JP4124381B2 - 強磁性体膜を有する記録媒体 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、証券類用の磁気スレッドやセキュリティに用いられる磁性体膜を有する記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
記録媒体カードとして、現在国内で最も多く利用されているプリペイドカードには、ＮＴＴ（日本電信電話株式会社）の発行するテレホンカードと日本カードシステムの発行するパチンコ遊技カードなどがある。
これらのカードは変造，改ざんをされやすく大きな社会問題となっている。これらのカードを対象として変造，改ざんの防止対策として特開平６−２８６３６８号「記録担体カードとその真偽判定装置」が提案されている。
この従来の記録担体カードＡは、図２４（ａ）（ｂ）（ｃ）で示されるように形成されており、（ａ）はその平面構成図、（ｂ）（ｃ）はその部分断面図である。記録担体カードＡはカード基板３６上に管理対象情報を記録する第一の記録領域３７と、該第一の記録領域とは別の位置にアモルファス強磁性体層３８が配置されるとともに、必要な個数のパンチ穴４０をあけることを予定して設けられた第二の記録領域４２とを供えた構成を有している。３９は印刷層である。
また、前記第二の記録領域４２にはセキュリティコード４１が記録される構成となっている。これらの構成を有するカードの第二の記録領域４２に鑚孔されたパンチ穴４０の位置を磁気的に読み出して、該第一の記録領域３７に記録された管理情報とその読み出されたパンチ穴４０の位置情報とを比較して改ざんの有無を判定する方法をとるため、あけられたパンチ穴４０に適宜の遮蔽材を埋め込むか貼付することによる改ざんを容易に検出することができ、改ざん防止を図ることができるという優れた利点をもっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このように、前記従来例には、悪質な改ざんを防止する対策として、通常では入手できない組成の磁性膜を用いてその素材特有の磁気特性を利用することと、カードの第二記録領域に書換え出来ないように予め書き込んであるセキュリティコードを利用することが提示されている。
一般にプリペイドカードは何種類かの金額の異なったカードが発行されており、これらの金額の異なったカードを使用して低金額カードを高金額カードに見せかける改ざんに対しては前記の従来例の方法では、セキュリティ性が不充分であるという欠点がある。
その欠点の第一は、素材特有の磁気特性を利用する方法ではカードの種類に対応した種類の固有特性を有する素材を用意しなければならないことであり、種類が多くなると製作上困難を伴う。
第二はセキュリティコードの書き込みであるが、鑚孔される部分以外の領域に書かれるため、いわゆるハイブリッド法（切り貼り）と呼ばれる変造方法で変造されるおそれがある。
【０００４】
本発明の目的は、これらの偽造・変造を防止することができる記録担体を実現するために用いられる磁性体膜を有する記録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために、本発明による強磁性体膜を有する記録媒体は、樹脂基板上に、管理対象情報が記録された第一の磁気記録領域と、セキュリティコードが記録されると共にパンチ穴をあける予定の第二の磁気記録領域とを備えた記録媒体において、前記第二の磁気記録領域に第一のアモルファス強磁性体膜と第二のアモルファス強磁性体膜との二種類のアモルファス強磁性体膜とが前記樹脂基板の面に沿う方向に配置されるように形成され、前記第一のアモルファス強磁性体膜は連続して形成されると共に一定周期の間隔で、前記樹脂基板の面から当該第一のアモルファス強磁性体膜の表面までの厚みが異なるように形成され、前記第二のアモルファス強磁性体膜は前記樹脂基板の面に交叉する方向において前記第一のアモルファス強磁性体膜と重なるように連続又は前記一定周期に対応する所定の間隔で形成されていることを特徴とする構成を有している。
従って、前記に種類の強磁性体膜に基づいて検出される波形は、一定周期によるパター
ンの不連続磁気特性を示すものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明によるアモルファス強磁性体膜の如き強磁性体膜を有する記録媒体は、パンチ穴をあけることを予定されている領域に貼り付けるかまたは、カード樹脂基板内に埋め込んで用いる。
カードが使用されると残り度数に応じて穴があけられ、同時にその領域に配置された本発明による記録媒体にも穴があけられる。その記録媒体を形成するアモルファス強磁性体膜に物理的欠陥（パンチ穴）があるとその部分に磁気変化があり、外部からの交流あるいは直流磁気バイアス磁気センサによって穴の位置検出が可能である。
【０００７】
本発明によれば対象とする領域を通過する一つの直線に沿って予め定めた特有の磁気パターンを有する偽造防止用の強磁性体膜が形成してあり、その磁気パターンを変えることで種別情報とすることができる。
しかもパンチ穴をあけることを予想される領域全域に亘って特殊のパターンを形成すれば、一部分の切り貼りによる変造の発見は容易である。
特有の磁気パターンを持たせるためには、二種以上の異なる磁気特性を有する磁性体膜を予め定めたパターンになるように配置すること、磁性体膜の厚さを予め定めたパターンになるように変化させること、またこれらを組み合わせることによって達成することができる。
さらに、ここで磁気パターンを一般的に模倣が困難な特異なのもとするためには、保持力（Ｈｃ）、透磁率（μ）、飽和磁束密度（Ｂｍ）、角形比（Ｂｍ／Ｂｒ）、磁気モーメント（Ｍ）、磁気異方性などのパラメータを外部励起磁界強度により非線形とすることにより達成される。この磁気特異性を持たせるためには、磁性膜をアモルファスとすることがひとつの有効な手段である。
【０００８】
パンチ穴があった部分を切りとってつなぎ合わせるいわゆる「だるまおとし」変造に対しては、偽造防止用の磁性体膜の幅をパンチ穴径以上で、パンチする際の位置誤差あるいは偽造防止用の磁性体膜の貼り付け位置誤差を考慮し充分に広くしておけば、前記のように変造されたカードから読み出されるパターンはパンチ穴径だけ短くなりパターン情報の検知出力電圧差から容易に発見可能である。偽造防止用の強磁性体膜をアモルファス膜とした場合、金属種類，合金配合比は特殊であり、その磁気特性は固有の物であるから、もし別の強磁性体膜によって偽造されても簡単に発見することができる。
【０００９】
〔実施例〕
以下本発明の実施例について説明する。
図１は偽造防止用の強磁性体膜を拡大した斜視図（ａ）と一部断面図（ｂ）である。ここで、１は樹脂基板であり５μｍ〜２０μｍ厚みのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート) 、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）の薄いフィルムを基材とする。２は非磁性金属層でありアルミニウム，銅，チタンなどを１μｍ以下に蒸着あるいはスパッタしたもので、次工程でその上にスパッタする磁性体材料の磁気特性を安定させるために用いられるが、本発明においてこの層はあってもなくてもかまわない。３，４はそれぞれ異なる磁気履歴特性を持ったアモルファス強磁性体膜であり、図面に示す通り樹脂基板１の面に交叉する方向において相互に重なるように形成されている。この強磁性体膜３，４をアモルファスとする場合にはＣｏ−Ｚｒ系あるいはＦｅ−Ｓｉ系などが代表的な組成である。強磁性体膜３，４の磁気特性をそれぞれ異なるようにするためには、例えばスパッタリングターゲット材を異なる組成とするのが一般的であるが、そのほか同一材料であっても製法上で差異をもたせることもできる。薄膜を形成する方法はスパッタ以外にもメッキ法，蒸着法によっても可能である。５は接着材であり、熱可塑性樹脂であるポリエチレン，ポリアミド，アクリルのように１００℃程度の熱で溶融しカード基板上に接着させることができる。また、紙の中に挿入する際に紙の繊維に溶け込み抜け防止となるが、本発明においてはその接着方法はいずれの方法でもかまわない。
また、図には示されていないが、強磁性体膜を保護する目的で外側に形成する金属層も同様で、あってもなくてもかまわない。
【００１０】
図２は本発明の一実施例で、カード基板上の第二の記録領域に磁気パターンを有する偽造防止磁性体膜を貼り付けることを想定した本発明を実施したカードの一部を除去した斜視図（ａ）と一部断面図（ｂ）である。６はカード基板、７は管理情報を記録する第一の記録領域、８は偽造防止用の磁性体膜による第二の記録領域、９は印刷層、１０はパンチ穴、１１は磁性体膜８によって特殊のパターンを形成する磁気パターンである。
なお、（ｂ）は第一の記録領域７と第二の記録領域８とが重ならないように形成した例であるが、これに限らず記録領域７と８は重ねて形成するようにしても第二の記録領域８を検出することが可能であり、カード基板６をはさんで両面又は片面に重なるように形成することができる。
【００１１】
図３は本発明による偽造防止用の磁性体膜８をスレッド状にして紙にすきこみ、安全保護紙２６としたものである。このようにして作られた安全保護紙２６は、紙幣，証券，金券などに用いることができる。一種類の一様な強磁性体膜を用いた従来の方法と比べセキュリティ性を格段に高くすることができる。
【００１２】
〔実施例１〕
図４（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ樹脂基板１上に磁気特性の異なった二種類以上の強磁性体膜３，４を形成し、その強磁性体膜３，４がある一定の周期をもって配列され、対象とする領域では樹脂基板１の表と裏において、少なくともいずれか一方で強磁性体膜が常に樹脂基板１上に存在するように形成された場合の偽造防止用磁性体膜の構成例である。
（ａ）は、樹脂基板１の表面に膜厚Ｄａで膜幅Ｌａからなる強磁性体膜３を所定の間隔Ｌｂ毎に形成して磁気パターン化するとともに、裏面には膜厚Ｄｂからなる強磁性体膜４を面一に形成して偽造防止を図るようにした実施例である。
（ｂ）は、樹脂基板１の表面に第１層として膜厚Ｄｂからなる強磁性体膜４を面一に形成し、その上部に第２層として膜厚Ｄａで膜幅Ｌａからなる強磁性体膜３を所定の間隔Ｌｂ毎に形成して磁気パターン化した実施例である。
（ｃ）は、樹脂基板１の表面に、膜厚Ｄｃで膜幅Ｌａからなる強磁性体膜３と膜厚Ｄｃで膜幅Ｌｂからなる強磁性体膜４を交互に配置し磁気パターン化した実施例である。
（ｄ）は、樹脂基板１の表面に膜厚Ｄｄで膜幅Ｌｃからなる強磁性体膜３を間隔Ｌｄをおいて順に配置し、裏面には膜厚Ｄｅで膜幅Ｌｄからなる強磁性体膜４を間隔Ｌｃをおいて膜幅Ｌｃと重複しない逆側の位置に順に配置してそれぞれ磁気パターン化した実施例である。
（ｅ）は、樹脂基板１の表面に膜厚Ｄｆからなる強磁性体膜３を面一に形成するとともに、強磁性体膜３の内部に膜厚Ｄｇで膜幅Ｌｆからなる強磁性体膜４を間隔ＬｅをおいてＬｇ毎に順次埋め込み配置して磁気パターン化を図った実施例である。
これらの各実施例はどのような寸法で、どのような位置にパンチ穴があいてもそのパンチ穴の位置に強磁性体膜３又は４又は双方が存在するので、磁気的に検出可能である。また、一つの直線すなわち例えば図示の断面に沿って固有の磁気パターン１１を有しているため、切り貼りによる変造を磁気的に検出することができる。
【００１３】
〔実施例２〕
図５（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ実施例１の構造においてさらに、二種類の強磁性体膜３，４の少なくとも一方の強磁性体膜を、一定の周期をもって厚さを変えて前記と同様に一つの直線に沿って固有の磁気パターンを形成した場合の偽造防止用磁性体膜の構成例である。
（ａ）は、樹脂基板１の表面に、膜厚Ｄｈで膜幅Ｌｈを有する厚膜部と膜厚Ｄｉで膜幅Ｌｉを有する薄膜部を交互に形成した強磁性体膜３を配置し、裏面には膜厚Ｄｊからなる強磁性体膜４を面一に形成し、磁気パターン化して偽造防止を図るようにした実施例である。
（ｂ）は、樹脂基板１の表面に、第１層として膜厚Ｄｋで膜幅Ｌｉを有する薄膜部と膜厚Ｄｌで膜幅Ｌｈを有する厚膜部を交互に形成した強磁性体膜３を配置するとともに、その上部に第２層として膜厚Ｄｍで膜幅Ｌｊからなる強磁性体膜４を薄膜部および厚膜部の所定の位置（それぞれ中央部）に形成配置して磁気パターン化した実施例である。
（ｃ）は、樹脂基板１の表面に、膜厚Ｄｋで膜幅Ｌｉを有する薄膜部と膜厚Ｄｌで膜幅Ｌｈを有する厚膜部を交互に形成した強磁性体膜３を配置し、裏面には膜厚Ｄｍで膜幅Ｌｊからなる強磁性体膜４を薄膜部および厚膜部に対応する所定の位置（それぞれ裏面の対称中央部）に形成配置して磁気パターン化した実施例である。
（ｄ）は、樹脂基板１の表面に、第１層として膜厚Ｄｌで膜幅Ｌｈを有する厚膜部と膜厚Ｄｋで膜幅Ｌｉを有する薄膜部を交互に形成した強磁性体膜３を配置するとともに、その上部に第２層として、膜厚Ｄｏで膜幅Ｌｋを有する第１厚膜部と、膜厚Ｄｎで膜幅Ｌｌを有する第１薄膜部と、膜厚Ｄｍで膜幅Ｌｍを有する第２薄膜部と、膜厚Ｄｍ＋Ｄｎで膜幅Ｌｎを有する第２厚膜部とを順次形成した強磁性体膜４を配置して磁気パターン化した実施例である。
（ｅ）は、樹脂基板１の表面に、膜厚Ｄｌで膜幅Ｌｈを有する厚膜部と膜厚Ｄｋで膜幅Ｌｉを有する薄膜部を交互に形成した強磁性体膜３を配置し、裏面には膜厚Ｄｏで膜幅ＬｋまたはＬｐを有する厚膜部と、膜厚Ｄｎと膜幅ＬｏまたはＬ１を有する薄膜部とからなり厚膜部と薄膜部を交互に順次形成した強磁性体膜４を配置して磁気パターン化した実施例である。
（ｆ）は、樹脂基板１の表面に、膜厚Ｄｐで膜幅Ｌｑを有する厚膜部と、膜厚Ｄｑと膜幅Ｌｒを有する薄膜部を交互に形成した強磁性体膜３を配置するとともに、強磁性体膜３の厚膜部内部の中央位置に膜厚Ｄｒで膜幅Ｌｔからなる強磁性体膜４を両側に膜幅Ｌｓ，Ｌｕをそれぞれ残して順次埋め込み配置して磁気パターン化を図った実施例である。
これらはどのような寸法で、どのような位置にパンチ穴１０があいても、そのパンチ穴１０の位置に強磁性体膜３もしくは４又は双方が存在するので、磁気的に検出可能である。また、固有の磁気パターン１１を有しているため、切り貼りによる変造を磁気的に検出することができる。これらの実施例は、実施例１よりもさらに検出精度が高いので、偽造は一層困難になる。
以上のように、図５（ａ）〜（ｆ）に示された実施例では、強磁性体膜３と強磁性体膜４とは、樹脂基板１の面に沿う方向に配置され、また、樹脂基板１の面に交叉する方向において互いに重なるように形成されている。さらに、強磁性体膜（第一の強磁性体膜）３は、連続して形成されると共に一定周期の間隔で異なる膜厚で形成され、強磁性体膜（第二の強磁性体膜）４は、連続又はその一定周期に対応する所定の間隔で形成されている。
【００１４】
〔実施例３〕
図６（ａ）（ｂ）はそれぞれ樹脂基板１上に一種類の強磁性体膜４を形成し、その強磁性体膜４が一定の周期をもって厚さが異なる場合の偽造防止用磁性体膜の例である。
（ａ）は、樹脂基板１の表面に、膜厚Ｄｌで膜幅Ｌｈを有する厚膜部と膜厚Ｄｋで膜幅Ｌｉを有する薄膜部を交互に形成した強磁性体膜４を形成配置して磁気パターン化した実施例である。
（ｂ）は、樹脂基板１の表面に、膜厚Ｄｔで膜幅Ｌｔを有する第１中膜部と、膜厚Ｄｕで膜幅Ｌｕを有する厚膜部と、膜厚Ｄｔで膜幅Ｌｖを有する第２中膜部と、膜厚Ｄｓで膜幅Ｌｗを有する薄膜部とを順次形成した強磁性体膜４を配置して磁気パターン化した実施例である。
これらはどのような寸法で、どのような位置にパンチ穴１０があいてもそのパンチ穴１０の位置に強磁性体膜４が存在するので、磁気的に検出可能である。また、例えば図示の断面上の一つの直線に沿って固有の磁気パターン１１を有しているため、切り貼りによる変造を磁気的に検出することができる。
なお、これらの実施例以外にも、磁気パターン化の事例は種々の形をとり得るものである。従って、これらの実施例１乃至３に限定されるものではない。
【００１５】
以上の各実施例での磁気判別原理は強磁性体のＢ−Ｈ特性を利用したものである。以下に、その特性を用いた真偽判定装置について説明する。
図７は、前記情報記録媒体が真正品であるか又は偽造，変造品であるかを判定する真偽判定装置例である。この実施例では、第一の記録領域７と第二の記録領域８を有し、パンチ穴１０をプリペイド課金使用残高の目安とするように作成された磁気カードの真偽を判定する装置例を示している。１３−１は第１の磁気センサであり第一の記録領域７に記録された情報を読み出すためのものである。１３−２は第２の磁気センサであり第二の記録領域８のパンチ穴位置あるいは、この領域が不正に切り張りされたかを検出するものである。１３−３は第３の磁気センサであり第二の記録領域８に使用されているアモルファス強磁性体が真正であるか否かを判定することと、第二の記録領域８に書き込まれたカード種別を行うためのパターン情報を読み出すために用いられる。１４は第２の磁気センサ１３−２に静磁バイアスを印加するための直流電源である。１５は第３の磁気センサ１３−３に交流磁気バイアスを印加するための交流電源である。１６は上記検知カードを水平に搬送するための記録媒体駆動装置である。１７は各磁気センサの信号を増幅するための信号増幅器である。
【００１６】
図８は各磁気センサの動作原理を説明する図である。
（ａ）は第１の磁気センサ１３−１の動作で、第一の記録領域７上の磁気コーティングされた磁性層に書かれた情報を磁性材の保磁力を利用して読み出し、信号増幅器１７を介して出力するものである（磁気カードの規格および磁気記録様式については、ＪＩＳＸ６３０１−７９，ＪＩＳＸ６３０２−７９参照）。
また、読み出し回路は一般に用いられているものを使用する（例えば「データキャリア」日本工業新聞社発行、竹田晴見著参照）。
【００１７】
（ｂ）は第２の磁気センサ１３−２の動作を示すものであり、磁気ヘッド１３−２に外部の直流電源１４により静磁バイアスを印加させ、ヘッドギャップから漏洩する磁束が第二の記録領域８に張られたアモルファス強磁性体膜３又は４に浸透する。
強磁性体膜３又は４が一様ならば磁束変化はなく信号は検出されない。もし、パンチ穴１０が穿けられているならば、その部分に磁束変化を生ずる。アモルファス強磁性体膜３又は４の比透磁率が高い材料（数千）を使用しておけば磁束変化も大きくなり、検出が容易になる。
不正を行うものが故意に同一材料で穴を塞ぐ細工を行っても、材料の境目において磁束変化が生じて細工を行ったことが判明する。また、異なった材料で全体を切り張り交換しても、次に述べる、第３の磁気センサ１３−３によって判別することができる。
【００１８】
（ｃ）は第３の磁気センサ１３−３の動作であり、交流磁気バイアスされた作動型の磁気ヘッドを使用する。この判別原理はアモルファス強磁性体のＢ−Ｈ特性を利用したものであり、材料固有の値を持つ。
【００１９】
図９は上記真偽判定装置制御部のブロック図である。
１８は第一の記憶領域７からの情報読み取り回路で、第１の磁気センサ１３−１からの検知信号Ｓ１をもとにこの領域に記憶されているカード種別情報，パンチ穴位置情報，その他のカード情報を含む各種の情報を読み出して、カード種別判別回路２２，パンチ穴位置判別回路２３，その他カード情報判別回路２４にそれぞれ出力する。
１９はパンチ穴位置検出回路で、第２の磁気センサ１３−２からの検知信号Ｓ２をもとにパンチ穴位置情報を読み出して、パンチ穴位置判別回路２３に出力する。
２０は磁気特性判別回路で、検知信号Ｓ３をもとにアモルファス強磁性体膜３３又は３４の固有の特性情報を判別して、その判別情報をマイクロコンピュータシステム２５に出力する。
２１はパターン情報読み出し回路で、検知信号Ｓ３をもとにパターン化されたアモルファス強磁性体膜３３又は３４のパターン情報を磁気特性判別回路２０のバンドパスフィルタを介して読み出して、カード種別判別回路２２に出力する。
２２はカード種別判別回路で、第一の記録領域７から情報読み取り回路１８により読み出された情報と、パターン情報読み出し回路２１からの情報を取り込んでカード種別情報をマイクロコンピュータシステム２５に出力する。
２３はパンチ穴位置判別回路で、第一の記録領域７から情報読み取り回路１８により読み出された情報と、パンチ穴位置検出回路１９により読み出された情報とを取り込んで、パンチ穴位置情報をマイクロコンピュータシステム２５に出力する。
２４はその他カード情報判別回路で、第一の記録領域７から情報読み取り回路１８により読み出された情報のうちカードに予め記録されている一般書誌的情報を取り込んで、その他カード情報としてマイクロコンピュータシステム２５に出力する。
２５はマイクロコンピュータシステムで、各回路１８〜２４からの情報をもとに各種制御を行う。
【００２０】
次に図９に示す各回路１８〜２５について更に詳細に説明する。
第一の記録領域７から情報を読みとる情報読み取り回路１８は、前述したように一般に使用されている磁気記録情報読み出し回路を使用することができるので、説明を省略する。
図１０（ａ），（ｂ）は、パンチ穴位置検出回路１９の一実施例を示すもので、（ａ）はパンチ穴位置検知信号波形図であり、（ｂ）はその回路例である。
図１０（ａ）は検知信号Ｓ２からのパンチ穴検知信号波形で、３個の穴が明いている時はその間隔に対応する時間間隔Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３で信号が検出される。最初に検出した穴が度数０に近いとすると、図１０（ｂ）に示すパンチ穴位置検出回路１９のカウンタ回路１９−１は搬送開始と同時にスタートして、Ｔ１時間後にその値はバッファ回路１９−２に一時記憶される。
一度記憶された内容は再度スタートするまで保持されるようになっている。この値は不正がなければ第一の記憶領域７に記憶されているべき度数管理情報と一致しているはずである。
【００２１】
図１１（ａ）（ｂ）は、磁気特性判別回路２０の磁気特性判別の原理を示す波形図とスペクトラム分布図であり、図１２はその磁気特性判別回路２０の具体的回路構成の一実施例を示す。図１１（ａ）は異なった磁気特性を持ったアモルファス強磁性体膜がＡ部，Ｂ部，Ａ部と並んで配置された状態の第二記録領域８を検知した時の時間軸波形である。Ａ部では三角波が検出され、Ｂ部ではパルス波形が検出された場合を例示している。
図１１（ｂ）は上記波形の各部分のスペクトラム（周波数成分）分析結果である。Ａ部は一次，二次，三次の順にその成分電力比が小さくなるが、Ｂ部では二次，三次，一次の順に小さくなっている。この成分比は材料によって一定であるから、これらのスペクトラム比を比べることで材料の真偽を判定することができる。
【００２２】
スペクトラム比を判定するには一例として、図１２の回路２０に示すように、励磁周波数によって決まる高調波成分に相当するバンドパスフィルタ２０−１，２０−２，…，２０−Ｎを準備して各バンドパスフィルタからの信号レベルが想定されるレベルであるか否かを判定するＡ部判定用レベル判定回路群２０−１１，２０−１２，…２０−１Ｎと、Ｂ部判定用レベル判定回路群２０−２１，２０−２２，…，２０−２Ｎをもち、各回路からの一致を取る一致回路２０−３１，２０−３２によってＡ部，Ｂ部がそれぞれ定められた材料の磁気特性をもつか否かによって真偽判別を行う。
この例ではバンドパスフィルタによるスペクトラム抽出を示したが、Ａ／Ｄ変換器、ＦＥＴ演算あるいはディジタルフィルタによっても同様の効果が得られる。
【００２３】
図１３（ａ）（ｂ）は、パターン情報読み出し回路２１のパターン情報判別の原理を示す波形図であり、図１４はそのパターン情報読み出し回路２１の具体的回路構成の一実施例を示すものであり、一例として前記磁気特性判別回路２０の中のバンドパスフィルタ出力を利用することができる。図１３（ａ）（ｂ）によりこのパターン情報読み出し回路２１の動作を説明する。
（ａ）は検知信号Ｓ３の元波形であり、（ｂ）は磁気特性判別回路２０内の特定のバンドパスフィルタの出力（例えば、バンドパスフィルタ２０−２の出力）Ｆ２である。特定のバンドパスフィルタはＡ部，Ｂ部で使用される材料の磁気特性で最も顕著に差の出るスペクトラムを選択する。Ａ部は三角波が検出され、Ｂ部は正弦波状波形が検出される。もし、パターン情報が材料の厚みの差によって構成されている場合には、検知信号Ｓ３の波形は各部振幅差となって現れ、振幅比較により分離が可能である。
（ｂ）はこのような原理によって分離したＡ部，Ｂ部の振幅波形であり、各部分のパターンピッチが波形の出現する時間間隔になって現れる。すなわちＡ部は時間幅Ｔ１およびＴ３の中で振幅波形が現れ、Ｂ部は時間幅Ｔ２の中で波形が現れない。
【００２４】
図１４はこれらの時間間隔を測定するためのパターン情報読み出し回路２１の例である。一定周期のクロック信号をカウントするカウンタ回路２１−１とパターン情報から分離された信号（例えばＦ２）から作られる信号によって、カウンタ値をバッファ回路２１−２，２１−３，２１−４に順次に一時記憶させる。
バッファ回路は図示のように複数個ありそれぞれのパターン間隔が記憶される。このようにして予め定められたパターン情報としてカード種別判別回路２２に出力される。
【００２５】
図１５はカード種別判別回路２２の一実施例である。第一の記録領域７から情報読み取り回路１８によって読み出された情報によりカード種別判別情報レジスタ２２−１に予め設定されるカード種別判別情報とパターン情報読み出し回路２１から得られてパターン情報レジスタ２２−２に設定されたパターン情報との比較を一致回路２２−３で行い、予め割り付けられている種別であるか否かを比較して、一致していれば真の情報を、一致していなければ偽の情報をマイクロコンピュータシステム２５等の主制御部に送る。
【００２６】
図１６はパンチ穴位置判別回路２３の一実施例である。第一の記録領域７から情報読み取り回路１８により読み出された情報によりパンチ穴位置管理情報レジスタ２３−１に予め設定されるパンチ穴管理情報と実際にパンチ穴位置検出回路１９によって検出されてパンチ穴位置検出情報レジスタ２３−２に設定されるパンチ穴位置情報の残高値との一致を一致回路２３−３で取り、一致していれば真の情報を、一致していなければ偽の情報をマイクロコンピュータシステム２５等の主制御部に送る。
カード種別判別回路２２，パンチ穴位置判別回路２３はマイクロコンピュータシステム２５のソフトウェアで代行することもできる。この実施例では、第二の磁気センサ１３−２により、パンチ穴位置を検出したが、第三の磁気センサ１３−３の感度を上げるか、または、パンチ穴１０を大きくすれば、第三の磁気センサ１３−３の出力にも、パンチ穴１０による信号が検出される。
【００２７】
その他カード情報判別回路２４については、カードの発行年月日，有効期限，発行所等の一般書誌的情報を判別するものであるが、これらの判別方法は、テレホンカード等のプリペイドカードで行われている方法と同様に実施できるので、詳細な説明は省略する。
【００２８】
図１７は第二の磁気センサ１３−２を用いない実施例である。
この場合、パンチ穴１０による検知信号の変化は、アモルファス強磁性体の磁気特性を示す信号と比較して、極めて大きく現れるので、信号の振幅の違いにより、パンチ穴１０を示す信号とアモルファス強磁性体の磁気特性を示す信号とを区別することができる。
この場合、図９に示す真偽判定装置制御部におけるパンチ穴位置検出回路１９には検知信号Ｓ３が入力される。
【００２９】
以上図７乃至図１７により説明した真偽判別装置を用いて、図４乃至図６に示した実施例１乃至実施例３からの検出信号波形がどのような形で検出され、真偽の判定出力として用いられるかについて説明する。
まず、図１８に示すように、強磁性体膜３の検出信号波形は区間Ｌａにおいて（ａ）に示すような三角波出力（波高値：Ｖａ，−Ｖａ）となって取り出される。また、強磁性体膜４の検出信号波形は区間Ｌａにおいて（ｂ）に示すようなプラス又はマイナスの極性をとるパルス波出力（波高値：Ｖｂ，−Ｖｂ）となって検出される。
従って、強磁性体膜３および４が同時に検出される場合の検出信号波形は、区間Ｌａにおいて（ｃ）に示すように、三角波とパルス波との合成波形（波高値：（Ｖａ＋Ｖｂ），（−Ｖａ＋Ｖｂ））となって検出される。
なお、以下に示す実施例の説明においては、出力信号波形が複雑にならずに容易に理解できるように、強磁性体膜３または４の膜厚ＤａまたはＤｂは、例えば実施例１においてはＤａ＝Ｄｂとし、その三角波出力の波高値Ｖａとパルス波出力の波高値ＶｂはＶａ＝Ｖｂとして説明する。実施例２，３についても同様である。
実際には強磁性体膜３と４の材質に差異がある場合や同じ材質でも膜厚に若干でも差異があれば、それらの磁気特性は差異となって検出されるので、その検出信号出力もＶａ＝Ｖｂとはならないことは容易に理解し得よう。
従って、本発明はこれらの材質の差異やパターン化および膜厚の差異に基づく検出出力の変化を利用して、偽造が極めて困難な記録媒体を構築するものである。
【００３０】
次に、図４の実施例１の検出信号波形は、図１９（ａ）乃至（ｄ）の波形となって検出される。
まず、図４の（ａ）の構成例においては、図１９（ａ）の検出波形となる。Ｌａの区間においては強磁性体膜３と４の波形が同時に検出されるため、前述のようにＤａ＝Ｄｂとした場合図示のように、３と４の合成波形（Ｖａ＋Ｖｂ）と−（Ｖａ＋Ｖｂ）となって検出される。Ｌｂの区間においては、強磁性体膜３は存在せず強磁性体膜４のみが形成されているため、パルス波形Ｖｂと−Ｖｂとなって検出される。
図４の（ｂ）の構成例においては、強磁性体膜３，４は２層構成となっているが、検出波形は図４（ａ）と同様に図１９（ａ）の波形として検出される。
図４の（ｃ）の構成例においては、強磁性体膜３と４が交互に検出されることになるため、例えば膜厚Ｄｃ＝Ｄａ＝Ｄｂとした場合、図１９（ｂ）の検出波形となる。すなわちＬａ区間においては、強磁性体膜３のみが対象となるので三角波Ｖａと−Ｖａが検出され、Ｌｂ区間においては強磁性体膜４のみが対象となるのでパルス波Ｖｂと−Ｖｂが検出される。
図４の（ｄ）の構成例においては、強磁性体膜３が膜幅Ｌｃを有し強磁性体膜４の膜幅Ｌｄであるため、例えば膜厚Ｄｄ＝Ｄａ，膜厚Ｄｅ＝Ｄｂとした場合、その検出波形は図１９（ｃ）として検出される。すなわち、Ｌｃ区間においては三角波Ｖａと−Ｖａが検出され、Ｌｄ区間においてはパルス波Ｖｂと−Ｖｂが検出される。
図４の（ｅ）の構成例においては、強磁性体膜３の膜厚Ｄｆが厚く２Ｄａとなっており、その中に膜厚Ｄｇの強磁性体膜４が埋め込まれる構成となっているため、その検出波形は図１９（ｄ）として検出される。すなわち、例えば膜厚Ｄｆは、図４（ａ）の膜厚Ｄａ×２となり、膜厚Ｄｇが図４（ａ）の膜厚Ｄｂと同じとした場合、Ｌｅ区間の波形は大きな三角波２Ｖａと−２Ｖａが検出され、Ｌｆ区間においては、合成波形（Ｖａ＋Ｖｂ）と−（Ｖａ＋Ｖｂ）となって検出され、Ｌｇ区間においてはＬｅ区間と同様に大きな三角波２Ｖａと−２Ｖａが検出される。
【００３１】
次に、図５の実施例２の検出信号波形は、図２０（ａ）乃至（ｄ）の波形となって検出される。
まず、図５の（ａ）の構成例においては、例えば、膜厚Ｄｈ＝２Ｄｉとし、Ｄｈ＝Ｄａ，Ｄｊ＝Ｄｂとした場合は、図２０の（ａ）の検出波形となる。Ｌｈの区間においては、強磁性体膜３と４の波形が同時に検出されるため、図示のように３と４の合成波形（Ｖａ＋Ｖｂ）と−（Ｖａ＋Ｖｂ）となって検出される。Ｌｉの区間においては、強磁性体膜３の膜厚ＤｉはＬｈ区間Ｄｈの１／２となるため、３と４の合成した波形は（（Ｖａ／２）＋Ｖｂ）と−（（Ｖａ／２）＋Ｖｂ）なって検出される。
図５（ｂ）の構成例においては、例えば膜厚Ｄｌ＝２Ｄｋで、膜厚Ｄｍ＝Ｄｊ／２とし、Ｄｌ＝Ｄａ，Ｄｊ＝Ｄｂとした場合には、図２０（ｂ）の検出波形となる。強磁性体膜３と４は２層構成となっているが、Ｌｉの区間においては、Ｖａ／２と−Ｖａ／２が検出され、そのうちの中央部Ｌｊ区間は（Ｖａ＋Ｖｂ）／２と−（Ｖａ＋Ｖｂ）／２の波形が検出される。また、Ｌｈの区間においては、Ｖａと−Ｖａが検出され、そのうちの中央部Ｌｊ区間の波形は（Ｖａ＋（Ｖｂ／２））と−（Ｖａ＋（Ｖｂ／２））となって検出される。
図５（ｃ）の構成例においては、強磁性体膜４は３と逆側に配置されるが、その検出信号波形は図５（ｂ）と同様に、図２０（ｂ）の波形として検出される。
図５（ｄ）の構成例においては、例えば膜厚Ｄｌ＝２Ｄｋ，膜厚Ｄｏ＝２Ｄｎ，膜厚Ｄｍ＝２Ｄｎとし、Ｄｌ＝Ｄａ，Ｄｏ＝Ｄｂとした場合には、図２０（ｃ）の検出波形となる。強磁性体膜３と４は２層構成となっているが、Ｌｈの区間のうちＬｋ区間には、（Ｖａ＋Ｖｂ）と−（Ｖａ＋Ｖｂ）が検出され、Ｌｌ区間には（Ｖａ＋（Ｖｂ／２））と−（Ｖａ＋（Ｖｂ／２））の波形が検出される。Ｌｉの区間においては、Ｌｍ区間で（（Ｖａ＋Ｖｂ）／２）と−（（Ｖａ＋Ｖｂ）／２）の波形が検出され、Ｌｎ区間で（（Ｖａ／２）＋Ｖｂ）と−（（Ｖａ／２）＋Ｖｂ）の波形が検出される。
図５（ｅ）の構成例においては、強磁性体膜４は３と逆側に配置されているが、その検出信号波形は、図５（ｄ）と実質的に同様に図２０（ｃ）の波形として検出される。
図５（ｆ）の構成例においては、強磁性体膜３の膜厚Ｄｐが厚く２Ｄｑとなっており、その中に膜厚Ｄｒの強磁性体膜４が埋め込まれた構成となっているため、その検出波形は図２０（ｄ）として検出される。すなわち、例えば膜厚Ｄｐ＝２Ｄａとし、膜厚Ｄｒ＝Ｄｂとした場合、Ｌｑ区間のうちＬｓ区間は２Ｖａの波形が検出され、Ｌｔ区間では（Ｖａ＋Ｖｂ）と−（Ｖａ＋Ｖｂ）の波形、Ｌｕ区間では−２Ｖａの波形が検出される。
一方、Ｌｒ区間においては、Ｖａと−Ｖａの波形が検出される。
【００３２】
次に、図６の実施例３の検出信号波形は、図２１（ａ）（ｂ）の波形として検出される。
この実施例３は、強磁性体膜４を用いた一層構成による単純な構成で実現するもので、予め定められた一定のパターンのみで検出しようというものである。
図６（ａ）の構成例においては、例えば、Ｄｌ＝Ｄｂ，Ｄｋ＝Ｄｌ／２とした場合、検出波形は図２１（ａ）として検出される。Ｌｈ区間においては、Ｖｂと−Ｖｂとなって検出され、Ｌｉ区間においてはＶｂ／２と−Ｖｂ／２の波形となって検出される。
図６（ｂ）の構成例においては、例えばＤｔ＝Ｄｂ，Ｄｓ＝Ｄｔ／２，Ｄｕ＝１．５Ｄｂとした場合、検出波形は図２１（ｂ）として検出される。ＬｖおよびＬｘ区間においては、Ｖｂと−Ｖｂの波形、Ｌｗ区間においては、１．５Ｖｂと−１．５Ｖｂの波形、Ｌｙ区間においては、Ｖｂ／２と−Ｖｂ／２の波形が検出される。
【００３３】
以上、図４（ａ）〜（ｅ）に示す実施例１の構成例においては、図１９（ａ）〜（ｄ）に示すように、いずれも強磁性体膜３又は４によって磁気パターン化されている。
このため例えば図４（ａ）において区間Ｌａにパンチ穴１０が形成され、この部分を他の担体カードから切り取って埋め込んでも、磁気パターンの異なる膜は、図１９（ａ）の区間Ｌａの出力信号波形とは異なる波形となって検出されるため変造カードであることを極めて容易に判別することができる。
すなわち、あけられた穴部の特殊な磁気パターンが判らない限り、その穴に同じパターンの膜を埋め込むことは不可能であり、変造することは極めて困難となる。また、仮に、磁気パターンが何らかの理由で知られた場合でも、他のカードから同じ特殊パターンの一部を取りかつそれをパターンを一致させて埋め込むことは、これも極めて困難であり、いずれにしても本発明の記録媒体はセキュリティ性が十分なカードとして実現することができる。
なお、図４（ｂ）〜（ｅ）の例についても同様に変造の検出が容易に行える。
【００３４】
また、図５（ａ）〜（ｆ）に示す実施例２の構成例の場合には、特殊な磁気パターンを形成する他に、強磁性体膜３または４およびその両方の厚みの変化を利用してそれぞれの膜を形成するものであるため、実施例１よりも更に変造検出精度の向上した実施例である。
例えば、図５（ｃ）において区間Ｌｉにパンチ穴１０が形成され、この部分を他の担体カードから切り取って埋め込んでも、磁気パターンの異なる膜は図２０（ｂ）の区間Ｌｉの出力信号波形とは異なる波形となって検出されるため変造カードであることを高精度で容易に判別することが可能である。
なお、同様に図５（ａ），（ｂ），（ｄ）〜（ｆ）の変造検出も容易である。
更に、図６（ａ），（ｂ）に示す実施例３の構成例の場合には、一種類の強磁性体膜４を用いて、特殊な磁気パターンを形成するとともに、その膜厚の変化を組み合わせて、簡易な構成でかつ高精度で変造が検出できるようにしている。
例えば、図６（ｂ）において、区間Ｌｕにパンチ穴１０が形成され、この部分を他の担体カードから切り取って埋め込んでも、磁気パターンの異なる膜は図２１（ｂ）の区間Ｌｖと出力信号波形とは異なる波形となって検出される。このため、簡易な構成であっても高精度で変造を判別することができる。
以上、各実施例１乃至３におけるいずれの場合においても、変造は極めて困難であり、本発明記録媒体によれば確実に変造を検出することができる。
【００３５】
〔比較例〕
次に、本発明の実施例１乃至実施例３と比較して、図２２（ａ）〜（ｅ）に示す例はどのような検出信号波形となるかについて図２３（ａ）〜（ｄ）に基づいて説明する。
図２２（ａ）の場合、樹脂基板１上に１種類の強磁性体膜３が全面に均一に形成されている。この場合には図２３（ａ）に示すように、検出信号波形は一様に波高値：Ｖａ，−Ｖａの三角波であれば三角波の繰り返し出力又はパルス波であればパルス波の繰り返し出力となって取り出される。
従って、例えば区間Ｌａにパンチ穴１０が形成され、使用度数が検出される場合、この穴を他の同様な担体カードの同様な部分を切り取って、貼り合わせたり埋め込んだりした場合、固有の磁気パターンを有していないため、正規のカードと同様に波形が検出されるので変造が可能である。
図２２（ｂ）の例は、樹脂基板１の表裏に強磁性体膜３および４を全面に均一にそれぞれ形成されている。この場合には図２３（ｂ）に示すように、検出信号波形は一様に波高値：（Ｖａ＋Ｖｂ），−（Ｖａ＋Ｖｂ）の繰り返し出力となって検出される。
従って、この場合も例えば区間Ｌａにパンチ穴１０が形成された場合、固有な磁気パターンを有していないため、図２２（ａ）と同様にして切り貼りによる変造が可能である。
図２２（ｃ）の例は、樹脂基板１上の区間Ｌａに１種類の強磁性体膜３を一定のパターンを有して形成され、それ以外の区間ｘには強磁性体膜３又は４は存在していない。この場合には、図２３（ｃ）に示すように、区間Ｌａの検出信号波形は波高値：Ｖａ，−Ｖａの出力となって検出され、区間ｘの検出信号波形は何も出力されない。
従って、強磁性体膜３または４が存在しない領域ｘの位置にパンチ穴１０があいた場合、この区間ｘでは磁気的な検出ができない区間であるため磁気的に穴を読み取れず、この穴を他の同様な担体カードの樹脂基板１を切り取って塞げば、変造が可能となってしまう。
【００３６】
図２２（ｄ）の例は、樹脂基板１の区間Ｌａに図２２（ｃ）と同様に１種類の強磁性体膜３をパターン化して形成され、その上を金属層２で覆った構成となっている。この場合には、図２３（ｃ）と同様に検出信号波形が取り出される。
従って、この場合も図２２（ｃ）の例と全く同様に変造が可能となってしまう。
図２２（ｅ）の例は、樹脂基板１の表側の区間Ｌａに強磁性体膜３が一定のパターンを有して形成され、それ以外の区間には強磁性体膜３が存在しない構成となり、裏側の区間Ｌｅに強磁性体膜４を一定のパターンを有して形成され、それ以外の区間は強磁性体膜３，４が存在しない構成となっている。
この場合の検出信号波形は、図２３（ｄ）に示すように区間Ｌａでは、波高値：Ｖａ，−Ｖａが検出され、区間ｌｅでは波高値：Ｖｂ，−Ｖｂが検出される。一方区間ｚにおいては、表裏ともに強磁性体膜３，４が存在しないため検出信号波形は何も出力されない。
従って、強磁性体膜３又は４が存在しない領域ｚの位置にパンチ穴があいた場合、この区間ｚは磁気的な検出ができない区間であるため磁気的に穴を読み取れず、この穴を他の同様な担体カードの樹脂基板１を切り取って塞げば、変造が可能となる。
以上説明したように、強磁性体膜３又は４が存在しない場合、磁気パターン化されていない場合には変造され易いが、本発明はそれらが用いられ更に組み合わせられているので変造が困難である。
【００３７】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明は、プリペイドカードや証券類の偽造を防ぐために、異なった磁気特性の磁性膜を交互に形成あるいは、厚みを変えて磁気パターンを予め書き込んである偽造防止磁性体膜をある領域に貼り付け、用いるカード類の種別パターンと使用素材の正真性を検出することで簡単にかつ安全性の高い情報記録媒体を提供できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いる偽造防止用磁性体膜の拡大斜視図（ａ）と一部断面図（ｂ）である。
【図２】本発明による偽造防止用磁性体膜を貼り付けたカードの一部を除去した斜視図（ａ）と一部断面図（ｂ）である。
【図３】本発明を証券類に適用した実施例を示す斜視図である。
【図４】実施例１による偽造防止用磁性体膜の構造例を示す断面図（ａ）〜（ｅ）である。
【図５】実施例２による偽造防止用磁性体膜の構造例を示す断面図（ａ）〜（ｆ）である。
【図６】実施例３による偽造防止用磁性体膜の構造例を示す断面図（ａ）（ｂ）である。
【図７】本発明による偽造防止用磁性膜を対象とする装置例の検知回路部の具体例を示す接続構成図である。
【図８】図７の具体例に用いられる第１，第２，第３の磁気センサの構成と動作を説明するための側面略図（ａ）（ｂ）（ｃ）である。
【図９】本発明による偽造防止用磁性膜を対象とする真偽判定装置例における判別回路部の具体例を示すブロック図である。
【図１０】図９におけるパンチ穴位置判別回路の具体例を示すブロック図（ｂ）とその動作を説明するための波形図（ａ）である。
【図１１】図９における磁気特性判別回路の動作を説明するための波形図（ａ）とスペクトラム特性図（ｂ）である。
【図１２】図９における磁気特性判別回路の構成例を示すブロック図である。
【図１３】図９におけるパターン情報読み出し回路の動作を説明するための波形図（ａ）（ｂ）である。
【図１４】図９におけるパターン情報読み出し回路の構成例を示すブロック図である。
【図１５】図９におけるカード種別判別回路の構成例を示すブロック図である。
【図１６】図９におけるパンチ穴位置判別回路の構成例を示すブロック図である。
【図１７】本発明による真偽防止用磁性膜の検知回路部の他の具体例を示す接続構成図である。
【図１８】図４に示す偽造防止用磁性膜からの検知出力例を説明するための波形図（ａ）（ｂ）（ｃ）である。
【図１９】図４に示す偽造防止用磁性膜からの検知出力例を示す波形図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）である。
【図２０】図５に示す偽造防止用磁性膜からの検知出力例を示す波形図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）である。
【図２１】図６に示す偽造防止用磁性膜からの検知出力例を示す波形図（ａ）（ｂ）である。
【図２２】比較例による偽造防止用磁性体膜の構造例を示す断面図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）である。
【図２３】図２２に示す比較例からの検知出力を示す波形図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）である。
【図２４】従来の記録担体カードの構造例を示す平面模式図（ａ）と断面図（ｂ）（ｃ）である。
【符号の説明】
１ 樹脂基板
２ 金属層
３ 強磁性体膜
４ 強磁性体膜
５ 接着材
６ カード基板
７ 第一の記録領域
８ 本発明による偽造防止用磁性体膜（第二の記録領域）
９ 印刷層
１０ パンチ穴
１１ 磁気パターン
１２ 従来技術による強磁性体膜を含む第二の記録領域
１３−１ 第一の磁気センサ
１３−２ 第二の磁気センサ
１３−３ 第三の磁気センサ
１４ 直流電源
１５ 交流電源
１６ 記録媒体駆動装置
１７ａ，１７ｂ，１７ｃ 信号増幅器
１８ 情報読み取り回路
１９ パンチ穴検出回路
１９−１ カウンタ回路
１９−２ バッファ回路
２０ 磁気特性判別回路
２０−１，２０−２，…２０−Ｎ バンドパスフィルタ
２０−１１，２０−１２，…，２０−１Ｎ，２０−２１，２０−２２，…２０−２Ｎ レベル判定回路
２０−３１，２０−３２ 一致回路
２１ パターン情報読み出し回路
２１−１ カウンタ回路
２１−２，２１−３，２１−４ バッファ回路
２２ カード種別判別回路
２２−１ カード種別判別情報レジスタ
２２−２ パターン情報レジスタ
２２−３ 一致回路
２３ パンチ穴位置判別回路
２３−１ パンチ穴位置管理情報レジスタ
２３−２ パンチ穴検出情報レジスタ
２３−３ 一致回路
２４ その他カード情報判別回路
２５ マイクロコンピュータシステム
２６ 安全保護紙
Ａ 記録担体カード
３６ カード基板
３７ 第一の記録領域
３８ アモルファス強磁性体層
３９ 印刷層
４０ バンチ穴
４１ セキュリティコード
４２ 第二記録領域

Claims (5)

1. 樹脂基板上に、管理対象情報が記録された第一の磁気記録領域と、セキュリティコードが記録されると共にパンチ穴をあける予定の第二の磁気記録領域とを備えた記録媒体において、
   前記第二の磁気記録領域に第一のアモルファス強磁性体膜と第二のアモルファス強磁性体膜との二種類のアモルファス強磁性体膜とが前記樹脂基板の面に沿う方向に配置されるように形成され、
   前記第一のアモルファス強磁性体膜は連続して形成されると共に一定周期の間隔で、前記樹脂基板の面から当該第一のアモルファス強磁性体膜の表面までの厚みが異なるように形成され、
   前記第二のアモルファス強磁性体膜は前記樹脂基板の面に交叉する方向において前記第一のアモルファス強磁性体膜と重なるように連続又は前記一定周期に対応する所定の間隔で形成されていることを特徴とするアモルファス強磁性体膜を有する記録媒体。
2. 前記第一のアモルファス強磁性体膜と前記第二のアモルファス強磁性体膜とは、前記樹脂基板の同一面に重畳されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載のアモルファス強磁性体膜を有する記録媒体。
3. 前記第一のアモルファス強磁性体膜と前記第二のアモルファス強磁性体膜とは、前記樹脂基板を挟んで互いに対面する位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のアモルファス強磁性体膜を有する記録媒体。
4. 前記連続で形成される第二のアモルファス強磁性体膜は、一定周期の間隔で異なる膜厚で形成されていることを特徴とする請求項１，２又は３に記載のアモルファス強磁性体膜を有する記録媒体。
5. 前記所定の間隔で形成される第二のアモルファス強磁性体膜は、前記第一のアモルファス強磁性体膜の膜厚の厚い箇所の内部に埋め込み配置されていることを特徴とする請求項１に記載のアモルファス強磁性体膜を有する記録媒体。

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