JP4124566B2 - 負荷を切り換えるための回路装置 - Google Patents
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Description
従来の技術
本発明は、請求項1の上位概念に記載の負荷を切り換えるための回路装置から出発している。
【0002】
例えば自動車の領域において安全性に重要な負荷を切り換える際に、スイッチの欠陥に基づいた臨界作動状態は絶対に回避されるべきである。それ故に、この種の負荷を切り換えるために通例、2つの独立した、直列接続された半導体スイッチを有する回路装置が使用され、このようにしてある程度の冗長性があるようになっている。この公知の構想では、スイッチの一方が負荷を切り換えるために用いられ、一方別のスイッチは「非常時遮断器」として機能する。「非常時遮断器」は負荷を切り換えるスイッチの機能性を監視する。ここでは「非常時遮断器」の機能性を監視するようにはなっていない。
【0003】
本発明によれば、少なくとも2つの直列接続されている、それぞれ論理回路を介して制御可能であるMOS−FET出力段を有する回路であって、2つのMOSFET出力段の相互監視が実現されており、その結果2つのMOSFET出力段の一方に短絡が生じた場合、負荷のスイッチオンが妨げられるようにした回路装置が提案される。
【0004】
本発明の利点
ここで取り上げられる回路装置では後置接続されているMOSFET出力段の電圧供給は第1のMOSFET出力段を介して行われるので、後置接続されているMOSFET出力段の短絡は小さなテスト電流の供給の際にこの出力段の給電電圧を監視することによって簡単に実現される。さらに本発明によれば、スイッチオン信号(INPUT)によって活性化されかつ後置接続されているMOSFET出力段の給電電圧が所定の値を下回ったとき、第1のMOSFET出力段のスイッチオンを妨げる手段が設けられている。
【0005】
第1のMOSFET出力段の短絡が存在するかどうかの検査のために、本発明の回路装置は2つのMOSFET出力段の論理回路の間に接続線路を有しており、この線路を介して、入力電圧が後置接続されているMOSFET出力段の論理回路に加えられる。そこで第1のMOSFET出力段がINPUT信号に基づいてスイッチオンされると、この入力電圧は規定通り変化する。第1のMOSFET出力段に短絡が生じていると、後置接続されているMOSFETST段に対する十分な給電電圧は存在しているが、後置接続されているMOSFETST段のシステム論理部に加わる入力電圧は正常状態を定めている入力電圧とは異なっている。これにより障害発生は簡単に検出されかつ後置接続されているMOSFETST段、ひいては負荷のスイッチオンが妨げられる。
【0006】
本発明の回路構想によれば、2つのMOSFET出力段の機能性の並列な監視が可能である。負荷のスイッチオンは2つのMOSFET出力段の一方の欠陥で既に妨げられるので、後置接続されている負荷の臨界作動状態は確実に回避される。
【0007】
本発明の回路装置の有利な形態において、第1のMOSFET出力段の短絡に対して付加的に、所属のシステム論理部の同時の障害発生も考慮されかつこの場合にも、負荷のスイッチオンが妨げられる。このために本発明の回路装置ないし第1のMOSFET出力段のシステム論理部は入力電圧のタイミング制御のための手段を含んでいる。後置接続されているMOSFET出力段のシステム論理部を用いて、入力電圧の信号中のスイッチング側縁が検出されかつこのスイッチング側縁が存在しないとき、負荷が遮断されるようにする。すなわちここで入力信号のタイミング評価によって第1のMOSFET出力段のシステム論理部の機能性も検査される。
【0008】
図面
そこで、負荷の切換のための本発明の回路装置の上述した個々の機能を回路技術的に実現するための種々の可能性がある。本発明の特別有利な実施例は図面に示されておりかつ以下の記述において詳細に説明する。その際
図1は、本発明の回路装置の機能構成を示し、
図2は、後置接続されているMOSFET出力段の監視のために用いられる回路部分の実施例を示し、
図3は、第1のMOSFET出力段の監視のために用いられる回路部分の実施例を示し、
図4は、第1のMOSFET出力段のシステム論理部の機能性の監視のための、図2に図示の回路部分の拡張を示しかつ
図5は、図3に図示の回路部分の相応の拡張を示す。
【0009】
実施例の説明
図1には、負荷を切り換えるための本発明の回路装置の基本的な構成が示されている。この回路装置は、2つの直列に接続されたMOSFET出力段1および2を含んでおり、これらはそれぞれ論理回路3および4を介して制御可能である。MOSFET出力段1および2、ひいては後置接続されている負荷6のスイッチオン/スイッチオフもトリガするスイッチオン信号(INPUT)5は第1のMOSFET出力段1に供給される。後置接続されているMOSFET出力段2の電圧供給は第1のMOSFET出力段1を介して行われるが、第1のMOSFET出力段1がスイッチオンされているときにだけである。
【0010】
本発明によれば、付加的に、論理回路3および4の間に接続線路7が設けられており、これを介して入力電圧(EN)が配属されている出力段2の論理回路4に加わる。
【0011】
図2との関連において、次に、後置接続されているMOSFET出力段2の監視について説明する。
【0012】
INPUT信号5によって、まず、MOSFET出力段1に並列接続されているトランジスタ8だけがスイッチオンされ、それは規定の電流を送出する。第1のMOSFET出力段1は最初、後置接続されているMOSFET出力段2と同じように遮断された状態に留まる。第1のMOSFET出力段1が遮断されている間は、フリップフロップ9はリセット状態にあり、すなわち出力QN=ハイである。これにより、後置接続されているトランジスタ10は阻止されておりかつ後置接続されているMOSFET出力段2のシステム論理部4に通じている接続線路7は電位EN=ローにある。
【0013】
トランジスタ8から供給される電流は後置接続されているMOSFET出力段2および所属のシステム論理部4の定常電流より大きいので、2つのMOSFET出力段1および2間の接続線路11の電位(LOAD1)はアースに対して上昇する。LOAD1は後置接続されているMOSFET出力段2の給電電圧を表している。この電位上昇はコンパレータ12を用いて検出され、その一方の入力側にはこの電位LOAD1が加わり、他方の入力側は比較電圧(Vs)13に接続されている。電位LOAD1が比較電圧Vs13を上回るとき、コンパレータ12を介してフリップフロップ9がセットされ、その結果出力側Q=OK=ハイでありかつMOSFET出力段1はスイッチオンされる。同時に、フリップフロップ9の出力側QN=ローを介してトランジスタ10が活性化され、その結果入力電圧EN=ハイになる。MOSFET出力段1がスイッチオンされておりかつ同時に入力電圧EN=ハイであるとき、後置接続されているMOSFET出力段2もスイッチオンされる。
【0014】
障害発生時、すなわち後置接続されているMOSFET出力段2に短絡が発生すると、トランジスタ8のスイッチオン後電位LOAD1の上昇は行われない。というのは、この電位は短絡されたMOSFET出力段2および後置接続されている負荷6を介してアース電位に保持されるからである。その際トランジスタ8から供給される電流は、それが負荷6に顕著な電圧降下(>Vs)を引き起こすことはない程度に低い。電位LOAD1の上昇が検出されないので、フリップフロップ9はリセット状態に留まる。これによりMOSFET出力段1も遮断された状態に留まりかつ結果的に後置接続されている負荷6も遮断されたままである。
【0015】
14で示されているのはシステム回路部分であり、それは用途に固有の機能およびその他に、例えば過温、負荷短絡、過電圧などに対する保護機能のような種々の保護機能も含んでいる。システム回路部分14は更に、トランジスタ8およびMOSFET出力段1に対する制御信号並びにフリップフロップ9に対するリセット信号を送出する。更に、システム回路部分14はフリップフロップ9のOK信号を評価する、すなわちMOSFET出力段1は、OK=ハイであるときだけスイッチオンされる。
【0016】
次に図3を参照してMOSFET出力段1の監視について説明する。
【0017】
既述したように、後置接続されているMOSFET出力段2および所属のシステム論理部4の電圧供給は第1のMOSFET出力段1を介して行われる。通常なスイッチオン過程において、すなわちMOSFET出力段1が機能している場合、給電電圧LOAD1は、MOSFET出力段1が所属のシステム論理部3と共にINPUT信号5を介して活性化された瞬間に漸く加わる。この場合、トランジスタ15は入力電圧EN=ハイを介してスイッチオンされる。これにより、MOSFET出力段2もスイッチオンされる。
【0018】
第1のMOSFET出力段1の短絡発生時に、後置接続されているMOSFET出力段2には所属のシステム論理部4と共に、入力電圧がロー電位にあるにも拘わらず、電圧が加わっている。この場合、入力電圧がローからハイに移行する前に、トランジスタ16がスイッチオンされる。これにより、トランジスタ17がスイッチオンされ、これはトランジスタ15を阻止する。このようにして、入力電圧EN=ハイであるときですら、トランジスタ15がもはやスイッチオンされることはないので、MOSFET出力段2は遮断された状態に留まる。
【0019】
そこでトランジスタ15および16の同時の応答を妨げるために、ここに図示の回路装置は付加的に、トランジスタ15と共に活性化されるトランジスタ18を含んでいるので、その結果トランジスタ16は、トランジスタ15がスイッチオンされているときはもはやスイッチオンすることができない。そこでトランジスタ15および16の正しいスイッチング順序を保証するために、回路装置はトランジスタ16に対してRC時限素子の形のスイッチオン遅延を行う。更にトランジスタ17は常に、トランジスタ16がスイッチオンされているときだけ活性化され、かつその時トランジスタ15を阻止する。この関係において重要なのは、トランジスタ16のスイッチオン遅延度が、障害発生時に常に、トランジスタ15および18がその前にスイッチオンされる程に大きいということである。
【0020】
そこで、MOSFET出力段1および2のスイッチオンフェーズにおいて短絡が発生すると、MOSFET出力段1の短絡は続く遮断過程において検出されかつMOSFET出力段2の短絡は次のスイッチオン過程において検出されるので、その時のスイッチオンフェーズの経過終了後、スイッチオンはもはや可能ではない。
【0021】
上に述べた回路装置の拡張において、第1のMOSFET出力段1に対する監視論理部は、MOSFET出力段1の短絡発生が所属の論理回路3が同時に障害を受けている場合でも検出されるように補充されている。つまり、入力電圧もハイ電位であり、その結果配属されているMOSFET出力段2がスイッチオンされ、ひいては負荷6が活性化されることになるような障害である。
【0022】
このような障害発生もカバーするために、図2および図3に図示の回路部分は次のように拡張される。フリップフロップ9の出力側QNおよび後置接続されているトランジスタ10の間に、ORゲート19が挿入され、その第2の入力側はクロック信号20によって制御される。このことは図4に図示されている。これにより、配属されているMOSFET出力段2のシステム論理部4に対する入力電圧ENがタイミング制御される。
【0023】
このタイミング制御される入力電圧ENによって、側トリガされるモノフロップ21が、図5に示されているように、制御される。モノフロップ21のスイッチオン時点は、タイミング制御される入力電圧20のクロック周波数に同調されている。
【0024】
そこで、MOSFET出力段1のシステム論理部3の障害が存在し、その結果入力電圧が常時ハイ電位にあるとするとき、入力電圧ENの信号中にスイッチング側縁を検出することはできない。この場合、負荷6はモノフロップの時定数の経過後に遮断される。
【0025】
ここにもう一度要約的にまとめておくが、本発明の回路装置は2つの直列接続されたMOSFET出力段の短絡についての相互監視を実現する。後置接続されているMOSFET出力段の監視は付加監視の原理に基づいており、その際高抵抗の負荷は正常状態に対応し、一方低抵抗の負荷は後置接続されているMOSFET出力段の短絡を信号報知している。第1のMOSFET出力段の監視は、入力電圧と後置接続されているMOSFET出力段の給電電圧との間の比較に基づいている。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の回路装置の略図である。
【図2】 後置接続されているMOSFET出力段の監視のために用いられる回路部分の実施例の回路略図である。
【図3】 第1のMOSFET出力段の監視のために用いられる回路部分の実施例の回路略図である。
【図4】 第1のMOSFET出力段のシステム論理部の機能性の監視のための、図2に図示の回路部分が拡張された実施例の回路略図である。
【図5】 図3に図示の回路部分が拡張された実施例の回路略図である。
Claims (9)
- スイッチオン信号(INPUT−5)に基づいて負荷を切り換えるための回路装置であって、少なくとも2つの直列に接続された、それぞれ論理回路(3,4)を介して制御可能であるMOSFET出力段(1,2)を備え、ここで後置接続されているMOSFET出力段(2)の電圧供給は第1のMOSFET出力段(1)を介して行われる形式のものにおいて、
少なくとも2つの直列に接続されたMOSFET出力段(1,2)を相互に監視するために、前記論理回路(3,4)間に接続線路(7)が設けられており、該接続線路を介して入力電圧(EN)が後置接続されているMOSFET出力段(2)の論理回路(4)に加わり、
後置接続されているMOSFET出力段(2)の欠陥を検出するための手段が設けられており、該手段は後置接続されているMOSFET出力段(2)の給電電圧(LOAD1)を監視するための手段(8,9,12,13)を有しており、かつ
第1のMOSFET出力段(1)の欠陥を検出するための手段が設けられており、該手段は第1のMOSFET出力段(1)がスイッチオン信号(INPUT−5)に基づいてスイッチオンされるとき、前記入力電圧(EN)を変えるための手段(10)および後置接続されているMOSFET出力段をスイッチオンするための手段(15,16,17)を有しており、該後置接続されているMOSFET出力段をスイッチオンするための手段(15,16,17)には、前記接続線路(7)とMOSFET出力段同士を接続する線路(11)とに接続されている制御手段(16,17)が配属されており、
後置接続されているMOSFET出力段(2)の欠陥を検出する場合:
前記後置接続されているMOSFET出力段(2)の給電電圧(LOAD1)を監視するための手段(8,9,12,13)が前記スイッチオン信号(INPUT−5)によって活性化されかつ該給電電圧(LOAD1)が所定の値を下回っているとき(後置接続されているMOSFET出力段(2)の短絡)、第1のMOSFET出力段(1)のスイッチオンを妨げ、
第1のMOSFET出力段(1)の欠陥を検出する場合:
前記スイッチオン信号の存在が検出される前に前記給電電圧が所定の電位を上回るとき、前記後置接続されているMOSFET出力段をスイッチオンするための手段(15,16,17)および前記制御手段(16,17)が後置接続されているMOSFET出力段(2)のスイッチオンを妨げる
ことを特徴とする回路装置。 - 第1のMOSFET出力段(1)に配属されている論理回路(3)は入力電圧(EN)をタイミング制御するための手段を有しておりかつ
後置接続されているMOSFET出力段(2)に配属されている論理回路(4)は入力電圧(EN)を監視するための手段を有しており、ここで該手段は、入力電圧(EN)の信号中にスイッチング側縁が検出されないとき、第2のMOSFET出力段(2)のスイッチオンを妨げる
請求項1記載の回路装置。 - 後置接続されているMOSFET出力段(2)の給電電圧(LOAD1)を監視するための手段は:
第1のMOSFET出力段(1)に並列に接続されており、かつ第1のMOSFET出力段(1)が最初はまだ遮断されている間に、スイッチオン信号(INPUT−5)によってスイッチオンされる第1のトランジスタ(8)と、
入力側に給電電圧(LOAD1)および比較電圧(Vs,13)が加わる演算増幅器(12)と、
該演算増幅器(12)に後置接続されていて、給電電圧(LOAD1)が比較電圧(Vs,13)を下回るとき、第1のMOSFET出力段(1)をスイッチオンするフリップフロップ(9)と
を有している
請求項1または2記載の回路装置。 - 入力電圧(EN)は、第1のMOSFET出力段(1)がフリップフロップ(9)を介してスイッチオンされるとき、フリップフロップ(9)を介して変化される
請求項3記載の回路装置。 - 後置接続されているMOSFET出力段(2)に第2のトランジスタ(15)が前置接続されており、該第2のトランジスタは給電電圧(LOAD1)と入力電圧(EN)との間に接続されているので、後置接続されているMOSFET出力段(2)は、入力電圧(EN)も給電電圧(LOAD1)もそれぞれ所定の電位を上回るとき、スイッチオンされる
請求項3または4記載の回路装置。 - 後置接続されているMOSFET出力段(2)に第3のトランジスタ(16)が前置接続されており、該第3のトランジスタは、給電電圧(LOAD1)が所定の電位を上回っているが、入力電圧(EN)が所定の電位より下方にあるとき、MOSFET出力段(2)のスイッチオンを妨げる
請求項5記載の回路装置。 - 前記第2のトランジスタおよび第3のトランジスタ(15,16)の同時の活性化を妨げる手段が設けられている
請求項6記載の回路装置。 - 入力電圧(EN)をタイミング制御するための手段として、フリップフロップ(9)に後置接続されているORゲート(19)が用いられ、該ORゲートの第2の入力側はクロック信号(20)によって制御され、かつ入力電圧(EN)を監視するための手段は側縁トリガされるモノフロップ(21)を有しており、該モノフロップのスイッチオン時点はクロック信号(20)のクロック周波数に同調されている
請求項3から7までのいずれか1項記載の回路装置。 - 自動車の領域における安全性に重要な負荷を切り換えるために使用される
請求項1から8までのいずれか1項記載の回路装置の使用。
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