JP4098403B2 - 接着剤、接着方法及び実装基板の組み立て体 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体素子などの電子部品を基板に実装する際に半田の代わりに利用される接着剤、及びその接着剤を用いた接着方法、並びにその接着方法により得られた実装基板の組み立て体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近の半導体工業における発展はめざましく、次々に高機能なＩＣやＬＳＩ等の半導体素子が開発されて量産化され続けている。半導体工業の発展に伴い、上記素子を基板に実装する接続方式も、従来の半田接合の他に様々な方式が提案され実用化されつつある。そのなかでも、下記に示されているコスト性、接合温度、環境面等を考慮して、半田の代わりに接着剤を用いた接合方式が注目され、一部実用化されている。以下、半田と接着剤とを比較する。
【０００３】
まず、両者のコスト性について比較する。半田は半導体素子や基板に形成されているＡｌ電極を濡らすことができないため、半田を用いて接続する場合、上記Ａｌ電極上に、半田に濡れる材料を予め形成してやる必要がある。このため、特殊仕様となりコスト高になる。しかし、接着剤はＡｌ電極を濡らすことができるので、接着剤を用いた接続方法は特殊仕様とする必要がなく、半田を用いた接続方法よりもコスト的にも有利である。
【０００４】
次いで、両者の接合温度について比較する。半田の融点は１８３℃であるため、半導体素子と基板との接合部を１８３℃以上に加熱する必要がある。半導体素子や基板は、加熱によって２００℃以上になることがあり、常温に戻ったときに発生する応力によって歪んでしまう。これに対し、接着剤は１５０℃程度で硬化するので、半田に比べて低温接合が可能である。
【０００５】
また、環境面を考慮すると、接着剤は鉛（Ｐｂ）を含まないので、Ｐｂレス接続が可能となる。このため、接着剤による接続方法は、鉛を含有する半田を用いる接続方法よりも環境衛生的にも好ましい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このように、接着剤によって半導体素子と基板とを接続する方法は、半田を用いる接続方法に比べてメリットは多いが、それでも１５０℃以上の温度を必要とする（例えば、特開平９−２６６２２２号公報参照）。このため、半導体素子や基板が常温に戻ったときには、半田を用いて接続したときに発生する応力ほど大きくはないが、かなりの大きさの応力が発生する。また、基板として、有機基板や、感光性エポキシ樹脂を絶縁膜としたビルドアップ層を表面に有するような接合部の下地が柔らかい材料を用いた場合には、半導体素子を接合する際の温度が高いと、接合部の下地の変形量が大きくなり、信頼性が低下することがある。
【０００７】
以上のような理由から、半導体素子と基板との接続を行うにあたり接合温度を下げたり、接合に要する時間を短くするための努力がなされている。例えば、特開平９−１５０４２５号公報には、特定条件を満足するポリビニルブチラール樹脂、エポキシ樹脂、マイクロカプセル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物、溶剤、及び導電粒子を特定配合割合で含むペースト状混合物を異方導電フィルムに成形すると、半導体素子と基板とを接合するにあたり、低温度化と短時間化が図れることが開示されている。また、組成や処理条件は上記公報記載のものとは異なるが、同様の目的の異方導電フィルムが特開平９−１６９９５８号公報にも開示されている。
【０００８】
しかしながら、上記両公報に開示された異方導電フィルムは特定形状に成形されたものであるから、接着剤のように使い勝手が良いものではない。また、異方導電フィルムは成形のための工程が別途必要となり、条件設定や調整の手間も考慮すると、コスト高となることは避けられない。
【０００９】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、半導体素子と基板とを常温のまま接続できる接着剤、及びその接着剤を用いた接着方法、並びにその接着方法により得られた実装基板の組み立て体を提供することをその課題としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
【００１１】
すなわち、本発明の第１の側面によれば、重合開始剤と、この重合開始剤を分解させる還元剤と、上記重合開始剤が分解して発生した活性ラジカルによって重合を開始するモノマ又はオリゴマからなる本剤とを含有した、電子部品を基板に接着させるための接着剤であって、上記電子部品と上記基板の接合前において、上記重合開始剤、上記還元剤及び上記本剤が同時に共存しないように、分離された２種の接着剤系に振り分けられており、上記電子部品と上記基板の接合に際して上記２種の接着剤系が合わさって、上記重合開始剤、上記還元剤及び上記本剤が混合されることによって、常温状態にて上記本剤を構成するモノマ又はオリゴマが重合硬化するようにした、接着剤が提供される。
【００１２】
また、本発明の第２の側面によれば、重合開始剤と、この重合開始剤を分解させる還元剤と、上記重合開始剤が分解して発生した活性ラジカルによって重合を開始するモノマ又はオリゴマからなる本剤とを成分として含有する接着剤であって、上記重合開始剤、上記還元剤及び上記本剤のうちの少なくとも１つの成分を含む第１の接着剤系と、上記第１の接着剤系に選択されなかった残りの全ての成分を含む第２の接着剤系とからなる２液型であることを特徴とする、接着剤が提供される。
【００１３】
本発明の接着剤において、本剤を構成するモノマ又はオリゴマはレドックス重合（酸化還元重合）する性質を有する。しかしながら、本剤のモノマ又はオリゴマの重合が常温で起こるためには、重合開始剤及び還元剤との共存が必要である。そこで、本発明においては、上記電子部品と上記基板とを接合するときを除いて、上記重合開始剤、上記還元剤及び上記本剤が同時に共存することのないように、分離された２種の接着剤系に分けられているのである。
【００１４】
２種の接着剤系に分ける具体的な態様として、（１）重合開始剤を他の２成分（還元剤、本剤）から分ける場合、（２）還元剤を他の２成分（重合開始剤、本剤）から分ける場合、（３）本剤を他の２成分（重合開始剤、還元剤）から分ける場合の３通りが考えられる。但し、接着剤の使用に際しては、分離された２種の系の一方を電子部品に塗布し、他方を基板に塗布することになるので、塗布の態様まで含めると、実質的には６通りの分け方があるといえる。
【００１５】
本発明の接着剤の使用に際して、上記重合開始剤と上記還元剤とが反応することにより、重合開始剤の分解反応の活性化エネルギーが低下し、常温でも活性ラジカルが容易に発生する。この結果、本剤に含まれるモノマ又はオリゴマは、上記活性ラジカルによって、常温でも重合可能となる。従って、上記２種の系を合わせるだけで（すなわち、上記２種の接着剤系のうちの一方が塗布された電子部品を、上記２種の接着剤系の他方が塗布された基板に貼り合わせるだけで）、上記重合開始剤、上記還元剤及び上記本剤が共存することになり、本発明の接着剤は加熱しなくても硬化し、常温での接着を可能にする。
【００１６】
本発明の好ましい実施形態として、上記２種の接着剤系の一方に熱硬化性接着剤をさらに含有させてもよい。この実施形態によれば、被着体である電子部品と基板とを常温で接合してやると、本剤に含まれるモノマ又はオリゴマが常温で重合し、電子部品と基板とは加熱を伴うことなく短時間で仮固定できるので、次の工程に速やかに移行することができ、作業効率が高くなる。その後、仮固定された電子部品と基板とを８０〜２００℃、好ましくは８０〜１３０℃、特に８０〜１１０℃で加熱して、上記熱硬化性接着剤を徐々に硬化させてやれば、電子部品と基板との接着強度が最終的に高くなる。
【００１７】
本発明のさらに好ましい実施形態では、上記本剤には、添加剤として、無機フィラー（例えば、アルミナ粒子やシリカ粒子）及び／又は導電性粒子が混合されている。これら添加剤を含有させる技術的意義については後述する。
【００１８】
一方、本発明の第３の側面によれば、上記接着剤を用いた接続方法であって、上記２種の接着剤系を電子部品と基板とに分けて塗布し、上記電子部品と上記基板との位置合わせを行い、上記電子部品と上記基板とを貼り合わせることにより、上記本剤を構成するモノマ又はオリゴマを常温のままで重合硬化させる、各工程を含む、電子部品の基板への接続方法が提供される。
【００１９】
既に説明したように、本発明の接着剤を使用すれば、電子部品と基板とを加熱することなく、常温のままで接続することが可能になる。従って、本発明の接続方法を採用すると、接続装置は、電子部品や基板を加熱する機構を必要としなくなり、コスト的に有利である。また、電子部品と基板とは、常温で接続されるので、熱応力で歪んでしまうことはない。さらに、基板における接合部が柔らかい材料を用いた場合でも、常温で接続が行われるので、上記接合部が変形することはない。
【００２０】
また、本発明の第４の側面によれば、上記２種の接着剤系の一方に熱硬化性接着剤をさらに含有させた接着剤を用いた接続方法であって、上記２種の接着剤系を上記電子部品と上記基板とに分けて塗布し、上記電子部品と上記基板との位置合わせを行い、上記電子部品と上記基板とを貼り合わせることにより、上記本剤を構成するモノマ又はオリゴマを常温のままで重合硬化させ、その後、上記熱硬化性接着剤を８０〜１１０℃で加熱して硬化させる、各工程を含む、電子部品の基板への接続方法が提供される。
【００２１】
上記接続方法による利点については、接着剤における上記２種の系の一方に熱硬化性接着剤を含ませた実施形態との関係で既に述べたとおりである。
【００２２】
さらに、本発明は上記接着方法によって得られる実装基板の組み立て体をも併せて提供するものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００２４】
本発明の接着剤において、本剤を構成するモノマとしては、レドックス重合するアクリル系モノマが好ましい。アクリル系モノマとしては、テトラエチレングリコールジメタクリレート、メチルメタクリレート、メチルアクリル酸アルキルエステル、アクリル酸フェノキシエチルエステル、アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、エポキシメタクリレート、ポリエステルメタクリレートが挙げられる。これらアクリル系モノマは、単独で使用しても、混合して使用してもよい。また、これらモノマが２〜２０分子程度重合してなるオリゴマもモノマの代わりに使用可能である。
【００２５】
本発明の接着剤に含まれる重合開始剤は、クメンハイドロパーオキシド、過酸化ベンゾイル、過酸化水素、メチルエチルケトンパーオキシド、ｔ−ブチルパーベンゾエート、有機ハイドロパーオキシドからなる群より選択することが好ましい。これら重合開始剤は、分解して活性ラジカルを発生させて、本剤のモノマ又はオリゴマを重合硬化させる作用を有する。
【００２６】
本発明の接着剤に含まれる還元剤は、Ｆｅ2+塩、ジメチルアニリン、ブチルアルデヒド、トリエチルアミン、メチルチオ尿素、エチレンチオ尿素、メチルエチルケトンオキシム、ナフテン酸コバルト、チタンアセチルアセテート、トリブチルアミンからなる群より選択することが好ましい。これらの還元剤は、重合開始剤の分解反応の活性化エネルギーを低下させ、低温でも活性ラジカルを容易に発生させる。
【００２７】
本発明の接着剤は、本剤、重合開始剤、及び還元剤に加えて、熱硬化性接着剤をさらに含んでいてもよい。この場合、熱硬化性接着剤は、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂及びメラミン樹脂からなる群より選択することができるが、接着強度を考慮するとエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ナフタレン系エポキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの熱硬化性接着剤に併せて、硬化剤（例えば、ポリベンズイミダゾールや２−メチルイミダゾール等のイミダゾール系硬化剤）を加えてもよい。
【００２８】
本発明の接着剤において、添加剤として使用されるアルミナやシリカ等の無機フィラーは、接着剤の熱膨脹率を低下させたり、ヤング率を高める作用がある。このため、電子部品や基板には大きな応力がかからず、大きな歪みが発生することがなくなる。また、必要に応じて、カップリング剤を添加剤として追加することもできる。
【００２９】
本発明の接着剤において、添加剤として使用される導電性粒子は、銀粒子表面を絶縁樹脂からなる膜で被覆したマイクロカプセルであることが好ましい。このマイクロカプセルは、電子部品側の端子電極と、基板側の配線パターンにおける接続パッドとの間の導通を図るために添加されている。銀粒子表面は絶縁膜で被覆されているが、電子部品を基板に接合する際の圧縮力で粒子が圧縮方向に相互に接触するとともに、電子部品側の端子電極や基板側の接続パッドに押し付けられることになる。この結果、粒子表面の絶縁膜が圧縮方向に破れ、電子部品側の端子電極と基板側の接続パッドとが銀粒子を介して導通することになる。従って、電子部品を基板に接合するに際して、両者間の電気的導通も同時に達成できる。その反面、圧縮方向に交差する方向（横方向）については、粒子の絶縁膜が破れずに維持される。従って、電子部品側の端子電極間のピッチ間隔や基板側の接続パッド間のピッチ間隔が狭い場合でも、横方向の絶縁は確実に達成される。
【００３０】
次に、本発明の接着剤を用いて電子部品を基板に接続する方法について、添付図面を参照しつつ説明する。
【００３１】
図１は、本発明の接着剤を用いて、電子部品としての半導体素子（例えば、ＬＳＩチップ）を基板に接続する方法を示す概略図である。同図（ａ）に示されるように、複数の端子電極１ａが形成された半導体素子１の下面に接着剤の第１の接着剤系３ａを塗布する一方、複数の接続パッド２ａを含む配線パターンが形成された基板２の上面に接着剤の第２の接着剤系３ｂを塗布する。本発明に従い、接着剤を構成する本剤、重合開始剤及び還元剤は上記第１の接着剤系３ａと第２の接着剤系３ｂとに適宜振り分けて含有させている。振り分け方としては、
（１）第１の接着剤系３ａに重合開始剤を含有させ、他の２成分（還元剤、本剤）を第２の接着剤系３ｂに含有させる場合、
（２）第１の接着剤系３ａに還元剤を含有させ、他の２成分（重合開始剤、本剤）を第２の接着剤系３ｂに含有させる場合、
（３）第１の接着剤系３ａに本剤を含有させ、他の２成分（重合開始剤、還元剤）を第２の接着剤系３ｂに含有させる場合、
（４）第２の接着剤系３ｂに重合開始剤を含有させ、他の２成分（還元剤、本剤）を第１の接着剤系３ａに含有させる場合、
（５）第２の接着剤系３ｂに還元剤を含有させ、他の２成分（重合開始剤、本剤）を第１の接着剤系３ａに含有させる場合、
（６）第２の接着剤系３ｂに本剤を含有させ、他の２成分（重合開始剤、還元剤）を第１の接着剤系３ａに含有させる場合の６通りが考えられる。
【００３２】
また、本実施形態では、半導体素子１を基板２に接合すると同時に、半導体素子１側の端子電極１ａを基板２側の接続パッド２ａに導通させる必要があるので、第１の接着剤系３ａと第２の接着剤系３ｂのいずれかに導電性粒子を添加剤として含有させる。また、必要に応じて、アルミナ粒子やシリカ粒子等の無機フィラーやカップリング剤を添加剤として第１の接着剤系３ａと第２の接着剤系３ｂのいずれかに含有させてもよい。但し、半導体素子１を基板２に対して単にダイボンディングさせるだけの場合には、導電性粒子を含有させる必要はない。
【００３３】
以上のように、第１の接着剤系３ａと第２の接着剤系３ｂとに各成分を適宜振り分けて塗布した上で、図１（ｂ）に示すように、半導体素子１を基板２に位置決めして押し付ける。この結果、第１の接着剤系３ａと第２の接着剤系３ｂとに含まれる各成分がほぼ均一に混合されて、還元剤との反応により重合開始剤から発生した活性ラジカルが本剤を構成するモノマ又はオリゴマを重合硬化させる。これにより、常温において半導体素子１が基板２に接合するとともに、半導体素子１と基板２との間に印可された圧縮力（押圧力）により半導体素子１側の端子電極１ａと基板２側の接続パッド２ａとが導電性粒子を介して電気的に導通することになる。
【００３４】
なお、半導体素子１と基板２との間の接合をより強固なものとすることが求められる場合には、第１の接着剤系３ａと第２の接着剤系３ｂのいずれかにエポキシ樹脂等の熱硬化性接着剤を付加的に含ませておけばよい。この場合、半導体素子１の基板２に対する仮固定は本剤、重合開始剤及び還元剤の反応により既に達成されており、しかも導電性粒子により端子電極１ａと接続パッド２ａとの間の電気的導通も既に確保されている。従って、直ちに接続工程を完了することができるため、作業効率が低下することはない。そして、熱硬化性接着剤による本固定は後に好ましくは８０〜１３０℃（特に、８０〜１１０℃）の比較的低い温度に加熱することにより徐々に行えばよく、従来のように１５０℃以上の高温に加熱することによる熱ストレス等の弊害を回避することができる。
【００３５】
【実施例】
次に、本発明の実施例を説明する。なお、以下の実施例では、本発明の接着剤を用いて、ダミーのチップ型半導体素子と基板とを実際に接続し、導通試験及び絶縁試験を行った。ダミーの半導体素子と基板を用いたのは、導通試験及び絶縁試験を効率的に行えるようにするためである。
【００３６】
〔実施例１〕
本実施例では、以下の組成を有する接着剤を用いた。
本剤：
本剤としてアクリル系モノマ（商品名：３２６ＬＶＵＶ、日本ロックタイト製）を７ｍｇ（１回の塗布あたりについての量をいい、以下も同じ。）用いた。
開始剤＋還元剤：
重合開始剤と還元剤の混合物として日本ロックタイト製のＴＤＳ−７６４９（商品名）を１ｍｇ用いた。
添加剤：
導電性粒子として銀粒子の表面を絶縁膜でコーティングしたマイクロカプセル（平均粒径５〜１０μｍ）を８．２ｍｇ用い、無機フィラーとしてシリカ粒子（平均粒径：３μｍ）を２．８ｍｇ用い、カップリング剤としてシラン系カップリング剤（商品名：ＫＢＭ８０３、信越化学製）を０．０７ｍｇ用いて、本剤に混合した。
【００３７】
以上の成分のうち、添加剤を混合した本剤を基板側に塗布し、開始剤及び還元剤の混合物を半導体素子側に塗布して、両者を位置合わせして常温で接合したところ、接着剤は速やかに硬化して、接合が完了した。このようにして得られた半導体素子と基板の接合体をサンプル１とし、それについて後述する導通試験及び絶縁試験を行なった。
【００３８】
〔実施例２〕
本実施例では、実施例１と同じ接着剤を用いたが、添加剤を混合した本剤を半導体阻止側に塗布し、開始剤及び還元剤の混合物を基板側に塗布して、両者を位置合わせして常温で接合した。その結果、接着剤は速やかに硬化して、接合が完了した。このようにして得られた半導体素子と基板の接合体をサンプル２とし、それについて後述する導通試験及び絶縁試験を行なった。
【００３９】
〔実施例３〕
本実施例では、以下の組成を有する接着剤を用いた。
本剤：
本剤としてアクリル系モノマ（商品名：３９２１、スリーボンド製）を７ｍｇ用いた。
開始剤＋還元剤：
重合開始剤と還元剤の混合物としてスリーボンド製の３９４１（商品名）を １ｍｇ用いた。
添加剤：
導電性粒子として銀粒子の表面を絶縁膜でコーティングしたマイクロカプセル（平均粒径５〜１０μｍ）を８．２ｍｇ用い、無機フィラーとしてシリカ粒子（平均粒径：３μｍ）を２．８ｍｇ用い、カップリング剤としてシラン系カップリング剤（商品名：ＫＢＭ４０３、信越化学製）を０．０７ｍｇ用いて、本剤に混合した。
熱硬化性接着剤：
１０重量％のイミダゾール系硬化剤を含んだビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を２ｍｇを用いた。
【００４０】
以上の成分のうち、添加剤を混合した本剤とエポキシ系接着剤とを基板側に塗布し、開始剤及び還元剤の混合物を半導体素子側に塗布して、両者を位置合わせして常温で接合したところ、接着剤は速やかに硬化して、接合が完了した。さらに、このようにして得られた半導体素子と基板の接合体を１００℃で２時間加熱（アフタキュア）して、サンプル３とし、それについて後述する導通試験及び絶縁試験を行なった。
【００４１】
〔実施例４〕
本実施例では、実施例３と同じ接着剤を用いたが、添加剤を混合した本剤とエポキシ系接着剤とを半導体阻止側に塗布し、開始剤及び還元剤の混合物を基板側に塗布して、両者を位置合わせして常温で接合したところ、接着剤は速やかに硬化して、接合が完了した。さらに、このようにして得られた半導体素子と基板の接合体を１００℃で２時間加熱（アフタキュア）して、サンプル４とし、それについて後述する導通試験及び絶縁試験を行なった。
【００４２】
〔導通試験〕
サンプル１〜４におけるダミーの半導体素子は３００個の端子電極（ピッチ１２５μｍ）を有しており、それに対応して基板にも３００個の接続パッドが形成されている。しかも、半導体素子及び基板における配線は、特定の２個の端子電極（接続パッド）間の抵抗を測定すれば、全ての接合部における全抵抗が測定できるように構成されている。
【００４３】
そこで、導通試験においては、サンプル１〜４のそれぞれについて２０個づつ各々の全抵抗を測定し、その値が１オーム以下であれば導通良好であると判定し、１オームを超えるものは導通不良と判定した。その結果、サンプル１〜４につき導通不良のものは皆無であり、表１に示すように、全て導通良好であった。
【００４４】
〔絶縁試験〕
サンプル１〜４（各サンプル２０個づつ）の各々について、隣接する接合部間の抵抗値を測定し、1.0 ×108 オーム以下のものを絶縁不良、1.0 ×108 オームを超えるものを絶縁性が良好なものとした。その結果、１チップあたり５０箇所の隣接接合部間の絶縁性を調べたが、サンプル１〜４につき絶縁不良のものは皆無であり、表１に示すように、全て絶縁良好であった。
【００４５】
【表１】
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の接着剤を用いると、加熱することなく、常温状態で電子部品を基板に確実且つ速やかに接続することができ、しかも導電性粒子を含める場合には同時に両者間の電気的導通も達成できる。従って、電子部品や基板には大きな熱応力が発生することがなく、両者に大きな歪みが生じることはない。また、半導体素子と基板とを接続する際に加熱機構が必要なくなるので、半導体素子と基板との接続を低コストで行なえる。さらに、基板の接合部が柔らかい材料であっても、接合部の下地が変形することがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の接着剤を用いて、電子部品としての半導体素子を基板に接続する方法を示す概略説明図である。
【符号の説明】
１ 半導体素子（電子部品）
１ａ 端子電極
２ 基板
２ａ 接続パッド
３ａ 第１の接着剤系
３ｂ 第２の接着剤系
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体素子などの電子部品を基板に実装する際に半田の代わりに利用される接着剤、及びその接着剤を用いた接着方法、並びにその接着方法により得られた実装基板の組み立て体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近の半導体工業における発展はめざましく、次々に高機能なＩＣやＬＳＩ等の半導体素子が開発されて量産化され続けている。半導体工業の発展に伴い、上記素子を基板に実装する接続方式も、従来の半田接合の他に様々な方式が提案され実用化されつつある。そのなかでも、下記に示されているコスト性、接合温度、環境面等を考慮して、半田の代わりに接着剤を用いた接合方式が注目され、一部実用化されている。以下、半田と接着剤とを比較する。
【０００３】
まず、両者のコスト性について比較する。半田は半導体素子や基板に形成されているＡｌ電極を濡らすことができないため、半田を用いて接続する場合、上記Ａｌ電極上に、半田に濡れる材料を予め形成してやる必要がある。このため、特殊仕様となりコスト高になる。しかし、接着剤はＡｌ電極を濡らすことができるので、接着剤を用いた接続方法は特殊仕様とする必要がなく、半田を用いた接続方法よりもコスト的にも有利である。
【０００４】
次いで、両者の接合温度について比較する。半田の融点は１８３℃であるため、半導体素子と基板との接合部を１８３℃以上に加熱する必要がある。半導体素子や基板は、加熱によって２００℃以上になることがあり、常温に戻ったときに発生する応力によって歪んでしまう。これに対し、接着剤は１５０℃程度で硬化するので、半田に比べて低温接合が可能である。
【０００５】
また、環境面を考慮すると、接着剤は鉛（Ｐｂ）を含まないので、Ｐｂレス接続が可能となる。このため、接着剤による接続方法は、鉛を含有する半田を用いる接続方法よりも環境衛生的にも好ましい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このように、接着剤によって半導体素子と基板とを接続する方法は、半田を用いる接続方法に比べてメリットは多いが、それでも１５０℃以上の温度を必要とする（例えば、特開平９−２６６２２２号公報参照）。このため、半導体素子や基板が常温に戻ったときには、半田を用いて接続したときに発生する応力ほど大きくはないが、かなりの大きさの応力が発生する。また、基板として、有機基板や、感光性エポキシ樹脂を絶縁膜としたビルドアップ層を表面に有するような接合部の下地が柔らかい材料を用いた場合には、半導体素子を接合する際の温度が高いと、接合部の下地の変形量が大きくなり、信頼性が低下することがある。
【０００７】
以上のような理由から、半導体素子と基板との接続を行うにあたり接合温度を下げたり、接合に要する時間を短くするための努力がなされている。例えば、特開平９−１５０４２５号公報には、特定条件を満足するポリビニルブチラール樹脂、エポキシ樹脂、マイクロカプセル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物、溶剤、及び導電粒子を特定配合割合で含むペースト状混合物を異方導電フィルムに成形すると、半導体素子と基板とを接合するにあたり、低温度化と短時間化が図れることが開示されている。また、組成や処理条件は上記公報記載のものとは異なるが、同様の目的の異方導電フィルムが特開平９−１６９９５８号公報にも開示されている。
【０００８】
しかしながら、上記両公報に開示された異方導電フィルムは特定形状に成形されたものであるから、接着剤のように使い勝手が良いものではない。また、異方導電フィルムは成形のための工程が別途必要となり、条件設定や調整の手間も考慮すると、コスト高となることは避けられない。
【０００９】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、半導体素子と基板とを常温のまま接続できる接着剤、及びその接着剤を用いた接着方法、並びにその接着方法により得られた実装基板の組み立て体を提供することをその課題としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
【００１１】
すなわち、本発明の第１の側面によれば、重合開始剤と、この重合開始剤を分解させる還元剤と、上記重合開始剤が分解して発生した活性ラジカルによって重合を開始するモノマ又はオリゴマからなる本剤とを含有した、電子部品を基板に接着させるための接着剤であって、上記電子部品と上記基板の接合前において、上記重合開始剤、上記還元剤及び上記本剤が同時に共存しないように、分離された２種の接着剤系に振り分けられており、上記電子部品と上記基板の接合に際して上記２種の接着剤系が合わさって、上記重合開始剤、上記還元剤及び上記本剤が混合されることによって、常温状態にて上記本剤を構成するモノマ又はオリゴマが重合硬化するようにした、接着剤が提供される。
【００１２】
また、本発明の第２の側面によれば、重合開始剤と、この重合開始剤を分解させる還元剤と、上記重合開始剤が分解して発生した活性ラジカルによって重合を開始するモノマ又はオリゴマからなる本剤とを成分として含有する接着剤であって、上記重合開始剤、上記還元剤及び上記本剤のうちの少なくとも１つの成分を含む第１の接着剤系と、上記第１の接着剤系に選択されなかった残りの全ての成分を含む第２の接着剤系とからなる２液型であることを特徴とする、接着剤が提供される。
【００１３】
本発明の接着剤において、本剤を構成するモノマ又はオリゴマはレドックス重合（酸化還元重合）する性質を有する。しかしながら、本剤のモノマ又はオリゴマの重合が常温で起こるためには、重合開始剤及び還元剤との共存が必要である。そこで、本発明においては、上記電子部品と上記基板とを接合するときを除いて、上記重合開始剤、上記還元剤及び上記本剤が同時に共存することのないように、分離された２種の接着剤系に分けられているのである。
【００１４】
２種の接着剤系に分ける具体的な態様として、（１）重合開始剤を他の２成分（還元剤、本剤）から分ける場合、（２）還元剤を他の２成分（重合開始剤、本剤）から分ける場合、（３）本剤を他の２成分（重合開始剤、還元剤）から分ける場合の３通りが考えられる。但し、接着剤の使用に際しては、分離された２種の系の一方を電子部品に塗布し、他方を基板に塗布することになるので、塗布の態様まで含めると、実質的には６通りの分け方があるといえる。
【００１５】
本発明の接着剤の使用に際して、上記重合開始剤と上記還元剤とが反応することにより、重合開始剤の分解反応の活性化エネルギーが低下し、常温でも活性ラジカルが容易に発生する。この結果、本剤に含まれるモノマ又はオリゴマは、上記活性ラジカルによって、常温でも重合可能となる。従って、上記２種の系を合わせるだけで（すなわち、上記２種の接着剤系のうちの一方が塗布された電子部品を、上記２種の接着剤系の他方が塗布された基板に貼り合わせるだけで）、上記重合開始剤、上記還元剤及び上記本剤が共存することになり、本発明の接着剤は加熱しなくても硬化し、常温での接着を可能にする。
【００１６】
本発明の好ましい実施形態として、上記２種の接着剤系の一方に熱硬化性接着剤をさらに含有させてもよい。この実施形態によれば、被着体である電子部品と基板とを常温で接合してやると、本剤に含まれるモノマ又はオリゴマが常温で重合し、電子部品と基板とは加熱を伴うことなく短時間で仮固定できるので、次の工程に速やかに移行することができ、作業効率が高くなる。その後、仮固定された電子部品と基板とを８０〜２００℃、好ましくは８０〜１３０℃、特に８０〜１１０℃で加熱して、上記熱硬化性接着剤を徐々に硬化させてやれば、電子部品と基板との接着強度が最終的に高くなる。
【００１７】
本発明のさらに好ましい実施形態では、上記本剤には、添加剤として、無機フィラー（例えば、アルミナ粒子やシリカ粒子）及び／又は導電性粒子が混合されている。これら添加剤を含有させる技術的意義については後述する。
【００１８】
一方、本発明の第３の側面によれば、上記接着剤を用いた接続方法であって、上記２種の接着剤系を電子部品と基板とに分けて塗布し、上記電子部品と上記基板との位置合わせを行い、上記電子部品と上記基板とを貼り合わせることにより、上記本剤を構成するモノマ又はオリゴマを常温のままで重合硬化させる、各工程を含む、電子部品の基板への接続方法が提供される。
【００１９】
既に説明したように、本発明の接着剤を使用すれば、電子部品と基板とを加熱することなく、常温のままで接続することが可能になる。従って、本発明の接続方法を採用すると、接続装置は、電子部品や基板を加熱する機構を必要としなくなり、コスト的に有利である。また、電子部品と基板とは、常温で接続されるので、熱応力で歪んでしまうことはない。さらに、基板における接合部が柔らかい材料を用いた場合でも、常温で接続が行われるので、上記接合部が変形することはない。
【００２０】
また、本発明の第４の側面によれば、上記２種の接着剤系の一方に熱硬化性接着剤をさらに含有させた接着剤を用いた接続方法であって、上記２種の接着剤系を上記電子部品と上記基板とに分けて塗布し、上記電子部品と上記基板との位置合わせを行い、上記電子部品と上記基板とを貼り合わせることにより、上記本剤を構成するモノマ又はオリゴマを常温のままで重合硬化させ、その後、上記熱硬化性接着剤を８０〜１１０℃で加熱して硬化させる、各工程を含む、電子部品の基板への接続方法が提供される。
【００２１】
上記接続方法による利点については、接着剤における上記２種の系の一方に熱硬化性接着剤を含ませた実施形態との関係で既に述べたとおりである。
【００２２】
さらに、本発明は上記接着方法によって得られる実装基板の組み立て体をも併せて提供するものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００２４】
本発明の接着剤において、本剤を構成するモノマとしては、レドックス重合するアクリル系モノマが好ましい。アクリル系モノマとしては、テトラエチレングリコールジメタクリレート、メチルメタクリレート、メチルアクリル酸アルキルエステル、アクリル酸フェノキシエチルエステル、アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、エポキシメタクリレート、ポリエステルメタクリレートが挙げられる。これらアクリル系モノマは、単独で使用しても、混合して使用してもよい。また、これらモノマが２〜２０分子程度重合してなるオリゴマもモノマの代わりに使用可能である。
【００２５】
本発明の接着剤に含まれる重合開始剤は、クメンハイドロパーオキシド、過酸化ベンゾイル、過酸化水素、メチルエチルケトンパーオキシド、ｔ−ブチルパーベンゾエート、有機ハイドロパーオキシドからなる群より選択することが好ましい。これら重合開始剤は、分解して活性ラジカルを発生させて、本剤のモノマ又はオリゴマを重合硬化させる作用を有する。
【００２６】
本発明の接着剤に含まれる還元剤は、Ｆｅ2+塩、ジメチルアニリン、ブチルアルデヒド、トリエチルアミン、メチルチオ尿素、エチレンチオ尿素、メチルエチルケトンオキシム、ナフテン酸コバルト、チタンアセチルアセテート、トリブチルアミンからなる群より選択することが好ましい。これらの還元剤は、重合開始剤の分解反応の活性化エネルギーを低下させ、低温でも活性ラジカルを容易に発生させる。
【００２７】
本発明の接着剤は、本剤、重合開始剤、及び還元剤に加えて、熱硬化性接着剤をさらに含んでいてもよい。この場合、熱硬化性接着剤は、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂及びメラミン樹脂からなる群より選択することができるが、接着強度を考慮するとエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ナフタレン系エポキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの熱硬化性接着剤に併せて、硬化剤（例えば、ポリベンズイミダゾールや２−メチルイミダゾール等のイミダゾール系硬化剤）を加えてもよい。
【００２８】
本発明の接着剤において、添加剤として使用されるアルミナやシリカ等の無機フィラーは、接着剤の熱膨脹率を低下させたり、ヤング率を高める作用がある。このため、電子部品や基板には大きな応力がかからず、大きな歪みが発生することがなくなる。また、必要に応じて、カップリング剤を添加剤として追加することもできる。
【００２９】
本発明の接着剤において、添加剤として使用される導電性粒子は、銀粒子表面を絶縁樹脂からなる膜で被覆したマイクロカプセルであることが好ましい。このマイクロカプセルは、電子部品側の端子電極と、基板側の配線パターンにおける接続パッドとの間の導通を図るために添加されている。銀粒子表面は絶縁膜で被覆されているが、電子部品を基板に接合する際の圧縮力で粒子が圧縮方向に相互に接触するとともに、電子部品側の端子電極や基板側の接続パッドに押し付けられることになる。この結果、粒子表面の絶縁膜が圧縮方向に破れ、電子部品側の端子電極と基板側の接続パッドとが銀粒子を介して導通することになる。従って、電子部品を基板に接合するに際して、両者間の電気的導通も同時に達成できる。その反面、圧縮方向に交差する方向（横方向）については、粒子の絶縁膜が破れずに維持される。従って、電子部品側の端子電極間のピッチ間隔や基板側の接続パッド間のピッチ間隔が狭い場合でも、横方向の絶縁は確実に達成される。
【００３０】
次に、本発明の接着剤を用いて電子部品を基板に接続する方法について、添付図面を参照しつつ説明する。
【００３１】
図１は、本発明の接着剤を用いて、電子部品としての半導体素子（例えば、ＬＳＩチップ）を基板に接続する方法を示す概略図である。同図（ａ）に示されるように、複数の端子電極１ａが形成された半導体素子１の下面に接着剤の第１の接着剤系３ａを塗布する一方、複数の接続パッド２ａを含む配線パターンが形成された基板２の上面に接着剤の第２の接着剤系３ｂを塗布する。本発明に従い、接着剤を構成する本剤、重合開始剤及び還元剤は上記第１の接着剤系３ａと第２の接着剤系３ｂとに適宜振り分けて含有させている。振り分け方としては、
（１）第１の接着剤系３ａに重合開始剤を含有させ、他の２成分（還元剤、本剤）を第２の接着剤系３ｂに含有させる場合、
（２）第１の接着剤系３ａに還元剤を含有させ、他の２成分（重合開始剤、本剤）を第２の接着剤系３ｂに含有させる場合、
（３）第１の接着剤系３ａに本剤を含有させ、他の２成分（重合開始剤、還元剤）を第２の接着剤系３ｂに含有させる場合、
（４）第２の接着剤系３ｂに重合開始剤を含有させ、他の２成分（還元剤、本剤）を第１の接着剤系３ａに含有させる場合、
（５）第２の接着剤系３ｂに還元剤を含有させ、他の２成分（重合開始剤、本剤）を第１の接着剤系３ａに含有させる場合、
（６）第２の接着剤系３ｂに本剤を含有させ、他の２成分（重合開始剤、還元剤）を第１の接着剤系３ａに含有させる場合の６通りが考えられる。
【００３２】
また、本実施形態では、半導体素子１を基板２に接合すると同時に、半導体素子１側の端子電極１ａを基板２側の接続パッド２ａに導通させる必要があるので、第１の接着剤系３ａと第２の接着剤系３ｂのいずれかに導電性粒子を添加剤として含有させる。また、必要に応じて、アルミナ粒子やシリカ粒子等の無機フィラーやカップリング剤を添加剤として第１の接着剤系３ａと第２の接着剤系３ｂのいずれかに含有させてもよい。但し、半導体素子１を基板２に対して単にダイボンディングさせるだけの場合には、導電性粒子を含有させる必要はない。
【００３３】
以上のように、第１の接着剤系３ａと第２の接着剤系３ｂとに各成分を適宜振り分けて塗布した上で、図１（ｂ）に示すように、半導体素子１を基板２に位置決めして押し付ける。この結果、第１の接着剤系３ａと第２の接着剤系３ｂとに含まれる各成分がほぼ均一に混合されて、還元剤との反応により重合開始剤から発生した活性ラジカルが本剤を構成するモノマ又はオリゴマを重合硬化させる。これにより、常温において半導体素子１が基板２に接合するとともに、半導体素子１と基板２との間に印可された圧縮力（押圧力）により半導体素子１側の端子電極１ａと基板２側の接続パッド２ａとが導電性粒子を介して電気的に導通することになる。
【００３４】
なお、半導体素子１と基板２との間の接合をより強固なものとすることが求められる場合には、第１の接着剤系３ａと第２の接着剤系３ｂのいずれかにエポキシ樹脂等の熱硬化性接着剤を付加的に含ませておけばよい。この場合、半導体素子１の基板２に対する仮固定は本剤、重合開始剤及び還元剤の反応により既に達成されており、しかも導電性粒子により端子電極１ａと接続パッド２ａとの間の電気的導通も既に確保されている。従って、直ちに接続工程を完了することができるため、作業効率が低下することはない。そして、熱硬化性接着剤による本固定は後に好ましくは８０〜１３０℃（特に、８０〜１１０℃）の比較的低い温度に加熱することにより徐々に行えばよく、従来のように１５０℃以上の高温に加熱することによる熱ストレス等の弊害を回避することができる。
【００３５】
【実施例】
次に、本発明の実施例を説明する。なお、以下の実施例では、本発明の接着剤を用いて、ダミーのチップ型半導体素子と基板とを実際に接続し、導通試験及び絶縁試験を行った。ダミーの半導体素子と基板を用いたのは、導通試験及び絶縁試験を効率的に行えるようにするためである。
【００３６】
〔実施例１〕
本実施例では、以下の組成を有する接着剤を用いた。
本剤：
本剤としてアクリル系モノマ（商品名：３２６ＬＶＵＶ、日本ロックタイト製）を７ｍｇ（１回の塗布あたりについての量をいい、以下も同じ。）用いた。
開始剤＋還元剤：
重合開始剤と還元剤の混合物として日本ロックタイト製のＴＤＳ−７６４９（商品名）を１ｍｇ用いた。
添加剤：
導電性粒子として銀粒子の表面を絶縁膜でコーティングしたマイクロカプセル（平均粒径５〜１０μｍ）を８．２ｍｇ用い、無機フィラーとしてシリカ粒子（平均粒径：３μｍ）を２．８ｍｇ用い、カップリング剤としてシラン系カップリング剤（商品名：ＫＢＭ８０３、信越化学製）を０．０７ｍｇ用いて、本剤に混合した。
【００３７】
以上の成分のうち、添加剤を混合した本剤を基板側に塗布し、開始剤及び還元剤の混合物を半導体素子側に塗布して、両者を位置合わせして常温で接合したところ、接着剤は速やかに硬化して、接合が完了した。このようにして得られた半導体素子と基板の接合体をサンプル１とし、それについて後述する導通試験及び絶縁試験を行なった。
【００３８】
〔実施例２〕
本実施例では、実施例１と同じ接着剤を用いたが、添加剤を混合した本剤を半導体阻止側に塗布し、開始剤及び還元剤の混合物を基板側に塗布して、両者を位置合わせして常温で接合した。その結果、接着剤は速やかに硬化して、接合が完了した。このようにして得られた半導体素子と基板の接合体をサンプル２とし、それについて後述する導通試験及び絶縁試験を行なった。
【００３９】
〔実施例３〕
本実施例では、以下の組成を有する接着剤を用いた。
本剤：
本剤としてアクリル系モノマ（商品名：３９２１、スリーボンド製）を７ｍｇ用いた。
開始剤＋還元剤：
重合開始剤と還元剤の混合物としてスリーボンド製の３９４１（商品名）を １ｍｇ用いた。
添加剤：
導電性粒子として銀粒子の表面を絶縁膜でコーティングしたマイクロカプセル（平均粒径５〜１０μｍ）を８．２ｍｇ用い、無機フィラーとしてシリカ粒子（平均粒径：３μｍ）を２．８ｍｇ用い、カップリング剤としてシラン系カップリング剤（商品名：ＫＢＭ４０３、信越化学製）を０．０７ｍｇ用いて、本剤に混合した。
熱硬化性接着剤：
１０重量％のイミダゾール系硬化剤を含んだビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を２ｍｇを用いた。
【００４０】
以上の成分のうち、添加剤を混合した本剤とエポキシ系接着剤とを基板側に塗布し、開始剤及び還元剤の混合物を半導体素子側に塗布して、両者を位置合わせして常温で接合したところ、接着剤は速やかに硬化して、接合が完了した。さらに、このようにして得られた半導体素子と基板の接合体を１００℃で２時間加熱（アフタキュア）して、サンプル３とし、それについて後述する導通試験及び絶縁試験を行なった。
【００４１】
〔実施例４〕
本実施例では、実施例３と同じ接着剤を用いたが、添加剤を混合した本剤とエポキシ系接着剤とを半導体阻止側に塗布し、開始剤及び還元剤の混合物を基板側に塗布して、両者を位置合わせして常温で接合したところ、接着剤は速やかに硬化して、接合が完了した。さらに、このようにして得られた半導体素子と基板の接合体を１００℃で２時間加熱（アフタキュア）して、サンプル４とし、それについて後述する導通試験及び絶縁試験を行なった。
【００４２】
〔導通試験〕
サンプル１〜４におけるダミーの半導体素子は３００個の端子電極（ピッチ１２５μｍ）を有しており、それに対応して基板にも３００個の接続パッドが形成されている。しかも、半導体素子及び基板における配線は、特定の２個の端子電極（接続パッド）間の抵抗を測定すれば、全ての接合部における全抵抗が測定できるように構成されている。
【００４３】
そこで、導通試験においては、サンプル１〜４のそれぞれについて２０個づつ各々の全抵抗を測定し、その値が１オーム以下であれば導通良好であると判定し、１オームを超えるものは導通不良と判定した。その結果、サンプル１〜４につき導通不良のものは皆無であり、表１に示すように、全て導通良好であった。
【００４４】
〔絶縁試験〕
サンプル１〜４（各サンプル２０個づつ）の各々について、隣接する接合部間の抵抗値を測定し、1.0 ×108 オーム以下のものを絶縁不良、1.0 ×108 オームを超えるものを絶縁性が良好なものとした。その結果、１チップあたり５０箇所の隣接接合部間の絶縁性を調べたが、サンプル１〜４につき絶縁不良のものは皆無であり、表１に示すように、全て絶縁良好であった。
【００４５】
【表１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の接着剤を用いると、加熱することなく、常温状態で電子部品を基板に確実且つ速やかに接続することができ、しかも導電性粒子を含める場合には同時に両者間の電気的導通も達成できる。従って、電子部品や基板には大きな熱応力が発生することがなく、両者に大きな歪みが生じることはない。また、半導体素子と基板とを接続する際に加熱機構が必要なくなるので、半導体素子と基板との接続を低コストで行なえる。さらに、基板の接合部が柔らかい材料であっても、接合部の下地が変形することがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の接着剤を用いて、電子部品としての半導体素子を基板に接続する方法を示す概略説明図である。
【符号の説明】
１ 半導体素子（電子部品）
１ａ 端子電極
２ 基板
２ａ 接続パッド
３ａ 第１の接着剤系
３ｂ 第２の接着剤系
Claims (10)
- 重合開始剤と、
この重合開始剤を分解させる還元剤と、
上記重合開始剤が分解して発生した活性ラジカルによって重合を開始するモノマ又はオリゴマからなる本剤とを含有した、電子部品を基板に接着させるための接着剤であって、
上記電子部品と上記基板の接合前において、上記重合開始剤、上記還元剤及び上記本剤が同時に共存しないように、分離された２種の接着剤系に振り分けられており、
上記電子部品と上記基板の接合に際して上記２種の接着剤系が合わさって、上記重合開始剤、上記還元剤及び上記本剤が混合されることによって、常温状態にて上記本剤を構成するモノマ又はオリゴマが重合硬化するように構成するとともに、上記２種の接着剤系の一方が熱硬化性接着剤をさらに含有していることを特徴とする、接着剤。 - 重合開始剤と、
この重合開始剤を分解させる還元剤と、
上記重合開始剤が分解して発生した活性ラジカルによって重合を開始するモノマ又はオリゴマからなる本剤とを成分として含有する接着剤であって、
上記重合開始剤、上記還元剤及び上記本剤のうちの少なくとも１つの成分を含む第１の接着剤系と、
上記第１の接着剤系に選択されなかった残りの全ての成分を含む第２の接着剤系とからなる２液型であり、上記２種の接着剤系の一方が熱硬化性接着剤をさらに含有していることを特徴とする、接着剤。 - 上記本剤は、アクリル系モノマ又はオリゴマである、請求項１に記載の接着剤。
- 上記重合開始剤は、クメンハイドロパーオキシド、過酸化ベンゾイル、過酸化水素、メチルエチルケトンパーオキシド、ｔ−ブチルパーベンゾエート、有機ハイドロパーオキシドからなる群より選択される、請求項１〜３のいずれか１つに記載の接着剤。
- 上記還元剤は、Ｆｅ2+塩、ジメチルアニリン、ブチルアルデヒド、トリエチルアミン、メチルチオ尿素、エチレンチオ尿素、メチルエチルケトンオキシム、ナフテン酸コバルト、チタンアセチルアセテート、トリブチルアミンからなる群より選択される、請求項１〜４のいずれか１つに記載の接着剤。
- 上記熱硬化性接着剤は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂及びメラミン樹脂からなる群より選択される、請求項１〜５のいずれか１つに記載の接着剤。
- 上記本剤には、添加剤として、無機フィラー及び／又は導電性粒子が混合されている、請求項１〜６のいずれか１つに記載の接着剤。
- 上記添加剤としての導電性粒子は、銀粒子の表面を絶縁樹脂からなる膜で被覆したマイクロカプセルである、請求項７に記載の接着剤。
- 請求項１〜８のいずれか１つに記載の接着剤を用いた接着方法であって、
上記２種の接着剤系を電子部品と基板とに分けて塗布し、
上記電子部品と上記基板との位置合わせを行い、
上記電子部品と上記基板とを貼り合わせることにより、上記本剤を構成するモノマ又はオリゴマを常温のままで重合硬化させ、
その後、上記熱硬化性接着剤を加熱して硬化させる、各工程を含む、電子部品の基板への接着方法。 - 請求項９に記載の接着方法を用いて得られた実装基板の組み立て体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15110698A JP4098403B2 (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 接着剤、接着方法及び実装基板の組み立て体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15110698A JP4098403B2 (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 接着剤、接着方法及び実装基板の組み立て体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11343465A JPH11343465A (ja) | 1999-12-14 |
| JP4098403B2 true JP4098403B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=15511490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15110698A Expired - Fee Related JP4098403B2 (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 接着剤、接着方法及び実装基板の組み立て体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4098403B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4892780B2 (ja) * | 2001-01-10 | 2012-03-07 | パナソニック株式会社 | 電子部品の製造方法および電子部品 |
| US6833629B2 (en) | 2001-12-14 | 2004-12-21 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Dual cure B-stageable underfill for wafer level |
| US20030129438A1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-07-10 | Becker Kevin Harris | Dual cure B-stageable adhesive for die attach |
| US7176044B2 (en) | 2002-11-25 | 2007-02-13 | Henkel Corporation | B-stageable die attach adhesives |
| JP2005089559A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Denso Corp | 導電性接着剤を用いた部材の接続方法 |
| DE602005009343D1 (de) | 2005-06-25 | 2008-10-09 | Evonik Degussa Gmbh | Thermoplastische Matrix enthaltend silanisierte pyrogene Kieselsäure |
| JP4899095B2 (ja) * | 2006-12-04 | 2012-03-21 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及び該方法に用いられる接着剤 |
| JP4720814B2 (ja) * | 2007-10-29 | 2011-07-13 | 住友電気工業株式会社 | 配線板の接続方法 |
| JP5137589B2 (ja) * | 2008-01-09 | 2013-02-06 | 電気化学工業株式会社 | アンダーフィル材料用の樹脂組成物 |
| US20100252783A1 (en) * | 2009-04-07 | 2010-10-07 | Syh-Tau Yeh | Ambient-curable anisotropic conductive adhesive |
| FR2950059B1 (fr) * | 2009-09-16 | 2016-09-16 | Jacret | Composition pour adhesif structural |
| EP2581955A4 (en) * | 2010-06-09 | 2015-12-30 | Dexerials Corp | LIGHT REFLECTING AND ELECTRICALLY CONDUCTIVE ANISOTROPE PASTE AND LIGHT-EMITTING DEVICE |
| JP5609716B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2014-10-22 | デクセリアルズ株式会社 | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
| FR3018628A1 (fr) * | 2014-03-11 | 2015-09-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'hybridation par collage de deux elements microelectroniques |
| JP2018188602A (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-29 | セメダイン株式会社 | 二液型硬化性組成物、及び製品 |
| WO2021029045A1 (ja) * | 2019-08-14 | 2021-02-18 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 接着剤セット、構造体及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-06-01 JP JP15110698A patent/JP4098403B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11343465A (ja) | 1999-12-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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