JP4139441B2 - 移動基材上にカーボンリッチ被膜を付着させるための方法および装置 - Google Patents

移動基材上にカーボンリッチ被膜を付着させるための方法および装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4139441B2
JP4139441B2 JP52138998A JP52138998A JP4139441B2 JP 4139441 B2 JP4139441 B2 JP 4139441B2 JP 52138998 A JP52138998 A JP 52138998A JP 52138998 A JP52138998 A JP 52138998A JP 4139441 B2 JP4139441 B2 JP 4139441B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
substrate
carbon
chamber
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP52138998A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001508124A (ja
Inventor
デイビッド,モージズ・エム
マックルーア,ドナルド・ジェイ
マキ,スティーブン・ピー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
3M Co
Original Assignee
3M Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US08/744,227 external-priority patent/US5888594A/en
Application filed by 3M Co filed Critical 3M Co
Publication of JP2001508124A publication Critical patent/JP2001508124A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4139441B2 publication Critical patent/JP4139441B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26Deposition of carbon only

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

技術分野
本発明は、移動する基材上にカーボンリッチ被膜を付着させるための方法および装置に、厳密には、そのイオンが基材に向かって加速し、カーボンリッチ被膜としてその上に付着させるプラズマを生成する方法およびその装置に関する。特に、本発明は、電極を含む排気されたチャンバ内にカーボン含有ガスからプラズマを生成する電極に給電する方法およびその装置に関する。この電極は、プラズマに対して負のバイアスがかけられており、プラズマ内の正イオンを電極に向かって加速させる、ここでこれらのイオンは電極と接触している移動基材に衝撃を与え、それによって基材上にカーボンリッチ被膜を付着させる。
背景技術
カーボン被膜(「フィルム」とも呼ばれる)は、硬質、化学的に不活性、耐食性、および水蒸気および酸素に対して不透質であることは良く知られている。カーボンフィルムは、しばしば様々な有機、重合体、金属、および半導体基材上の機械的および化学的保護被膜として使用される。
カーボンフィルムは、例えば、グラファイト、ダイアモンド、ダイアモンド状カーボン(DLC)、ダイアモンド状炭化水素、アモルファスカーボンなどの異なる物理的および化学的特性を有する様々な形式で付着できる。カーボンフィルム被膜は、典型的に2種類の炭素−炭素結合:三方晶系グラファイト結合(sp2)および正四面体ダイアモンド結合(sp3)を含む。この用語「ダイアモンド状カーボン」は、正四面体結合が優勢である非晶質材料に適用される。DLC被膜またはフィルムは、超硬度、非常に低い導電性、低摩擦係数、および広範囲の波長にわたって光透過性であるなど、ダイアモンドの多くの望ましい特性を有する。
固体カーボンおよび炭化水素の両方のソースを使用するカーボンフィルムを付着させるための幾つかの技術が開発されている。固体カーボンソースを使用するこれらの技術には、スパッタリング、レーザ蒸発、パルス化放電レールガン、および陰極アーク蒸着がある。炭化水素ソースを使用する付着法は、イオンビーム、マイクロ波プラズマ、RFプラズマ、および直流(DC)プラズマ放電を含む。プラズマ化学蒸着法(PCVD)としても知られる後者の方法では、プラズマは、ガス状炭化水素ソースから(マイクロ波、RF、DCなどによって)発生され、そのイオンは、基板と密着したバイアスをかけた電極に向けて当てられ、そのときカーボンフィルムがその基板上に積層される。一般に、より高いエネルギー衝撃種が提供されると、より多くのsp3特性を有する被膜となるので、よりダイアモンド状となる。
カーボンフィルムを付着させるための多数のユニットまたはバッチ操作が説明される。接地した電極と、基材をその上に配置できる印加された電極とから構成される平行平板型プラズマ反応装置は、例えば、Plasma-Therm, Inc.社(FL、セントピーターズバーグ)などの様々な供給元から入手できる。基板の特性により、その印加された電極は加熱または冷却されることもある。典型的に、基材を含む反応装置は、比較的低圧力、例えば、ほぼ0.13Paにまで排気され、その後に炭化水素ガスが反応装置内に導入される。RFジェネレータは、炭化水素ガスのプラズマを発生させるのに十分な電力を印加された電極に給電する。印加された電極上の負のバイアス電圧は、効率的で高速なコーティングを行うための電極に向かってプラズマから正イオンを引きつける。但し、バッチ蒸着装置は、一般に工業的生産活動に求められるような、多数ユニットの大規模生産または高速処理には適していない。
連続的(すなわち、非中断多数ユニット)カーボンリッチフィルムコーティング法も記述されている。例えば、米国特許第5,496,595号、第5,360,483号、第5,203,924号、および第5,182,132号(松下電器産業(株);日本、大阪、に譲渡された)は、磁気記録テープの片面または両面にコーティングするDCプラズマ法を説明する。炭化水素ガスから発生されたプラズマは、プラズマ発生管によって連続的に移動するベルトまたはウエブ上に衝突させられる。これらの付着法および装置はここで定義された目標および目的に合致するように考えられるが、プラズマを形成できるように回動可能な電極へのRF電力の印加は、記述または示唆されない。その基材も、プラズマ発生装置と密着しているようには記載されない。
連続リールツーリールジェットプラズマカーボンリッチフィルム付着法は、米国特許第5,464,667号、第5,286,534号、および第5,232,791号(MN、セントポールの3M社に譲渡された)に記載されている。中空陰極DCプラズマ装置は、炭化水素ガスからプラズマを発生し、そのプラズマのイオンがRFバイアスをかけたドラムを横切って移動するウエブに向かって発射される。これらの付着方法および装置はここで定義された目標や目的に合致するように考えられるが、RFプラズマの発生については記載または示唆されていない。
RF発生された炭化水素プラズマからの連続移動ウエブ上へのカーボンフィルムの付着は、日本特許出願(公開)第62-83471号に記載される。フィルムベースは、接地された(すなわち、印加されていない)電極の周りに巻かれ、高周波電圧がプラズマを発生させるために回転電極から一定の距離を空けて配置されたカウンター電極に印加される。
上述の方法は、若干の問題を解消するが、工業界での経済的且つ連続的なカーボンフィルムの付着を妨げるような深刻な欠陥には対応しない。これらの問題の幾つかには以下のものがある:
1)バッチ処理では、電極の電気的特性(RFの目標電極、DCの発生電極)は、時間の経過と共に一定しない。目標基材上への付着が進むと、カーボン被膜が徐々に積層し、基材/電極静電容量を増す、故に電極の放電特性を変える。これは、時間の経過と共に矛盾するコーティング法となる。
2)バッチ法では、被膜の厚さがある臨界最小値を超えると被膜のフレーキングまたは離層が起こる。フレークは、それらが表面汚れの構成要素となり、基材上の他の部分に飛ばされ得るので、有害である。
3)連続DC中空陰極法では、炭化水素プラズマを速やかに発射する陰極管は、カーボンリッチ材料の積層と共に汚れてしまうので、陰極効率が低下する。時間の経過と共に、陰極管を使用してコーティングされた基材は、陰極管からの出力変動のために、ウエブ下流方向での均質性が低下することとなる。
4)陰極管は、真空チャンバ内の全表面にDLC被膜を無差別に付着させる。これは非効率であるだけでなく、真空チャンバの定期的清掃および手入れを余儀なくされる。
5)それらの設計の故に、陰極管は、一般に約30cmよりも大きな幅を有する目標に、許容できる横幅均一性を有する被膜でコーティングすることができない。より幅の広い基材を含む工業的工程では、コーティング作業毎に多数の陰極を使用することによって対応されなければならないであろう。
6)陰極管は、プラズマ発生で使用される入力電力には自然的限界がある。若干の最小電流を超えると、カーボン電極のアーク放電が起こる。これは運転中の不安定要因となる。故に、より高い産出量および処理量は、単に陰極への電力を増すことによるだけでは達成できない。
7)陰極管は、陰極管の出口オリフィスのものとほぼ同じ物理的形状であるプラズマプルームを発生する。クロスウエブ被膜量が3つに折り重なった変化が、そのような中空管陰極から観察された(例えば、前述の米国特許第5,464,667号を参照)。
8)上記番号の3)〜7)に記載されたものと同じ限界が、例えば、前述の米国特許第5,496,595号に記載のものなどの多重放電管や、米国特許第4,645,977号に記載のものなどの誘電結合された放電管など、他の種類の放電管、でも存在する。
移動基材上へのカーボンリッチ被膜の付着は、前述の方法や装置に合致しない多数の課題を提示する。効率的で、スケール可能な連続的(例えば、リールツーリール)方法が大いに望ましい。
発明の開示
本発明は、要するに、移動基材と少なくとも部分的に接触する電極を含むカーボンリッチフィルムの付着を助ける環境内で、その環境からイオン含有プラズマを生成できるように電極に電力を印加するステップを含む、カーボンリッチフィルムで移動基材をコーティングするための方法を提供する。この電極は、プラズマに対して負のバイアスがかけられており、それによってイオンを電極に向かって加速する。これらのイオンは、電極と接触している移動基材に衝突して、基材上へのカーボンリッチフィルムの付着となる。
他の態様では、本発明は、(1)基材を真空チャンバ内に収納された電極と接触させ、(2)電極と接触した基材上にカーボンリッチフィルムを生成できるように電極に電力を印加するステップを含む、移動基材上にカーボンリッチフィルムを付着させるための方法を提供する。カーボンリッチフィルムの付着は、実質的に移動基材に限定される(すなわち、カーボンリッチフィルムは真空チャンバ上の様々な部分に無差別にコーティングされない)。
さらなる態様では、本発明は、(1)電極の少なくとも一部分が基材に接触できるように構成され、カーボンリッチフィルムの付着を助ける環境内に収納された回動可能な電極と、(2)回動可能な電極に電気的に接続され、電極に印加することができる電源とを含む、移動基材上にカーボンリッチフィルムをコーティングするための装置を提供する。印加された電極は、その環境からイオン含有プラズマを生成する。これらのイオンは、電極に向かって加速されて基材上にカーボンリッチフィルムを付着させる。電極に向けてのイオンの加速は、印加された電極が、プラズマに対して負のバイアスがかけられているので、起こり、それはプラズマの生成直後に起こる。
全般的に、この新規の方法および装置は、1つの電極のみを使用して移動基材上へのカーボンリッチ被膜、均質DLC被膜、フレーキングが最小限に抑えられるまたは解消されるカーボンリッチコーティング法、陰極管を必要としないコーティング法、排気されたチャンバ全体を無差別にコーティングするのではなく基材を差別的にコーティングする方法、効率の改善および廃棄物の低減、チャンバを清掃する必要性の低減または解消、連続的(すなわち、非中断多数ユニット)カーボンリッチ被膜、炭化水素ガスからのプラズマ発生を含む連続的カーボンリッチコーティング法、負バイアスによるイオン加速を含む連続的カーボンリッチコーティング法、大規模運転または多数ユニットの高速処理に適した蒸着、連続的リールツーリールカーボンリッチコーティング法、電極の電気的特性が時間を経ても不変のまま(基材または電極上にカーボンの積層がない)である基材上への連続的に適用されるカーボンリッチ被膜、かなりの幅の基材上へのカーボンリッチコーティング法、およびコーティング量または厚さに実質的なクロスウエブ変動のないカーボンリッチ被膜を提供できる。
他に明確に言及されない限り、下記の定義がこれ以降では適用される:
「プラズマ」は、電子、イオン、中性分子、および遊離基を含有する物質の部分的にイオン化したガス状または液状状態を意味する;
「負バイアス」は、目標物(例えば、電極)がその近接に位置する他の物質(例えば、プラズマ)に対して負の電位を有することを意味する;
電極およびプラズマに対する「負のセルフバイアス」は、プラズマを造る電極への電力(例えば、高周波)の適用によって生じた負バイアスを意味する;
基材および電極に対する「接触」または「接触すること」は、電極のプラズマ暗空間限界に触れるまたはその範囲内にあることを意味する(例えば、約3mm);「基材」は、非多孔質シート、多孔質シート、織地、繊維、またはそれらの組合せを意味する。
【図面の簡単な説明】
本発明の態様が次の説明で詳述され、且つ図で示される。図面を通じて同一部品には同一の参照符号を付すものとする。
第1図は、本発明に係るコーティング装置の1つの態様の第1の部分斜視図である。
第2図は、異なる視点から見た第1図の装置の第2の部分斜視図である。
第3図は、本発明に係るコーティング装置の他の態様の、そのガスチャンバから取り外した部分斜視図である。
第4図は、異なる視点から見た第3図の態様の第2斜視図である。
第5図は、本発明に係るコーティング装置の他の態様の部分斜視図である。
発明を実施するための最良の形態
本発明は、フィルム付着となるイオン加速と結合されたプラズマ生成によって基材上に、そのあるものはダイアモンド状特性を有することもあるカーボンリッチ被覆を付着させるための方法および装置を提供する。一般に、カーボンリッチプラズマは、回動可能な電極要素に給電して、カーボン含有環境に高周波電界を適用することによってその環境内に生成される。カーボンリッチプラズマ内のイオンは、電極がそのプラズマに対して負にバイアスされているのでその電極に向かって加速する。この加速は、回転する電極と接触している基材にこれらのイオンを打ち付けるすなわちイオン衝撃を与える。イオン衝撃は、実質的に基材上にのみ付着されたカーボンリッチ被膜となる。これらの被膜は、通常は比較的薄く;特定的には、約10μmまで、好ましくは約5μmまで、より好ましくは約1μmまで、最も好ましくは約0.5μmまでである。
本発明の方法は、プラズマ生成およびイオン加速が異なる要素に印加された電力によって引き起こされ、カーボンリッチ被膜の形成が実質上基材のみにではなく基材および装置の両方で起きる従来のカーボンコーティング方法および装置とは異なる。
第1図および第2図を参照して、プラズマ生成とイオン加速とのための共通要素を備えた本発明のカーボンフィルム付着装置の一実施例は、一般に10で示される。この付着装置10は、支持構造体12、その内部で1つ以上の部屋に分割された内部チャンバ24を画定する1つ以上のドア18の前面パネル16と、側壁20と、後部板22とを含むハウジング14、チャンバ内で回動できるように取り付けられたドラム26、チャンバ内で回動できるように取り付けられ、28で略指示された複数のリール機構、ドラム26を回動的に駆動するドライブ機構37,チャンバ内で回動できるように取り付けられたアイドラーローラ32、およびチャンバに流体導通された真空ポンプ34を含む。
支持構造体12は、ここでは垂直方向に直立した形式を取っているが、所望の構造でハウジング14を支持するための当業界では周知の任意の手段であっても良い。第1図および第2図に示されるように、ハウジング14は、詳細に以下で説明されるように2部構成のハウジングであることもある。この実施例では、支持構造体12は、装置10を支持するための2部構成ハウジングの各側に取り付けられたクロス支持体40を含む。特に、クロス支持体40は、装置10の移動と支持とのそれぞれ行うための滑車42と調整可能な脚部44との両方を含む。第1図および第2図に示された実施例では、クロス支持体40は、取り付け支持体46を介してハウジング14の各側に取り付けられる。特に、クロス支持体40は、取り付け支持体46を介して、側壁20、すなわち側壁底部の一方に接続されるが、ハウジング14の反対側のクロス支持体40は、取り付け支持体46によって後部板22に接続される。追加的クロスバー47は、第1図に示されるように右側の装置10では、クロス支持体40の間に設けられる。これは、追加的な構造的補強となる。
ハウジング14は、排気、排気後に導入されたガスの閉じ込め、ガスからのプラズマ生成、イオン加速、およびフィルム付着が可能となる制御された環境を提供する任意の手段であることもある。第1図および第2図に示された実施例では、ハウジング14は、前部パネル16、4つの側壁20、および後部板22を含む外部壁を有する。これらの外部壁は、チャンバ24として示される中空内部を有するボックスを画定する。側壁20と後部板22とは、当業界で周知の任意の方法で、共に締め付けられて、チャンバ24の排気、プラズマ生成の液体の閉じ込め、プラズマ生成、イオン加速、およびフィルム付着を可能にするのに十分な方法で側壁20と後部板22とを互いにしっかり固定する。前面パネル16は、基材物質の出し入れや保守を行うためにチャンバ24へのアクセスができるようにしっかり固定されていない。前面パネル16はヒンジ50(または同等の接続手段)を介して側壁20の一方に接続された2つの板に分割されて1対のドア18を画定する。これらのドアは、側壁20の縁を、好ましくは真空シール(例えば、O-リング)の使用を通じて、密封する。係止機構52は、側壁20にドアを選択的に閉め、チャンバ24の排気、プラズマ生成用の液体の保管、プラズマ生成、イオン加速、およびフィルム付着ができるような方法でドア18を壁20にしっかり固定することができる任意の機構であっても良い。
ある実施例では、チャンバ24は、分割壁54によって2つの部屋56,58に分割される。壁54内の通路または穴60は、両方の部屋間での流体または基材の通路となる。代わりに、このチャンバは、1つの部屋のみ、または3つ以上の部屋であることもある。
ハウジング14は、その中で起こっているフィルム付着工程を観察できるようにするために覗きポート62を密封して覆う高圧透明板64を備えた複数の覗きポート62を含む。ハウジング14は、様々なセンサー(例えば、温度、圧力など)がそれに固定できる複数のセンサーポート66をも含む。ハウジング14は、フィルムの付着を助ける環境を供給することが必要な場合に流体がチャンバ24内にそれを通じて導入できる導管接続を準備する入口ポート68をさらに含む。ハウジング14は、ガスおよび液体がポンプ供給されるまたはチャンバ24から排気されるようにできるポンプポート70,72をも含む。
ポンプ34は、側壁20、好ましくはその底部の一方から垂下されて示される(第2図に示されるように)。ポンプ34は、例えば、ハウジング14内の制御された環境に流体接続されたターボ分子ポンプであることもある。拡散ポンプまたはクライオポンプなどの他のポンプが、下部チャンバ58を排気し、内部の動作圧力を維持するために使用できる。摺動弁73は、この流体接続に沿って配置され、ポンプ34とハウジング14の内部との間の流体導通を選択的に分断または遮断することができる。摺動弁73は、ポンプ34との流体導通に対してポンプポート62を完全に開口、部分的に開口、または閉じることができるようにポンプポート62の上で移動可能である。
ドラム26は、好ましくは、環状表面82と、2つの平坦端部表面84とを備えた円筒状電極80である。電極は、任意の導電性材料から製造でき、好ましくは、例えば、アルミニウム、銅、スチール、ステンレススチール、銀、クロム、またはこれらの任意のいずれか1つまたはそれ以上の合金などの金属である。好ましくは、その電極は、その製造加工性、低スパッタ率、および低コストの故に、アルミニウムである。
ドラム26は、電界の浸透を防ぐ、故に電極の非絶縁または導電性部分へのフィルムの付着を制限するための非導電性絶縁領域だけでなく電界を外側に浸透させる非コーティング導電性領域をさらに含むように構成される。この非導電性材料は、典型的に重合体(例えば、ポリテトラフルオロエチレン)などの絶縁体である。導電性面積として、小さなチャネルしか、典型的にはコーティングされるべき基材の幅しか提供できないようにこの電気的に非伝導性目的を満たす様々な実施例が当業者により想像され得る。
第1図は、コーティングされないままであり、故に導電性である環状表面82の環状チャネル90を除く、ドラム26の環状表面82と端部表面84とが、電気的に非伝導性または絶縁材料でコーティングされるドラム26の実施例を示す。さらに、1対の暗空間シールド86,88は、環状表面82上の絶縁材料を覆い、幾つかの実施例では、端部表面84を覆う。この絶縁材料は、それに沿ってプラズマ生成および負バイアスが起こり得るその電極の表面積を制限する。但し、絶縁材料は、イオン衝撃によってしばしば汚されるので、暗空間シールド86,88がその絶縁材料の一部分または全体を覆うこともできる。これらの暗空間シールド86,88は、アルミニウムなどの金属から製造されても良いが、それらが絶縁材料によって電極から分離される(図示せず)ので導電性作用因として働かない。これは電極面積へのプラズマの閉じ込めを可能にする。
ドラム26の他の実施例が第3図および4図に示されており、ここではドラム26が、ドラム26の環状表面82に取り付けられた1対の絶縁リング85,87を含む。幾つかの実施例では、絶縁リング87は、端部表面84をも覆うように働くキャップである。ボルト92は、後部板22に、平板または帯金として形成された支持手段94を固定する。ボルト92および支持手段94は、ドラム26の様々な部品を支持するのを支援できる。1対の絶縁リング85,87は、一旦、環状表面82に固定されると、チャネル90として形成された露出した電極部分を画定する。
いずれの場合も、電極80は、基材が電極に接触するところを除く全ての部分を絶縁材料によって何らかの方法で覆われる。これは、基材と密着し得る露出した電極部分を画定する。その電極の残りの部分は、絶縁材料によって覆われる。電極に給電され、その電極がその結果発生したプラズマに対して負のバイアスがかけられた状態となると、この比較的厚みのある絶縁材料は、それが覆う表面上へのカーボンフィルムの付着を妨げる。その結果、付着は、非コーティング部分(すなわち、絶縁材料で覆われない、チャネル90)に限定され、それは好ましくは比較的薄い基材材料で覆われる。
第1図および第2図を参照して、ドラム26は、後部板22内の穴に取り付けられた強磁性流体貫通回転継手38(または同等機構)を介して後部板22に回動的に取り付けられる。この強磁性流体貫通回転継手38は、ドラム回転中に真空密封を維持しつつも、標準冷却剤導管と導電線とから回動可能なドラム26の中空冷却剤通路と導電性電極とのそれぞれに個別に流体的および電気的接続を提供する。この強磁性流体貫通回転継手は、フィルム付着中にドラムを回転させるのに必要な力をも供給し、この力は、ブラシレスDCサーボモータなどの任意の駆動手段から供給される。但し、後部板22および導管と導電線へのドラム26の接続は、そのような接続を提供できる任意の手段で実行されても良く、強磁性流体貫通回転継手に限定されない。そのような強磁性流体貫通回転継手の1つの例は、Ferrofluidics Co.社(NH、ナシュア)製の内径が2インチ(約5cm)の貫通中空軸である。
ドラム26は駆動アッセンブリ37によって回動的に駆動され、これは回転運動をドラム26に伝えることができる任意の機械的および/または電気的システムであっても良い。第2図に示された実施例では、駆動アッセンブリ37は、ドラム26にしっかり接続された駆動プーリ39に機械的に接続される駆動プーリ31まで達する駆動軸を備えたモータ33を含む。ベルト35(または同等の構造体)は、駆動プーリ31からの回転運動を駆動プーリ39に伝える。
複数のリール機構28は、後部板22に回動的に取り付けられる。複数のリール機構28は、1対の基材スプール28A,28Bを備えた基材リール機構を含み、幾つかの実施例では、1対のスペーサウエブスプール28C,29Dを備えたスペーサウエブリール機構と、1対のマスキングウエブスプール28E,28Fを備えたマスキングウエブリール機構とを含めることもあり、ここでは各対が1つの巻き出しスプールと1つの巻き取りスプールとを含む。第2図からも明らかなように、少なくともそれぞれの巻き取りリール28B,28D、および28Fは、付着中に必要に応じて選択的にリールを回転させる回転力を供給するための以下に記載されるような標準モータなどの、それらに機械的に接続された駆動機構27を含む。さらに、選択した実施例の各巻き出しリール28A,28C,および28Eは、ウエブおよび/または駆動機構29に緊張を与えるための張力調整装置を含む。
各リール機構は、互いに同じまたは異なる部屋に在っても良い巻き出しおよび巻き取りスプールを含み、これらは順に電極がその中に在るのと同じ部屋であってもなくても良い。各スプールは、軸ロッド、および延長部材、この場合では基材またはウエブがその中で巻き付けられるまたは巻かれる溝を画定する各端部から半径方向に延在するリムとを備えた標準構造のものである。各スプールは、後部板22を密封貫通して延在する回動可能なステムにしっかり固定される。駆動されるスプールの場合では、このステムは、モータ27(例えば、ブラシレスDCサーボモータ)に機械的に接続される。非駆動スプールの場合では、スプールは、カップリング29を介して回動できる状態で後部板22に単に結合され、弛みを防止するために張力機構を含めても良い。
好適な基材は可撓性ウエブである。通常例は、重合性(例えば、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、またはポリオレフィン)ウエブ、および1つ以上の電気回路を画定するために使用できるような、金属化被膜を含む少なくとも1つの表面を有するウエブを含む。(例えば、そのような膜組織の記載については米国特許第5,227,008号を参照)。後者方式のウエブのスプールが使用される場合、本発明の方法および装置は、ウエブの全長の片側表面にカーボンリッチ被膜(例えば、DLC被膜)を適用できる。故に、電気回路など、その上にコーティングされたウエブまたは任意の材料は、カーボンリッチ材料の均一な被膜によって保護される。
他の実施例では、長期運転条件下での基材上の発熱が、ファラディケージの使用、および導電性アイドラーローラによって最小限に抑えられる。これらのファラディケージおよび導電性アイドラーローラの接地は第5図に示される。ファラディケージは、アルミニウムハブ110にそれぞれ取り付けられた前部および後部の銅製裏板28A,28Bから構成される。基材スプール28aまたは28bのいずれもアルミニウムハブ110の上で摺動され、前部銅製板103aはスプリングの力を利用した取り付けハンドル100によって所定位置にしっかり固定される。迷走電流は、導電性アイドラーローラ108に基材を接触させることによって基材から、分路バー107、回転ブッシュ106、配電器105を経て、ファラディケージの後部板103bに分路される。このファラディケージは、前後銅製板101a,101b,およびアルミニウムハブ111によって形成された接地包囲体内に実質的に閉じ込められている。この接地したアルミニウムハブ111は、装置の後部板22を貫通する駆動軸109に取り付けられる。プラスチックブッシュ104、プラスチック板102a,102b,およびプラスチックハブ112は、接地包囲体(銅製板101a,101bと、アルミニウムハブ111とから形成された)からファラディケージ(銅製板102a,102bと、アルミニウムハブ110とから形成された)を電気的に絶縁できるようにする。
フィルム付着装置10は、チャンバ内に回動的に取り付けられたアイドラーローラ32、およびチャンバに流体接続されたポンプ34をも含む。これらのアイドラーローラは、基材を付着基材スプール28Aからドラム26上のチャネル90へと、チャネル90から巻き取り基材スプール28Bへとガイドする。さらに、スペーサウエブおよびマスキングウエブが使用されるところでは、アイドラーローラ32は、これらのウエブおよび基材を付着基材スプール28Aおよび付着マスキングウエブスプール28Eからチャネル90へ、さらにチャネル90から巻き取り基材スプール28Bおよび巻き取りマスキングウエブスプール28Fへとそれぞれガイドする。
フィルム付着装置10は、強磁性流体貫通回転継手38を介して電極80に温度制御流体を供給するための温度制御システムをさらに含む。この温度制御システムは、装置10に提供されても良い、または代わりに、温度制御流体が電極80内の通路と流体接続している限り、別のシステムから提供されて導管を経て装置10にポンプ供給されても良い。この温度制御システムは、フィルム付着のための電極を正規の温度で供給することが必要な場合に電極を加熱または冷却しても良い。好適な実施例では、温度制御システムは、冷却剤、例えば水、エチレングリコール、クロロフルオロカーボン、ヒドロフルオロカーボン、液化ガス(例えば、液体窒素)などを使用する冷却剤システムである。
フィルム付着装置10は、排気ポート70に流体接続された排気ポンプをも含む。このポンプは、チャンバを排気できる、ルーツ送風機、ターボ分子ポンプ、拡散ポンプ、またはクライオポンプなど、任意の真空ポンプであっても良い。さらに、このポンプは、機械式ポンプによって支援、またはバックアップされても良い。この排気ポンプは、装置10に提供されても良い、または代わりに、別のシステムとして提供され、チャンバに流体接続されても良い。
フィルム付着装置10は、薄いフィルムを生成するのに使用される流体を制御する好ましくは流量制御式の流体送り装置をも含み、この流体は、チャンバの排気後にその中にポンプ供給される。この送り装置は、装置10に提供されても良い、または代わりに別のシステムとして提供されて、チャンバに流体接続されても良い。この送り装置は、付着中にチャンバ内に正規の容積量または流量で流体を供給する。好適実施例では、生成されたフィルムは、ダイアモンド状特性を有する薄いカーボンフィルムとなる。このフィルムは、送り装置から供給される、炭素原子を含む分子を含有するガスから生成される。炭化水素は、特に好ましいが、バックミンスターフラーレン、シアン化物、テトラメチルシラン、およびフルオロカーボン、フロロカーボン、およびクロロフルオロカーボンなどのハロゲン化炭素含有ガスなどの種も、潜在的に有用である。高速カーボンリッチ(DLC)コーティング法に特に有用な炭化水素は、ベンゼン、メチルシクロペンタジエン、ブタジエン、ペンタジエン、スチレン、ナフタレン、およびアズレンを含む。10eV以下である低イオン化電位を有するガスが使用でき、好ましくは、この方法でのカーボンリッチ被膜の連続付着に使用される。
フィルム付着装置10は、電気端子30を介して電極80に電気的に接続される電源をも含む。この電源は、装置10に提供されても良い、または代わりに別のシステムに提供され、電気端子を介して電極に電気的に接続されても良い(第2図に示されるように)。いずれの場合も、この電源は、十分な電力を供給することができる任意の電力発生または伝送システムである。(以下の議論を参照)
様々な電源が可能であるが、高周波(RF)電力が好ましい。これは、その周波数が、適切に構成された印加電極上にセルフバイアスを形成できるほど高いが、定在波を結果として得られるプラズマ内に生成させるほど高くないからであり、これはイオン付着には不十分であったであろう。RF電力は、大量の被膜生産(幅の広いウエブまたは基材、高速ウエブ速度)に応じて決めることができる。RF電力が使用される場合、電極上の負のバイアスは、負のセルフバイアスである、すなわち、電極上に負のバイアスを誘導するのに別の電源を使用する必要がない。RF電力が好ましいので、本議論の残りはもっぱらそれについて行う。
RF電源は、0.01〜50MHzの、好ましくは13.56MHzの、またはそれらの任意の整数(例えば、1、2、または3)倍の周波数で電極80に給電する。このRF電力が、電極80に供給されると、チャンバ内の炭化水素ガスからカーボンリッチプラズマを生成する。このRF電源は、同軸送電線を通じてRF電力を効果的に伝送できるように電源のインピーダンスを送電線のもの(通常は50オームの抵抗である)と整合させるように働くネットワークを介して電極に接続された13.56MHz発振器などのRFジェネレータであることもある。
RF電力を電極に印加されると、プラズマが生成される。RFプラズマ内では、印加された電極は、プラズマに対して負のバイアスがかけられた状態となる。このバイアスは、一般に500〜1,400ボルトである。このようにバイアスがかけられると、カーボンリッチプラズマ内のイオンを電極80に向かって加速させる。加速したイオンは、以下で詳述されるように、電極80と接触している基材上にカーボンリッチ被膜を形成する。
動作時、付着がその上に望まれる基材の全スプールは、スプール28Aとしてステムに挿入される。これらのスプールへのアクセスは、第1図および第2図では、これらのスプールが下部の部屋58に配置されるが、付着は上部の部屋56で起こるので、下部ドア18を通して提供される。さらに、空のスプールは、付着が基材上に起こった後の巻き取りスプールとして機能できるようにスプール28Bとして反対の基材保持スプールに固定される。
スペーサウエブが巻き取りまたは巻出し中の基材をクッションで支えることが望まれる場合、スペーサウエブ巻き出しおよび/または巻き取りスプールがスプール28C,28Dとして提供されることもある(図に示された特定位置のスプールの場所は必ずしも重要ではない)。同様に、フィルムの付着がパターン状、または部分的に行われることが望まれる場合、マスキングウエブが入力スプールにスプール28Eとして配置され、空のスプールがスプール28Fとして巻き取りスプールとして配置される。
基材またはウエブを搭載している、いないに関係なく全てのスプールが配置された後、付着がその上に起こる基材(およびそれと共に電極の周りを移動する任意のマスキングウエブ)は、巻き取りリールに縫うように進められる、またはシステムを通って引かれる。スペーサウエブは、一般にシステムを通って縫うように進められない、その代わりにこのステップの直前に基材から離れ、そして/またはこのステップの直後に提供される。この基材は、チャネル90内の電極80周りに特定的に巻き付けられ、それによって露出した電極部分を覆う。この基材は、電極と接触した状態を維持し、電極が回転すると電極と共に動くほど十分に緊張しているので、付着のために基材が常に電極と接触している。これは、基材がロールの一端から他端まで連続工程でコーティングされるようにすることができる。この基材は、フィルムの付着のために所定位置にあり、下部ドア18は密閉される。
チャンバ24は全ての空気および他の不純物を除去するために排気される。一旦、カーボン含有流体、好ましくはガスが排気されたチャンバ内にポンプ供給されると、この装置はフィルム付着工程を何時でも開始できる状態となる。
RF電源は、電極80にRF電界を提供するために起動される。このRF電界は、カーボン含有材料をイオン化状態にし、内部にイオンを有するカーボンリッチプラズマが形成される。これは、特に13.56MHz発振器を使用して生成されるが、他のRF電源や周波数範囲が使用されても良い。
一旦、プラズマが生成されると、負のDCバイアス電圧が、RF電力で電極に給電し続けることによって電極80に印加される。このバイアスは、イオンを電極80の非絶縁電極部分90に向かって加速させる(電極の残りの部分は絶縁されているか、または遮蔽されている)。これらのイオンが電極80のチャネル90と接触する基材に衝撃を与え、カーボンの圧縮を引き起こし、基材上に薄いダイアモンド状カーボンフィルムが付着されることとなる。
連続付着では、巻き取りスプールは、上部部屋54を通り、電極80の上を越えて基材および任意のマスキングウエブを引くように駆動されるので、付着が環状チャネル90と接触している任意のマスキングされていない基材部分上に起こる(または、マスキングウエブがカーボンフィルムを受ける)。故に、この基材は上部の部屋を通って連続的に引かれると同時に、連続RF電界が電極に印加され、十分なカーボン含有ガスがチャンバ内に存在する。その結果は、細長い基材上への連続的カーボンリッチ被膜となり、実質的にその基材上にのみに得られる。カーボンフィルム付着は、電極の絶縁した部分には当然起こらないが、電極のみがバイアスされているので、この付着はチャンバ内の他のどこにも起こらない。さらに、電極の非絶縁部分(すなわち、環状チャネル90)は基材によってほとんどまたは完全に覆われているので、付着がほとんどまたは全く基材上以外他のどこにも起こらない。これは、チャンバおよびその部品の定期的清掃とカーボン積層に起因する電極の交換を不要にする。絶縁された部分が汚れる場合は、暗空間シールド86,88が汚れを防止または低減するために提供されることもある。暗空間シールド86,88は、任意の形状、サイズ、および潜在的汚れの低減を助ける物質のものであっても良い。第1図および第2図に示された実施例では、暗空間シールド86,88は、ドラム26およびその上の絶縁体上に適合する金属リングである。暗空間シールド86,88は、暗空間シールド86,88がドラム26と接触する部分のドラム26を覆う絶縁材料のためにバイアスしない。このリング状実施例の暗空間シールドは、それらの各端部がドラム26から非環状的に離れるように延在するタブを含む。これらのタブは基材をチャネル90内に整列させ易くする。
好ましくは、温度制御システムは、電極を所望温度に保つために加工中全体を通じて電極80内に流体をポンプ供給する。典型的に、これは、上述されたように冷却剤で電極を冷却することを含むが、ある場合には加熱が望まれても良い。さらに、この基材は電極と直接接触するので、プラズマから基材への熱伝導がこの冷却システムを介して管理され、それによってポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、および同等のものなどの感熱フィルムのコーティングが可能となる。
付着工程完了後、スプールは壁にそれらを支持する軸から取り外される。カーボンリッチフィルムをその上にコーティングした基材は、スプール28B上にあり、チップ冷却用電気的絶縁、可撓性金属回路構成、光ファイバ、光学被膜、フォトリソグラフィーマスク、マイクロリソグラフィーマスク、記録ヘッドおよび媒体、プリンターヘッド、歯科矯正材、研磨材、歯列矯正移植材、薄膜コンデンサ、パッケージフィルム、レーザデバイス取り付け台、および多数の他の用途など、薄いカーボンフィルム被膜が使用される場合には何時でも使用できるように準備されている。
その結果は、従来技術と比べて多数の利点を備えた基材上にダイアモンド状または同様のカーボンリッチフィルムを提供する装置と方法である。低イオン化電位ガスは、極めて高い付着速度を得るために使用でき、しかも薄いカーボンフィルムで良好な特性をも維持することができる。低イオン化電位ガスを使用することによって、非常に高速の付着が可能となり、応力の低いDLCコーティングフィルムとなる。DLCコーティングフィルム応力は、先のDLCコーティングで報告されたDLCフィルム応力に対する1〜10Gpaと比較して、0.4Gpa以下である。基材上への大量付着は、従来の付着速度よりも40倍以上高い速度となる。極微の付着は、基材上を除く他のどこかで起こり、その結果、極微のフレーキングが起こる。さらに、付着は、イオン衝撃および遊離基接触の混合ではなくて、ほとんど完全にイオン衝撃による。さらに、ガス入力からフィルム出力について、従来技術での典型的な1%台の転化率と比べて、非常に高転化率(35%)が得られる。
他の利益および利点は、繊維から1メートルを超えるフィルムに至る幅を含むより広い範囲の基材寸法形状をコーティングする能力を含む。基材が多孔質シート、織地、または繊維である場合、好ましくは、犠牲となる非多孔質シートが基材と電極20との間に配置されて、電極上にカーボンリッチフィルムが蓄積し、続いて剥落するのを防止する。基材幅は、イオン衝撃が、ソース特定部分からではなくチャンバ内の基材の四方から来るので、限定要素とはならない。本発明の方法によれば、基材は、一般に基材幅に関係なく、ほぼ1.5〜6m/minの速度で約0.2μmまでの厚さにまでコーティングできる。0.1〜0.3μmの被膜厚さは、この方法を使用して容易に製造できるが、それよりも厚い(すなわち約10μmまで)、またはそれよりも薄い被膜も可能である。
全体として、プラズマ発生およびイオン加速が非常に単純化される。ソース電極や目標電極を用いるのではなく、1つの電極のみが使用される。給電された電極は、プラズマを生成することと、負のバイアスがかけられた状態となることとの両方が行われ、それによってそれ自体と接触する基材にイオン衝撃を与えるためにそれ自体に向かってプラズマ内のイオンを加速させる。このDCバイアス電圧は、付着された被膜を圧縮するようにも作用し、それはDLC特性を高める。
故に、本発明のコーティング方法および装置は、単純化され、従来のデバイスで遭遇した難しさを無くし、問題を解消し、より改善された結果を得ることができる効果的で安全、且つ安価で効率的なデバイスを提供する。
先の記述においては、一定の用語が、簡潔さ、明快さ、および理解を目的として使用されている。そのような用語は説明を目的として使用され、広く解釈されるべきものであるので、不必要な限定が従来技術の要件を越えてそれらから暗示されるものではない。さらに、本発明の説明および例示は実例によるものであり、本発明の範囲が、ここで示され、または記載された正確な詳細に限定されるものではない。
本発明の特徴、発見、および原理を説明してきたが、方法および装置が構成され、使用されるやり方、構成の特徴、得られた有利で、新規の有用な結果、新規で有用な構造体、デバイス、要素、配置構成、部品、および組合せが、添付の請求の範囲で詳述される。

Claims (15)

  1. 移動基材上にカーボンリッチフィルムを付着させる方法であって、
    カーボンリッチフィルムの付着を助ける環境において、前記環境が、前記移動基材と接触している、導電性および非導電性領域を有する電極を含み、イオンを含むプラズマを前記環境から生成できるように前記電極に電力を印加するステップを含み、前記電極が前記プラズマに対して負にバイアスされた状態となり、それによって前記イオンを前記電極に向かって加速し、前記イオンが前記電極と接触する前記移動基材に衝突して、前記基材上に前記カーボンリッチフィルムが付着されることとなる、方法。
  2. 前記電力が高周波電力を含み、前記環境が、炭素原子を含む少なくとも1つのガスを含むチャンバを含む、請求の範囲第1項に記載のカーボンリッチフィルムを付着させる方法。
  3. 前記環境が電気的に接地された壁を備えたチャンバを含み、前記電極が前記チャンバ内に配置される、請求の範囲第1、2項のいずれかに記載のカーボンリッチフィルムを付着させる方法。
  4. 前記電極が回動可能な電極である、請求の範囲第1、2、または3項のいずれかに記載のカーボンリッチフィルムを付着させる方法。
  5. 前記基材が可撓性ウエブである、請求の範囲第1、2、3、または4項のいずれかに記載のカーボンリッチフィルムを付着させる方法。
  6. 前記カーボンリッチフィルムの付着が前記移動基材に限定される、請求の範囲第1、2、3、4、または5項のいずれかに記載のカーボンリッチフィルムを付着させる方法。
  7. 移動基材上にカーボンリッチフィルムを付着させる装置であって、
    a)導電性領域の少なくともその一部が前記基材と接触できるように構成され、カーボンリッチフィルムの付着を助ける環境内に収容された、前記導電性および非導電性領域を有する回動可能な電極と、
    b)前記回動可能な電極に電気的に接続された電源と、を含み、前記環境からイオンを含むプラズマを生成することができるように前記電源が前記電極に給電することができ、前記電極が前記プラズマに対して負にバイアスされた状態となり、それによって前記イオンを前記電極に向かって加速し、前記基材上にカーボンリッチフィルムが付着されることとなる、装置。
  8. 前記環境が、炭素原子を含む分子を含む少なくとも1つのガスを含むチャンバを含み、前記電源が高周波電力を供給する、請求の範囲第7項に記載の装置。
  9. 前記環境が電気的に接地された壁を備えたチャンバを含み、前記電極が前記チャンバ内に配置される、請求の範囲第7、8項のいずれかに記載の装置。
  10. 前記チャンバが、内部に基材通路を有する分割部によって分離されている付着部屋および基材保管部屋を含む、請求の範囲第8、9項のいずれかに記載の装置。
  11. 前記基材が、非多孔質シート、多孔質シート、織地、繊維、またはそれらの組合せである、請求の範囲第1〜6項のいずれかに記載のカーボンリッチフィルムを付着させる方法。
  12. 前記基材部屋に取り付けられた巻出しおよび巻き取り基材スプールと、
    前記基材スプールのそれぞれに取り付けられ、それを包囲するファラディケージと、
    各基材スプールと対の導電性アイドラーロールと、
    前記アイドラーロールを通って前記ファラディケージに至る迷走電流を電気的に分路する手段と、をさらに含む、請求の範囲第7〜10項のいずれかに記載の装置。
  13. 前記ガスが10eV以下のイオン化電位を有する、請求の範囲第2項に記載の方法。
  14. 前記付着および基材保管部屋のそれぞれが内部の動作圧力を独立的に維持するためのポンプを有する、請求の範囲第10項に記載の装置。
  15. 前記基材が前記電極の前記導電性領域を覆う、請求の範囲第1項に記載の方法。
JP52138998A 1996-11-05 1997-10-01 移動基材上にカーボンリッチ被膜を付着させるための方法および装置 Expired - Fee Related JP4139441B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/744,227 US5888594A (en) 1996-11-05 1996-11-05 Process for depositing a carbon-rich coating on a moving substrate
US08/938,890 US5948166A (en) 1996-11-05 1997-09-26 Process and apparatus for depositing a carbon-rich coating on a moving substrate
US08/744,227 1997-09-26
US08/938,890 1997-09-26
PCT/US1997/017733 WO1998020185A1 (en) 1996-11-05 1997-10-01 A process and apparatus for depositing a carbon-rich coating on a moving substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001508124A JP2001508124A (ja) 2001-06-19
JP4139441B2 true JP4139441B2 (ja) 2008-08-27

Family

ID=27114284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52138998A Expired - Fee Related JP4139441B2 (ja) 1996-11-05 1997-10-01 移動基材上にカーボンリッチ被膜を付着させるための方法および装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5948166A (ja)
EP (1) EP0953067B1 (ja)
JP (1) JP4139441B2 (ja)
KR (1) KR100502124B1 (ja)
CN (1) CN1109130C (ja)
AU (1) AU4605897A (ja)
DE (1) DE69711702T2 (ja)
WO (1) WO1998020185A1 (ja)

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6265068B1 (en) 1997-11-26 2001-07-24 3M Innovative Properties Company Diamond-like carbon coatings on inorganic phosphors
US6015597A (en) * 1997-11-26 2000-01-18 3M Innovative Properties Company Method for coating diamond-like networks onto particles
JP3950537B2 (ja) * 1997-12-19 2007-08-01 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
JP3858437B2 (ja) * 1998-04-13 2006-12-13 ソニー株式会社 真空薄膜形成装置
US6795636B1 (en) 2000-03-05 2004-09-21 3M Innovative Properties Company Radiation-transmissive films on glass articles
US6696157B1 (en) 2000-03-05 2004-02-24 3M Innovative Properties Company Diamond-like glass thin films
EP1158088A3 (de) * 2000-05-26 2003-01-22 Voith Paper Patent GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung einer Faserstoffsuspension
US6744493B1 (en) 2000-07-05 2004-06-01 Euv Llc In-vacuum exposure shutter
JP2002030447A (ja) * 2000-07-11 2002-01-31 Canon Inc プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US7106939B2 (en) * 2001-09-19 2006-09-12 3M Innovative Properties Company Optical and optoelectronic articles
US6878419B2 (en) 2001-12-14 2005-04-12 3M Innovative Properties Co. Plasma treatment of porous materials
US7140495B2 (en) * 2001-12-14 2006-11-28 3M Innovative Properties Company Layered sheet construction for wastewater treatment
US6730174B2 (en) * 2002-03-06 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Unitary removable shield assembly
JP3818255B2 (ja) * 2002-12-16 2006-09-06 住友電気工業株式会社 端部に回折光学膜を有する光ファイバとその製造方法
US20050064275A1 (en) * 2003-09-18 2005-03-24 3M Innovative Properties Company Fuel cell gas diffusion layer
US7423155B2 (en) * 2003-11-14 2008-09-09 3M Innovative Properties Company N-sulfonyldicarboximide containing tethering compounds
US7943388B2 (en) * 2003-11-14 2011-05-17 3M Innovative Properties Company Acoustic sensors and methods
US7361767B2 (en) 2003-11-14 2008-04-22 3M Innovative Properties Company N-sulfonyldicarboximide containing tethering compounds
US7169933B2 (en) * 2003-11-14 2007-01-30 3M Innovative Properties Company N-sulfonylaminocarbonyl containing compounds
WO2005049590A2 (en) * 2003-11-14 2005-06-02 3M Innovative Properties Company N-sulfonylaminocarbonyl containing compounds
US7134197B2 (en) * 2003-12-18 2006-11-14 Honeywell International Inc. Plastic lead frames utilizing reel-to-reel processing
CN100507548C (zh) * 2003-12-30 2009-07-01 3M创新有限公司 检测目标生物分析物的系统及方法
CN100567976C (zh) * 2003-12-30 2009-12-09 3M创新有限公司 表面声波传感器组件和传感器盒
US20060131700A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 David Moses M Flexible electronic circuit articles and methods of making thereof
CA2593502C (en) * 2004-12-28 2013-05-21 3M Innovative Properties Company Prismatic retroreflective article with fluorine- or silicon-containing prisms
US7195360B2 (en) * 2004-12-28 2007-03-27 3M Innovative Properties Company Prismatic retroreflective article and method
US7544755B2 (en) * 2005-09-30 2009-06-09 3M Innovative Properties Company Crosslinked polymers with amine binding groups
US7544754B2 (en) 2005-09-30 2009-06-09 3M Innovative Properties Company Crosslinked polymers with amine binding groups
US7544756B2 (en) * 2005-09-30 2009-06-09 3M Innovative Properties Company Crosslinked polymers with amine binding groups
US20070197922A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Honeywell International Inc. Disposable pressure sensor systems and packages therefor
JP2007302928A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 長尺基材連続処理用の搬送機構、それを用いた処理装置およびそれによって得られる長尺部材
JP4811108B2 (ja) * 2006-05-10 2011-11-09 住友電気工業株式会社 被覆層の厚み計量機構およびそれを用いた被覆層形成装置
US20100151553A1 (en) * 2006-12-29 2010-06-17 Bjork Jason W Method of detection of bioanalytes by acousto-mechanical detection systems comprising the addition of liposomes
US8241713B2 (en) * 2007-02-21 2012-08-14 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
US8597959B2 (en) * 2007-04-19 2013-12-03 3M Innovative Properties Company Methods of use of solid support material for binding biomolecules
EP2137533A2 (en) * 2007-04-19 2009-12-30 3M Innovative Properties Company Uses of water-dispersible silica nanoparticles for attaching biomolecules
KR200445155Y1 (ko) * 2007-07-06 2009-07-02 (주) 에이알티 이온건챔버의 가스유출 방지가 가능한 롤투롤스퍼터 시스템
US8080073B2 (en) 2007-12-20 2011-12-20 3M Innovative Properties Company Abrasive article having a plurality of precisely-shaped abrasive composites
EP2240298A4 (en) * 2007-12-31 2014-04-30 3M Innovative Properties Co PLASMA TREATED ABRASIVE ARTICLE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
KR101915868B1 (ko) * 2008-12-30 2018-11-06 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 반사방지 용품 및 이의 제조 방법
EP2379442A4 (en) * 2008-12-30 2014-02-26 3M Innovative Properties Co METHOD FOR PRODUCING NANOSTRUCTURED SURFACES
CN106185793A (zh) 2008-12-30 2016-12-07 3M创新有限公司 纳米结构化制品和制备纳米结构化制品的方法
JP5542488B2 (ja) * 2010-03-18 2014-07-09 富士フイルム株式会社 成膜装置
JP5929761B2 (ja) * 2010-12-15 2016-06-08 株式会社ニコン 基板処理システム及び表示素子の製造方法
WO2014160578A1 (en) 2013-03-29 2014-10-02 3M Innovative Properties Company Nonwoven abrasive articles and methods of making the same
CN105324211B (zh) 2013-06-24 2018-10-16 3M创新有限公司 磨料颗粒、制备磨料颗粒的方法以及磨料制品
DE102013019058B4 (de) * 2013-11-15 2016-03-24 Cinogy Gmbh Gerät zur Behandlung einer Fläche mit einem Plasma
JP6030542B2 (ja) * 2013-12-26 2016-11-24 エステック株式会社 プラズマ処理装置
RU2016145087A (ru) 2014-05-20 2018-06-21 3М Инновейтив Пропертиз Компани Абразивный материал с различными группами множеств абразивных элементов
CN105018900A (zh) * 2015-06-05 2015-11-04 刘南林 气相打印技术与设备
WO2019131777A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 国立大学法人愛媛大学 ダイヤモンド膜等を形成するためのデバイスおよびその形成方法
KR102439501B1 (ko) * 2022-07-04 2022-09-02 주식회사 세미안 카본 코팅 장치용 카본 파이버 자동공급 장치

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3214804A1 (de) * 1982-04-21 1983-10-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum erzeugen einer lyophoben schicht
JPS59128281A (ja) * 1982-12-29 1984-07-24 信越化学工業株式会社 炭化けい素被覆物の製造方法
US4663640A (en) * 1984-07-20 1987-05-05 Canon Kabushiki Kaisha Recording head
US4645977A (en) * 1984-08-31 1987-02-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma CVD apparatus and method for forming a diamond like carbon film
GB2176443B (en) * 1985-06-10 1990-11-14 Canon Kk Liquid jet recording head and recording system incorporating the same
DE3521318A1 (de) * 1985-06-14 1986-12-18 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum behandeln, insbesondere zum beschichten, von substraten mittels einer plasmaentladung
JPH07100857B2 (ja) * 1985-10-09 1995-11-01 株式会社日立製作所 炭素皮膜形成方法及び装置
US4865711A (en) * 1987-04-08 1989-09-12 Andus Corporation Surface treatment of polymers
US4890126A (en) * 1988-01-29 1989-12-26 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Printing head for ink jet printer
JP2680888B2 (ja) * 1989-04-06 1997-11-19 住友電気工業株式会社 薄膜形成方法
JPH0352937A (ja) * 1989-07-19 1991-03-07 Nisshin Steel Co Ltd 連続式プラズマ処理装置
DE69005938T2 (de) * 1989-07-31 1994-05-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Vorrichtung zur Herstellung von einer dünnen diamantartigen Kohlenstoffschicht.
JPH0721858B2 (ja) * 1989-12-11 1995-03-08 松下電器産業株式会社 磁気記録媒体およびその製造方法
US5073785A (en) * 1990-04-30 1991-12-17 Xerox Corporation Coating processes for an ink jet printhead
JPH04154960A (ja) * 1990-10-12 1992-05-27 Tonen Corp フイルムへの薄膜形成方法およびその装置
US5052339A (en) * 1990-10-16 1991-10-01 Air Products And Chemicals, Inc. Radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition process and reactor
US5224441A (en) * 1991-09-27 1993-07-06 The Boc Group, Inc. Apparatus for rapid plasma treatments and method
JPH05116325A (ja) * 1991-10-30 1993-05-14 Canon Inc インクジエツト記録ヘツドの製造方法
US5232791A (en) * 1991-12-23 1993-08-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Magnetic recording medium having a carbon rich coating
US5286534A (en) * 1991-12-23 1994-02-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for plasma deposition of a carbon rich coating
JP3189347B2 (ja) * 1991-12-24 2001-07-16 住友電気工業株式会社 樹脂用金型と樹脂用金型の製造方法および樹脂の成形方法
US5227008A (en) * 1992-01-23 1993-07-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for making flexible circuits
DE69312989T2 (de) * 1992-03-13 1997-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma-CVD-Anlage und entsprechendes Verfahren
JP3246780B2 (ja) * 1992-12-11 2002-01-15 シチズン時計株式会社 硬質カーボン膜の形成方法および形成装置
JPH06299348A (ja) * 1993-04-15 1994-10-25 I N R Kenkyusho:Kk プラズマ薄膜製造装置
US5626963A (en) * 1993-07-07 1997-05-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Hard-carbon-film-coated substrate and apparatus for forming the same
JP3267810B2 (ja) * 1993-07-20 2002-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 被膜形成方法
JP3419045B2 (ja) * 1993-10-20 2003-06-23 松下電器産業株式会社 磁気記録媒体の製造方法
JPH07243064A (ja) * 1994-01-03 1995-09-19 Xerox Corp 基板清掃方法
GB9405029D0 (en) * 1994-03-15 1994-04-27 Franks Joseph Dr Improved catheters and other tubular inserts
US5464667A (en) * 1994-08-16 1995-11-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Jet plasma process and apparatus
US5571332A (en) * 1995-02-10 1996-11-05 Jet Process Corporation Electron jet vapor deposition system
JP3295310B2 (ja) * 1995-08-08 2002-06-24 三洋電機株式会社 回転電極を用いた高速成膜方法及びその装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000053077A (ko) 2000-08-25
EP0953067A1 (en) 1999-11-03
KR100502124B1 (ko) 2005-07-20
WO1998020185A1 (en) 1998-05-14
DE69711702D1 (de) 2002-05-08
EP0953067B1 (en) 2002-04-03
US5948166A (en) 1999-09-07
CN1235647A (zh) 1999-11-17
AU4605897A (en) 1998-05-29
DE69711702T2 (de) 2002-11-21
CN1109130C (zh) 2003-05-21
JP2001508124A (ja) 2001-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4139441B2 (ja) 移動基材上にカーボンリッチ被膜を付着させるための方法および装置
US5888594A (en) Process for depositing a carbon-rich coating on a moving substrate
US20180171480A1 (en) Vapor deposition apparatus having pretreatment device that uses plasma
US5578130A (en) Apparatus and method for depositing a film
US6312524B1 (en) Plasma CVD apparatus
US6919107B2 (en) Method and device for treating surfaces using a glow discharge plasma
EP2290127B1 (en) Film deposition device
JP2013503974A (ja) プラズマ化学気相成長装置
JP4669017B2 (ja) 成膜装置、ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法
TWI728283B (zh) 沉積設備、塗佈軟質基材的方法、及具有塗層的軟質基材
US6001432A (en) Apparatus for forming films on a substrate
JPH0863746A (ja) 磁気記録媒体の製造方法及び装置
JPS6283471A (ja) 炭素皮膜形成方法及び装置
JP3555797B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
JP3267810B2 (ja) 被膜形成方法
JP7186234B2 (ja) 堆積装置、フレキシブル基板をコーティングする方法、及びコーティングを有するフレキシブル基板
JPH09111458A (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP2011208191A (ja) 成膜装置
JP5040067B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
KR102213759B1 (ko) 가요성 기판을 코팅하기 위한 증착 장치, 가요성 기판을 코팅하는 방법, 및 코팅을 갖는 가요성 기판
WO2003080890A1 (fr) Procede et dispositif de production de couches minces
JP3646330B2 (ja) スパッタ装置
JP3691470B2 (ja) 被膜形成方法
JP3352435B2 (ja) 被膜形成方法
JP2003105538A (ja) プラズマ成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040929

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080304

A72 Notification of change in name of applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A721

Effective date: 20080304

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080513

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080609

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130613

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees