KR100948193B1 - 인듐 나노와이어의 성장 방법 - Google Patents

인듐 나노와이어의 성장 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 목적은 공정이 간단하고, 에너지 소모량이 감소되며, 넓은 영역 및 특정 모양의 영역에서 나노와이어의 성장이 가능하고, 나노와이어의 길이, 직경, 나노와이어의 분포 밀도, 나노와이어의 성장 속도 등의 조절이 가능한 인듐 나노와이어의 성장 방법을 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는, InGaN 기판을 준비하는 단계(a); 및 고진공 조건 하에서 상기 InGaN 기판 상의 소정의 위치에 집속 이온빔을 소정 시간 조사하여 상기 InGaN 기판 상의 집속 이온빔이 조사된 위치에서 인듐 나노와이어를 성장시키는 단계(b)를 포함하는 인듐 나노와이어의 제조 방법을 제공한다.
인듐 나노 와이어, GaN, InGaN, 이온빔

Description

인듐 나노와이어의 성장 방법{Method for growing indium nanowire}
본 발명은 인듐 나노와이어의 성장 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정이 간단하고, 에너지 소모량이 감소되며, 넓은 영역 및 특정 모양의 영역에서 나노와이어의 성장이 가능하고, 나노와이어의 길이, 직경, 나노와이어의 분포 밀도, 나노와이어의 성장 속도 등의 조절이 가능한 인듐 나노와이어의 성장 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 나노(nm=10-9m) 사이즈의 물질은 그 형상에 따라 동일 물질임에도 화학적, 물리적으로 상이한 특성을 가진다. 일차원적 구조의 나노와이어는 나노크기의 직경을 가지고, 길이가 직경에 비하여 훨씬 큰 수백 나노미터에서 마이크로미터(㎛=10-6m), 혹은 더 큰 단위의 미리미터(mm=10-3m)까지의 구조를 갖는 선형성의 특징을 갖는 재료이다. 이러한 나노와이어는 직경과 길이에 따라 의존적인 물성을 보이며, 많은 연구들이 이루어진 나노 입자(nano-particle)에 비하여 그 제조방법이나 물성에 대한 연구가 상당히 미비한 실정이다. 기존의 나노와이어의 성장에 있어서 주요한 방법으로는 주형을 이용하는 방법이나 화학기상증착법(CVD) 등이 있다.
이중에서 주형을 이용하는 방법은 수 나노미터에서 수백 나노미터 단위의 공극을 형성한 주형을 나노와이어의 틀로 이용하여 성장하는 방법이다. 예를 들어, 알루미늄 전극의 표면을 산화시킨 후, 그 표면을 전기 화학적으로 에칭시켜 나노 크기의 공극을 가진 주형을 만든다. 이 주형을 금속 이온이 들어있는 용액에 담가 전기를 걸어주면, 나노 크기의 공극에 금속이온들이 채워지면서 결정을 형성하게 되고, 이때 주형을 적당한 방법으로 제거함으로써, 금속의 나노와이어를 얻을 수 있다. 그러나, 이 방법은 복잡한 공정과, 와이어의 성장 시간이 너무 느리다는 큰 단점을 안고 있다. 또한, 주형의 나노 공극의 깊이와 직경이 최종적으로 제조되는 나노와이어의 길이와 직경에 크게 의존하기 때문에, 주형을 만드는 기술이 뒷받침되지 않을 경우, 매우 길이가 길고 직경이 작은 나노와이어의 성장은 불가능하다.
또 다른 방법으로 화학기상증착법은 원하는 물질을 포함하는 원료 가스를 반응기 안으로 주입하고, 이를 열이나 플라즈마 등의 에너지원을 이용하여 분해시키면, 원하는 물질이 기판 위에 증착되면서 나노와이어를 성장하게 하는 방법이다. 이 방법은 특정 기판 위에, 촉매로서 사용할 수 있는 금속들을 나노단위의 입자 상태로 분산시킨 후, 고온이나 플라즈마 등의 에너지원을 이용하여 원하는 물질을 포함하는 원료 가스를 기판 위에서 분해시켜, 촉매 역할의 금속 입자를 나노와이어의 생성 모핵으로 하여 나노와이어를 성장시키는 방법이다. 이 방법은 여러 가지 반도체 물질의 나노와이어를 성장시키는 방법으로 널리 이용되고 있다. 그러나, 이 방법의 경우, 성장 조건을 잡기가 까다롭고 고온의 공정을 위한 특별한 반응기가 필요하며 선택적인 영역에서의 나노와이어의 성장이 힘들다는 단점이 있다.
이러한 종래의 방법 외에 집속 이온빔을 이용한 나노와이어의 성장 방법이 최근에 Lugstein 등에 의해 발표된 바 있다("Synthesis of nanowires in room temperature ambient: A focused ion beam approach", Lugstein A., Bernardi J., Tomastic C., Bertagonolli E., 2006 Applied Physics Letter 88 163114). 이 방법에서는 특정 기판 위에 촉매 시드(catalyst seed)를 배열하고 그 기판 위에 매우 높은 전류와 전압 조건의 집속이온빔을 이용하여 큰 구멍을 뚫었을 때, 뚫린 구멍의 주변부에 그 기판 물질의 나노사이즈의 선형 구조가 부산물의 형태로 형성이 된다.
그러나, 이 방법에 의하여 성장된 나노와이어는 그 형상이 직선적이지 않은 스파게티 형상의 구불구불한 형상을 보이며, 나노와이어의 길이도 수백 나노미터 정도의 한계를 가진다. 따라서, 나노와이어의 밀도, 와이어의 직경 및 길이에 대한 조절이 어렵다. 또한, 높은 전류와 전압을 사용한 집속 이온빔을 사용하기 때문에 기판이 크게 손상을 받고 큰 구멍이 기판에 남아 있게 되는 등의 이용상의 한계를 가지게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 가지 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 공정이 간단하고, 에너지 소모량이 감소되며, 넓은 영역 및 특정 모양의 영역에서 나노와이어의 성장이 가능하고, 나노와이어의 길이, 직경, 나노와이어의 분포 밀도, 나노와이어의 성장 속도 등의 조절이 가능한 인듐 나노와이어의 성장 방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 본 발명의 목적은, InGaN 기판을 준비하는 단계(a); 및 고진공 조건 하에서 상기 InGaN 기판 상의 소정의 위치에 집속 이온빔을 소정 시간 조사하여 상기 InGaN 기판 상의 집속 이온빔이 조사된 위치에서 인듐 나노와이어를 성장시키는 단계(b)를 포함하는 인듐 나노와이어의 제조 방법을 제공함으로써 달성된다.
여기서, 상기 InGaN 기판을 준비하는 단계(a)는 유기금속화학기상증착법을 이용하여 InGaN를 에피택시의 방법으로 증착하여 InGaN 기판을 준비하는 것일 수 있다.
여기서, 상기 단계(b)에서의 집속 이온빔의 조사는 FIB/SEM 듀얼 빔 장치를 이용하여 행해지는 것일 수 있다.
여기서, 상기 집속 이온빔(focused ion beam)이 가해질 때의 나노와이어의 성장 조건은 압력 범위가 3.75 x 10-5Pa 내지 2.75 x 10-3 Pa일 수 있다.
여기서, 상기 집속 이온빔(focused ion beam)이 가해질 때의 나노와이어의 성장 조건은 전압 범위가 5.0kV 내지 30kV일 수 있다.
여기서, 상기 집속 이온빔(focused ion beam)이 가해질 때의 나노와이어의 성장 조건은 전류 범위가 3pA 내지 1nA일 수 있다.
여기서, 상기 단계(b)는 집속 이온빔을 가할 때 가속 전압의 크기를 조절하여 성장되는 나노와이어의 분포 밀도, 성장 길이 및 직경을 조절하는 것일 수 있다.
여기서, 특정 영역에 걸쳐 나노와이어가 성장되도록 하기 위해 InGaN 기판이 놓인 스테이지를 이송한 후 다른 영역에 대해 상기 단계(b)를 반복적으로 수행하도록 할 수 있다.
여기서, 집속 이온빔이 조사되는 영역에 미리 집속 이온빔 차단 층을 형성하여 집속 이온빔 차단층이 형성되지 않은 영역에만 나노와이어가 성장되도록 할 수 있다.
본 발명의 집속 이온빔을 이용한 인듐 나노와이어의 성장 방법에 의하면, 공정이 간단하고, 에너지 소모량이 감소되며, 넓은 영역 및 특정 모양의 영역에서 나노와이어의 성장이 가능하고, 나노와이어의 길이, 직경, 나노와이어의 분포 밀도, 나노와이어의 성장 속도 등의 조절이 가능하다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명한다.
본 발명은 집속 이온빔을 InGaN 박막에 조사하여 인듐 나노와이어를 성장시키는 방법에 관한 것으로, 유기금속화학기상증착법(MOCVD)을 이용하여 성장시킨 InGaN 박막을 매개체로 하여, 집속 이온빔을 조사시켰을 때 국소적으로 성장 조절이 가능한 고속의 인듐 나노와이어의 성장 방법에 관한 것이다.
도 1a 내지 도 1c에는 본 발명에 따른 인듐 나노와이어의 성장 방법의 구성 단계를 개략적으로 보여주는 도면이 도시되어 있다.
본 발명에 따른 인듐 나노와이어의 성장 방법은 다음과 같은 단계로 이루어진다.
먼저, 도 1a에 도시된 것과 같은 InGaN 기판(10)을 준비한다. InGaN 기판은 유기금속화학기상증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition : MOCVD)을 이용하여 InGaN를 에피택시(epitaxy)의 방법으로 증착하여 제조한다. GaN 기판을 이용하여 600℃ 이상의 고온의 조건에서, 갈륨과 인듐을 포함하는 기상의 원료 가스를 반응기에 불어넣어, 인듐의 함량이 많은 InGaN를 에피택시의 방법으로 GaN 기판 위에 박막의 형태로 증착을 시킨다. 보다 상세히 설명하면, 상기 원료 가스는, 트리메틸갈륨(Trimethylgallium: TMGa)을 1sccm(standard cubic centimeter per minute) 내지 10sccm, 그리고 트리메틸인듐(Trimethylindium: TMIn)을 200sccm 내 지 350sccm, 암모니아(NH3)를 1slm(standard liter per minute) 내지 10slm 범위로 포함한다. TMGa/TMIn의 비율은 평평한 박막을 성장시키기 위해서 위의 조건 이내에서 조절된다. 이러한 원료 가스의 공급 유량 조건에서 성장온도를 변화시킴에 따라 GaN 기판 위에 성장되는 InGaN 박막의 In의 조성이 변화한다. 성장 온도에 따른 InGaN 기판에서 표면의 박막 중의 In의 조성 비율은, 650℃에서 80 at.%(atomic %) 정도이고, 700℃에서는 50 at.% 정도이며, 750℃에서는 20 at.% 내지 30 at.% 정도이다. 본 발명의 인듐 나노 와이어 성장 방법에 사용되는 InGaN 기판에서 표면의 박막 중의 In의 조성 비율은 20.0 at.% 내지 90.0 at.%의 범위이면 된다. In 20.0 at.% 이상의 InGaN 박막에 집속이온빔을 조사하였을 시 인듐 나노 와이어가 성장하기 시작하며, 90 at.% 이상에서는 인듐 나노 와이어의 성장이 단시간에 이루어지지 않을 수도 있다.
여기서 InGaN 기판(10)은 "기판"이라고 지칭하고 있기는 하나 별도의 기판 상에 형성된 InGaN 박막층인 경우도 본 발명에서 지칭하는 InGaN 기판에 포함되는 것이다. 한편, 본 발명과 관련된 InGaN 기판은 LED(발광 다이오드) 소자를 제조할 때 사용될 수 있다.
그 다음, 도 1a에 도시된 것과 같이, 고진공 조건 하에서 상기 InGaN 기판 상면(10a)의 소정의 위치(10b)에 집속 이온빔(Focused Ion Beam: FIB)(20)을 조사하면 상기 InGaN 기판 상의 집속 이온빔이 조사된 위치에서 도 1b에 도시된 것과 같이, 다수의 인듐 나노와이어(30)가 성장된다. 도 1c는 도 1b의 V 부분에 대한 SEM 이미지이다. FIB의 조사는 FIB/SEM 듀얼 빔(Focused Ion Beam/Scanning Electron Microscopy Dual Beam) 장치를 이용하여 행할 수 있고, 동시에 SEM을 통하여 시편의 위치 및 상태를 확인하면서 집속 이온빔의 특정 성장 조건으로 조정하여 기판에 조사할 수 있다.
도 2a 내지 도 2d에는 위에서 설명한 본 발명에 따른 인듐 나노 와이어의 성장 방법을 사용하여 인듐 나노 와이어를 InGaN 기판 상에 성장 시키는 과정을 시간 순서에 따라 보여주는 SEM 이미지들이 도시되어 있다. 도 2a 내지 도 2d에 도시된 SEM 이미지 상의 인듐 나노 와이어의 성장 실험에서 사용된 조건은 다음과 같다.
압력 범위 : 3.75 x 10-5Pa 내지 2.75 x 10-3 Pa
전압 범위 : 5.0kV 내지 30kV
전류 범위 : 3pA 내지 1nA
작업 거리(working distance) : 전자빔 5mm, 집속이온빔 : 19.5 mm
여기서, 작업 거리는 나노와이어의 성장이 이루어지는 진공 챔버 내에서 기판 표면과 집속 이온빔 건(gun)의 빔이 출사되는 지점 사이의 거리를 의미한다.
위의 조건은 본 발명에 따른 인듐 나노 와이어의 성장 방법이 위 조건 범위에서 제한되는 것을 의미하는 것이 아니고, 단지 도 2a 내지 도 2d에 도시된 SEM 이미지 상의 인듐 나노 와이어를 성장시킬 때 사용한 조건을 언급한 것이다.
도 2a에 도시된 것과 같이 초기에는 InGaN 기판 상에 특별한 나노 구조가 형성되어 있을 것을 볼 수 없는 상태이다. 여기에 집속 이온빔을 가한 상태로 시간 이 지남에 따라 점차 인듐 나노와이어들이 성장되는 것을 볼 수 있다. 도 2b의 SEM 이미지는 50초 후의 상태를 보여주는 것이고, 도 2c의 SEM 이미지는 100초 후의 상태를 보여주는 것이며, 도 2d의 SEM 이미지는 200초 후의 상태를 보여주는 것이다. 기간을 더 오래 지속하면 더욱 길이가 긴 나노와이어의 성장이 가능하다.
위와 같은 방법으로 성장된 나노와이어를 분석한 이미지가 도 3a 내지 도 3d에 도시되어 있다. 도 3a는 인듐 나노와이어의 TEM(Transmission Electron Microscopy)분석을 위한 SEM 이미지이고, 도 3b는 나노와이어의 성장 방향을 보여주는 HRTEM(High Resolution Transmission Electron Microscopy) 이미지이며, 도 3c는 인듐 나노와이어의 바닥부분의 HVEM(High Voltage Transmission Electron Microscope) 이미지이고, 도 3d는 인듐 나노와이어의 EDS(Energy Dispersive x-ray Spectroscopy) 스펙트럼 이미지이다. 도 3a 내지 도 3d에 도시된 것과 같은 분석을 통해 나노와이어의 성분이 인듐(In)임을 확인할 수 있다.
이러한 인듐 나노와이어의 성장 원리는 다음과 같다.
InGaN 기판에 조사된 집속 이온빔은 InGaN를 InN와 GaN로 분해하고, InN 영역을 지속적으로 상분해시켜 인듐을 생성시킨다. 계속해서 InGaN 기판에 집속 이온빔을 조사하면 InGaN 기판에 스트레스가 축적되어, 스트레스에 의한 인듐의 마이그레이션(migration)과 확산(diffusion)을 촉진시키게 된다. 이렇게 생성된 인듐의 레저부아(reservoir)는 집속 이온빔의 축적에 의한 스트레스에 의해, 그리고 InN의 상분해로 생성된 인듐 자체의 증기압(vapor pressure)과 챔버 내의 고진공 상태의 압력과의 차이에 의해, 인듐을 기판 밖으로 분출시키게 되고 이에 따라 고 속으로 인듐 나노와이어를 성장이 가능하게 된다.
앞서 언급한 나노와이어 성장조건에 따라 성장되는 나노와이어의 길이와 직경이 달라질 수 있는데 이를 분석한 그래프가 도 4a 및 도 4b에 도시되어 있다. 도 4a는 가속 전압(accelerating voltage)에 따른 나노와이어의 길이 변화를 보여주는 그래프이고, 도 4b는 가속 전압에 따른 직경 변화를 보여주는 그래프이다.
즉, 집속 이온빔의 가속 전압에 따라 성장하는 인듐 나노와이어의 길이와 두께가 달라진다. 도 4a에 도시된 것과 같이 가속 전압이 높아짐에 따라 더 길이가 긴 인듐 나노와이어가 성장하게 되며, 도 4b에 도시된 것과 같이 가속 전압이 높아짐에 따라 더 직경이 굵은 인듐 나노와이어가 성장하는 경향을 알 수 있다.
한편, 스테이지 조정 및 집속 이온빔 조사영역의 패터닝을 통하여 특정 영역에 나노와이어를 성장시킬 수 있는데, 이에 대한 실험 결과가 도 5a 내지 도 5e에 도시되어 있다.
갈륨(Ga) 집속 이온빔을 조사시키는 동시에 시편 스테이지를 이동시킴으로써 이온빔 조사영역을 넓히게 되면, 도 5a에 도시된 것과 같이 넓은 영역에서 인듐 나노와이어를 성장시킬 수 있다. 도 5b는 도 5a에서 인듐 나노와이어가 성장된 부분의 확대도이다.
또한, 도 5c 및 도 5d에 도시된 것과 같이 집속 이온빔이 균일하게 조사하여지는 영역을 직사각형 영역이 되도록 하는 경우, 그 직사각형 영역 내에서 인듐 나노와이어가 성장하는 것을 볼 수 있다. 예를 들어, 직사각형 형상으로 인듐 나노 와이어가 성장되는 영역을 형성하는 방법으로, 미리 집속 이온빔을 차단할 수 있는 집속 이온빔 차단층을 패터닝하여 원하는 형상으로 형성하고, 그 위에 집속 이온빔을 가하는 경우 집속 이온빔 차단층이 형성되지 않은 부분만 나노와이어가 성장하도록 할 수 있다. 또는, 넓은 영역에 대해 나노와이어를 형성하고자 하는 경우에는 스테이지 또는 집속 이온빔을 가하는 수단을 이송하여 InGaN 기판 상에서 원하는 영역들에 나노와이어가 형성되도록 할 수 있다. 만일 집속 이온빔을 InGaN 기판 표면에 조사하는 과정에서 특정 패턴으로 시편 스테이지가 움직이도록 프로그래밍 하게 되면, 도 5a 내지 도 5d는 물론 다양한 패턴으로 나노와이어가 성장된 영역을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명을 이용하면 특정 모양의 패터닝과 집속 이온빔 조사 조건의 조절을 이용하여 특정 위치에 개개의 단일 나노와이어를 성장시키는 것이 가능하다. 예를 들어, 도 5e에 도시된 것과 같이, 십자 모양의 패터닝을 하고 집속 이온빔을 조사하면 특정 위치에서만 단일 인듐 나노와이어를 성장시킬 수 있다.
이상에서 설명한 것과 같이, 본 발명에 따른 인듐 나노와이어의 성장 방법에 의하면 상온상태에서 집속 이온빔을 InGaN 기판 위에 조사함으로써, 수십 나노 사이즈의 나노와이어를 수십 마이크로 이상의 직선형상으로 성장시킬 수 있다. 본 발명에 따른 인듐 나노와이어의 성장 방법은 기판의 준비 외에 필요한 공정이 거의 없고, 특히 별도의 촉매층이나 성장 핵을 형성하는 공정이 필요하지 않아서 공정이 극도로 단순화될 수 있으며, 낮은 전류 및 전압 조건을 이용한 저 에너지 상태에서, 기판의 데미지를 최소화하며 넓은 영역의 나노와이어의 성장을 가능하게 한다.
또한, 집속 이온빔 조사시, 기판을 움직여서 기판 위의 특정 패턴 형상의 영역에 나노와이어를 성장시킬 수 있으며, 또한 집속 이온빔 장비(FIB/SEM system)내에서 이온 건의 조사영역을 넓힐 수 있어, 넓은 영역에서의 나노와이어 성장 역시 가능한 방법이다.
더욱이, 집속 이온빔의 성장 조건의 조절로, 길이, 직경, 밀도의 조절이 가능하며, 성장속도의 조절도 가능하다. 본 발명에 따른 나노와이어 성장 방법을 통하여 제작된 나노와이어의 방법에 의한 나노와이어 길이 및 직경의 조절 예가 도 6a 및 도 6b에 도시되어 있다.
도 6a는 5kV의 가속 전압, 29pA의 전류, 이온 조사 배율(ion irradiation magnification) x5000, 전류 밀도(current density) 4000nA/cm2의 조건으로 인듐 나노와이어를 성장시킨 경우이고, 도 6b는 30kV의 가속 전압, 1nA의 전류, 이온 조사 배율 x138, 전류 밀도 125nA/cm2의 조건으로 인듐 나노와이어를 성장시킨 경우이다. 이와 같은 실험 결과를 통해, 본 발명에 따른 인듐 나노 와이어의 성장 방법에서는 가속 전압을 조절하면 가속 전압이 높은 경우에는 길이가 길고 밀도가 낮게 분포하는 나노와이어들을 얻을 수 있고, 가속 전압이 낮은 경우에는 길이가 짧고 밀도가 크게 분포하는 나노와이어들을 얻을 수 있다는 것을 알 수 있다.
한편, 종래 기술에서 언급한 집속 이온빔을 이용한 나노와이어 성장 방법보다 본 발명에 따른 인듐 나노와이어의 성장 방법이 우수한 점을 요약하면 다음과 같다.
첫째, 종래 기술에서는 스파게티처럼 구불구불하게 만들어진(tangled, spaghetti-like) 나노와이어만이 성장 가능하지만, 본 발명에 의하는 경우 선형적으로 곧게 형성(straight, linear)된 나노와이어의 제조가 가능하다.
둘째, 종래 기술에서 제조된 나노와이어의 상(phase)이 비결정질(amorphous)이지만, 본 발명에서 제조된 나노와이어의 상은 결정질(crystalline)이다.
셋째, 종래 기술에서는 집속 이온빔이 조사되는 영역의 외부에서 나노와이어의 성장이 이루어지므로 나노와이어가 성장되는 영역의 제어가 곤란하지만, 본 발명에서는 집속 이온빔이 조사되는 영역에서 나노와이어의 성장이 이루어져서 나노와이어가 성장되는 영역의 제어가 용이하다.
넷째, 종래 기술에서는 50kV 및 0.8A/cm2의 매우 높은 에너지 수준에서 나노와이어의 성장이 이루어지나, 본 발명에서는 종래 기술과 같은 높은 에너지 수준에서는 물론, 5kV 내지 30kV 및 10nA/cm2 내지 1000nA/cm2의 매우 낮은 에너지 수준에서도 나노와이어의 성장이 가능하다.
다섯째, 종래 기술에서 성장되는 나노와이어의 길이는 500nm 이하이지만, 본 발명에서는 80㎛ 이상의 길이로 나노와이어를 성장시키는 것이 가능하다.
여섯째, 종래 기술에서는 집속 이온빔을 이용하여 큰 구멍을 뚫었을 때, 그 주변에 부산물로 나노와이어가 형성되므로 기판에 데미지가 매우 큰 데 반하여, 본 발명에서는 변화를 관찰할 수 없을 정도로 데미지가 없다.
일곱째, 종래 기술에서는 나노와이어의 분포 밀도, 길이, 직경, 성장 률(growth rate) 등을 조절할 수 없지만, 본 발명에서는 조절이 가능하다.
여덟째, 종래 기술에서는 나노와이어가 성장되는 영역이 제한적이지만, 본 발명에서는 넓은 범위에서의 나노와이어의 성장이 가능하고, 또한 선택적인 영역에서의 패터닝도 가능하다.
아홉째, 종래 기술에서는 성장률이 100nm/s로 꽤 빠른 편이지만, 본 발명에서는 최대 1㎛/s로 엄청나게 더 빠른 성장이 가능하다.
열째, 종래 기술은 촉매 금속이 필요한 공정이지만, 본 발명은 촉매가 필요하지 않으며 종래 기술과는 다른 원리에 의해 나노와이어가 성장된다.
또한, 본 발명은 특정 모양의 패터닝과 집속 이온빔 조사 조건의 조절을 이용하여 특정 위치에 개개의 단일 나노와이어를 성장시키는 것이 가능하다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명에 따른 인듐 나노와이어의 성장 방법을 개략적으로 보여주는 도면 및 SEM 이미지.
도 2a 내지 도 2d는 나노와이어의 실시간 성장을 단계적으로 보여주는 SEM 이미지.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따라 성장된 나노와이어를 분석하는 미세구조 이미지 및 EDS 스펙트럼.
도 4a 및 도 4b는 인듐 나노와이어의 사이즈와 가속 전압과의 관계를 보여주는 그래프.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 인듐 나노와이어 성장 방법을 사용하여 나노와이어가 성장된 영역을 패턴화한 것을 보여주는 SEM 이미지.
도 6a 및 도 6b는 성장 조건에 따른 나노와이어의 분포 밀도 및 성장 길이의 변화를 보여주는 SEM 이미지.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10: InGaN 기판 20: 집속 이온 빔
30: 인듐 나노와이어

Claims (9)

  1. InGaN 기판을 준비하는 단계(a); 및
    고진공 조건 하에서 상기 InGaN 기판 상에 집속 이온빔을 조사하여 상기 InGaN 기판 상의 집속 이온빔이 조사된 위치에서 인듐 나노와이어를 성장시키는 단계(b)를 포함하는 인듐 나노와이어의 제조 방법으로써,
    상기 InGaN 기판을 준비하는 단계(a)는 유기금속화학기상증착법을 이용하여 InGaN를 에피택시의 방법으로 증착하여 InGaN 기판을 준비하는데, GaN 기판을 이용하여 600℃ 이상의 고온의 조건에서, 갈륨과 인듐을 포함하는 기상의 원료 가스를 반응기에 불어넣어, 인듐의 함량이 많은 InGaN를 에피택시의 방법으로 GaN 기판 위에 박막의 형태로 증착 시키는 것으로,
    상기 원료 가스는, 트리메틸갈륨(Trimethylgallium: TMGa)을 1sccm(standard cubic centimeter per minute) 내지 10sccm, 그리고 트리메틸인듐(Trimethylindium: TMIn)을 200sccm 내지 350sccm, 암모니아(NH3)를 1slm(standard liter per minute) 내지 10slm 범위로 포함하고,
    InGaN 기판에서 표면의 박막 중의 In의 조성 비율은 20.0 at.% 내지 90.0 at.%의 범위이며,
    상기 단계(b)에서의 집속 이온빔의 조사는 FIB/SEM 듀얼 빔 장치를 이용하여 행해지고,
    상기 집속 이온빔(focused ion beam)이 가해질 때의 나노와이어의 성장 조건은 압력 범위가 3.75 x 10-5Pa 내지 2.75 x 10-3 Pa이며, 전압 범위가 5.0kV 내지 30kV이고, 전류 범위가 3pA 내지 1nA이며,
    집속 이온빔을 가할 때 가속 전압의 크기를 조절하여 성장되는 나노와이어의 분포 밀도, 성장 길이 및 직경을 조절하면서 수행되는 것이고,
    특정 영역에 걸쳐 나노와이어가 성장되도록 하를 원하는 경우에는, InGaN 기판이 놓인 스테이지를 이송한 후 다른 영역에 대해 상기 단계(b)를 반복적으로 수행하는 것임을 특징으로 하는 인듐 나노와이어의 제조 방법.
  2. InGaN 기판을 준비하는 단계(a); 및
    고진공 조건 하에서 상기 InGaN 기판 상에 집속 이온빔을 조사하여 상기 InGaN 기판 상의 집속 이온빔이 조사된 위치에서 인듐 나노와이어를 성장시키는 단계(b)를 포함하는 인듐 나노와이어의 제조 방법으로써,
    상기 InGaN 기판을 준비하는 단계(a)는 유기금속화학기상증착법을 이용하여 InGaN를 에피택시의 방법으로 증착하여 InGaN 기판을 준비하는데, GaN 기판을 이용하여 600℃ 이상의 고온의 조건에서, 갈륨과 인듐을 포함하는 기상의 원료 가스를 반응기에 불어넣어, 인듐의 함량이 많은 InGaN를 에피택시의 방법으로 GaN 기판 위에 박막의 형태로 증착 시키는 것으로,
    상기 원료 가스는, 트리메틸갈륨(Trimethylgallium: TMGa)을 1sccm(standard cubic centimeter per minute) 내지 10sccm, 그리고 트리메틸인듐(Trimethylindium: TMIn)을 200sccm 내지 350sccm, 암모니아(NH3)를 1slm(standard liter per minute) 내지 10slm 범위로 포함하고,
    InGaN 기판에서 표면의 박막 중의 In의 조성 비율은 20.0 at.% 내지 90.0 at.%의 범위이며,
    상기 단계(b)에서의 집속 이온빔의 조사는 FIB/SEM 듀얼 빔 장치를 이용하여 행해지고,
    상기 집속 이온빔(focused ion beam)이 가해질 때의 나노와이어의 성장 조건은 압력 범위가 3.75 x 10-5Pa 내지 2.75 x 10-3 Pa이며, 전압 범위가 5.0kV 내지 30kV이고, 전류 범위가 3pA 내지 1nA이며,
    집속 이온빔을 가할 때 가속 전압의 크기를 조절하여 성장되는 나노와이어의 분포 밀도, 성장 길이 및 직경을 조절하면서 수행되는 것이고,
    특정 영역에 걸쳐 나노와이어가 성장되도록 하를 원하는 경우에는, 집속 이온빔이 조사되는 영역에 미리 집속 이온빔 차단층을 형성하여 차단층이 형성되지 않은 영역에만 나노와이어가 성장되도록 하는 것을 특징으로 하는 인듐 나노와이어의 제조 방법.
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