JP4158044B2 - ペニシリン結晶及びその製造法 - Google Patents
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反応式
CMPBは、例えば、2−オキソ−4−(ベンゾチアゾール−2−イル)ジチオ−α−イソプロペニル−1−アゼチジン酢酸ベンズヒドリルとハロゲン化水素酸とを、亜硝酸塩及び/又は亜硝酸エステルの存在下、溶媒中にて反応させる方法(特許文献1参照)、2−オキソ−4−(ベンゾチアゾール−2−イル)ジチオ−α−イソプロペニル−1−アゼチジン酢酸ベンズヒドリルと塩化銅とを溶媒中にて反応させる方法(特許文献2参照)等により製造されている。
1.2β−クロロメチル−2α−メチルペナム−3α−カルボン酸ベンズヒドリルエステルの結晶。
2.モノクロメーターを通したλ=1.5418Åの銅放射線で得られるX線粉末回折パターンにおいて、下記に示す各格子面間隔にピークを有する上記1に記載の結晶。
7.27〜8.16
5.36〜5.93
4.44〜4.92
3.64〜4.37
3.モノクロメーターを通したλ=1.5418Åの銅放射線で得られるX線粉末回折パターンにおいて、下記に示す各格子面間隔にピークを有する上記1に記載の結晶。
7.2787〜8.1577
5.3646〜5.9292
4.4430〜4.9106
3.6423〜4.3602
4.(A)2β−クロロメチル−2α−メチルペナム−3α−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(CMPB)を含む溶液を濃縮する工程、
(B)得られる濃縮物を、カラムクロマトグラフィーに付す工程、
(C)CMPB含有フラクションを濃縮する工程、及び
(D)得られるCMPB含有濃縮物をエーテル溶媒に溶解し、次いでこの溶液に炭化水素溶媒を加えてCMPB結晶を析出させる工程
を含む、2β−クロロメチル−2α−メチルペナム−3α−カルボン酸ベンズヒドリルエステル結晶の製造方法。
この工程で使用されるCMPBを含む溶液は、公知であり、例えば、特許文献1、特許文献2等に記載されている方法に従って得られるCMPBを含む反応溶液を包含する。
A工程で得られる濃縮物を、カラムクロマトグラフィーにより精製する。
B工程で得られたCMPB含有フラクションは、公知の濃縮手段により濃縮される。このような濃縮手段としては、例えば、減圧濃縮等を挙げることができる。濃縮の際の温度は、50℃を超えないように、好ましくは−10〜30℃、より好ましくは15〜25℃とするのがよい。
C工程で得られるCMPB含有濃縮物をエーテル溶媒に溶解し、次いでこの溶液に炭化水素溶媒を加えることにより、CMPB結晶を析出させる。
2−オキソ−4−(ベンゾチアゾール−2−イル)ジチオ−α−イソプロペニル−1−アゼチジン酢酸ベンズヒドリルエステル45.8gのジクロロメタン240ml溶液に、氷冷下35%塩酸48.6ml及び5℃の冷水48.5mlを加え、次いで36%亜硝酸ナトリウム水溶液18mlを30分間に亘って滴下した。この混合物を氷冷下に1時間撹拌後、析出物を濾去し、濾液の有機層を分液した。有機層を冷水にて2回洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した後、有機層を減圧濃縮して、泡状物40gを得た。
A工程:
2−オキソ−4−(ベンゾチアゾール−2−イル)ジチオ−α−イソプロペニル−1−アゼチジン酢酸ベンズヒドリルエステル45.8gのジクロロメタン240ml溶液に、氷冷下35%塩酸48.6ml及び5℃の冷水48.5mlを加え、次いで36%亜硝酸ナトリウム水溶液18mlを30分間に亘って滴下した。この混合物を氷冷下に1時間撹拌後、析出物を濾去し、濾液の有機層を分液した。有機層を冷水にて2回洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した後、塩化メチレンの量が40mlになるように有機層を減圧濃縮した。
得られる濃縮物をシリカゲルクロマトグラフィー(充填剤:ワコーゲル C−200、1kg使用;展開溶媒:ベンゼン/酢酸エチル=20/1(容量比))に付し、CMPB含有フラクションを得た。これらのCMPB含有フラクションを合わせた。
合わせたCMPB含有フラクションを直ちに20℃で減圧下で、濃縮物中の溶媒量が約10容積%になるまで濃縮した。
得られるCMPB含有濃縮物に20℃でジエチルエーテル50mlを添加して溶液とし、これにn−ヘキサン100mlを徐々に加えることにより、結晶が析出した。
1H−NMR(300MHz、CDCl3、δppm):
1.33(s,3H),3.12(dd,J=2Hz,16Hz,1H),3.60(s,1H),3.61(dd,J=4Hz,16Hz,1H),5.13(s,1H),5.26,5.34(ABq,J=13Hz,2H),5.41(dd,J=2Hz,4Hz,1H),7.25−7.40(m,10H)
この結晶について、モノクロメーターを通したλ=1.5418Åの銅放射線で得られるX線粉末回折パターンを測定した。その結果、下記に示す明確なX線パターンが得られた。
9.461 0.21
7.769 0.50
7.662 0.51
6.506 0.35
5.647 1.00
5.248 0.29
4.761 0.30
4.677 0.40
4.358 0.25
4.275 0.28
4.153 0.51
3.907 0.19
3.834 0.36
3.448 0.26
3.200 0.19
図2に、該結晶のX線粉末回折パターンを示す。
参考例1と同様にして得られた泡状固体20gにアセトンを加えて、泡状固体をアセトンに溶解させ、不溶物を濾過して取り除いた。濾液を濃縮し、得られた濃縮物にジエチルエーテル25mlを加えて、晶析を試みた。
参考例1で得られた泡状物40gを直ちにジクロロメタン40mlに溶解し、シリカゲルクロマトグラフィー(充填剤:ワコーゲル C−200、1kg使用;展開溶媒:ベンゼン/酢酸エチル=20/1(容量比))に付し、CMPB含有フラクションを直ちに20℃で減圧下に濃縮し、油状物を得た。
実施例1のCMPB結晶(純度100%)5g及び参考例1のCMPBアモルファス(純度99.2%)5gをそれぞれ試験管に入れ、密封し、室温(20〜30℃)で1ヶ月保存した後、それらの純度を調べた。純度の測定は、液体クロマトグラフィーで行った。
CMPB結晶(純度97%、実施例1のCMPB結晶を20日間室温(約25℃)にて保管したもの)1g及びCMPBアモルファス(純度78%、参考例1のCMPB結晶を20日間室温(約25℃)にて保管したもの)1.244gをテストサンプルとした。
Claims (4)
- 2β−クロロメチル−2α−メチルペナム−3α−カルボン酸ベンズヒドリルエステルの結晶。
- モノクロメーターを通したλ=1.5418Åの銅放射線で得られるX線粉末回折パターンにおいて、下記に示す各格子面間隔にピークを有する請求項1に記載の結晶。
d(格子面間隔)
7.27〜8.16
5.36〜5.93
4.44〜4.92
3.64〜4.37 - モノクロメーターを通したλ=1.5418Åの銅放射線で得られるX線粉末回折パターンにおいて、下記に示す各格子面間隔にピークを有する上記請求項1に記載の結晶。
d(格子面間隔)
7.2787〜8.1577
5.3646〜5.9292
4.4430〜4.9106
3.6423〜4.3602 - (A)2β−クロロメチル−2α−メチルペナム−3α−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(CMPB)を含む溶液を濃縮する工程、
(B)得られる濃縮物を、カラムクロマトグラフィーに付す工程、
(C)CMPB含有フラクションを濃縮する工程、及び
(D)得られるCMPB含有濃縮物をエーテル溶媒に溶解し、次いでこの溶液に炭化水素溶媒を加えてCMPB結晶を析出させる工程
を含む、2β−クロロメチル−2α−メチルペナム−3α−カルボン酸ベンズヒドリルエステル結晶の製造方法。
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