JP4100932B2 - 誘電体磁器組成物及びその製造方法 - Google Patents
誘電体磁器組成物及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4100932B2 JP4100932B2 JP2002049863A JP2002049863A JP4100932B2 JP 4100932 B2 JP4100932 B2 JP 4100932B2 JP 2002049863 A JP2002049863 A JP 2002049863A JP 2002049863 A JP2002049863 A JP 2002049863A JP 4100932 B2 JP4100932 B2 JP 4100932B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- powder
- dielectric ceramic
- weight
- ceramic composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体磁器組成物に係り、特に、鉛(Pb)を含有せずに高周波特性に優れ、且つ比較的低温で焼成が可能な誘電体磁器組成物及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、銀(Ag)電極と同時焼成することができる誘電体磁器組成物が求められている。例えば、セラミック・グリーンシートと銀(Ag)電極を890〜920℃の温度範囲にて同時に加熱焼成できる誘電体磁器組成物である。ところで、一般式CaTiO3で表されるペロブスカイト型結晶相を主結晶とする材料は、1300〜1400℃の高温で加熱焼成され緻密であり、比誘電率εr=170,Q=1800(周波数=2GHzにおいて)と高周波帯域で優れた特性が得られるが、1300℃以下の焼成温度では緻密化せずその特性が劣るという問題がある。
【0003】
890〜920℃程度の比較的低温で加熱焼成するためには、焼成助剤を多用することが必要である。しかし、これは、その特性を大きく変化させて高周波帯域において優れた高誘電率、高Q値の特性が得られなくなってしまう。従来の材料でも、900℃で加熱焼成され高誘電率、高Q値の特性を満足するものがある。しかし、それは、焼結助剤として鉛(Pb)を含んだものしか確認されていない。
【0004】
そこで、人体に有害な鉛(Pb)を含んでいない誘電体磁器組成物の開発が、多くのユーザから要求されている。また、環境保全の立場から各方面の関係者からもその開発が待たれている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述した事情に鑑みて為されたもので、鉛(Pb)を含有せずに、高周波数帯域で優れた誘電特性を有し、比較的低温で銀電極などと同時焼成可能な緻密な焼結体が得られる誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するために、本発明の誘電体磁器組成物は、一般式 CaTiO3 で表されるペロブスカイト型結晶相を主結晶とする材料100重量部に対して、ガラスをx重量部(2.5≦x≦15.0)、B2O3 をy重量部(1.0≦y≦15.0)を混合して、前記ガラスは、組成式=aB2O3-bBi2O3-cZnOで表され、ここに、 a、b、cは、モル比で、0.2≦a≦0.5、0.1≦b≦0.4、0.1≦c≦0.4、但し、a+b+c=1の範囲内にあることを特徴としている。
【0007】
本発明者は、少量の添加で焼成を促進させることのできるガラスを開発し、それとB2O3を併用することで、比誘電率εr=50〜150,Q=300〜820(周波数=4.2〜6.7GHzにおいて)の特性を有する緻密な誘電体磁器を890〜920℃の範囲で焼成することができることを見いだした。この緻密な構造により、セラミックの強度が向上し、比誘電率εr,Q値の好ましい特性が得られ、バラツキが減少して安定化するという性能面の改良がある。誘電体磁器組成物と銀(Ag)電極の同時加熱焼成ができることにより、製造工程の短縮と製造コストの削減が達成できるという製造上のメリットがある。また、この誘電体磁器組成物は、人体に有害な鉛(Pb)を含んでいない点が環境保全から観たメリットである。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る誘電体磁器組成物の実施形態について、表1、図1乃至図3を参照してさらに詳しく説明する。
【0009】
表1は、22件の試料についての組成と諸特性のデータをまとめたものである。試料の作製に当たり、ガラスとB2O3の添加率を変えること、ガラスの組成を変えること、焼結助剤としてガラスとB2O3の添加の有無、加熱焼成温度などを考慮した。本発明のガラスの組成については、図1に示される。
【0010】
(実施例)
本発明の出発原料にCaCO3粉末とTiO2粉末を用い、CaとTiのモル比が0.95(Ca/Ti=0.95)になるように所定量秤量する。この秤量原料をボールミルで18時間湿式混合した後、乾燥させて混合粉末を得る。この混合粉末を大気中において1200℃で仮焼した後、ボールミルで24時間湿式粉砕して平均粒径0.5μmのCaTiO3粉末を得る。X線回折パターンにより、該粉末がCaTiO3であることが同定できる。(図2を参照。)
【0011】
次に、ガラスを作製した。出発原料にB2O3粉末とZnO粉末とBi2O3粉末を用い、表1に示した試料組成になるように秤量する。この秤量原料を乳鉢・乳棒で10分間乾式混合する。混合した粉末をアルミナ質のるつぼに入れ、900℃の炉内で30分溶融させる。その後、炉からるつぼを取り出し、室内にて放冷してガラスを固化させる。るつぼからガラスだけを取り出し、自動乳鉢機で1時間粗粉砕する。粗粉砕したガラス粉末をボールミルで8時間湿式粉砕して平均粒径1μmのガラス 粉末を得る。X線回折パターンにより、該粉末が非晶質ガラスであることを確認できる。(図3を参照。)
【0012】
CaTiO3粉末に表1の試料の組成になるようにガラス粉末とB2O3を秤量する。(B2O3は、H3BO3で秤量する)。それをボールミルで3時間湿式混合した後、乾燥させて混合粉末を得る。この混合粉末にバインダー水溶液を添加して造粒する。この造粒粉をφ(直径)16.5mmの金型に詰めて、750kgf/cm2以下の一軸加圧をする。さらにその成形体に対して冷間等方プレス(cold isostatic press)を使って1000kgf/cm2の力で2分間等方加圧して成形する。それを空気中において、890〜920℃の温度で2時間加熱焼成し、焼結体を得る。
【0013】
両端短絡形誘電体共振器法を使って得られた焼結体の比誘電率εrとQの測定データを表1に示す。
【0014】
表1の22件のうち試料11件、即ち、試料1〜4、試料6、試料8、試料10、試料13,試料15〜17は、a,b,c,x,yの値が本発明の範囲にある。即ち、一般式CaTiO3で表されるペロブスカイト型結晶相を主結晶とする材料100重量部に対して、ガラスをx重量部(2.5≦x≦15.0)、B2O3 y重量部(1.0≦y≦15.0)を混合して焼成したもので、前記ガラスは、組成式=aB2O3-bBi2O3-cZnOで表され、
ここに、 a、b、cは、モル比で、0.2≦a≦0.5、0.1≦b≦0.4、0.1≦c≦0.4、但し、a+b+c=1の範囲内にある。
【0015】
試料1〜4、6、8,10は、焼成温度が917℃であり、試料13は、891℃であり、試料15〜17は,焼成温度が917℃である。これら試料11件ついては、焼成温度891〜917℃の範囲で緻密な構造を有する誘電体磁器焼結体が得られている。比誘電率εrについて、試料1が最高値(εr=148.9)を有し、試料10が最低値(εr=57.6)を有している。Q値については、試料1が最高値(Q=820[周波数=4.27GHzにおいて])を有し、試料10が最低値(Q=311[周波数=6.69GHzにおいて])を有している。試料11件ついては、表1に示されているように焼結性、比誘電率、Qともに良好なデータが得られている。
【0016】
(比較例)
試料5は、B2O3の添加率が下限値1.0重量部より少ないので917℃における加熱焼成では焼結が不十分で構造が緻密化しない誘電体磁器組成物となる。試料7は、ガラスを17.5重量部添加しているがB2O3の添加率が下限値1.0重量部より少ないので917℃における焼成では焼結が不十分で構造が緻密化しない。試料9と試料11は、B2O3の添加率が上限値15.0重量部を超えているので過焼結を起こし緻密な構造にならない。試料12は、焼成温度が870℃と低いので焼結が不十分となり緻密な構造にならない。試料14は、焼成温度が高すぎて過焼結を起こして試料が破損した。試料18は、c=0.5(>0.4)であり、試料19は、a=0.6(>0.5)であり、試料20は、b=0.5(>0.4)である。即ち、試料18はガラス組成が最適範囲外であるので、917℃における焼成温度では焼結が不十分となり、緻密な構造とならない。また、試料19及び試料20はガラス組成が最適範囲外であるにもかかわらず、焼成温度は不十分ではないが、Q値が低下する。試料21と試料22は、前記ガラスとB2O3の添加がない試料である。緻密な構造を得て、比誘電率εr≧150,Q≧1800の特性を得るには、試料21に対して焼成温度=1200℃が必要であり、試料21に対しては焼成温度=1300℃の高温が必要である。
【0017】
表1は、22件の試料について組成と諸特性のデータをまとめて示したものである。
【表1】
【0018】
なお、本発明の誘電体磁器組成物は、上述の図示例にのみ限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【0019】
【発明の効果】
本発明の誘電体磁器組成物は、比誘電率εr=50〜150,Q=300〜820(周波数=4.2〜6.7GHzにおいて)の特性を有する緻密な誘電体磁器を890〜920℃の範囲で焼成することができる。この緻密な構造により、セラミックの強度が向上し、比誘電率εr,Q値のバラツキが減少して安定化する。また、誘電体磁器組成物と銀(Ag)電極を同時に加熱焼成できることにより、製造工程の短縮と製造コストの削減が達成できる。また、この誘電体磁器組成物は、人体に有害な鉛(Pb)を含んでいないので、環境保全上、有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明のガラスの3元組成図である。
【図2】図2は、粉末がCaTiO3であることを示すX線回折パターン図である。
【図3】図3は、粉末が非晶質ガラスであることを示すX線回折パターン図である。
Claims (2)
- 一般式CaTiO3で表されるペロブスカイト型結晶相を主結晶とする材料100重量部に対して、ガラスをx重量部(2.5≦x≦15.0)、B2O3をy重量部(1.0≦y≦15.0)を混合して加熱焼成する誘電体磁器組成物であって、
前記ガラスは、組成式=aB2O3-bBi2O3-cZnOで表され、
ここに、 a、b、cは、モル比で、
0.2≦a≦0.5、0.1≦b≦0.4、0.1≦c≦0.4、
但し、a+b+c=1
の範囲内にあり、
加熱焼成する温度が、890〜920℃の範囲にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - CaTiO3粉末100重量部に対してガラス粉末をx重量部(2 . 5≦x≦15 . 0)とB2O3をy重量部(1.0≦y≦15 . 0)を混合して加熱焼成する誘電体磁器組成物の製造方法であって、
前記ガラス粉末は、組成式=aB 2 O 3 - bBi 2 O 3 - cZnOで表され、
ここに、 a、b、cは、モル比で、
0 . 2≦a≦0 . 5、0 . 1≦b≦0 . 4、0 . 1≦c≦0 . 4、
但し、a+b+c=1
の範囲内にあり、
前記ガラス粉末は、出発原料にB2O3粉末とZnO粉末とBi2O3
粉末を用い、それぞれを秤量して、該秤量原料を乾式混合し、該混合した粉末を溶融させて、放冷してガラスを固化させて、該ガラスを取り出して粉砕して得たものであり、
加熱焼成する温度が、890〜920℃の範囲にあることを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002049863A JP4100932B2 (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002049863A JP4100932B2 (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003246671A JP2003246671A (ja) | 2003-09-02 |
JP2003246671A5 JP2003246671A5 (ja) | 2005-06-23 |
JP4100932B2 true JP4100932B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=28662269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002049863A Expired - Fee Related JP4100932B2 (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4100932B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4727458B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2011-07-20 | 太平洋セメント株式会社 | 圧電セラミックス用焼結助剤、bnt−bt系圧電セラミックス、積層型圧電デバイスおよびbnt−bt系圧電セラミックスの製造方法 |
CN113563052A (zh) * | 2021-08-20 | 2021-10-29 | 华中科技大学温州先进制造技术研究院 | 一种硼酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法 |
-
2002
- 2002-02-26 JP JP2002049863A patent/JP4100932B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003246671A (ja) | 2003-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN114349493B (zh) | 一种铜离子掺杂硅酸钙微波介质陶瓷及其制备方法 | |
JP3737773B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物 | |
JP3559434B2 (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法 | |
JP3011123B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物 | |
JP4100932B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
JP4830223B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物の製造方法 | |
JP4100929B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
JPH08259319A (ja) | 低温焼成誘電体磁器及びその製造方法 | |
JP3375450B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP4097018B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP4368136B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3909366B2 (ja) | 低誘電率磁器組成物とその磁器組成物を用いた電子回路用基板の製造方法 | |
JP3870015B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
JP4097019B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
CN1793031A (zh) | SrTiO3陶瓷电介质材料及其制备方法 | |
JPH05319921A (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物 | |
JP3858395B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPH06116021A (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 | |
JPH02197181A (ja) | 強誘電性磁器体 | |
JP2021155235A (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
JPH05190020A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
JP3243873B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP4946875B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP2004026590A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP2004026591A (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041004 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071127 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080318 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120328 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140328 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313632 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |