JP4099165B2 - Mems素子及びデバイス - Google Patents
Mems素子及びデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP4099165B2 JP4099165B2 JP2004242498A JP2004242498A JP4099165B2 JP 4099165 B2 JP4099165 B2 JP 4099165B2 JP 2004242498 A JP2004242498 A JP 2004242498A JP 2004242498 A JP2004242498 A JP 2004242498A JP 4099165 B2 JP4099165 B2 JP 4099165B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support substrate
- actuator
- stopper
- upper layer
- mems element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
11 支持基板
12 絶縁層
13 上部層
21 ミラー部
22,23 アクチュエータ
22a,22b,34a,34b エッチングホール
24,25 ヒンジ部
26 上部層外周部
31 環状溝
32,33 切り欠き部
34 ストッパ
35 支持基板外周部
36 ワイヤボンディング
Claims (4)
- 導電性を有する支持基板と、前記支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上部に形成された導電性を有する上部層の基本構造を有し、
前記上部層は、
前記支持基板との間で間隙を隔てて保持され、上面を機能面とする可動部と、
前記可動部の両側方に回動軸に沿って前記可動部と一体に形成され、前記支持基板との間で間隙を隔てて保持され、前記支持基板からの静電気により前記可動部と共に回動する一対のアクチュエータと、
前記一対のアクチュエータの外側に回動軸に沿って形成され、前記アクチュエータを回動自在に保持する一対のヒンジ部と、
前記可動部、前記アクチュエータ及び前記ヒンジ部を取り囲む上部層外周部と、を有し、
前記支持基板は、
前記可動部と対応する位置に形成され、前記絶縁層に相当する間隙を介して前記アクチュエータの回動角を制限するストッパと、
前記ストッパを分離する環状溝を介して前記ストッパを取り囲む支持基板外周部と、
前記環状溝の側方に、前記アクチュエータの回動軸に対してその一側方に形成される一対の切欠き部と、を有することを特徴とするMEMS素子。 - 前記ストッパは、前記支持基板外周部とは電気的に絶縁され、且つ前記可動部を構成する前記上部層と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1記載のMEMS素子。
- 前記可動部の回動軸から前記ストッパに接触する位置までの距離をLmとし、前記アクチュエータの幅を2Laとするとき、Lm>3Laを満足することを特徴とする請求項1又は2記載のMEMS素子。
- 請求項1〜3のいずれか1項記載のMEMS素子を用いて形成され、前記支持基板外周部と前記アクチュエータとの間に電圧を印加することにより前記可動部の角度を変化させることを特徴とするデバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004242498A JP4099165B2 (ja) | 2004-08-23 | 2004-08-23 | Mems素子及びデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004242498A JP4099165B2 (ja) | 2004-08-23 | 2004-08-23 | Mems素子及びデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006060966A JP2006060966A (ja) | 2006-03-02 |
JP4099165B2 true JP4099165B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=36107978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004242498A Active JP4099165B2 (ja) | 2004-08-23 | 2004-08-23 | Mems素子及びデバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4099165B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5193639B2 (ja) | 2008-03-19 | 2013-05-08 | 株式会社東芝 | マイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-08-23 JP JP2004242498A patent/JP4099165B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006060966A (ja) | 2006-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5778212B2 (ja) | マイクロエレクトロメカニカルシステム用マイクロミラーを製造する方法 | |
KR100845398B1 (ko) | 액튜에이터 | |
JP2007517488A (ja) | 静電駆動デバイス | |
JP5049904B2 (ja) | 可動構造体及びそれを用いた光走査ミラー | |
JP5220270B2 (ja) | 平衡カンチレバー板を有するモノリシックmemsデバイス | |
US20050231787A1 (en) | Micro-oscillation element | |
US7026695B2 (en) | Method and apparatus to reduce parasitic forces in electro-mechanical systems | |
KR100644896B1 (ko) | 전자력 구동 스캐닝 마이크로미러 및 이를 사용한광스캐닝 장치 | |
JP2008020505A (ja) | 光スイッチ | |
JP2007286172A (ja) | マイクロミラー、及び、電極形成方法 | |
JP5053194B2 (ja) | 可動構造体及びそれを用いた光走査ミラー | |
KR20020044377A (ko) | 마이크로미러 액튜에이터 | |
JP4099165B2 (ja) | Mems素子及びデバイス | |
JP2007168065A (ja) | 垂直コーム電極の構造ならびにこれを備えたマイクロ光スキャナー、マイクロアクチュエータ、及び静電センサー | |
JP2008152238A (ja) | 非接触マイクロミラー | |
JP2008039867A (ja) | マイクロミラー、マイクロミラーアレイおよびそれを用いた光スイッチ | |
JP2013078206A (ja) | 櫛歯型アクチュエータ | |
JP4336123B2 (ja) | Mems素子および光デバイス | |
JP3869438B2 (ja) | Mems素子、その製造方法及び光ディバイス | |
JP5277977B2 (ja) | 光学装置 | |
JP3716241B2 (ja) | Mems素子及びこれを用いた光減衰器、光スイッチ及び光スキャナ | |
KR20230112450A (ko) | 마이크로 미러 | |
JP2005024966A (ja) | 光変調装置 | |
JP4544574B2 (ja) | 光偏向装置 | |
JP4126308B2 (ja) | 静電駆動型アクチュエータ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4099165 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110321 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140321 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |