JP2021155235A - 誘電体磁器組成物および電子部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】 Ｑ値、共振周波数の温度特性、および強度が全て良好な誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。【解決手段】 主成分としてフォルステライトおよびチタン酸ストロンチウムカルシウムを含む。主成分におけるフォルステライトの含有割合が８４．０モル部以上９２．５モル部以下、チタン酸ストロンチウムカルシウムの含有割合が７．５モル部以上１６．０モル部以下である。チタン酸ストロンチウムカルシウムにおける（Ｓｒ＋Ｃａ）／Ｔｉがモル比で１．０３〜１．２０である。主成分と、Ｌｉ含有ガラスを除く副成分と、の合計１００質量部に対して、Ｌｉ含有ガラスを２質量部以上１０質量部以下、添加して得られる誘電体磁器組成物である。Ｌｉ含有ガラスはＡｌ２Ｏ３の含有量が１質量％以上１０質量％以下のガラスである。【選択図】 なし
Description
本発明は、誘電体磁器組成物および電子部品に関する。
近年、需要が増加しているスマートフォン等の移動体通信機器では、数百ＭＨｚから数ＧＨｚ程度のいわゆる準マイクロ波と呼ばれる高周波帯域が使用されている。そのため、移動体通信機器に用いられる電子部品においても高周波帯域での使用に適した諸特性が要求されている。そして、高周波帯域での使用に適する優れたＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミックス）材料が求められてきた。特に各種特性が優れたＬＴＣＣ材料を得るために様々な方法が提案されてきた。
特許文献１では、主成分および副成分の種類および含有量を特定の範囲内とすることで、低誘電率、高Ｑｆ値および周波数の温度特性が良好であり、機械的強度も高い誘電体磁器組成物が提案されている。特許文献２では、セラミックス粉末に対して低軟化点ガラスを特定の範囲内で含有させることにより、磁気の低温での焼結性を向上させるとともに、熱膨張係数およびＱ値が良好にした低温焼成磁器組成物が提案されている。特許文献３では、フォルステライト系結晶相と、Ｔｉを含む酸化物からなる結晶相と、を主成分とし、それぞれの主成分が特定の範囲内の組成を有することにより、比誘電率が低く温度特性の調整が容易な誘電体セラミックが提案されている。
しかし、現在では、Ｑ値および強度がさらに高く、共振周波数の温度特性が良好な誘電体磁器組成物を提供することが要求されている。
本発明は、Ｑ値、共振周波数の温度特性、および強度が全て良好な誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の誘電体磁器組成物は、
主成分としてフォルステライトおよびチタン酸ストロンチウムカルシウムを含み、
主成分におけるフォルステライトの含有割合が８４．０モル部以上９２．５モル部以下、チタン酸ストロンチウムカルシウムの含有割合が７．５モル部以上１６．０モル部以下であり、
前記チタン酸ストロンチウムカルシウムにおける（Ｓｒ＋Ｃａ）／Ｔｉがモル比で１．０３〜１．２０であり、
前記主成分と、Ｌｉ含有ガラスを除く副成分と、の合計１００質量部に対して、Ｌｉ含有ガラスを２質量部以上１０質量部以下、添加して得られる誘電体磁器組成物であって、
前記Ｌｉ含有ガラスはＡｌ２Ｏ３の含有量が１質量％以上１０質量％以下のガラスである。
主成分としてフォルステライトおよびチタン酸ストロンチウムカルシウムを含み、
主成分におけるフォルステライトの含有割合が８４．０モル部以上９２．５モル部以下、チタン酸ストロンチウムカルシウムの含有割合が７．５モル部以上１６．０モル部以下であり、
前記チタン酸ストロンチウムカルシウムにおける（Ｓｒ＋Ｃａ）／Ｔｉがモル比で１．０３〜１．２０であり、
前記主成分と、Ｌｉ含有ガラスを除く副成分と、の合計１００質量部に対して、Ｌｉ含有ガラスを２質量部以上１０質量部以下、添加して得られる誘電体磁器組成物であって、
前記Ｌｉ含有ガラスはＡｌ２Ｏ３の含有量が１質量％以上１０質量％以下のガラスである。
本発明の誘電体磁器組成物は、上記の構成を有することにより、Ｑ値、共振周波数の温度特性、および強度が全て良好な誘電体磁器組成物となる。
前記チタン酸ストロンチウムカルシウムにおけるＣａ／（Ｓｒ＋Ｃａ）がモル比で０．６０以上１．００以下であってもよい。
前記Ｌｉ含有ガラスはＳｉＯ２の含有量が２５質量％以上４５質量％以下、ＢａＯの含有量が２０質量％以上４０質量％以下、ＣａＯの含有量が１０質量％以上３０質量％以下、Ｌｉ２Ｏの含有量が１０質量％以上３０質量％以下であってもよい。
前記Ｌｉ含有ガラスがＢ２Ｏ３を実質的に含有しなくてもよい。
前記主成分１００質量部に対して副成分としてＣｕ含有化合物をＣｕＯ換算で０．５質量部以上３．０質量部以下、Ｂ含有化合物をＢ２Ｏ３換算で０．２質量部以上３．０質量部以下、Ａｌ含有化合物をＡｌ２Ｏ３換算で０．３質量部以上３．０質量部以下、Ｍｎ含有化合物をＭｎＯ換算で０．０５質量部以上１．５質量部以下、含んでもよい。
本発明の電子部品は、上記のいずれかの誘電体磁器組成物を有する。
以下、本発明を好適に実施するための実施形態につき説明する。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、主成分としてフォルステライトおよびチタン酸ストロンチウムカルシウムを含む。フォスルテライトとは、酸化マグネシウムおよび二酸化ケイ素からなる化合物（Ｍｇ２ＳｉＯ４）を指す。フォルステライトにおけるＭｇＯ：ＳｉＯ２は、モル比で１．９：１．１〜２．１：０．９の範囲内とすることができる。また、チタン酸ストロンチウムカルシウムは（Ｓｒ１−ｘＣａｘ）ｙＴｉＯ２＋ｙとも表される。本実施形態では、０≦ｘ≦１、１．０３≦ｙ≦１．２０である。すなわち、チタン酸ストロンチウムカルシウムがチタン酸ストロンチウムのみからなっていてもよく、チタン酸カルシウムのみからなっていてもよい。
主成分としてフォルステライトおよびチタン酸ストロンチウムカルシウムを含むとは、誘電体磁器組成物全体を１００質量％としてフォルステライトおよびチタン酸ストロンチウムカルシウムを合計で８０質量％以上、含むという意味である。主成分以外の成分を副成分として含んでもよい。
主成分におけるフォルステライトの含有割合が８４．０モル部以上９２．５モル部以下、チタン酸ストロンチウムカルシウムの含有割合が７．５モル部以上１６．０モル部以下である。主成分におけるこれらの化合物の含有割合が上記の範囲外である場合には、誘電体磁器組成物の共振周波数の温度依存性が大きくなりすぎる。すなわち、誘電体磁器組成物の温度変化による共振周波数の変化率の絶対値が大きくなりすぎる。また、チタン酸ストロンチウムカルシウムの含有割合が大きいほど誘電体磁器組成物のＱ値が小さくなる。特に後述するＣａ／（Ｓｒ＋Ｃａ）が小さいほどＱ値が小さくなりやすい。
チタン酸ストロンチウムカルシウムにおける（Ｓｒ＋Ｃａ）／Ｔｉがモル比で１．０３〜１．２０である。（Ｓｒ＋Ｃａ）／Ｔｉが小さすぎる場合には誘電体磁器組成物の強度が低下する。（Ｓｒ＋Ｃａ）／Ｔｉが大きすぎる場合には誘電体磁器組成物のＱ値が低下する。
チタン酸ストロンチウムカルシウムにおけるＣａ／（Ｓｒ＋Ｃａ）には特に制限はないが、モル比で０．６０以上１．００以下であってもよく、０．８０以上１．００以下であってもよく、０．８９以上１．００以下であってもよい。すなわち、０．６０≦ｙ≦１．００であってもよく、０．８０≦ｙ≦１．００であってもよく、０．８９≦ｙ≦１．００であってもよい。Ｃａ／（Ｓｒ＋Ｃａ）が大きいほど誘電体磁器組成物のＱ値、強度がいずれも大きくなる傾向にある。
また、本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、前記主成分と、Ｌｉ含有ガラスを除く副成分と、の合計１００質量部に対して、Ｌｉ含有ガラスを２質量部以上１０質量部以下、添加して得られる誘電体磁器組成物である。なお、含まれるＬｉ２Ｏの含有量が５質量％以上であるガラスをＬｉ含有ガラスとする。Ｌｉ含有ガラスの添加量が少なすぎる場合には、低温焼結しにくくなる。Ｌｉ含有ガラスの添加量が多すぎる場合には、Ｑ値が低下し誘電損失が大きくなる。Ｌｉ含有ガラスの添加量は好ましくは３質量部以上７質量部以下である。
本実施形態に係るＬｉ含有ガラスは、Ｌｉ含有ガラス全体を１００質量％として、Ａｌ２Ｏ３を１質量％以上１０質量％以下、含む。
Ｌｉ含有ガラスにおけるＡｌ２Ｏ３の含有量が１質量％以上であることにより、Ｌｉ含有ガラスを作製する際に結晶化しにくく失透しにくいＬｉ含有ガラスが得られる。また、Ｌｉ含有ガラスにおけるＡｌ２Ｏ３の含有量が１０質量％以下であることにより、誘電体磁器組成物の作製時（焼成時）において、低温焼結しやすくなる。
本実施形態に係るＬｉ含有ガラスは、例えばＳｉＯ２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ系ガラスであってもよい。そして、Ｌｉ含有ガラス全体を１００質量％として、ＳｉＯ２の含有量が２５質量％以上４５質量％以下、ＢａＯの含有量が２０質量％以上４０質量％以下、ＣａＯの含有量が１０質量％以上３０質量％以下、Ａｌ２Ｏ３の含有量が１質量％以上１０質量％以下、Ｌｉ２Ｏの含有量が１０質量％以上３０質量％以下であってもよい。
本実施形態に係るＬｉ含有ガラスは、Ｂ２Ｏ３を実質的に含有しなくてもよい。Ｂ２Ｏ３を実質的に含有しないとは、Ｌｉ含有ガラス全体を１００質量％として、Ｂ２Ｏ３の含有量が０．１質量％以下（０質量％を含む）という意味である。本実施形態に係る誘電体磁器組成物において、Ｌｉ含有ガラスがＢ２Ｏ３を含む場合にはＱ値が低下しやすくなり誘電損失が大きくなりやすくなる。また、Ｌｉ含有ガラスがＳｉＯ２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ系ガラスである場合において、ＳｉＯ２、ＢａＯ、ＣａＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３以外の成分の種類および含有割合には特に制限はない。例えば、ＳｒＯなどを合計で１質量％以下、含んでもよい。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、主成分およびＬｉ含有ガラスの他に副成分を含んでもよい。副成分の種類および含有量には特に制限はない。例えば、主成分１００質量部に対して、Ｃｕ含有化合物をＣｕＯ換算で０．５質量部以上３．０質量部以下、Ｂ含有化合物をＢ２Ｏ３換算で０．２質量部以上３．０質量部以下、Ａｌ含有化合物をＡｌ２Ｏ３換算で０．３質量部以上３．０質量部以下、Ｍｎ含有化合物をＭｎＯ換算で０．０５質量部以上１．５質量部以下、含んでもよい。なお、各元素の含有化合物としては、各元素の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、硫化物、有機金属化合物等が例示される。
本実施形態の誘電体磁器組成物は、副成分としてＣｕ含有化合物を含むことで、低温焼結しやすくなるとともに焼結体のＱ値が向上しやすくなる。また、Ｃｕ含有化合物の含有量は、主成分１００質量部に対してＣｕＯ換算で０．５質量部以上２．５質量部以下であってもよい。Ｃｕ含有化合物の含有量が少ないほど低温焼結しにくくなる。Ｃｕ含有化合物の含有量が多いほど焼結体のＱ値が低下しやすくなる。
本実施形態の誘電体磁器組成物は、副成分としてＢ含有化合物を含むことで、低温焼結しやすくなるとともに焼結体のＱ値が向上しやすくなる。また、Ｂ含有化合物の含有量は、主成分１００質量部に対してＢ２Ｏ３換算で０．２質量部以上２．５質量部以下であってもよい。Ｂ含有化合物の含有量が少ないほど低温焼結しにくくなる。Ｂ含有化合物の含有量が多いほどＱ値が低下しやすくなる。
本実施形態の誘電体磁器組成物は、副成分としてＭｎ含有化合物を含むことで、低温焼結しやすくなるとともに焼結体のＱ値が向上しやすくなる。また、Ｍｎ含有化合物の含有量は、主成分１００質量部に対してＭｎＯ換算で０．０５質量部以上１．０質量部以下であってもよい。Ｍｎ含有化合物の含有量が上記の範囲内、特に０．０５質量部以上であることにより、低温焼結しやすくなる。また、Ｑ値が向上しやすくなる。
なお、本実施形態の誘電体磁器組成物は、上記以外の副成分を含んでもよいが、Ｚｎ含有化合物については実質的に含有しないことが好ましい。Ｚｎ含有化合物を実質的に含有しないとは、焼成後の焼結体をＸＲＤ測定した場合にＺｎＯのピークが観察されず、かつ、フォルステライトおよびＺｎＯからなる化合物のピーク、Ｌｉ含有ガラスおよびＺｎＯからなる化合物のピーク、および、各副成分およびＺｎＯからなる化合物のピークも観察されないことを指す。また、この場合には、主成分１００質量部としてＺｎ含有化合物の含有量が酸化物（ＺｎＯ）換算で概ね０．０５質量部未満である。Ｚｎ含有化合物を実質的に含有しないことで、本実施形態の誘電体磁器組成物のＱ値および耐湿性が向上する。
また、本実施形態の誘電体磁器組成物は、上記以外の副成分の含有量の合計に特に制限はなく、本願発明の効果を損なわない範囲で含有してもよい。例えば、誘電体磁器組成物全体を１００質量部として酸化物換算で合計１０質量部以下、含有してもよい。
なお、本実施形態において、焼成とは、焼結を目的とした加熱処理を意味し、焼成温度とは、加熱処理の際に誘電体磁器組成物が曝される雰囲気の温度である。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物の誘電特性は、その焼結体のＱｆ値、共振周波数温度特性（温度変化による共振周波数の変化率τｆ）、および比誘電率εｒによって評価することができる。Ｑｆ値、比誘電率εｒは、日本工業規格「マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法」（ＪＩＳ Ｒ１６２７ １９９６年度）に従って測定することができる。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物には、Ｍｇ２ＳｉＯ４（フォルステライト）が主成分として含まれる。Ｍｇ２ＳｉＯ４は、単体でのＱｆ値が２０００００ＧＨｚ以上であり、誘電損失が小さいため、誘電体磁器組成物の誘電損失を低下させる機能を有する。また、Ｍｇ２ＳｉＯ４は、その比誘電率εｒが６〜７程度と低いため、誘電体磁器組成物の比誘電率εｒを低下させる機能も有する。ここで、誘電損失とは、高周波のエネルギの一部が熱となって放散する現象である。誘電損失の大きさは、現実の電流と電圧との位相差と、理想の電流と電圧との位相差（９０度）との差である損失角度δの正接ｔａｎδの逆数Ｑ（Ｑ＝１／ｔａｎδ）で表わされる。誘電体磁器組成物の誘電損失の評価は、このＱ値と共振周波数ｆの積であるＱｆ値を用いている。誘電損失が小さくなればＱｆ値は大きくなり、誘電損失が大きくなればＱｆ値は小さくなる。誘電損失は高周波デバイスの電力損失を意味するため、誘電体磁器組成物のＱｆ値は大きいことが好ましい。ただし、本実施形態では、試験時の共振周波数ｆを概ね一定とみなして、誘電損失の評価には、Ｑ値を用いる。
共振周波数温度特性の評価に関しては、２つの温度での共振周波数を測定し、一方の温度を基準温度とした場合における温度変化による共振周波数の変化率τｆを評価してもよい。τｆの絶対値が小さいほど共振周波数温度特性が良好であるといえる。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物の強度を評価する方法には特に制限はない。例えば、３点曲げ強度を評価してもよい。
以下、本実施形態に係る誘電体磁器組成物および焼結体の製造方法の一例について説明する。本実施形態に係る誘電体磁器組成物および焼結体の製造方法は、以下の工程を含む。
（ａ） 酸化マグネシウムの原料粉末と二酸化珪素の原料粉末とを混合して熱処理することでフォルステライト結晶粉末を作製するフォルステライト結晶粉末の作製工程
（ｂ） チタン酸ストロンチウムカルシウム粉末を準備するチタン酸ストロンチウムカルシウム粉末の準備工程
（ｃ） Ｌｉ含有ガラスを準備するＬｉ含有ガラスの準備工程
（ｄ） フォルステライト結晶粉末およびチタン酸ストロンチウムカルシウム粉末に、副成分の原料粉末を添加し、仮焼する仮焼工程
（ｅ） 仮焼後の粉末にＬｉ含有ガラスを添加して粉砕することで誘電体磁器組成物を得る誘電体磁器組成物の作製工程
（ｆ） 誘電体磁器組成物を焼成して、誘電体磁器組成物の焼結体を得る焼成工程
（ａ） 酸化マグネシウムの原料粉末と二酸化珪素の原料粉末とを混合して熱処理することでフォルステライト結晶粉末を作製するフォルステライト結晶粉末の作製工程
（ｂ） チタン酸ストロンチウムカルシウム粉末を準備するチタン酸ストロンチウムカルシウム粉末の準備工程
（ｃ） Ｌｉ含有ガラスを準備するＬｉ含有ガラスの準備工程
（ｄ） フォルステライト結晶粉末およびチタン酸ストロンチウムカルシウム粉末に、副成分の原料粉末を添加し、仮焼する仮焼工程
（ｅ） 仮焼後の粉末にＬｉ含有ガラスを添加して粉砕することで誘電体磁器組成物を得る誘電体磁器組成物の作製工程
（ｆ） 誘電体磁器組成物を焼成して、誘電体磁器組成物の焼結体を得る焼成工程
＜フォルステライト結晶粉末の作製工程＞
フォルステライト結晶粉末の準備方法には特に制限はない。例えば、まず、出発原料としてＭｇＯ、ＳｉＯ２を準備し、Ｍｇ２ＳｉＯ４が作製されるよう秤量する。次に、秤量した出発原料についてボールミルを用いて混合、粉砕した後、仮焼する。仮焼後の粉末がフォルステライト粉末となる。また、市販のフォルステライトを粉砕してフォルステライト粉末を得てもよい。このフォルステライト粉末が誘電体磁器組成物の主成分粉末として用いられる。
フォルステライト結晶粉末の準備方法には特に制限はない。例えば、まず、出発原料としてＭｇＯ、ＳｉＯ２を準備し、Ｍｇ２ＳｉＯ４が作製されるよう秤量する。次に、秤量した出発原料についてボールミルを用いて混合、粉砕した後、仮焼する。仮焼後の粉末がフォルステライト粉末となる。また、市販のフォルステライトを粉砕してフォルステライト粉末を得てもよい。このフォルステライト粉末が誘電体磁器組成物の主成分粉末として用いられる。
＜チタン酸ストロンチウムカルシウム粉末の準備工程＞
チタン酸ストロンチウムカルシウム粉末の準備方法には特に制限はない。例えば、出発原料としてＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３およびＴｉＯ２を準備し、（Ｓｒ＋Ｃａ）／ＴｉおよびＣａ／（Ｓｒ＋Ｃａ）が所定の範囲内となるように組み合わせて秤量し、ボールミルを用いて混合、粉砕した後、仮焼することによってチタン酸ストロンチウムカルシウム粉末を合成してもよい。また、（Ｓｒ＋Ｃａ）／ＴｉおよびＣａ／（Ｓｒ＋Ｃａ）が所定の範囲内である市販のチタン酸ストロンチウムカルシウムを粉砕してチタン酸ストロンチウムカルシウム粉末を得てもよい。このチタン酸ストロンチウムカルシウム粉末が誘電体磁器組成物の主成分粉末として用いられる。
チタン酸ストロンチウムカルシウム粉末の準備方法には特に制限はない。例えば、出発原料としてＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３およびＴｉＯ２を準備し、（Ｓｒ＋Ｃａ）／ＴｉおよびＣａ／（Ｓｒ＋Ｃａ）が所定の範囲内となるように組み合わせて秤量し、ボールミルを用いて混合、粉砕した後、仮焼することによってチタン酸ストロンチウムカルシウム粉末を合成してもよい。また、（Ｓｒ＋Ｃａ）／ＴｉおよびＣａ／（Ｓｒ＋Ｃａ）が所定の範囲内である市販のチタン酸ストロンチウムカルシウムを粉砕してチタン酸ストロンチウムカルシウム粉末を得てもよい。このチタン酸ストロンチウムカルシウム粉末が誘電体磁器組成物の主成分粉末として用いられる。
＜Ｌｉ含有ガラスの準備工程＞
Ｌｉ含有ガラスの準備方法には特に制限はない。例えば、原料としてＬｉ含有ガラスに含有させる各成分の出発原料を準備し、所望の割合となるように秤量し、混合する。混合の方法には特に制限はない。例えば１０時間以上３０時間以下、乾式混合を行ってもよい。次に、この混合物を、１５００℃で溶融し、ロールアウトにより約０．５ｍｍ厚のリボン状成形体を得る。溶融に用いる炉には特に制限はない。例えば連続溶融炉であってもよい。このリボン状成形体をボールミルにて乾式粉砕した後、分級を行いながらボールミルにて平均粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下になるように粉砕してもよい。また、所定の範囲内の組成を有する市販のＬｉ含有ガラスを用いてもよい。
Ｌｉ含有ガラスの準備方法には特に制限はない。例えば、原料としてＬｉ含有ガラスに含有させる各成分の出発原料を準備し、所望の割合となるように秤量し、混合する。混合の方法には特に制限はない。例えば１０時間以上３０時間以下、乾式混合を行ってもよい。次に、この混合物を、１５００℃で溶融し、ロールアウトにより約０．５ｍｍ厚のリボン状成形体を得る。溶融に用いる炉には特に制限はない。例えば連続溶融炉であってもよい。このリボン状成形体をボールミルにて乾式粉砕した後、分級を行いながらボールミルにて平均粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下になるように粉砕してもよい。また、所定の範囲内の組成を有する市販のＬｉ含有ガラスを用いてもよい。
＜仮焼工程＞
仮焼工程では、主成分の粉末および副成分の原料粉末を所定量秤量したのちに、これらを混合して熱処理する。副成分の原料として、後述する仮焼等の熱処理で焼成することによって酸化物となる化合物を用いることもできる。焼成により上記酸化物となる化合物としては、例えば、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、硫化物、有機金属化合物等が例示される。なお、副成分に関しては、主成分の粉末の不純物として添加されてもよい。なお、副成分の各原料の秤量は、誘電体磁器組成物における各副成分の含有量（質量部）が所望の値となるように行う。仮焼条件には特に制限はない。
仮焼工程では、主成分の粉末および副成分の原料粉末を所定量秤量したのちに、これらを混合して熱処理する。副成分の原料として、後述する仮焼等の熱処理で焼成することによって酸化物となる化合物を用いることもできる。焼成により上記酸化物となる化合物としては、例えば、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、硫化物、有機金属化合物等が例示される。なお、副成分に関しては、主成分の粉末の不純物として添加されてもよい。なお、副成分の各原料の秤量は、誘電体磁器組成物における各副成分の含有量（質量部）が所望の値となるように行う。仮焼条件には特に制限はない。
混合は、乾式混合または湿式混合等の混合方式で行うことができ、例えば、ボールミルなどの混合分散機で純水、エタノール等の溶媒を用いた混合方式により行うことができる。混合時間は、４時間以上２４時間以下程度とすればよい。
原料混合粉末を、好ましくは１００℃以上２００℃以下、より好ましくは１２０℃以上１４０℃以下の乾燥温度で、１２時間以上３６時間以下程度乾燥する。
乾燥させた原料混合粉末は、例えば６００℃以上８５０℃以下で、１時間以上１０時間以下程度、熱処理（仮焼）する。このように仮焼工程での仮焼を焼成温度以下の温度で行うことによって、原料混合粉末中のフォルステライトが融解することを抑制でき、誘電体磁器組成物中に、結晶の形でフォルステライトを含有させることができる。
＜誘電体磁器組成物の作製工程＞
仮焼後の粉末に対してＬｉ含有ガラスを添加し、粉砕して誘電体磁器組成物とする。具体的な方法には特に制限はない。例えば、仮焼後の粉末に対してＬｉ含有ガラスを添加し、混合粉砕した後、乾燥してもよい。粉砕は乾式粉砕または湿式粉砕等の粉砕方式で行うことができる。粉砕時間は４時間以上２４時間以下程度とすればよい。粉砕後の粉末の乾燥は、好ましくは８０℃以上２００℃以下、より好ましくは１００℃以上１４０℃以下の処理温度で１２時間以上３６時間以下程度行ってもよい。
仮焼後の粉末に対してＬｉ含有ガラスを添加し、粉砕して誘電体磁器組成物とする。具体的な方法には特に制限はない。例えば、仮焼後の粉末に対してＬｉ含有ガラスを添加し、混合粉砕した後、乾燥してもよい。粉砕は乾式粉砕または湿式粉砕等の粉砕方式で行うことができる。粉砕時間は４時間以上２４時間以下程度とすればよい。粉砕後の粉末の乾燥は、好ましくは８０℃以上２００℃以下、より好ましくは１００℃以上１４０℃以下の処理温度で１２時間以上３６時間以下程度行ってもよい。
上記の方法により、誘電体磁器組成物の主成分と副成分とが均一に混合されて、材質が均一な誘電体磁器組成物を得ることができる。
誘電体磁器組成物を得た後、誘電体磁器組成物を焼成する焼成工程に移行する。
＜焼成工程＞
焼成工程では、得られた誘電体磁器組成物を焼成して、焼結体を得る。焼成は、例えば、空気中のような酸素雰囲気にて行うことが好ましい。焼成温度には特に制限はない。例えば、８００℃以上１１００℃以下であってもよく、８００℃以上９５０℃以下であってもよい。
焼成工程では、得られた誘電体磁器組成物を焼成して、焼結体を得る。焼成は、例えば、空気中のような酸素雰囲気にて行うことが好ましい。焼成温度には特に制限はない。例えば、８００℃以上１１００℃以下であってもよく、８００℃以上９５０℃以下であってもよい。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物の製造方法を用いて得られる誘電体磁器組成物は、８００℃以上１１００℃以下の低温で焼成しても相対密度を十分に高くすることができる。したがって、本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、焼成工程において低温で焼成することができ、誘電体磁器組成物の焼結性を確保できる。そして、Ｑ値、温度変化による共振周波数の変化率τｆおよび強度が全て優れた誘電体磁器組成物となる。したがって、本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、フィルター、共振器、コンデンサ、回路基板等の電子部品の一部を構成する誘電体層として好適に用いることができる。
以上、本発明に係る誘電体磁器組成物の好適な実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、誘電特性および強度を大きく損なわない範囲で、他の化合物を含むようにしてもよい。
以下、本発明を実施例および比較例を挙げてさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
＜誘電体磁器組成物の作製＞
フォルステライト結晶粉末（Ｍｇ２ＳｉＯ４粉末）に関しては、原料であるＭｇＯおよびＳｉＯ２を、Ｍｇのモル数がＳｉのモル数の２倍となるように、それぞれ秤量し、ボールミルを用いて混合、粉砕した後、仮焼することによって合成した。
フォルステライト結晶粉末（Ｍｇ２ＳｉＯ４粉末）に関しては、原料であるＭｇＯおよびＳｉＯ２を、Ｍｇのモル数がＳｉのモル数の２倍となるように、それぞれ秤量し、ボールミルを用いて混合、粉砕した後、仮焼することによって合成した。
チタン酸ストロンチウムカルシウム粉末に関しては、まず、出発原料として高純度のＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３およびＴｉＯ２を準備した。次に、これらの出発原料を表１に示す（Ｓｒ＋Ｃａ）／ＴｉおよびＣａ／（Ｓｒ＋Ｃａ）となるように組み合わせて秤量した。ボールミルを用いて混合、粉砕した後、仮焼することによってチタン酸ストロンチウムカルシウム粉末を合成した。
次に、得られたフォルステライト結晶粉末およびチタン酸ストロンチウムカルシウム粉末を、仕込み組成が表１に示す主成分組成となるように混合した。そして、主成分１００質量部に対して、副成分としてＣｕＯを１．５質量部、Ｂ２Ｏ３を１．０質量部、ＭｎＣＯ３をＭｎＯ換算で０．３質量部、Ａｌ２Ｏ３を１．０質量部、添加した。そして、８００℃で２時間、仮焼して仮焼体を得た。さらに、Ｌｉ含有ガラスを表１に示す添加量で添加した。なお、ＭｎＣＯ３は前述した仮焼時および／または後述する焼成時にＭｎＯに変化する。また、表１に記載されたＬｉ含有ガラスの添加量は、主成分と、Ｌｉ含有ガラスを除く副成分と、の合計を酸化物換算で１００質量部とした場合の添加量である。また、Ｌｉ含有ガラスとしては、表１に示す組成のＳｉＯ２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ系ガラスを作製して用いた。
Ｌｉ含有ガラスは下記の方法により作製した。まず、Ｌｉ含有ガラスの原料としてＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３（実施例１３のみ）、ＣａＣＯ３、ＢａＣＯ３およびＬｉ２ＣＯ３を、酸化物換算で表１に示す割合となるように秤量し、２時間乾式混合を行った。次に、得られた次に、この混合物を連続熔解炉にて１５００℃で溶融した後、ロールアウトにより約０．５ｍｍ厚のリボン状成形体を得た。このリボン状成形体をボールミルにて１００メッシュ以下まで乾式粉砕した後、風力分級を行いながらＺｒＯ２ボールミルにて平均粒径が３μｍになるように粉砕した。そして、仮焼後の主成分および副成分に添加するＬｉ含有ガラスが得られた。
なお、比較例５に示す組成のＬｉ含有ガラスを作製しようとしたが、結晶が析出して失透してしまったため、比較例５については以下の試験を行わなかった。なお、仮に失透したＬｉ含有ガラスを用いて誘電体磁器組成物を作製した場合には、焼結不足になると考えられる。
さらに、上記の混合物に有機バインダーとしてアクリル樹脂であるポリ（エチルメタクリレート）を１０質量％添加した後に、ドクターブレード法によってシート成型してシート成型体を複数、作製した。複数のシート成型体を積層後にプレスして基板状に成型することでシート積層成型体を作製した。当該シート積層成型体を所望のサイズに切断してチップを得た。チップの面取りを行った後に焼成温度９００℃で２時間焼成して誘電体磁器組成物の焼結体を作製した。有機バインダーの混合量は各実施例および比較例の組成により適宜変化させた。
得られた各実施例および比較例の誘電体磁器組成物の焼結体における比誘電率εｒ、Ｑ値、温度変化による共振周波数の変化率τｆ、および３点曲げ強度を測定した。
＜焼結密度＞
焼成後の試験片が概ね４．５ｍｍ×３．２ｍｍ×０．８ｍｍとなるように切断加工し、各方向の寸法をマイクロメーターで精密に測定した。また、電子天秤で切断加工後の試験片の質量を測定した、切断加工後の試験片の質量を切断加工後の試験片の体積で割ることにより、焼結密度を測定した。Ｍｇ２ＳｉＯ４の密度を３．２ｇ／ｃｍ３、ＣａＴｉＯ３の密度を４．１ｇ／ｃｍ３、ＳｒＴｉＯ３の密度を５．１ｇ／ｃｍ３として各化合物の含有比率から算出される理論密度に対して、焼結密度が９０％以下の場合に不可と判断した。焼結密度が不可である比較例６、７は焼結不足のため、以下に記載する評価を行わなかった。
焼成後の試験片が概ね４．５ｍｍ×３．２ｍｍ×０．８ｍｍとなるように切断加工し、各方向の寸法をマイクロメーターで精密に測定した。また、電子天秤で切断加工後の試験片の質量を測定した、切断加工後の試験片の質量を切断加工後の試験片の体積で割ることにより、焼結密度を測定した。Ｍｇ２ＳｉＯ４の密度を３．２ｇ／ｃｍ３、ＣａＴｉＯ３の密度を４．１ｇ／ｃｍ３、ＳｒＴｉＯ３の密度を５．１ｇ／ｃｍ３として各化合物の含有比率から算出される理論密度に対して、焼結密度が９０％以下の場合に不可と判断した。焼結密度が不可である比較例６、７は焼結不足のため、以下に記載する評価を行わなかった。
＜比誘電率εｒ、Ｑ値＞
焼結体の比誘電率εｒおよびＱ値は、日本工業規格「マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法（ＪＩＳ Ｒ１６２７ １９９６年度）」に従って測定した。具体的には、１０ｍｍφ×５ｍｍの円柱（ペレット）を作製し、両端短絡形誘電体共振器法により比誘電率εｒおよび誘電正接ｔａｎδを算出した。さらに、１／ｔａｎδ＝Ｑとした。Ｑ≧１５００である場合にＱ値が良好であるとした。Ｑ≧１６００である場合がさらに好ましいとした。
焼結体の比誘電率εｒおよびＱ値は、日本工業規格「マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法（ＪＩＳ Ｒ１６２７ １９９６年度）」に従って測定した。具体的には、１０ｍｍφ×５ｍｍの円柱（ペレット）を作製し、両端短絡形誘電体共振器法により比誘電率εｒおよび誘電正接ｔａｎδを算出した。さらに、１／ｔａｎδ＝Ｑとした。Ｑ≧１５００である場合にＱ値が良好であるとした。Ｑ≧１６００である場合がさらに好ましいとした。
＜温度変化による共振周波数の変化率τｆ＞
上記のペレットについて、日本工業規格「マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法（ＪＩＳ Ｒ１６２７ １９９６年度）」に従って２５℃と８５℃での共振周波数を測定し、基準温度を２５℃とした場合における温度変化による共振周波数の変化率をτｆとした。τｆの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下、すなわちτｆが−２０ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下である場合に共振周波数温度特性が良好であるとした。
上記のペレットについて、日本工業規格「マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法（ＪＩＳ Ｒ１６２７ １９９６年度）」に従って２５℃と８５℃での共振周波数を測定し、基準温度を２５℃とした場合における温度変化による共振周波数の変化率をτｆとした。τｆの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下、すなわちτｆが−２０ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下である場合に共振周波数温度特性が良好であるとした。
＜３点曲げ強度（抗折強度）＞
各誘電体磁器の試験片の厚みが０．４ｍｍ前後、幅が２．６ｍｍ前後になるように切断加工し、得られた試験片について３点曲げ強度を測定した。３点曲げ強度の測定には測定器（商品名：５５４３、Ｉｎｓｔｒｏｎ社製）を用いた。３点曲げ強度の測定時に試験片を支える２点間の距離（治具距離）は１５ｍｍとし、３点曲げ強度の測定速度は０．５ｍｍ／ｍｉｎとした。３０個の試験片について３点曲げ強度を測定して得られた値の平均値（単位：ＭＰａ）を３点曲げ強度の測定値とした。なお、３点曲げ強度の測定値が２５０ＭＰａ以上である場合を良好とした。
各誘電体磁器の試験片の厚みが０．４ｍｍ前後、幅が２．６ｍｍ前後になるように切断加工し、得られた試験片について３点曲げ強度を測定した。３点曲げ強度の測定には測定器（商品名：５５４３、Ｉｎｓｔｒｏｎ社製）を用いた。３点曲げ強度の測定時に試験片を支える２点間の距離（治具距離）は１５ｍｍとし、３点曲げ強度の測定速度は０．５ｍｍ／ｍｉｎとした。３０個の試験片について３点曲げ強度を測定して得られた値の平均値（単位：ＭＰａ）を３点曲げ強度の測定値とした。なお、３点曲げ強度の測定値が２５０ＭＰａ以上である場合を良好とした。
表１より全ての組成が本願発明の範囲内である実施例は、９００℃という低温で焼成しても十分な焼結密度を得ることができた。そして、Ｑ値、τｆおよび３点曲げ強度が全て良好であった。
これに対し、いずれかの副成分の組成が本願発明の範囲外である比較例１〜４、８は、Ｑ値、τｆおよび３点曲げ強度のいずれか一つ以上が良好ではなかった。
また、実施例３における仮焼後、Ｌｉ含有ガラス添加前の仮焼体の組成を実測して確認した。具体的には、仮焼体を粉砕して粉末化し、理学電機製ＰｒｉｍｕｓＩＶを用いて蛍光Ｘ線分析した。実施例３における仕込み組成および仮焼体の分析値を表２に示す。なお、主成分組成の分析値、すなわち、フォルステライトの含有量の分析値（単位：モル％）、および、チタン酸ストロンチウムカルシウムの含有量の分析値（単位：モル％）は仮焼体におけるＭｇの分析値およびＴｉの分析値から算出した。（Ｓｒ＋Ｃａ）／ＴｉおよびＣａ／（Ｓｒ＋Ｃａ）は、Ｓｒの分析値、Ｃａの分析値およびＴｉの分析値から算出したモル比である。
表２より、本実施例では仕込み組成と仮焼体の分析値とで主成分組成、（Ｓｒ＋Ｃａ）／ＴｉおよびＣａ／（Ｓｒ＋Ｃａ）がほぼ一致することが確認できた。
なお、仮焼体におけるＺｎＯの含有量についても同様に蛍光Ｘ線分析にて確認したところ、前記主成分１００質量部に対して、０．０５質量部未満であり、実質的に含有されていないことが確認できた。
Claims (6)
- 主成分としてフォルステライトおよびチタン酸ストロンチウムカルシウムを含み、
主成分におけるフォルステライトの含有割合が８４．０モル部以上９２．５モル部以下、チタン酸ストロンチウムカルシウムの含有割合が７．５モル部以上１６．０モル部以下であり、
前記チタン酸ストロンチウムカルシウムにおける（Ｓｒ＋Ｃａ）／Ｔｉがモル比で１．０３〜１．２０であり、
前記主成分と、Ｌｉ含有ガラスを除く副成分と、の合計１００質量部に対して、前記Ｌｉ含有ガラスを２質量部以上１０質量部以下、添加して得られる誘電体磁器組成物であって、
前記Ｌｉ含有ガラスはＡｌ２Ｏ３の含有量が１質量％以上１０質量％以下のガラスである誘電体磁器組成物。 - 前記チタン酸ストロンチウムカルシウムにおけるＣａ／（Ｓｒ＋Ｃａ）がモル比で０．６０以上１．００以下である請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
- 前記Ｌｉ含有ガラスはＳｉＯ２の含有量が２５質量％以上４５質量％以下、ＢａＯの含有量が２０質量％以上４０質量％以下、ＣａＯの含有量が１０質量％以上３０質量％以下、Ｌｉ２Ｏの含有量が１０質量％以上３０質量％以下である請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物。
- 前記Ｌｉ含有ガラスがＢ２Ｏ３を実質的に含有しない請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
- 前記主成分１００質量部に対して、前記副成分としてＣｕ含有化合物をＣｕＯ換算で０．５質量部以上３．０質量部以下、Ｂ含有化合物をＢ２Ｏ３換算で０．２質量部以上３．０質量部以下、Ａｌ含有化合物をＡｌ２Ｏ３換算で０．３質量部以上３．０質量部以下、Ｍｎ含有化合物をＭｎＯ換算で０．０５質量部以上１．５質量部以下、含む請求項１〜４のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
- 請求項１〜５のいずれかに記載の誘電体磁器組成物を有する電子部品。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06243725A (ja) * | 1993-02-18 | 1994-09-02 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および複合電子部品 |
| JPH10158032A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-06-16 | Kyocera Corp | ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた多層配線基板 |
| JP2006335633A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック及び積層型電子部品 |
| JP2008037739A (ja) * | 2005-12-21 | 2008-02-21 | Murata Mfg Co Ltd | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層型セラミック電子部品 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4868663B2 (ja) | 2001-06-21 | 2012-02-01 | 京セラ株式会社 | 低温焼成磁器組成物 |
| US7439202B2 (en) * | 2004-03-01 | 2008-10-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Glass ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component |
| JP4506802B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2010-07-21 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06243725A (ja) * | 1993-02-18 | 1994-09-02 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および複合電子部品 |
| JPH10158032A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-06-16 | Kyocera Corp | ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた多層配線基板 |
| JP2006335633A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック及び積層型電子部品 |
| JP2008037739A (ja) * | 2005-12-21 | 2008-02-21 | Murata Mfg Co Ltd | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層型セラミック電子部品 |
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