、調整手段は、選択した時間シフトでレーザー発振器ユニットをトリガーできるトリガー手段を有する。
本発明による別の解決法は、表面処理に適した時間プロファイルを示す合成レーザービームを得るべく、レーザーユニットの長さおよび種々のレーザーユニット間の距離を調整することからなる。例えば、時間プロファイルは上述のようなプロファイルである。
本発明による別の解決法は、各個々のレーザーユニットで使用されるエネルギーを変えて、合成レーザービームが選択した時間プロファイルを示すようにすることからなる。このエネルギーを変える手段としては光学的手段(ダイヤフラム)および/または機械的手段を使用することができる。
本発明による別の解決法は、前記の均質化装置の二つの焦点合わせレンズ間の距離dを調整することからなる。
Claims (11)
- 少なくとも二つのレーザーユニット(LA1,LA3;LA1,LA4)と、表面処理用の合成レーザービームを供給すべく前記少なくとも二つのレーザーユニット各々からの複数のレーザービームを結合し得る結合手段とを有するレーザー源制御装置において、
前記装置は、レーザー表面処理に関連して、
前記レーザー表面処理に最適にされたエネルギーの時間プロファイルを備えた前記合成レーザービームを得るべく前記少なくとも二つのレーザーユニット各々からの複数のレーザービームの少なくとも一つの特性を調整し得る前記少なくとも二つのレーザーユニットの一つ(LA1)とこのレーザーユニット(LA1)によって増幅されるレーザービームを発生する追加のレーザーユニット(LA2)との間に前記少なくとも二つのレーザーユニットの一つ(LA1)と前記追加のレーザーユニット(LA2)との間の光路の距離を調整できるように設置された複数の反射ミラーから構成された時間プロファイル調整機構(REG)と、
前記合成レーザービームのエネルギー分布を空間的に均質化し、前記合成レーザービームのエネルギーおよび空間分布を組合わせて、選択した表面処理に適合させることができる多レーザービーム用の入力を有する空間的均質化装置(HO)とを有することを特徴とするレーザー源制御装置。 - 前記時間プロファイル調整機構が、実質的に急な出力立上り縁部と、選択した処理深さで実質的な平坦な出力ピークと、実質的に緩やかな出力立下り縁部とを備えた合成レーザービームのエネルギーの時間プロファイルを得ることができることを特徴とする請求項1記載のレーザー源制御装置。
- 前記時間プロファイル調整機構が、前記レーザービームを発生するレーザーユニットから供給されるエネルギーを光学的および/または機械的に変化させ得ることを特徴とする請求項1または2記載のレーザー源制御装置。
- 前記時間プロファイル調整機構が、前記レーザービームを発生するレーザーユニットから供給されるレーザービームの光学的および/または幾何学的特性を調整できる調整手段を有してなることを特徴とする請求項1または2記載のレーザー源制御装置。
- レーザー源が、少なくとも一つの増幅用のレーザーユニットと、直列に配置されたレーザービーム発生用のレーザーユニットとを有することを特徴とする請求項1記載のレーザー源制御装置。
- 前記レーザービーム発生用のレーザーユニットが、前記レーザービームの光軸に対してレーザービームを対称にさせるため立方体等の隅角部のように配列され、かつ合成レーザービームの均質化に寄与する総反射ミラー(RM)を有することを特徴とする請求項5記載のレーザー源制御装置。
- 前記時間プロファイル調整機構が、レーザーユニットの長さならびに前記増幅用のレーザーユニットと前記レーザービーム発生用のレーザーユニットとの間の距離を、加えられるレーザーエネルギーおよび選択した適用に応じて調整できる調整手段(REG)を有することを特徴とする請求項5記載のレーザー源制御装置。
- レーザー源が、並列に配置された少なくとも二つのレーザービーム発生用のレーザーユニットを有することを特徴とする請求項1記載のレーザー源制御装置。
- 前記多レーザービーム用の入力を有する空間的均質化装置(HO)が、集束性であり、前記レーザーユニットからのレーザービームの伝搬方向に垂直にm列およびn行に配置されて隣接し、処理すべきレーザービームをp・q(p、qはm、nの約数である)個のレーザービームに分割でき、各レーザービームが実質的に一様な横断面および実質的に均質なエネルギー分布を有する複数のm・nの前方レンズ(LF)と、
レーザービームの伝搬方向における前方レンズ(LF)の下流に、処理すべきレーザービームの伝搬方向と垂直に配置され、選択した平面(CIB)において前方レンズからのビームの焦点を合わせるのに好適な少なくとも一つの集束集光レンズ(LC)とを有していることを特徴とする請求項1記載のレーザー源制御装置。 - 光軸に沿って移動できる二つの集光レンズ(LC1、LC2)を有し、これらの二つのレンズ間の距離(d)が、選択した適用に合成レーザービームのサイズおよびエネルギーを適合するように選択され、また、前記二つの集光レンズ(LC1、LC2)の組合せが、均質化手段と結合したレーザー源の全ての光学収差を最少化するようにかつまた合成レーザービームの単位表面当りのエネルギー特性を改善するように計算され得ることを特徴とする請求項9記載のレーザー源制御装置。
- 表面処理が、アモルファスシリコンタイプの半導体材料のアニーリングであることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1つに記載のレーザー源制御装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9509780A FR2737814B1 (fr) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | Procede et dispositif de commande d'une source laser a plusieurs modules laser pour optimiser le traitement de surface par laser |
FR95/09780 | 1995-08-11 | ||
PCT/FR1996/001060 WO1997007578A1 (fr) | 1995-08-11 | 1996-07-05 | Dispositif de commande d'une source laser a plusieurs modules laser pour optimiser energetiquement et spatialement le traitement de surface par laser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11511295A JPH11511295A (ja) | 1999-09-28 |
JP4169366B2 true JP4169366B2 (ja) | 2008-10-22 |
Family
ID=9481900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50898197A Expired - Lifetime JP4169366B2 (ja) | 1995-08-11 | 1996-07-05 | レーザー表面処理のエネルギーおよび空間最適化用の多レーザーユニットを備えたレーザー源制御装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6014401A (ja) |
EP (1) | EP0843909B1 (ja) |
JP (1) | JP4169366B2 (ja) |
KR (1) | KR100416246B1 (ja) |
AT (1) | ATE180601T1 (ja) |
CA (1) | CA2225152C (ja) |
DE (1) | DE69602603T2 (ja) |
FR (1) | FR2737814B1 (ja) |
WO (1) | WO1997007578A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2737806B1 (fr) * | 1995-08-11 | 1997-09-12 | Soc D Production Et De Rech Ap | Dispositif et procede de traitement de surface par laser |
FR2737786B1 (fr) * | 1995-08-11 | 1997-09-12 | Soc D Production Et De Rech Ap | Dispositif optique pour homogeneiser un faisceau laser |
JP2002289397A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Takayasu Mochizuki | レーザプラズマ発生方法およびそのシステム |
JP2003059858A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Sony Corp | レーザアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法 |
US7097709B2 (en) * | 2002-11-27 | 2006-08-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser annealing apparatus |
US7919726B2 (en) * | 2002-11-29 | 2011-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device |
US7304005B2 (en) * | 2003-03-17 | 2007-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device |
WO2005094205A2 (en) * | 2003-07-30 | 2005-10-13 | Tcz Gmbh | Very high energy, high stability gas discharge laser surface treatment system |
DE102004001276A1 (de) * | 2004-01-08 | 2005-08-04 | Mtu Aero Engines Gmbh | Verfahren zur Erwärmung von Bauteilen |
US20070012665A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Hewlett-Packard Development Company Lp | Laser ablation |
CN102203943B (zh) * | 2008-10-29 | 2013-07-31 | 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) | 通过多激光束照射将在基板上形成的半导体膜划分成多个区域的方法 |
US8509272B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-08-13 | Lee Laser, Inc. | Laser beam combining and power scaling device |
US9277634B2 (en) | 2013-01-17 | 2016-03-01 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for multiplexed multiple discharge plasma produced sources |
WO2016006099A1 (ja) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム |
CN108292595B (zh) | 2015-12-25 | 2022-09-16 | 极光先进雷射株式会社 | 激光照射装置 |
JPWO2019012642A1 (ja) * | 2017-07-13 | 2020-05-07 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム |
KR102324610B1 (ko) * | 2019-12-26 | 2021-11-09 | 세메스 주식회사 | 기판 가열 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4649351A (en) * | 1984-10-19 | 1987-03-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Apparatus and method for coherently adding laser beams |
US4648092A (en) * | 1985-09-25 | 1987-03-03 | Rockwell International Corporation | Phase coupling multiple lasers |
WO1988006504A1 (en) * | 1987-02-24 | 1988-09-07 | Nippon Steel Corporation | Method and apparatus for dull finish of roll with pulse laser |
JPH01302881A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Yoshiaki Arata | 大出力エキシマレーザービーム造出法 |
US5253110A (en) * | 1988-12-22 | 1993-10-12 | Nikon Corporation | Illumination optical arrangement |
DE4009859A1 (de) * | 1990-03-28 | 1991-10-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von laserstrahlung hoher leistung und guter qualitaet |
TW207588B (ja) * | 1990-09-19 | 1993-06-11 | Hitachi Seisakusyo Kk | |
IL101471A (en) * | 1991-05-01 | 1995-03-30 | Coherent Inc | Coupler for laser launch system |
EP0568727B1 (en) * | 1992-05-06 | 1997-07-23 | Electrox Ltd. | Laser beam combination system |
DE4301689A1 (de) * | 1993-01-22 | 1994-07-28 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Leistungsgesteuertes fraktales Lasersystem |
US5463200A (en) * | 1993-02-11 | 1995-10-31 | Lumonics Inc. | Marking of a workpiece by light energy |
US5375132A (en) * | 1993-05-05 | 1994-12-20 | Coherent, Inc. | Solid state laser with interleaved output |
DE59403740D1 (de) * | 1993-05-19 | 1997-09-18 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur materialbearbeitung mit diodenstrahlung |
US5528612A (en) * | 1993-11-19 | 1996-06-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Laser with multiple gain elements |
DE4429913C1 (de) * | 1994-08-23 | 1996-03-21 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung und Verfahren zum Plattieren |
FR2737806B1 (fr) * | 1995-08-11 | 1997-09-12 | Soc D Production Et De Rech Ap | Dispositif et procede de traitement de surface par laser |
-
1995
- 1995-08-11 FR FR9509780A patent/FR2737814B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-05 WO PCT/FR1996/001060 patent/WO1997007578A1/fr active IP Right Grant
- 1996-07-05 CA CA002225152A patent/CA2225152C/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-05 DE DE69602603T patent/DE69602603T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-05 EP EP96924950A patent/EP0843909B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-05 AT AT96924950T patent/ATE180601T1/de not_active IP Right Cessation
- 1996-07-05 KR KR10-1998-0700913A patent/KR100416246B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-07-05 JP JP50898197A patent/JP4169366B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-05 US US09/011,455 patent/US6014401A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2225152A1 (en) | 1997-02-27 |
CA2225152C (en) | 2007-05-08 |
JPH11511295A (ja) | 1999-09-28 |
KR19990036245A (ko) | 1999-05-25 |
KR100416246B1 (ko) | 2004-03-26 |
US6014401A (en) | 2000-01-11 |
FR2737814A1 (fr) | 1997-02-14 |
EP0843909B1 (fr) | 1999-05-26 |
WO1997007578A1 (fr) | 1997-02-27 |
FR2737814B1 (fr) | 1997-09-12 |
DE69602603D1 (de) | 1999-07-01 |
ATE180601T1 (de) | 1999-06-15 |
DE69602603T2 (de) | 2000-02-24 |
EP0843909A1 (fr) | 1998-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4169366B2 (ja) | レーザー表面処理のエネルギーおよび空間最適化用の多レーザーユニットを備えたレーザー源制御装置 | |
KR101167324B1 (ko) | 레이저 박막 폴리실리콘 어닐링 광학 시스템 | |
JP4698460B2 (ja) | レーザアニーリング装置 | |
EP1063049B1 (en) | Apparatus with an optical system for laser heat treatment and method for producing semiconductor devices by using the same | |
US7863541B2 (en) | Laser annealing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP3903761B2 (ja) | レ−ザアニ−ル方法およびレ−ザアニ−ル装置 | |
JP4748836B2 (ja) | レーザ照射装置 | |
KR20060126665A (ko) | 레이저 박막 폴리실리콘 어닐링 시스템 | |
JP5231234B2 (ja) | ラインビームとして整形されたレーザー光を生成するためのシステム | |
KR102439093B1 (ko) | 광섬유 레이저에 의해 비정질 규소 기재를 균일하게 재결정화하기 위한 방법 및 시스템 | |
US20050157382A1 (en) | Industrial directly diode-pumped ultrafast amplifier system | |
US7317179B2 (en) | Systems and methods to shape laser light as a homogeneous line beam for interaction with a film deposited on a substrate | |
KR20140113878A (ko) | 라인 빔들을 이용한 향상된 열처리 방법 | |
KR20040025640A (ko) | 빔 호모제나이저 및 레이저 조사 장치와 반도체 장치 제조방법 | |
WO2013146197A1 (ja) | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 | |
JPH05226790A (ja) | レーザアニール装置 | |
JP2022518740A (ja) | レーザ焼鈍のためのダイオード励起固体レーザ装置 | |
JPH07266064A (ja) | レーザアニール装置 | |
US20120312790A1 (en) | Pulse circulator | |
KR101114950B1 (ko) | 레이저 조사장치, 레이저 조사방법, 및 반도체장치 제조방법 | |
KR20040068022A (ko) | 레이저 조사 방법, 반도체 장치를 제조하는 방법, 및레이저 조사 시스템 | |
US20220359197A1 (en) | Method and apparatus for laser annealing | |
JP2003243322A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
KR20220007139A (ko) | 반도체 재료를 처리하기 위한 방법 및 광학 시스템(mehtod and optical system for processing a semiconductor material) | |
KR100814821B1 (ko) | 실리콘 박막의 결정화 장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060307 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060606 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070724 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071022 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071218 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080226 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080625 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080725 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080805 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130815 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |