JP4141587B2 - コンパレータ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンパレータに関し、特にインバータのスレショルド電圧を制御する構成のコンパレータに関する。コンパレータは、携帯無線機器やクロック周波数変換等に利用されるPLL(フェーズロックドループ)を構成するVCO回路(電圧制御発振回路)やA/D変換器(アナログ−ディジタル変換器)などの、アナログ回路に使用される。近時、アナログ回路は高速化が進み、それに伴いコンパレータにも遅延時間の小さい、高速な特性が要求されてきている。
【0002】
【従来の技術】
図10、図11および図12は、それぞれ、従来のインバータ型コンパレータの回路記号、回路および出力特性を示す図である。このコンパレータ11は、PMOSトランジスタQ1およびNMOSトランジスタQ2よりなるCMOSインバータで構成されており、それらトランジスタQ1,Q2のゲートに入力電圧Vinが入力され、それらトランジスタQ1,Q2の共通接続されたドレインから出力電圧Voutが出力される。
【0003】
このCMOSインバータよりなるコンパレータ11は、動作の遅延時間が数ナノ秒程度と小さく、高速で動作する。このコンパレータ11の基準電圧、すなわち比較対象である入力電圧の大小を比較するための基準となる電圧は、トランジスタQ1,Q2のスレショルド電圧である。したがって、図12に示すように、入力電圧Vinがスレショルド電圧Vthよりも低い場合には、PMOSトランジスタQ1がオンするため、出力電圧Voutは相対的に電位が高い「H」レベルとなる。一方、入力電圧Vinがスレショルド電圧Vthよりも高い場合には、NMOSトランジスタQ2がオンするため、出力電圧Voutは相対的に電位が低い「L」レベルとなる。
【0004】
図13、図14および図15は、それぞれ、従来の差動コンパレータの回路記号、回路および出力特性を示す図である。このコンパレータ12は、PMOSトランジスタQ3,Q4、NMOSトランジスタQ5,Q6および電流源13よりなる差動増幅回路と、PMOSトランジスタQ7およびNMOSトランジスタQ8よりなるシングルエンド増幅回路とを組み合わせた構成となっている。
【0005】
NMOSのトランジスタQ5およびトランジスタQ6の各ゲートには、それぞれ基準電圧VRおよび入力電圧Vinが入力される。トランジスタQ6のドレイン出力は、PMOSトランジスタQ7およびNMOSトランジスタQ8の各ゲートに入力され、それらトランジスタQ7,Q8の共通接続されたドレインから、出力電圧Voutが出力される。
【0006】
この差動コンパレータ12は、差動増幅回路を用いているため、入力電圧Vinと基準電圧VRとの正確な比較動作を行うことができる。すなわち、入力電圧Vinが基準電圧VRよりも低い場合には、トランジスタQ6のドレイン出力は「H」レベルとなるので、NMOSトランジスタQ8がオンし、図15に示すように、出力電圧Voutは「L」レベルとなる。一方、入力電圧Vinが基準電圧VRよりも高い場合には、トランジスタQ6のドレイン出力は「L」レベルとなるので、PMOSトランジスタQ7がオンし、出力電圧Voutは「H」レベルとなる。
【0007】
図16は、従来のチョッパ型コンパレータの回路図である。このコンパレータは、インバータ14、キャパシタ15、ラッチ回路16および第1〜第3の3つのスイッチング素子17,18,19により構成される。第1および第2のスイッチング素子17,18はクロック信号φによりオン/オフ制御され、第3のスイッチング素子19はクロック信号φの反転信号/φ(「/」は反転のバーを表す)によりオン/オフ制御される。
【0008】
図17は、図16に示すチョッパ型コンパレータの動作タイミング図である。クロック信号φが「H」レベルの時(/φが「L」の時)は、第1および第2のスイッチング素子17,18がオンしてオートゼロ動作となる。このオートゼロ動作期間では、インバータ14の入力側および出力側の各ノードにおける電圧V1,V2はインバータのスレショルド電圧Vthとなり、このスレショルド電圧Vthと基準電圧VRとの電位差がキャパシタ15の両端に蓄積される。
【0009】
クロック信号φが「L」レベルの時(/φが「H」の時)は、第3のスイッチング素子19がオンして比較動作となる。この比較動作期間では、入力電圧Vinが基準電圧VRよりも高いと、インバータ14の出力電圧V2は「L」レベルとなる。これがつぎのクロック信号の立ち上がりに同期してラッチ回路16から「L」レベルの出力電圧Voutとして出力される。一方、比較動作期間において、入力電圧Vinが基準電圧VRよりも低いと、インバータ14の出力電圧V2は「H」レベルとなり、これがつぎのクロック信号の立ち上がりに同期してラッチ回路16から「H」レベルの出力電圧Voutとして出力される。
【0010】
図18は、コンパレータを2つ用いて構成された発振回路の回路図である。この発振回路2は、2つのコンパレータ21a,21b、それら2つのコンパレータ21a,21bに比較電圧Vcを供給するために充電または放電されるキャパシタ22、そのキャパシタ22を充電または放電させるための2つの電流源23a,23b、それら2つの電流源23a,23bのオン/オフをそれぞれ制御するための2つのスイッチング素子24a,24bおよびインバータ25、一方のコンパレータ21aの出力信号をインバータ26で反転した信号およびもう一方のコンパレータ21bの出力信号をラッチし、出力電圧Voutの発振信号を出力する、2つのナンドゲート27a,27bからなるラッチ回路を備えた構成となっている。
【0011】
一方のコンパレータ21aには、基準電圧として相対的に電位が高い「H」レベルの電圧信号(以下、高基準電圧VRHとする)が入力される。もう一方のコンパレータ21bには、基準電圧として相対的に電位が低い「L」レベルの電圧信号(以下、低基準電圧VRLとする)が入力される。一方のスイッチング素子24aは、ラッチ回路の出力信号、すなわち発振信号により制御され、もう一方のスイッチング素子24bは、発振信号をインバータ25により反転した信号により制御される。
【0012】
図19は、図18に示す発振回路2の動作タイミング図である。キャパシタ22の端子電圧、すなわち充電により上昇する比較電圧Vcが、高基準電圧VRHを超えると、コンパレータ21aは、遅延時間tdだけ遅延した後、比較動作を行う。その結果、そのコンパレータ21aの出力信号を入力とするインバータ26の出力電圧(インバータ26の出力側のノードAの電圧)は、「H」レベルから「L」レベルに切り替わる。それによって、ラッチ回路はリセットされ、ラッチ回路の出力電圧Voutは「H」レベルから「L」レベルに切り替わる。
【0013】
また、放電によりキャパシタ22の端子電圧、すなわち比較電圧Vcが下降し、低基準電圧VRLよりも低くなると、コンパレータ21bは、遅延時間tdだけ遅延した後、比較動作を行う。その結果、そのコンパレータ21bの出力電圧(コンパレータ21bの出力側のノードBの電圧)は、「H」レベルから「L」レベルに切り替わる。それによって、ラッチ回路はセットされ、ラッチ回路の出力電圧Voutは「L」レベルから「H」レベルに切り替わる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
たとえば図18に示す構成の発振回路の場合、高速かつ正確な発振周波数を生成するためには、比較電圧と、高基準電圧VRHおよび低基準電圧VRLとの比較を高速かつ正確に行う必要がある。また、上述した発振回路2では、比較電圧Vcが高基準電圧VRHまたは低基準電圧VRLに到達するタイミングを外部のクロックに同期させることができない。
【0015】
その理由は、発振回路2に外部クロックを使用すると、発振のエッジがそのクロックに同期してしまうため、発振周期にばらつきを生じたり、周期の設定が不連続になったりするという不具合が生じるからである。したがって、図18に示す構成の発振回路2においては、2つのコンパレータ21a,21bは連続して比較動作を行う必要がある。
【0016】
しかしながら、図10乃至図12に示す従来のインバータ型コンパレータでは、PMOSおよびNMOSのトランジスタQ1,Q2の特性で決定されるスレショルド電圧が基準電圧となるため、電源電圧依存、温度依存およびサンプル依存などの要因により、基準電圧すなわちスレショルド電圧が極めて不正確であるという問題点がある。したがって、従来のインバータ型コンパレータは、正確な比較動作を行うことが困難であるため、上述した発振回路には不適である。
【0017】
また、図13乃至図15に示す従来の差動コンパレータでは、その動作速度は、差動増幅回路の動作速度に律速されるため、たとえば、差動増幅回路がCMOS構成の場合には、遅延時間が数十ナノ秒となってしまう。したがって、従来の差動コンパレータは、高速に比較動作を行うことが困難であるため、上述した発振回路には不適である。
【0018】
また、図16および図17に示す従来のチョッパ型コンパレータでは、クロック信号φの半周期の期間はオートゼロ動作となり、その期間は比較動作を行うことができないため、非同期で比較を行う際には使用することができない。したがって、従来のチョッパ型コンパレータは、上述した発振回路には不適である。
【0019】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、高速かつ正確な比較動作を連続して行うことができるコンパレータを提供することを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】
図1は、本発明にかかるコンパレータの原理説明図である。このコンパレータ3は、スレショルド電圧Vthを比較時の基準電圧として、入力電圧Vinをそのスレショルド電圧Vthと比較し、出力電圧Voutを出力するインバータ31と、ダミーインバータ32と、インバータ31およびダミーインバータ32のそれぞれのスレショルド電圧Vthを制御するための制御回路33とを備えた構成となっている。
【0021】
インバータ31およびダミーインバータ32は、いずれも制御回路33から出力されるVth制御電圧Vtcにより、それぞれのスレショルド電圧Vthが制御されるようになっている。そして、インバータ31およびダミーインバータ32は、同一の構成でかつ近接して配置されており、また同一の半導体基板上に同一のプロセスにより作製されているため、それらの電気的特性、たとえばスレショルド電圧Vthは略等しいと見なすことができる。
【0022】
ダミーインバータ32は、制御回路33から出力されるVth検出用入力電圧Vin'を入力信号とし、Vth検出用出力電圧Vout'を制御回路33に出力する。制御回路33は、Vth検出用入力電圧Vin'を生成してダミーインバータ32に出力するとともに、Vth検出用出力電圧Vout'をダミーインバータ32から受け取る。また、御回路33には、外部から基準電圧VRが入力される。
【0023】
つぎに、図1に示す構成のコンパレータ3の動作について説明する。制御回路33は、ダミーインバータ32にVth検出用入力電圧Vin'を供給する。ダミーインバータ32は、そのVth検出用入力電圧Vin'とスレショルド電圧Vthとに基づいてVth検出用出力電圧Vout'を出力する。制御回路33は、そのVth検出用出力電圧Vout'とVth検出用入力電圧Vin'とに基づいてダミーインバータ32のスレショルド電圧Vthを検出する。
【0024】
そして、制御回路33は、検出したダミーインバータ32のスレショルド電圧Vthと、外部から入力する基準電圧VRとの大小を比較し、その比較結果に基づいて、ダミーインバータ32のスレショルド電圧Vth、すなわちコンパレータとして動作するインバータ31のスレショルド電圧Vthが外部の基準電圧VRと一致するように、Vth制御電圧Vtcを調整し、それをダミーインバータ32およびインバータ31に出力する。
【0025】
それによって、インバータ31およびダミーインバータ32の各スレショルド電圧Vthは、一定の基準電圧VRに一致するようになる。したがって、インバータ31を高精度で比較動作を行うコンパレータとして使用することが可能となる。また、インバータ31は、遅延時間が数ナノ秒程度と小さいため、高速で動作するコンパレータが実現される。さらに、インバータ31は、連続動作が可能であるため、非同期で比較を行う場合にも使用可能である。
【0026】
つぎに、制御回路33から出力されるVth制御電圧Vtcによって、インバータ31およびダミーインバータ32のスレショルド電圧Vthが制御可能であることの原理について、図2を参照しながら説明する。NMOSトランジスタ(PMOSトランジスタも同様)のスレショルド電圧について説明すると、基板電圧に対するNMOSトランジスタのスレショルド電圧Vthnは、NMOSトランジスタのバックゲート電圧VBnの関数であり、つぎの(1)式で表される。
【0027】
Vthn(VBn)=Vthn+ΔVthn(VBn) ・・・(1)
【0028】
この(1)式において、ΔVthn(VBn)は、つぎの(2)式で表される。ただし、(2)式において、KnおよびφFnは、トランジスタの製造プロセスや温度により決まる係数である。
【0029】
ΔVthn(VBn)=Kn(√(2・φFn−VBn)−√(2・φFn))・・・(2)
【0030】
基板電圧に対するPMOSトランジスタのスレショルド電圧をVthpとし、PMOSトランジスタのバックゲート電圧をVBpとし、PMOSトランジスタの電流増幅率βpに対するNMOSトランジスタの電流増幅率βnの比をβRとすると(βR=βn/βp)、インバータのスレショルド電圧Vthは、つぎの(3)式で表される。ただし、(3)式において、VDDは電源電圧である。
【0031】
Vth=(VDD−|Vthp(VBn)|+Vthn(VBp)・√βR)/(1+√βR)
・・・(3)
【0032】
この(3)式より、NMOSトランジスタおよびPMOSトランジスタのバックゲート電圧VBn,VBpの一方または両方を制御することによって、インバータのスレショルド電圧を制御できることがわかる。したがって、本発明においては、インバータ31およびダミーインバータ32のスレショルド電圧を制御するために、インバータ31およびダミーインバータ32を構成するNMOSトランジスタおよびPMOSトランジスタのバックゲート電圧を制御するようにしてもよい。
【0033】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態にかかるコンパレータについて図3〜図9を参照しつつ詳細に説明する。
【0034】
(実施の形態1)
図3は、本発明の実施の形態1にかかるコンパレータの構成を回路記号で示す回路図である。この実施の形態1のコンパレータ4は、入力電圧Vinをそのスレショルド電圧Vthと比較して出力電圧Voutを出力するインバータ41と、インバータ41のスレショルド電圧Vthを制御するためにインバータ41と同一の電気的特性を具えている見なすことができるダミーインバータ42と、インバータ41およびダミーインバータ42のそれぞれのスレショルド電圧Vthを制御するための制御回路43とを備えた構成となっている。
【0035】
制御回路43は、差動増幅回路44を備えている。差動増幅回路44は、その非反転入力端子に外部の基準電圧VRが入力され、一方、ダミーインバータ42の出力信号であるVth検出用出力電圧Vout'が反転入力端子に入力される構成となっている。
【0036】
そして、差動増幅回路44は、インバータ41およびダミーインバータ42に、それらインバータ41,42のスレショルド電圧Vthを制御するためのVth制御電圧Vtcを出力する。インバータ41およびダミーインバータ42は、そのVth制御電圧Vtcの入力によって、スレショルド電圧Vthが制御される構成となっている。また、Vth検出用出力電圧Vout'は、Vth検出用入力電圧Vin'として、インバータ41およびダミーインバータ42のそれぞれの入力端子に入力される。
【0037】
図4は、インバータ41およびダミーインバータ42の一例を示す回路図である。なお、図4では、インバータ41の符号を付し、ダミーインバータ42については、符合を括弧内に示す(図5〜図7においても同じ)。
【0038】
インバータ41(ダミーインバータ42)は、PMOSトランジスタQ3のバックゲートに、制御回路43の差動増幅回路44から出力されるVth制御電圧Vtcが印加され、かつNMOSトランジスタQ4のバックゲートに、Vth制御電圧Vtcが入力されたレベルシフタ45の出力電圧が印加される構成となっている。
【0039】
レベルシフタ45は、負荷抵抗となるNMOSトランジスタQ5および電流源46により構成されている。Vth制御電圧Vtcは、NMOSトランジスタQ5のゲートに入力される。レベルシフタ45は、そのNMOSトランジスタQ5のソースの電圧をNMOSトランジスタQ4に出力する。
【0040】
つぎに、実施の形態1の作用について説明する。ダミーインバータ42のVth検出用入力電圧Vin'とVth検出用出力電圧Vout'とが短絡され、直流帰還となっていることにより、Vth検出用出力電圧Vout'はダミーインバータ42のスレショルド電圧Vthとなる。
【0041】
差動増幅回路44により、Vth検出用出力電圧Vout'、すなわちダミーインバータ42のスレショルド電圧Vthと基準電圧VRとの差が増幅され、それがインバータ41およびダミーインバータ42に、Vth制御電圧Vtcとして入力されることにより、インバータ41およびダミーインバータ42のスレショルド電圧Vthが基準電圧VRに一致するように制御される。
【0042】
実施の形態1によれば、コンパレータとして機能するインバータ41と同等の電気的特性を有するダミーインバータ42を設け、ダミーインバータ42のVth検出用入力電圧Vin'とVth検出用出力電圧Vout'とを短絡してVth検出用出力電圧Vout'をダミーインバータ42のスレショルド電圧Vthと一致させることにより、ダミーインバータ42のスレショルド電圧Vthを検出する。
【0043】
そして、そのスレショルド電圧Vthが外部の基準電圧VRに一致するように、ダミーインバータ42およびインバータ41をそれぞれ構成するMOSトランジスタQ3,Q4のバックゲート電圧を制御することにより、インバータ41のスレショルド電圧Vthを制御することができる。したがって、インバータ41を用いて、高速かつ正確な比較動作を連続して行うことができるコンパレータが得られる。
【0044】
また、実施の形態1では、PMOSトランジスタQ3およびNMOSトランジスタQ4の両方のバックゲート電圧を制御しているため、感度が高いという利点がある。
【0045】
なお、上記実施の形態においては、PMOSトランジスタQ3およびNMOSトランジスタQ4の両方のバックゲート電圧を制御することによりインバータ4およびダミーインバータ42のスレショルド電圧Vthを制御をするとしたが、これに限らず、たとえば、図5に示すように、PMOSトランジスタQ3のみのバックゲート電圧を制御するようにしてもよいし、図6に示すように、NMOSトランジスタQ4のみのバックゲート電圧を制御するようにしてもよい。
【0046】
このようにすれば、レベルシフタ45が不要となるため、コンパレータの回路規模が小さくなるという利点と、PMOSトランジスタQ3およびNMOSトランジスタQ4の両方のバックゲート電圧を制御することができない場合に有効であるという利点がある。
【0047】
また、図7に示すように、PMOSトランジスタQ3のソースおよびNMOSトランジスタQ4のソースに、それぞれPMOSトランジスタQ7およびNMOSトランジスタQ8を直列に接続し、PMOSトランジスタQ7のゲートにVth制御電圧Vtcを印加するとともに、Vth制御電圧Vtcをレベルシフタ45によりレベルシフトしてNMOSトランジスタQ8のゲートに印加するようにしてもよい。
【0048】
このように直列に接続したPMOSトランジスタQ7およびNMOSトランジスタQ8のゲート電圧を制御することにより、PMOSトランジスタQ3およびNMOSトランジスタQ4により構成されるインバータのスレショルド電圧Vthを制御するようにしてもよい。そうすれば、安定性の高いコンパレータが得られる。
【0049】
(実施の形態2)
図8は、本発明の実施の形態2にかかるコンパレータの構成を回路記号で示す回路図である。この実施の形態2のコンパレータ5は、入力電圧Vinをそのスレショルド電圧Vthと比較して出力電圧Voutを出力するインバータ51と、インバータ51のスレショルド電圧Vthを制御するためにインバータ45と同一の電気的特性を具えている見なすことができるダミーインバータ52と、インバータ51およびダミーインバータ52のそれぞれのスレショルド電圧Vthを制御するための制御回路53とを備えた構成となっている。
【0050】
制御回路53は、差動増幅回路54、たとえば差動型の内部コンパレータ55、ローパスフィルタ(LPF)56,57および交流信号発生回路である三角波発生回路58を備えている。三角波発生回路58は、交流信号であるたとえば三角波を生成し、それをVth検出用入力電圧Vin'としてダミーインバータ52の入力端子に出力する。ダミーインバータ52はVth検出用出力電圧Vout'を出力し、そのVth検出用出力電圧Vout'は第1のローパスフィルタ56に入力され、そこで直流成分の電圧信号V0が抽出される。
【0051】
また、三角波発生回路58は、生成した三角波を差動コンパレータ55の反転入力端子に出力する。差動コンパレータ55の非反転入力端子には、外部の基準電圧VRが入力される。すなわち、差動コンパレータ55は、三角波発生回路58で生成された三角波を外部の基準電圧VRと比較し、方形波の信号V1を出力する。差動コンパレータ55から出力された方形波信号V1は、第2のローパスフィルタ57に入力され、そこで直流成分の電圧信号V1'が抽出される。
【0052】
2つのローパスフィルタ56,57から出力された2つの直流成分の電圧信号V0,V1'は、それぞれ差動増幅回路54の反転入力端子および非反転入力端子に入力される。差動増幅回路54は、それら直流成分の電圧信号V0,V1'の差を増幅して、インバータ51およびダミーインバータ52のスレショルド電圧Vthを制御するためのVth制御電圧Vtcとして出力する。
【0053】
インバータ51およびダミーインバータ52は、それぞれ実施の形態1のインバータ41およびダミーインバータ42の構成と同じであるので、説明を省略する。
【0054】
つぎに、実施の形態2の作用について説明する。図9は、実施の形態2のコンパレータ5の動作タイミング図である。三角波発生回路58から出力された三角波よりなるVth検出用入力電圧Vin'は、ダミーインバータ52において、そのスレショルド電圧Vthによりスライスされ、それによって、方形波よりなるVth検出用出力電圧Vout'が得られる。また、三角波発生回路58から出力された三角波の信号は、制御回路53内のコンパレータ55において、外部の基準電圧VRによりスライスされ、それによって、方形波の信号V1が得られる。
【0055】
そして、ローパスフィルタ56,57により、それら2つの方形波信号、すなわちVth検出用出力電圧Vout'と信号V1とからそれぞれ直流成分の電圧信号V0,V1'が抽出される。それら電圧信号V0,V1'の差は、差動増幅回路54において増幅されて、Vth制御電圧Vtcが得られる。
【0056】
このVth制御電圧Vtcにより、ダミーインバータ52のスレショルド電圧Vthが制御され、Vth検出用出力電圧Vout'のデューティ比が変化する。そして、Vth検出用出力電圧Vout'のデューティ比と信号V1のデューティ比とが一致すると、Vth検出用出力電圧Vout'から抽出された直流成分の電圧信号V0と、信号V1から抽出された直流成分の電圧信号V1'とが一致し、すなわち差動増幅回路54の2つの入力信号の差がゼロとなる。
【0057】
したがって、差動増幅回路54の出力信号、すなわちVth制御電圧Vtcはゼロとなる。この時、ダミーインバータ52のスレショルド電圧Vth、すなわちインバータ51のスレショルド電圧Vthは外部の基準電圧VRに一致する。
【0058】
実施の形態2によれば、インバータ51のスレショルド電圧Vthを制御することができるので、インバータ51を用いて、高速かつ正確な比較動作を連続して行うことができるコンパレータが得られる。
【0059】
なお、上記各実施の形態においては、コンパレータとして機能するインバータ41,51を1個設けたが、これに限らず、コンパレータとして機能するインバータを複数個設けてもよい。この場合、ダミーインバータは1個でもよいし、複数個設けられていてもよい。
【0060】
【発明の効果】
本発明によれば、コンパレータとしてインバータを用い、そのインバータのスレショルド電圧を制御回路により制御する構成としたため、高速、正確かつ連続した比較動作が可能なコンパレータが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかるコンパレータの原理説明図である。
【図2】本発明にかかるコンパレータを構成するインバータのスレショルド電圧の制御原理を説明するための原理説明図である。
【図3】本発明の実施の形態1にかかるコンパレータの構成を示す回路図である。
【図4】本発明の実施の形態1にかかるコンパレータのインバータの構成を示す回路図である。
【図5】インバータの他の例を示す回路図である。
【図6】インバータの他の例を示す回路図である。
【図7】インバータの他の例を示す回路図である。
【図8】本発明の実施の形態2にかかるコンパレータの構成を示す回路図である。
【図9】本発明の実施の形態2にかかるコンパレータの動作タイミング図である。
【図10】従来のインバータ型コンパレータの回路記号図である。
【図11】従来のインバータ型コンパレータの回路図である。
【図12】従来のインバータ型コンパレータの出力特性図である。
【図13】従来の差動コンパレータの回路記号図である。
【図14】従来の差動コンパレータの回路図である。
【図15】従来の差動コンパレータの出力特性図である。
【図16】従来のチョッパ型コンパレータの回路図である。
【図17】従来のチョッパ型コンパレータの動作タイミング図である。
【図18】コンパレータを用いた発振回路の回路図である。
【図19】コンパレータを用いた発振回路の動作タイミング図である。
【符号の説明】
Q3 PMOSトランジスタ
Q4 NMOSトランジスタ
Q7 第2のPMOSトランジスタ
Q8 第2のNMOSトランジスタ
3,4,5 コンパレータ
31,41,51 インバータ
32,42,52 ダミーインバータ
33,43,53 制御回路
44,54 差動増幅回路
55 内部コンパレータ
58 三角波発生回路(交流信号発生回路)
Claims (3)
- 外部から入力された入力電圧をスレショルド電圧と比較し、その比較結果に基づく出力電圧を出力するインバータと、
前記インバータのスレショルド電圧と等しいか、または略等しいと見なされるスレショルド電圧を具えたダミーインバータと、
前記ダミーインバータのスレショルド電圧を検出し、その検出結果に基づいて、前記インバータおよび前記ダミーインバータのそれぞれのスレショルド電圧を制御する制御回路と、
を具備し、
前記制御回路は、
交流信号を生成して前記ダミーインバータに出力する交流信号発生回路、前記交流信号発生回路で生成された交流信号を外部の基準電圧と比較する内部コンパレータ、および前記内部コンパレータの出力電圧の直流成分と前記ダミーインバータの出力電圧の直流成分との差を、前記インバータおよび前記ダミーインバータのそれぞれのスレショルド電圧を制御するための制御信号として出力する差動増幅回路を備えていることを特徴とするのコンパレータ。 - 前記インバータおよび前記ダミーインバータは、それらインバータを構成するPMOSトランジスタおよびNMOSトランジスタの一方または両方のバックゲート電圧を、前記制御回路から出力された制御信号により制御されることによって、それぞれのスレショルド電圧が制御される構成となっていることを特徴とする請求項1に記載のコンパレータ。
- 前記インバータおよび前記ダミーインバータは、インバータとして動作するPMOSトランジスタおよびNMOSトランジスタの各ソースにそれぞれ第2のPMOSトランジスタおよび第2のNMOSトランジスタが直列に接続されて構成されており、それら第2のPMOSトランジスタおよび第2のNMOSトランジスタの各ゲート電圧を、前記制御回路から出力された制御信号により制御されることによって、それぞれのスレショルド電圧が制御される構成となっていることを特徴とする請求項1に記載のコンパレータ。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15359099A JP4141587B2 (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | コンパレータ |
DE60033204T DE60033204T2 (de) | 1999-06-01 | 2000-03-29 | Spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung |
KR1020000016093A KR100722747B1 (ko) | 1999-06-01 | 2000-03-29 | 비교기 |
EP05002168A EP1530293B1 (en) | 1999-06-01 | 2000-03-29 | Voltage controlled oscillator circuit |
DE60020451T DE60020451T2 (de) | 1999-06-01 | 2000-03-29 | Komparatorschaltung |
EP00302616A EP1058385B1 (en) | 1999-06-01 | 2000-03-29 | Comparator circuit |
US09/538,720 US6456170B1 (en) | 1999-06-01 | 2000-03-30 | Comparator and voltage controlled oscillator circuit |
KR1020060058989A KR100629196B1 (ko) | 1999-06-01 | 2006-06-28 | 전압 제어 발진 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15359099A JP4141587B2 (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | コンパレータ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000349604A JP2000349604A (ja) | 2000-12-15 |
JP2000349604A5 JP2000349604A5 (ja) | 2007-05-31 |
JP4141587B2 true JP4141587B2 (ja) | 2008-08-27 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP15359099A Expired - Lifetime JP4141587B2 (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | コンパレータ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4141587B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101906226B1 (ko) | 2011-12-26 | 2018-10-11 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 포함하는 이미지 처리 시스템 |
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1999
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Publication number | Publication date |
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JP2000349604A (ja) | 2000-12-15 |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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