JP4099979B2 - 圧電磁器組成物 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は圧電磁器組成物、詳しくは、1000℃以下の低温焼成が可能で、かつ比誘電率の大きい圧電磁器組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、圧電磁器には、優れた圧電特性を有するチタン酸ジルコン酸鉛系の圧電磁器組成物が広く用いられてきた。しかし、チタン酸ジルコン酸鉛系の圧電磁器組成物は、焼成温度が1050℃以上と高いので、電極と共焼結する際に、高コストのパラジウムを主成分として含む電極材料を用いなければならなかった。このため、安価な銀などを主成分として含む電極材料を用いることができるよう、1000℃以下の低温焼成が可能な圧電磁器組成物が要請されていた。
【0003】
これを受けて、1000℃以下の低温焼成が可能な圧電磁器組成物として、コバルト酸タングステン酸鉛Pb(Co1/2W1/2)O3とチタン酸鉛PbTiO3とからなる2成分磁器組成物が提案されている。(特開昭54−91799参照)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の2成分磁器組成物においては誘電率が小さいので、大きな誘電率が必要とされる用途には使用できないという問題点があった。
【0005】
本発明の目的は、1000℃以下の低温焼成が可能で、誘電率の大きい圧電磁器組成物を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
第1の発明に係る圧電磁器組成物は、一般式Pba(Coα/2W(2-α)/2)bTi1-bO3で表され、0.90≦a≦1.05、0.21≦b≦0.33、0.95≦α≦1.10を満足する主成分に対して、副成分として、Pba(MnA/3Nb(3-A)/3)O3、Pba(MnB/3Sb(3-B)/3)O3、Pba(MnC/3Ta(3-C)/3)O3、Pba(MnD/2W(2-D)/2)O3(ただし、A、B、C、Dはいずれも0.95〜1.05である)よりなる群から選ばれる1種以上を、1mol%〜20mol%含有させることを特徴とする。
【0007】
また、第2の発明に係る圧電磁器組成物は、一般式Pba(Coα/2W(2-α)/2)bTi1-bO3で表され、0.90≦a≦1.05、0.21≦b≦0.33、0.95≦α≦1.00を満足する主成分に対して、副成分として、MnをMnO2に換算して0.5mol%〜7.5mol%含有させることを特徴とする。
【0008】
このような組成にすることにより、1000℃以下の低温焼成が可能であり、かつ、誘電率の大きい圧電磁器組成物が得られる。
【0009】
また、第3の発明に係る圧電磁器組成物は、上記圧電磁器組成物におけるPb原子の20mol%以下を、Ca、Ba、Srよりなる群から選ばれた1種以上の元素で置換したことを特徴とする。
【0010】
このような組成にすることにより、焼結密度の高い圧電磁器が得られる。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明に係る圧電磁器組成物において、上記のように組成範囲を限定した理由を説明する。
【0012】
Pb量aに関して、0.90≦a≦1.05としたのは、aの値が0.90より小さい場合、磁器の焼結性が低下して1000℃以下の低温焼成ができないからであり、aの値が1.05より大きい場合、焼結体の強度が著しく低下して加工が困難になるからである。
【0013】
(Coα/2W(2-α)/2)量bに関して、0.21≦b≦0.33としたのは、bの値が0.21より小さい場合、比誘電率εrが小さくなるからであり、bの値が0.33より大きい場合、キュリー温度が低下して圧電体としての利用が困難になるからである。
【0014】
Co量αに関して、0.95≦α≦1.10としたのは、αの値が0.95より小さい場合、焼結体の変形量が大きくなりその後の工程に支障が出るためであり、αの値が1.10より大きい場合、磁器の絶縁性が低下し分極処理が困難になるからである。
【0015】
Pba(MnA/3Nb(3-A)/3)O3、Pba(MnB/3Sb(3-B)/3)O3、Pba(MnC/3Ta(3-C)/3)O3、Pba(MnD/2W(2-D)/2)O3(ただし、A、B、C、Dはいずれも0.95〜1.05である)よりなる群から選ばれる1種以上含有させる量を1mol%〜20mol%としたのは、1mol%より少ない場合、磁器の絶縁性が低下し分極処理が困難になるからであり、20mol%より多い場合、キュリー温度が低下して圧電体のとしての利用が困難になるからである。
【0016】
このとき、A、B、C、Dの値を0.95〜1.05としたのは、A、B、C、Dの値が0.95より小さい場合、焼結性が低下して緻密な磁器が得られないからであり、1.05より大きい場合、磁器の絶縁性が低下して分極処理が困難になるからである。
【0017】
副成分のMn量に関して、MnO2に換算して0.5mol%〜7.5mol%としたのは、この範囲外において絶縁性改善効果が得られないからである。
【0018】
Ca、Ba、Srよりなる群から選ばれた1種以上の元素によるPb原子の置換量を20mol%以下としたのは、20mol%を超えると焼結性改善効果が見られないからである。
【0019】
【実施例】
以下、本発明の一実施例について説明する。
圧電磁器の素原料として、Pb3O4、Co3O4、WO3、TiO2、MnCO3、Nb2O5、Sb2O3、Ta2O5、BaCO3、SrCO3、およびCaCO3を用意した。ただし、素原料は、他の酸化物や最終的に酸化物になるような他の化合物であってもよい。これらの素原料を表1の組成になるように秤量し、以下の工程を経て試料1〜50を作製した。
【0020】
【表1】
【0021】
素原料を湿式で混合粉砕した後、800〜1000℃の温度で2時間仮焼した。次に、得られた仮焼粉を粉砕し、酢酸ビニル樹脂をバインダとして造粒を行なった後、プレス成形によってφ12mm×1.2mmの円板状の成形体を作製した。次に、成形体を1000℃で3時間焼成し板状焼結体を得た。次に、焼結体にラップ研磨を施し1.0mの厚みにして、焼結体の主面に銀電極を蒸着した後、100℃のシリコンオイル中で3.5kV/mmの電界を60分印加して、分極処理を行なった。
【0022】
このようにして得られた試料1〜50について、焼結体の焼結密度、絶縁性、キュリー温度、比誘電率を測定し、その結果を表2に示した。なお、表1および表2において、試料番号に*が付されているものは、本発明の範囲外にある比較例に相当する。なお、絶縁性は、上記円板試料の絶縁抵抗をρ(Ω・cm)としてlogρで示す。
【0023】
【表2】
【0024】
以下、表1および表2に基づいて説明する。
試料1のようにa<0.90の場合、焼結密度が7.5g/cm3を下回って低下するため好ましくない。一方、試料5のように1.05<aの場合、磁器の強度が低下して焼結体を加工することができなかった。よって、0.90≦a≦1.05の範囲において、焼結密度が高く、かつ強度が十分な圧電磁器が得られる。
【0025】
また、試料6のようにb<0.21の場合、比誘電率εrが300を下回って小さくなるため好ましくない。一方、試料9のように0.33<bの場合、キュリー温度が150℃未満に低下し実用的な圧電体としては利用できない。よって、0.21≦b≦0.33の範囲において、焼結密度が高く、かつ実用的な圧電体が得られる。
【0026】
また、試料10のようにα<0.95の場合、焼結体の変形が大きく焼結体の加工ができない。一方、試料14のように1.10<αの場合、logρの値が10を下回って低下するため圧電体の分極処理が困難になる。よって、0.95≦α≦1.10の範囲において、変形しにくく、かつ分極処理しやすい圧電体が得られる。
【0027】
また、試料15、26のように、副成分である鉛酸化物の含有量が1mol%未満である場合、logρの値が10を下回り、絶縁性はそれほど改善されない。一方、試料19、30のように、副成分である鉛酸化物の含有量が20mol%を超える場合、キュリー温度が150℃未満に低下し、実用的な圧電体として利用できない。
【0028】
さらに、試料20のようにA<0.95の場合、焼結密度が低下する。一方、試料25のように1.05<Aの場合、絶縁性がかえって低下する。このことは、B、C、Dについても同様である。よって、副成分としてPba(MnA/3Nb(3-A)/3)O3、Pba(MnB/3Sb(3-B)/3)O3、Pba(MnC/3Ta(3-C)/3)O3、Pba(MnD/2W(2-D)/2)O3(ただし、A、B、C、Dはいずれも0.95以上1.05以下の範囲の値をとる)よりなる群から選ばれる1種以上の鉛酸化物を1mol%〜20mol%含有する場合、logρの値が11以上となり、分極処理が特に容易になるので好ましい。
【0029】
また、試料37のようにMnCO3の添加量が0.5mol%未満である場合、絶縁性はそれほど改善されない。一方、試料43のようにMnCO3の含有量が7.5%を超える場合、絶縁性がかえって低下する。よって、副成分としてMnをMnCO3に換算して0.5mol%〜7.5mol%含有する場合、logρの値が12以上となり、分極処理が特に容易になるので好ましい。
【0030】
また、Pb原子をSrによって置換するときに、試料48のように置換量が20mol%を超える場合では、焼結密度の改善が見られない。一方、試料44〜47のように置換量が20mol%以下である場合、焼結密度が若干向上するのでこの範囲が好ましい。また、試料49、50のように、Ca、Baによって置換する場合も、同様に焼結密度が若干向上する。
【0031】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明に係る圧電磁器組成物は、1000℃以下の低温焼成が可能であり、誘電率が大きく、分極処理がしやすい。また、本発明に係る圧電磁器組成物を用いれば、焼結密度が高く、適度なキュリー温度を有する実用的な圧電磁器が得られる。
Claims (3)
- 一般式Pba(Coα/2W(2-α)/2)bTi1-bO3で表され、0.90≦a≦1.05、0.21≦b≦0.33、0.95≦α≦1.10を満足する主成分に対して、
副成分として、Pba(MnA/3Nb(3-A)/3)O3、Pba(MnB/3Sb(3-B)/3)O3、Pba(MnC/3Ta(3-C)/3)O3、Pba(MnD/2W(2-D)/2)O3(ただし、A、B、C、Dはいずれも0.95〜1.05である)よりなる群から選ばれる1種以上を、1mol%〜20mol%含有させることを特徴とする圧電磁器組成物。 - 一般式Pba(Coα/2W(2-α)/2)bTi1-bO3で表され、0.90≦a≦1.05、0.21≦b≦0.33、0.95≦α≦1.00を満足する主成分に対して、
副成分として、MnをMnO2に換算して0.5mol%〜7.5mol%含有させることを特徴とする圧電磁器組成物。 - Pb原子の20mol%以下を、Ca、Ba、Srよりなる群から選ばれた1種以上の元素で置換したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の圧電磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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JP2003165771A JP2003165771A (ja) | 2003-06-10 |
JP4099979B2 true JP4099979B2 (ja) | 2008-06-11 |
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