JP4164528B2 - 揺動体を含む構造体の製造方法 - Google Patents
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Description
米国特許第4317611号明細書 10th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators(Transducers’99) pp.1002-1005
1.T字形状断面を有するトーションバーは、捩れたときに図28の2050の部分において応力の集中が生じるために壊れやすい。
2.T字形状断面を有するトーションバーは、ねじりの中心と重心軸の中心が一致していない。そのため、揺動時にねじれの軸に垂直な方向の加振力を生じてしまう。そのため、駆動時に不要な動きが生じてしまう。
3.ポリシリコンは、単結晶シリコンに比べて内部損失が大きいため、機械的なQ値が低くなってしまう。そのため、機械的な共振を利用して駆動する際に、振動振幅を大きくできない。また、損失が大きいためエネルギー効率が低い。
図1は、本発明の実施例1のマイクロ光偏向器を説明するための斜視図である。図2は、内部構造を説明するために、上記マイクロ光偏向器を分解して示した図である。図3は、本実施例のマイクロ光偏向器の動作を説明するための図2の切断線109における断面図である。図4は、本実施例の特徴であるトーションスプリングの構造を説明するための断面図であり、図1の切断線106におけるシリコン単結晶薄板120の断面を示している。
6.最後に、ミラー130を洗浄し、表面に光反射膜を成膜する。
1.ガラス基板110の両面にマスク層151(レジスト等)を成膜する(a)。
3.凹み部112の深さが25μmになるように、エッチングを行う(c)。このとき、三角柱状のミラー支持部132が形成される。
図9は、本発明の実施例2のマイクロ光偏向器を説明するための斜視図である。図10は、内部構造を説明するために、上記マイクロ光偏向器を分解して示した図である。図11は、図9の切断線106におけるシリコン単結晶薄板120の断面を示している。図10の切断線109における断面図は図3と同じである。
8.最後に、ミラー130を洗浄し、表面に光反射膜を成膜する。
図16は、本発明の実施例3のマイクロ光偏向器を説明するための斜視図である。図17は、内部構造を説明するために、上記マイクロ光偏向器を分解して示した図である。図18は、図16の切断線106におけるシリコン単結晶薄板120の断面を示し、本実施例の特徴であるトーションスプリングの構造を説明するための断面図である。図17の切断線109における断面図は図3と同じである。
1.シリコン単結晶薄板120の両面に、マスク層150(例えば、SiO2や低圧化学気相成長法で作製した窒化シリコン等)を成膜する。シリコン単結晶薄板120には、(100)基板を使用する。そして、フォトリソグラフィ技術で、マスク層150のパターニングを行う(a)。このマスクパターンは、トーションスプリング128、129の部分では、基板120上面側と下面側にそれぞれ幅Waと幅Wbのストライプ状開口が形成されている。幅Wbのストライプ状開口はストライプ状マスク層150を挟んで一対形成され、幅Waのストライプ状開口は該ストライプ状マスク層に対応する上面個所に1つ形成されている。幅Waは2つのトーションバー122、123;124、125の最上部の間隔に設定され、幅Wbの二つの開口の間のストライプ状のマスク層150の幅は2つのトーションバー122、123;124、125の最底部の間隔に設定される。このマスクパターンでは、ミラー130の外形に沿って適当な幅の開口部も基板120上面側に形成されている。
6.最後に、ミラー130を洗浄し、表面に光反射膜を成膜する。
図21は、本発明の実施例4のマイクロ光偏向器を説明するための概略斜視図を示している。本実施例のマイクロ光偏向器においても、シリコン単結晶薄板には、バルクマイクロマシニング技術により、上記実施例ないし変形例で説明したようなトーションスプリング(不図示)とミラー330が、一体に形成されている。ミラー330の端には、軟磁性体材料からなる可動コア341が固定されている。ミラー330は、表面に光の反射率の高い物質がコーティングされており、トーションスプリングによりその長軸であるねじり軸の回りに揺動自在に支持されている。
図22は、実施例5の光走査型ディスプレイを説明する図である。X光偏向器401とY光偏向器402は、上記実施例ないし変形例の光偏向器と同様のものである。コントローラ409は、X光偏向器401とY光偏向器402を制御して、レーザ光線410をラスター状に走査し、表示する情報に応じてレーザ発振器405を変調することで、スクリーン407上に画像を2次元的に表示する。
112 凹み部
114、116 駆動電極
120、620、720 シリコン単結晶薄板
122、123、124、125、128、129、528、529、628、629、728、729
トーションスプリング(トーションバー)
122a、124a、128a、129a
トーションスプリングの付け根部の斜面
130、330、630、730
ミラー
132 ミラー支持部
150、731、732 マスク層
190、191 開口部
341 可動コア
342 固定コア
401 X光偏向器
402 Y光偏向器
405 レーザ発振器
407 スクリーン
409 コントローラ
410 レーザ光線
1010 絶縁性基板
1014、1016 駆動電極
1020 シリコン薄板
1022、1024、2001、2002
トーションバー
1030、2011 ミラー
1032 ミラー支持部
2020 ジンバル
2022、2024 ロールトーションバー
2026、2028 ピッチトーションバー
2030 ヘッド支持体
2031 支持枠
2091 型取り用シリコンウェハー
2092 犠牲層
2093 ポリシリコン層
2094 エポキシ樹脂
2095 パッド
Claims (3)
- 基板とトーションスプリングと揺動体とを含み構成され、該揺動体が該トーションスプリングによって、該基板に対してねじり軸を中心にねじり振動可能に支持されている構造体の製造方法であって、 単結晶シリコン基板と、(100)等価面である該単結晶シリコン基板の表面及び裏面に設けられているパターニングされたマスク層と、を有する部材を用意する第1の工程、及び 前記部材をアルカリ水溶液を用いて、異方性エッチングすることにより、前記単結晶シリコン基板に、前記基板、前記揺動体、及び前記トーションスプリングを形成する第2の工程を有し、前記トーションスプリングが形成される位置における前記マスク層は、前記ねじり軸に平行な方向に延び且つ前記単結晶シリコン基板を幅Wgで露出する領域と、該幅Wgで露出する領域の両側に設けられている、前記ねじり軸に平行な方向に延び且つ前記単結晶基板を幅Waで露出する領域とが、非露出領域を介して配置され、且つ、前記単結晶基板の厚さtと前記Wgと前記Waとが、Wg<t/tan54.7°、及び、Wa>t/tan54.7°を満たすようにパターニングされていることを特徴とする構造体の製造方法。
- 前記第2の工程後、前記単結晶基板の前記表面及び前記裏面に残存する前記マスク層を除去する第3の工程を有することを特徴とする請求項1に記載の構造体の製造方法。
- 前記異方性エッチングの後に、前記トーションスプリングに等方性エッチングを施し、該トーションスプリングの角部を丸くすることを特徴とする請求項1又は2に記載の構造体の製造方法。
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