JP4113545B2 - カーボンナノチューブの形成装置及び方法 - Google Patents
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Description
高アスペクト比の溝構造において、実質的に底部のみにパーティクルを堆積するには、図1に示すように、進行方向の揃ったパーティクル1を高アスペクト比の溝構造2の底部3に導くようにすれば良い。そのためには、1)パーティクルの方向を予め高指向性に揃えたパーティクルビームを形成すること、2)気体分子の衝突によるパーティクルの方向の攪乱(即ち拡散)を最小限にすること、が必要である。
この堆積装置は、パーティクルを生成する発生手段11と、生成されたパーティクルを荷電する荷電手段12と、パーティクルを所定サイズのものに分級する分級手段13と、パーティクルビームの照射及びパーティクルの堆積が実行される堆積チャンバー14とを備えて構成される。
パーティクル及び基板の表面状態を制御した状況下においてカーボンナノチューブを形成するには、触媒となるパーティクルの生成を真空下又は不活性ガスの環境下で行い、このパーティクルを同様の環境下で溶媒を用いずに基板に堆積して、カーボンナノチューブの成長を行うようにすれば良い。即ち、パーティクルの生成、パーティクルの基板上への堆積、及びカーボンナノチューブの成長からなる一連のステップを、外気から遮断された所定雰囲気の環境内で連続して実行することが好適である。
この形成装置は、触媒となるパーティクルを生成するパーティクル発生手段21と、生成されたパーティクルを所望の粒径に分級する分級手段(分級器)22と、パーティクルを基板20上に堆積させるパーティクル堆積手段(デポジションチャンバー)23と、堆積したパーティクルを触媒としてカーボンナノチューブを生成するチューブ生成手段(CVDチャンバー)24とを含み、パーティクルの生成からカーボンナノチューブの生成までの一連のプロセスを外気から遮断された所定雰囲気の環境内で連続して実行するように構成されている。
以下、本発明を適用したパーティクルの形成装置及びこれを用いた形成方法、並びにカーボンナノチューブの形成装置及びこれを用いた形成方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
本実施形態では、高アスペクト比の溝構造、例えば半導体配線のビア孔において、実質的に底部のみにパーティクルを堆積するための堆積装置及び方法、更には堆積したパーティクルを触媒としてカーボンナノチューブの成長するための方法について説明する。
図5は、実施形態1によるパーティクル堆積装置の概略構成を示す模式図である。触媒パーティクルとしてはNi,Fe,Co等が好適であり、ここでは、Niパーティクルを用いる。
本実施形態では、レーザアブレーションを利用してパーティクルを発生する。圧力3×103Pa程度とされたパーティクル発生チャンバー101に載置されたNi基板100は、パルスレーザ102(例えば、繰り返し周波数20HzのNd:YAGレーザ2倍波)から発生されたビームによって叩かれ、蒸気を発生する。この蒸気は、キャリアガス、ここでは、純度99.99995%程度とされた1SLPM(1スタンダードリッター毎分)の流量のHeにより冷却され、核凝縮によりNiパーティクル(ナノパーティクル)を発生する。
図7は、カーボンナノチューブ形成のプロセスを示すフローチャートであり、図8は、基板のビア孔にカーボンナノチューブが形成される様子を示す概略断面図である。
ここで、実施形態1の変形例について説明する。
図9は、本変形例によるパーティクル堆積装置の微粒子ビーム照射手段のみを示す模式図である。
本実施形態では、パーティクルの堆積状態及び基板の表面状態が制御された状況下においてカーボンナノチューブを生成するための形成装置及び方法について説明する。
本実施形態では、レーザアブレーションを利用してパーティクルを発生する。圧力3×103Pa程度とされたパーティクル発生チャンバー201に載置されたNi基板200は、パルスレーザ202(例えば、繰り返し周波数20HzのNd:YAGレーザ2倍波)から発生されたビームによって叩かれ、蒸気を発生する。この蒸気は、キャリアガス、ここでは、純度99.99995%程度とされた1SLPM(1スタンダードリッター毎分)の流量のHeにより冷却され、核凝縮によりNiパーティクル(ナノパーティクル)を発生する。
真空下において、粒径を揃えた前記微粒子からなる微粒子ビームを被照射対象に照射し、前記被照射対象に形成された前記溝構造の底部に前記微粒子を堆積させることを特徴とする微粒子の堆積方法。
生成された前記微粒子を所望の粒径に分級するステップと、
真空下において、粒径を揃えた前記微粒子からなる微粒子ビームを被照射対象に照射するステップと
を含むことを特徴とする微粒子の堆積方法。
生成された前記微粒子を所望の粒径に分級する分級手段と、
真空下において、粒径を揃えた前記微粒子からなる微粒子ビームを被照射対象に照射する微粒子ビーム照射手段と
を含むことを特徴とする微粒子の堆積装置。
堆積した前記触媒微粒子を触媒として、前記底部からカーボンナノチューブを生成することを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。
生成された前記触媒微粒子を所望の粒径に分級するステップと、
真空下において、粒径を揃えた前記触媒微粒子からなる微粒子ビームを被照射対象に照射し、前記被照射対象に形成された溝構造の底部に前記触媒微粒子を堆積させるステップと、
堆積した前記触媒微粒子を触媒として、前記底部からカーボンナノチューブを生成するステップと
を含むことを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。
生成された触媒微粒子を基板上に堆積させるステップと、
堆積した前記触媒微粒子を触媒としてカーボンナノチューブを生成するステップと
を含み、
一連の前記各ステップを、外気から遮断された所定雰囲気の環境内で連続して実行することを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。
真空下において、前記触媒微粒子からなる微粒子ビームを照射することを特徴とする付記19〜25のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
生成された触媒微粒子を基板上に堆積させる微粒子堆積手段と、
堆積した前記触媒微粒子を触媒としてカーボンナノチューブを生成するチューブ生成手段と、
を含み、
前記触媒微粒子の生成から前記カーボンナノチューブの生成までの一連のプロセスを外気から遮断された所定雰囲気の環境内で連続して実行するように構成されてなることを特徴とするカーボンナノチューブの形成装置。
2 溝構造
3 底部
11,21 パーティクル発生手段
12 荷電手段
13,22 分級手段
14 堆積チャンバー
15 真空部
16 ノズル
17 高真空部
18 パーティクル収束部
18a 静電レンズ
19,111 可動ステージ
10,20,110 基板
23 パーティクル堆積手段(デポジションチャンバー)
24 カーボンナノチューブ生成手段
31 生成チャンバー
32,102,202 Nd:YAGパルスレーザ
33,103,203 電気炉
34,104,204 荷電器
100,200 Ni基板
101,201 パーティクル発生チャンバー
105,205 微分式移動度測定器(DMA)
106,122,124 オリフィス(ノズル)
107,108,123 真空室
125 高真空室
109 静電レンズ系
112 レジストパターン
113 ビア孔
113a 底部
114 Niパーティクル
115 カーボンナノチューブ
116 プラグ
121 エアロダイナミックレンズ
206 デポジションチャンバー
207 トランスファーチャンバー
208 CVDチャンバー
Claims (10)
- 触媒微粒子を生成するステップと、
真空下において、粒径を1nm〜10nmに揃えた前記触媒微粒子からなる微粒子ビームを、前記触媒微粒子の飛行距離が前記触媒微粒子の平均自由行程以下の距離となる状態で、基板における深さ/幅が1/1以上である溝構造に照射し、前記溝構造の底部に前記触媒微粒子を堆積させるステップと、
堆積した前記触媒微粒子を触媒としてカーボンナノチューブを生成するステップと
を含み、
一連の前記各ステップを、外気から遮断されてなる一体化された装置構成内において、所定雰囲気の環境内で連続して実行することを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。 - 前記触媒微粒子を生成した後、前記触媒微粒子を堆積させる前に、前記触媒微粒子を幾何標準偏差1.2又はそれ以下の粒径に分級するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記触媒微粒子の分級の前又は後に、当該触媒微粒子とは異なる物質で当該触媒微粒子を被覆することを特徴とする請求項1又は2に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記触媒微粒子を荷電し、電場により前記基板に堆積することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記触媒微粒子を堆積させるに際して、
真空下において、前記触媒微粒子からなる微粒子ビームを照射することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブの形成方法。 - 真空下において、粒径を揃えた前記触媒微粒子からなる微粒子ビームを被照射対象に照射し、前記被照射対象に形成された溝構造の底部に前記触媒微粒子を堆積させることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 触媒微粒子を生成する微粒子生成手段と、
生成された触媒微粒子を基板上に堆積させる微粒子堆積手段と、
堆積した前記触媒微粒子を触媒としてカーボンナノチューブを生成するチューブ生成手段と
を含み、
前記微粒子堆積手段の第1のチャンバーと、前記チューブ生成手段の第2のチャンバーとが、前記第1のチャンバーと前記第2のチャンバーとの間で前記基板を移動させるための第3のチャンバーを介して接続され、前記微粒子生成手段、前記微粒子堆積手段、及び前記チューブ生成手段は、外気から遮断されてなる一体化された装置構成とされており、
前記触媒微粒子の生成から前記カーボンナノチューブの生成までの一連のプロセスを外気から遮断された所定雰囲気の環境内で連続して実行するように構成されてなることを特徴とするカーボンナノチューブの形成装置。 - 前記触媒微粒子を生成した後、前記触媒微粒子を堆積させる前に、前記触媒微粒子を幾何標準偏差1.2又はそれ以下の粒径に分級する分級手段を含むことを特徴とする請求項7に記載のカーボンナノチューブの形成装置。
- 前記分級手段は、その慣性の相違により分級することを特徴とする請求項8に記載のカーボンナノチューブの形成装置。
- 前記微粒子堆積手段は、真空下において、粒径を揃えた前記微粒子からなる微粒子ビームを被照射対象に照射するものであることを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブの形成装置。
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