JP4092356B2 - 炭素ナノチューブの形成方法及びそれを利用した電界放出素子の製造方法 - Google Patents
炭素ナノチューブの形成方法及びそれを利用した電界放出素子の製造方法 Download PDFInfo
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Description
30 シリコン層、
35 メタルシリサイドドメイン、
40 バッファ層、
50 触媒金属層、
55 メタルシリサイドドメイン外の領域、
60 CNT。
Claims (15)
- 上面にシリコン層が形成された基板を設けるステップと、
前記基板のシリコン層上にバッファ層及び触媒金属層を順次に形成するステップと、
前記基板をアニーリングして、前記シリコン層に含まれるシリコンが、前記バッファ層及び触媒金属層に拡散し、部分的にメタルシリサイドドメインを形成するステップと、
前記触媒金属層の表面に炭素ナノチューブを成長させるステップと、を含み、
前記触媒金属層の厚さは0.5nm〜10nmであり、
前記バッファ層の厚さは1nm〜10nmであり、
前記アニーリングの温度は450℃〜850℃であり、
前記アニーリング時間は1秒〜30分であることを特徴とする炭素ナノチューブの形成方法。 - 前記シリコン層は、非晶質または結晶質のシリコン層であることを特徴とする請求項1に記載の炭素ナノチューブの形成方法。
- 前記アニーリングは、真空雰囲気で赤外線加熱方式または抵抗加熱方式によることを特徴とする請求項1に記載の炭素ナノチューブの形成方法。
- 前記触媒金属層は、ニッケル、鉄、コバルト、白金、モリブデン、タングステン、イットリウム、金、パラジウムまたはそれらの金属の合金からなるグループから選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項1に記載の炭素ナノチューブの形成方法。
- 前記バッファ層は、チタン、窒化チタン、アルミニウム、クロム、ニオブ、銅またはそれらの金属の合金からなるグループから選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項1に記載の炭素ナノチューブの形成方法。
- 前記バッファ層及び触媒金属層は、マグネトロンスパッタリング方法または電子ビーム蒸着方法により形成されることを特徴とする請求項1に記載の炭素ナノチューブの形成方法。
- 前記炭素ナノチューブは、熱化学気相蒸着法またはプラズマ補強化学気相蒸着法により形成されることを特徴とする請求項1に記載の炭素ナノチューブの形成方法。
- シリコン層がその上面に形成された負極、前記負極を覆うゲート絶縁層及びゲート電極が形成された基板を準備するステップと、
前記ゲート電極とゲート絶縁層及びその底部に前記シリコン層を露出させるウェルを形成するステップと、
前記シリコン層上にバッファ層及び触媒金属層を順次に形成するステップと、
前記基板をアニーリングして、前記シリコン層に含まれるシリコンが、前記バッファ層及び触媒金属層に拡散し、部分的にメタルシリサイドドメインを形成するステップと、
前記触媒金属層の表面に炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブエミッタを形成するステップと、を含み、
前記触媒金属層の厚さは0.5nm〜10nmであり、
前記バッファ層の厚さは1nm〜10nmであり、
前記アニーリングの温度は450℃〜850℃であり、
前記アニーリング時間は1秒〜30分であることを特徴とする電界放出素子の製造方法。 - 前記シリコン層は、非晶質シリコンからなることを特徴とする請求項8に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記アニーリングは、真空雰囲気で赤外線加熱方式によることを特徴とする請求項8に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記触媒金属層は、ニッケル、鉄、コバルト、白金、モリブデン、タングステン、イットリウム、金、パラジウムまたはそれらの金属の合金からなるグループから選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項8に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記バッファ層は、チタン、窒化チタン、アルミニウム、クロム、ニオブ、銅またはそれらの金属の合金からなるグループから選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項8に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記バッファ層及び触媒金属層は、マグネトロンスパッタリング方法または電子ビーム蒸着方法により形成されることを特徴とする請求項8に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記炭素ナノチューブは、熱化学気相蒸着法またはプラズマ補強化学気相蒸着法により形成されることを特徴とする請求項8に記載の電界放出素子の製造方法。
- 上面にシリコン層が形成された基板を設けるステップと、
前記基板のシリコン層上にバッファ層及び触媒金属層を順次に形成するステップと、
前記基板をアニーリングして、前記シリコン層に含まれるシリコンが、前記バッファ層及び触媒金属層の間に拡散し、部分的にメタルシリサイドドメインを形成させるステップと、
前記触媒金属層の表面に炭素ナノチューブを成長させるステップと、を含み、
前記触媒金属層の厚さは0.5nm〜10nmに調整し、
前記バッファ層の厚さは1nm〜10nmに調整し、
前記アニーリングの温度は450℃〜850℃に調整し、
前記アニーリング時間は1秒〜30分に調整し、メタルシリサイドドメインの外の触媒金属層の表面から成長する炭素ナノチューブの密度を調節することを特徴とする炭素ナノチューブの密度制御方法。
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