JP4098442B2 - 銅被膜の選択形成方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、銅被膜の選択形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
アルミニウム(Al)は、LSIや液晶表示装置の配線材料として主に用いられている。しかしながら、Alは銅(Cu)に比べて抵抗が高いために、Al配線は信号の遅延、発熱による消費電力の増大という問題を有する。このため、Cuは、次世代の配線材料として注目されている。
【0003】
Al配線は、LSIの場合にはCl2,BCl3などの塩素系ガスによるドライエッチング技術、液晶表示装置の場合にはウェットエッチング技術により形成されることが多い。しかしながら、Cuのドライエッチングは高温雰囲気のみでしか実現されておらず、現段階では実用的ではない。一方、Cuをウェットエッチングすることは可能であるものの、微細加工を行なうことが困難である。
【0004】
上述したようにCuは、エッチングによる配線形成が困難であるため、LSIの製造においてはCMP(Chemical Mechanical Polishing)によりCu配線を形成することが一部実用化されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、CMPを液晶表示装置の配線形成に適用した場合、液晶表示装置の基板が大面積であるため、実用上、CMPでCu配線を形成することが困難である。また、液晶表示装置においてCuのエッチングまたはCMPが可能であっても、Cu配線の面積がガラス基板の面積に比べて小さいため、ガラス基板上に成膜されたCu膜の大部分が除去される。その結果、原料的に高価なCuの使用効率が非常に低くなり、液晶表示装置の価格が高騰する問題があった。
【0006】
本発明は、金属、絶縁材料等の任意の材料からなる下地の必要とする領域に銅を選択的に堆積して原料コストの低減等を達成することが可能な銅被膜の選択形成方法を提供しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係わる銅被膜の選択形成方法は、基板上の下地膜表面にシランカップリング剤または界面活性剤からなる疎水性の薄膜を形成する工程と、
前記疎水性の薄膜の銅被膜形成予定領域を親水性にする工程と、
前記基板温度を220℃以下にして銅のCVDを行なって、前記下地膜の親水性の銅被膜形成予定領域に銅被膜を選択的に成膜する工程と
を具備したことを特徴とするものである。
【0008】
本発明に係わる別の銅被膜の選択形成方法は、基板上の下地膜表面にプラズマCVDにより疎水性のフロロカーボン薄膜を形成する工程と、
前記薄膜の銅被膜形成予定領域にUV光を選択的に照射して親水性にする工程と、
前記基板温度を220℃以下にして銅のCVDを行なって、前記下地膜の親水性の銅被膜形成予定領域に銅被膜を選択的に成膜する工程と
を具備したことを特徴とするものである。
本発明に係わる半導体装置の製造方法は、基板上の下地膜表面にシランカップリング剤または界面活性剤からなる疎水性の薄膜を形成する工程と、
前記疎水性の薄膜の銅被膜形成予定領域を親水性にする工程と、
前記基板温度を220℃以下にして銅のCVDを行なって、前記下地膜の親水性の銅被膜形成予定領域に銅配線を選択的に成膜する工程と
を具備したことを特徴とするものである。
本発明に係わる別の半導体装置の製造方法は、基板上の下地膜表面にプラズマCVDにより疎水性のフロロカーボン薄膜を形成する工程と、
前記薄膜の銅被膜形成予定領域にUV光を選択的に照射して親水性にする工程と、
前記基板温度を220℃以下にして銅のCVDを行なって、前記下地膜の親水性の銅被膜形成予定領域に銅配線を選択的に成膜する工程と
を具備したことを特徴とするものである。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わる銅被膜の選択形成方法を詳細に説明する。
【0010】
(第1工程)
まず、基板上の下地膜表面にシランカップリング剤または界面活性剤の薄膜を形成する。
【0011】
前記基板としては、例えばシリコン基板、化合物半導体基板またはガラス基板等を用いることができる。
【0012】
前記下地膜は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の絶縁物を始めとし、Cu,Tiなどの金属等の任意の材料から形成される。
【0013】
前記シランカップリング剤としては、例えばヘキサメチルジシラザン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(βメトキシエトキシ)シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(3−トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファン等を挙げることができる。
【0014】
前記界面活性剤としては、長鎖アルキルスルホン酸、長鎖アルキルカルボン酸等を用いることができる。
【0015】
前記シランカップリング剤または界面活性剤の薄膜は、例えば蒸気吸着法または塗布法により形成される。このような薄膜は、後述するUV照射により分解除去する観点から、分子レベルの厚さにすることが好ましい。
【0016】
(第2工程)
次いで、前記薄膜の銅被膜形成予定領域を親水性にする。
【0017】
前記薄膜の銅被膜形成予定領域を親水性にするには、例えば前記薄膜の銅被膜形成予定領域にUV光を選択的に照射する方法を採用することができる。
【0018】
前記UV光は、波長が365nmの場合、300mJ/cm2以上の出力で前記被膜に選択的に照射することが好ましい。
【0019】
(第3工程)
次いで、銅のCVDを行なって、前記下地膜の銅被膜形成予定領域に銅被膜を選択的に堆積する。
【0020】
銅のCVDの原料ガスとしては、トリメチルビニルシラン添加ヘキサフルオロアセチルアセナトカッパー、トリメチルホスフィン添加ヘキサフルオロアセチルアセナトカッパー、1,5−シクロオククダジエン添加ヘキサフルオロアセチルアセナトカッパー等を用いることができる。この原料ガスは、窒素等のキャリアガスにより希釈して使用することを許容する。
【0021】
前記銅のCVDは、基板温度を220℃以下、より好ましくは150〜200℃で前記銅の原料ガスを吸着分解反応を行なうことが望ましい。
【0022】
以上説明したように基板上の下地膜表面にシランカップリング剤または界面活性剤の薄膜を形成すると、疎水性になる。この疎水性を示す被膜の銅被膜形成予定領域に例えばUV光を選択的に照射してその照射領域を親水性にする。つまり、下地膜の表面に疎水/親水の差が生じる。このような状態で150〜220℃のような低温での銅のCVD(銅の原料ガスの吸着分解反応)を行なうことにより、前記親水性の領域(銅被膜形成予定領域)に銅が選択的に堆積されて例えば銅配線のような銅被膜(銅パターン)を形成することができる。
【0023】
すなわち、本発明者らは銅の原料ガスとしてトリメチルビニルシラン添加ヘキサフルオロアセチルアセナトカッパーを用い、次のような図1に示す構造のCVD装置で基板周囲の雰囲気温度を150〜220℃にすることにより気相中での前記原料ガスの分解が起きないか、殆ど無視できる程度の堆積速度になることを確認した。
【0024】
このCVD装置は、一端(右端)に原料ガス供給管1を有する内径50mmの石英製反応管2を具備する。基板ホルダ3は、前記供給管1と反対側の端部(左端)から前記反応管2内に挿入されている。このホルダ3は、先端面が基板の保持部として機能し、かつ冷却水が内部に循環されるとともに、前記反応管2の外部に位置する側壁に冷却水の排出部4を有する筐体5と、この筐体5の後端部から挿入され、冷却水を導入するための冷却水導入管6とから構成されている。ヒータ7は、前記基板ホルダ3の先端付近から前記原料ガス供給管1に向かう約1mの長さに亘る前記反応管2の外周に巻装されている。真空ポンプ8は、前記ガス供給管1と反対側の前記反応管2の端部付近に可変バルブ9を通して連結されている。熱電対を装填したシーリド管10は、前記ガス供給管1と反対側の前記反応管2の端部からその内部に先端が前記ホルダ3の先端面付近に位置するように挿入されている。
【0025】
図1に示すCVD装置において基板ホルダ3先端面に所望の材料からなる基板11を保持するとともに、冷却水を冷却水導入管6を通して筐体5内に導入し、排出部4から排出することにより前記基板ホルダ3先端面に保持した基板11を冷却する。つづいて、銅の原料ガスであるトリメチルビニルシラン添加ヘキサフルオロアセチルアセナトカッパーをガス供給管1を通して反応管2内に導入するとともに、真空ポンプ8を作動して前記反応管2内のガスを可変バルブ9を通して排気する。この時、前記可変バルブ9により前記反応管2内の圧力が100Pa、管1内での流速が8cm/secになるように制御する。真空排気が安定した状態でヒータ7に通電して加熱する。前記ヒータ7の加熱によりガス供給管1から供給された前記原料ガスが暖められる。原料ガスが暖められることは、シーリド管10に装填された熱電対により確認した。また、この時の基板11は30℃以下の温度に保たれていることを図示しない基板温度測定用熱電対により確認した。
【0026】
前述した条件の下で前記シーリド管10に装填された熱電対で測定される温度が変化するように基板ホルダによる基板の冷却およびヒータ7による加熱温度を制御して24時間の成膜操作時の温度とCuの堆積膜厚の関係を求めた。その結果を図2に示す。
【0027】
図2から前記基板近傍の熱電対で測定された雰囲気温度が200℃以下において有為なCuの堆積が認められないことがわかる。この事実から200℃(場合によっては220℃以下)のCuの堆積の条件では、原料ガスの分解が気相で起こらず、専ら基板表面の吸着分解反応であることがわかる。したがって、このような条件の下でのCuの堆積は原料ガスが吸着される親水性を示す箇所でなされ、原料ガスの吸着が阻害される疎水性の箇所ではCuの堆積がなされないという選択的な堆積を遂行できることがわかる。
【0028】
事実、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板、非晶質シリコン基板、表面にSiO膜が被覆された単結晶シリコン基板にシランカップリング剤(例えばヘキサメチルジシラザン)の飽和蒸気を室温(25℃)で5分間程度吸着させた。なお、この吸着時間の長短は特に以後の特性に影響を与えない。つづいて、前記シランカップリング剤が吸着された表面に例えば365nmのUV光を1500mJ/cm2の出力で照射した。照射後は、カップリング剤がSi−O結合が支配的であるものに変化していることがXPS分析により確認した。
【0029】
次いで、前記シランカップリング剤の処理前の各基板、シランカップリング剤の処理後の各基板、およびUV光照射後の各基板を前述した図1に示す基板ホルダに保持し、銅の原料ガスであるトリメチルビニルシラン添加ヘキサフルオロアセチルアセナトカッパーを用い、150℃、原料ガス圧1torrの条件の下でのCVDによりCu膜を堆積した。
【0030】
各基板上でのCu膜の厚さ(2分間)を図3に示す。この図3は、重要なプロセス上の利点を示唆している。それは、下地材料を問わず、シランカップリング剤が吸着された面とUV光照射面との間に多大なCuの膜厚差が生じ、UV照射のみが蒸着領域を制御することである。
【0031】
以上のように、本発明によれば基板上の下地膜表面にシランカップリング剤または界面活性剤の薄膜を形成して表面を疎水性とし、この疎水性を示す被膜の銅被膜形成予定領域にUV光を選択的に照射してその照射領域を親水性とした後、150〜220℃のような低温での銅のCVD(銅の原料ガスの吸着分解反応)を行なうことにより、前記親水性の領域(銅被膜形成予定領域)に銅が選択的に堆積できる。その結果、エッチングやCMPのような無駄な銅の消費がなされることなく例えば銅配線のような銅被膜(銅パターン)を下地の所望領域に選択的に形成することができる。
【0032】
次に、本発明に係わる別の銅被膜の選択形成方法を詳細に説明する。
【0033】
(第1工程)
まず、基板上の下地膜表面にプラズマCVDによりフロロカーボン薄膜を形成する。
【0034】
前記基板、下地膜としては、前述したのと同様なものが用いられる。
【0035】
(第2工程)
次いで、前記フロロカーボン薄膜の銅被膜形成予定領域にUV光を選択的に照射する。つづいて、銅のCVDを行なって、前記下地膜の銅被膜形成予定領域に銅被膜を選択的に堆積する。
【0036】
銅のCVDの原料ガスとしては、前述したのと同様なものが用いられる。
【0037】
前記銅のCVDは、基板温度を220℃以下、より好ましくは150〜200℃で前記銅の原料ガスを吸着分解反応を行なうことが望ましい。
【0038】
以上説明したように基板上の下地膜表面に疎水性のフロロカーボン薄膜を形成し、この被膜の銅被膜形成予定領域にUV光を選択的に照射すると、その照射領域が親水性にする。つまり、下地膜の表面に疎水/親水の差が生じる。このような状態で150〜220℃のような低温での銅のCVD(銅の原料ガスの吸着分解反応)を行なうことにより、前記親水性の領域(銅被膜形成予定領域)に銅が選択的に堆積されて例えば銅配線のような銅被膜(銅パターン)を形成することができる。
【0039】
【実施例】
以下、本発明の好ましい実施例を図4、図5を参照して詳細に説明する。
【0040】
(実施例1)
まず、図4の(a)に示すように表面に汚染防止を目的としたSiO2膜(図示せず)がコートされた500mm×600mmガラス基板21上に基板温度420℃の条件下で減圧CVD法により厚さ50nmの非晶質シリコン(a−Si)薄膜22を堆積した。なお、SiO2膜の代わりに窒化シリコン(SiNx)膜または窒化シリコンと酸化シリコンの混合物からなる膜を用いてもよい。つづいて、図4の(b)に示すようにTFTの閾値制御を目的としてa−Si膜22に不純物(例えばボロン)をドーピングした。ひきつづき、ボロンドープa−Si膜にエキシマレーザアニールを施して結晶化させることによりボロンドープ多結晶シリコン(p−Si)薄膜23とした。なお、このエキシマレーザアニールに代えてランプアニールを施してもよい。
【0041】
次いで、前記p−Si薄膜23表面にスピンコート法によりレジストを塗布し、乾燥し、露光した後、現像することによりレジストパターン24,25を形成した。つづいて、これらレジストパターン24,25をマスクとしてCF4およびO2ガスを用いたCDE(Chemical Dry Etching)により前記p−Si薄膜23を選択的に除去することにより図4の(c)に示す島状のp−Si薄膜26,27を形成した。
【0042】
次いで、レジストパターンを灰化して除去した後、図4の(d)に示すように島状のp−Si薄膜26,27を含むガラス基板21上にTEOSを原料ガスとして用いた減圧プラズマCVD法により厚さ200nmのSiO2薄膜28を堆積し、さらにこのSiO2薄膜28上に減圧プラズマCVD法により厚さ50nmの窒化シリコン(SiNx)薄膜29を堆積した。つづいて、前記窒化シリコン薄膜29表面にスピンコート法によりレジストを塗布し、乾燥し、露光した後、現像することによりレジストパターン(図示せず)を形成し、このレジストパターンをマスクとして前記窒化シリコン薄膜29を選択的にエッチング除去し、さらにレジストパターンを除去することにより図4の(e)に示す拡散バリア膜30を形成した。
【0043】
次いで、前記拡散バリア膜30を含むSiO薄膜28上にシランカップリング剤であるヘキサメチルジシラザンの飽和蒸気を室温(25℃)で5分間程度吸着させた。シランカップリング剤が吸着された前記拡散バリア膜30表面に365nmのUV光を1500mJ/cm2の出力で選択的に照射して前記シランカップリング剤を光分解した。つづいて、銅の原料ガスであるトリメチルビニルシラン添加ヘキサフルオロアセチルアセナトカッパーを用い、基板温度200℃、原料ガス圧1torrの条件の下での選択CVDにより前記拡散バリア膜30上にCu膜を堆積した。その後、熱処理を施すことにより図5の(f)に示すようにCuからなるゲート電極31を形成した。この熱処理は、CVD工程で吸着された水分を除去するためになされるが省略してもよい。
【0044】
次いで、ゲート電極31の検査、つまりCu膜の抵抗値と断線の発生有無を電気的に検査するとともに、ゲート電極31の輪郭と予め記憶させたパターンとを比較して断線または短絡を検査した。この検査で良品として判定された基板を選び、図5の(g)に示すようにゲート電極31およびその下の拡散バリア膜30をマスクとして不純物、例えばリンを前記島状のp−Si薄膜26,27に選択的にドーピングして各島状のp−Si薄膜26,27にn+型のソース、ドレイン領域32,33およびp型チャンネル領域34をそれぞれ形成した。
【0045】
次いで、全面に減圧CVD法により層間絶縁膜としての窒化シリコン(SiNx)膜35を堆積した。つづいて、前記窒化シリコン(SiNx)膜35上にレジストパターン(図示せず)を形成し、このレジストパターンをマスクとして前記窒化シリコン(SiNx)膜35およびSiO薄膜28を選択的にウェットエッチングすることにより、図5の(h)に示すように底部が前記ソース、ドレイン領域32,33にそれぞれ達するコンタクトホール36を開口した。つづいて、これらコンタクトホール36を含む前記窒化シリコン(SiNx)膜35上にソース、ドレイン電極配線用のAl−Nd合金膜をスパッタリングにより堆積した。この後、このAl−Nd合金膜上に図示しないレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてCl2およびBCl3のガスを用いるリアクティブイオンエッチングにより前記Al−Nd合金膜を選択的にエッチング除去することにより、図5の(i)に示すようにコンタクトホール36を通して前記ソース領域32に接続されるソース電極配線37、コンタクトホール36を通して前記ドレイン領域33に接続されるドレイン電極配線38を形成して複数のTFTを有するアレイ基板を製造した。
【0046】
このような実施例1によれば少ないCuの消費量のCu選択堆積技術により形成されたゲート電極を有するアレイ基板を製造することができた。
【0047】
なお、実施例1ではソース、ドレインの電極配線をAl−Nd合金膜のスパッタリング蒸着、パターニングにより形成したが、Cuのゲート電極の形成とほぼ同様なCu膜の選択堆積技術により形成してもよい。
【0048】
(実施例2)
まず、表面に100nmの厚さの熱酸化膜が形成されたシリコンウェハを真空チャンバ内に設置し、このチャンバ内にCHF3ガスを10sccmの流量で導入し、チャンバ圧力を20mtorrにした後、800Wの高周波電力を印加して誘導結合型RFプラズマを生成した。このようなプラズマに前記シリコンウェハを30秒間曝すことにより厚さ20nmのフロロカーボン薄膜を前記ウェハの熱酸化膜上に堆積した。
【0049】
次いで、前記フロロカーボン薄膜の銅被膜形成予定領域に波長365nmのUV光を20000mJ/cm2の出力で照射した。つづいて、このウェハを反応管内に設置し、銅の原料ガスであるトリメチルビニルシラン添加ヘキサフルオロアセチルアセナトカッパーを0.1cc/min、キャリアガス(窒素ガス)を100sccmの条件で導入し、同時に前記反応管内のガスを排気して原料ガス圧2torr、基板温度180℃の条件の下での選択CVDを行なった。
【0050】
その結果、前記UV光の照射領域にCu膜を選択的に堆積することができた。
【0051】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば金属、絶縁材料等の任意の材料からなる下地の必要とする領域に銅を選択的に堆積して原料コストの低減等を達成でき、LSI、液晶表示装置の低抵抗配線として有効な銅被膜の選択形成方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のCu薄膜の選択形成に用いられる減圧CVD装置を示す概略図。
【図2】図1の減圧CVD装置でCu薄膜を堆積した時の温度と堆積Cu薄膜の厚さの関係を示すグラフ。
【図3】各種基板、表面にシランカップリング剤を蒸着させた各種基板、および表面にシランカップリング剤を蒸着させ、さらにUV光を照射した各種基板のCu堆積膜厚(2分間)を示すグラフ。
【図4】本発明の実施例1におけるTFTを有するアレス基板の製造工程を示す断面図。
【図5】本発明の実施例1におけるTFTを有するアレス基板の製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
1…ガス供給管、
2…反応管、
3…基板ホルダ、
7…ヒータ、
11…基板、
21…ガラス基板、
23…p−Si薄膜、
30…拡散バリア膜、
31…ゲート電極、
32…ソース領域、
33…ドレイン領域、
36…コンタクトホール
37…ソース電極配線、
38…ドレイン電極配線。
Claims (5)
- 基板上の下地膜表面にシランカップリング剤または界面活性剤からなる疎水性の薄膜を形成する工程と、
前記疎水性の薄膜の銅被膜形成予定領域を親水性にする工程と、
前記基板温度を220℃以下にして銅のCVDを行なって、前記下地膜の親水性の銅被膜形成予定領域に銅被膜を選択的に成膜する工程と
を具備したことを特徴とする銅被膜の選択形成方法。 - 前記薄膜の銅被膜形成予定領域を親水性にする工程は、前記薄膜の銅被膜形成予定領域にUV光を選択的に照射することによりなされることを特徴とする請求項1記載の銅被膜の選択形成方法。
- 基板上の下地膜表面にプラズマCVDにより疎水性のフロロカーボン薄膜を形成する工程と、
前記薄膜の銅被膜形成予定領域にUV光を選択的に照射して親水性にする工程と、
前記基板温度を220℃以下にして銅のCVDを行なって、前記下地膜の親水性の銅被膜形成予定領域に銅被膜を選択的に成膜する工程と
を具備したことを特徴とする銅被膜の選択形成方法。 - 基板上の下地膜表面にシランカップリング剤または界面活性剤からなる疎水性の薄膜を形成する工程と、
前記疎水性の薄膜の銅被膜形成予定領域を親水性にする工程と、
前記基板温度を220℃以下にして銅のCVDを行なって、前記下地膜の親水性の銅被膜形成予定領域に銅配線を選択的に成膜する工程と
を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上の下地膜表面にプラズマCVDにより疎水性のフロロカーボン薄膜を形成する工程と、
前記薄膜の銅被膜形成予定領域にUV光を選択的に照射して親水性にする工程と、
前記基板温度を220℃以下にして銅のCVDを行なって、前記下地膜の親水性の銅被膜形成予定領域に銅配線を選択的に成膜する工程と
を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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