JP4091911B2 - 光ディスクの金型の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、光ディスクの分野に関し、より詳しくは、光ディスクのプレス加工用の金型製造の分野に関する。
通常、「マスタリング」と呼ばれる金型の製造は、光ディスクの工業プレス加工のためのカスタマイズ情報を中間基板に集積することからなる。金型の品質は、最終製品の品質を決定し、従来技術では、この操作が、複雑な装置を用いた時間のかかる高価な解決方法により実施されている。こうした複雑な装置の実施は、カスタマイズされる金型を複数の工業プレス加工会社のために製造する専門のサプライヤーにしばしば集中している。これらの金型は、その後、ポリカーボネートディスクの成形に使用される。金型は、微小突起として再生情報を含むニッケル板として構成され、この微小突起は、ＤＶＤの場合は０．４×０．３μｍ、ＣＤの場合は０．８×１μｍの、厚さ約１５０ナノメータのへこみを成形により形成する。
たとえば、光ディスクを生産可能にするプレス加工金型の製造方法を記載した、国際公開ＷＯ第９９/１８５７２号パンフレットが知られている。この方法は、プレス加工金型のプレートにフォトレジストを塗布し、このように塗布されたフォトレジストフィルムを構造化することからなる。構造化ステップは、前記フォトレジストフィルムを局部的に連続して昇華させ、加熱してから、短い波長の紫外線の範囲で追加照射ステップを実施し、その後、最終熱処理を行うことからなり、こうした追加照射ステップの有効量は、４×１０−４〜５×１０−２Ｊ/ｃｍ２の範囲で変化する。
ディスクの「単位」エッチング用の解決方法も知られている。国際公開ＷＯ第００/０８６４３号パンフレットは、たとえば、磁気応力、磁気光学応力、または位相変位する光学応力により記録可能なメモリを備えたディスク用のプレエッチング基板を記載している。このプレエッチング基板は、光学的な研磨面を得られる反射材料からなる表面層と、少なくとも一つの記録層とを表面に有する支持体を含んでおり、これらの層は、予備成形信号を示す一連の微小凹部および／または畝を含む。
本発明の目的は、最初のガラス基板の使用と、それによって生じる製造ステップの増加とを回避することにより金型の製造を簡素化し、「単位」エッチング用だけではなく、ポリカーボネートの成形による工業プレス加工用の用途に適した、金型の製造方法を提供することにある。
このため、本発明は、その最も一般的な意味において、光ディスクの金型の製造方法に関し、金属材料、有利にはエッチングに適した金属材料からなる基板から構成されて、少なくとも一つのガイドライン（突出部または中空部）を備える前駆体の製造ステップと、少なくとも一つの第一の材料の層を基板に堆積し、次いで、第一の材料がガイドライン外で前駆体の面と同高になるように、場合によっては第二の材料を堆積することからなる前記前駆体の調製ステップとを含み、ガイドライン上で前駆体の面と同高になる材料が、「第二の材料」と呼ばれることを特徴とする。
樹脂の堆積前に金型の表面を腐食し、ガイドラインの上にある２個の前記材料の一方だけが残るようにする。第一の変形実施形態によれば、材料２からなるガイドラインが、金属製で突出しており、エッチングに適したこの金属が、ガイドライン上で前駆体の面と同高になり、この金属が、材料１の堆積より前に基板に存在する。
第二の変形実施形態によれば、ガイドラインが中空（畝）である。前駆体の表面に、材料１より後に堆積される第二の材料、いわゆる「材料２」が前駆体の表面と同高になる。
次に、本発明は、このように調製された表面に反応性樹脂（たとえば感光性樹脂または局部的に昇華可能な着色剤）を堆積することからなり、この方法は、その後、前記反応性樹脂を局部的に除去するように金型の特別な情報に応じて反応面を構造化しながら、前駆体をカスタマイズすることからなり、この方法は、マスクのないガイドライン上に配置された第二の材料のゾーンをエッチングし、次いで、第二の材料があるエリア以外で樹脂および第一の材料の残っている堆積を取り除くことからなる露出ステップを含む。
好適には、第一の材料（材料１）が、反応性樹脂を構造化可能にする装置で用いられる波長で材料２とは著しく異なる光学特性を持つ少なくとも一つの材料層から構成される。
第一の変形実施形態によれば、ガイドラインが、少なくとも一つの突出した螺旋から構成される。
第二の変形実施形態によれば、ガイドラインが、少なくとも一つの畝から構成される。
有利には、基板を構成する金属材料が、ニッケル、ニッケルを主成分とする合金、クロム、クロムを主成分とする合金、窒化チタン、タンタル、モリブデン、および、それらの合金を含む群の中から選択される。
第二の変形実施形態の特定の実施形態によれば、第一の材料より後で堆積される第二の材料が、前駆体のカスタマイズステップで第二の材料の下の第一の材料の局部的なエッチングを妨げうる少なくとも一つの層から構成される。
第一の変形実施形態によれば、反応性の樹脂が、金属材料のエッチング製品に強い光化学反応樹脂である。
第二の変形実施形態によれば、反応性樹脂が感光性樹脂である。
好適には、前駆体の調製ステップが、反応性樹脂の堆積前の平坦化ステップを含む。
有利には、前記平坦化ステップが、機械−化学研磨、ドライフィルム研磨、「エッチバック」と呼ばれる方法により実施され、エッチバックは、約２００〜５００ｎｍの厚さの誘電性材料で被覆される前駆体に、平面を有するポリマー樹脂層を堆積し、次いで、樹脂と誘電性材料とを等速で除去するドライエッチング方法により樹脂が全部なくなるまで表面をエッチングすることからなる。また、前記平坦化ステップは、第一の弱い焼きなましの後で前記ポリマー層の制御エッチングを行って「材料２」と同高の材料を露出した後、１１０℃を超える温度で強い焼きなましを行う、たとえばノボラック感光性樹脂またはポリイミド材料からなる平坦化ポリマー層の堆積により実施される。
有利な実施形態によれば、ガイドラインを含む前駆体の製造ステップが、電気めっきステップを含む。
有利には、ガイドラインを含む前駆体の製造ステップが、基板の成形ステップを含む。
本発明は、また、基板の第一の製造ステップの際に、所定の半径方向の幅のガイドエレメントを有する金属材料からなる前駆体の製造ステップを含み、これらのガイドエレメントが、構造化された反応性樹脂によりマスクされる露出方法によって局部的にエッチングされる、光ディスクのプレス加工金型の製造方法に関し、第一の材料（いわゆる「材料１」が、ガイドエレメントのエッチングを感知しない性質をもち、その場合、この方法の終わりに、ガイドエレメントに被覆されない個々の情報エレメントの半径方向の幅が、ガイドエレメントの初期の半径方向の幅により決定され、個々の情報エレメントの接線方向の長さが、反応性樹脂の構造化方法により決定されることを特徴とする。
変形実施形態によれば、前駆体の調製ステップが、ガイドの突起未満の厚さを有する第一の分離層と、誘電性材料からなる外部層とを金属基板に堆積する操作および、ガイド突起の高さと、分離層の厚さを加えた前記高さとの間に含まれる被覆の厚さをとどめるようにするための、反応性樹脂堆積前の研磨による平坦化操作を含む。
本発明は、また、突出する金属ガイドエレメントを有する金属材料からなる基板の製造ステップを含み、これらのガイドエレメントが、構造化された反応性樹脂によりマスクされる露出方法によって局部的にエッチングされる光ディスクのプレス加工金型の製造方法に関し、基板の第一の成形方法の際に発生する半径方向における情報エレメントの底辺と頂点との勾配が、基板の基準面に対して一般に２０°〜６０°であり、カスタマイズされる金型に至る堆積方法および除去方法の際に不変であり、一方で、接線方向における情報エレメントのこの勾配が、基板の基準面に対して４０°〜９０°であり、構造化された樹脂によりマスクされる金属エッチング方法により形成されることを特徴とする。
有利には、金属基板が、材料１の堆積前に第一の金属層を基板に重ねることから構成され、前記金属層が、基板に対して選択的にエッチングされうるという特性を有する。
有利には、前駆体の調製ステップが、第一の材料を堆積する第一の操作、続いて、ガイドの突起未満の厚さを有する分離層、次いで誘電性材料からなる外部層を堆積する操作、および、ガイドの突起の高さと、分離層の厚さを加えた前記高さとの間に含まれる被覆の厚さをとどめるようにするための、反応性樹脂の堆積前の研磨による平坦化操作を含む。
変形実施形態によれば、第一の材料が、前記第二の材料をマスクとして用いることにより前記金型をカスタマイズするステップの際にエッチングされ、最初の金属基板は、基板の主要面に対して２０°〜６０°の勾配を縁が有するガイド畝を含んでおり、その結果、第二の材料が、半径方向に可変の厚さを有し、第二の材料が、第一の材料のエッチング時にゆっくりとエッチングされて、第一の材料の半径方向の勾配を基板の主要面に対して２０°〜６０°とし、基板に対してトラックの接線方向の勾配を４０°〜９０°とする。
本発明は、また、少なくとも一つの突出した螺旋から構成されるガイドラインを有する、予め形成された金属基板と、誘電性の層とからなり、被覆の厚さが、基準の厚さの２０％前後以下の余裕を伴って、ガイドの突起の高さと、分離層の厚さを加えた前記高さとの間に含まれており、この被覆が、反応性樹脂を収容するように構成される前駆体に関する。
本発明は、また、少なくとも一つの中空の螺旋からなるガイドラインを備えた、予め形成された金属基板と、第一の層、場合によっては分離層と、反応性樹脂を構造化可能にする装置で使用される波長で下層の光学特性とは著しく異なる光学特性を有する第二の層とからなる前駆体に関し、第二の層の厚さが、基準の厚さの２０％前後以下の余裕を伴って、ガイドの突起の高さと、分離層の厚さを加えた前記高さとの間にほぼ含まれており、この被覆が、反応性樹脂を収容するように構成される。
本発明は、添付図面を参照しながら限定的ではない実施例の説明を読めば、いっそう理解されるであろう。
限定的ではなく例として記載された方法は、まず、カスタマイズ情報が全くない「標準」ガイドラインを有するニッケル前駆体を調製することからなる。
ガイド情報は、最終製品を高精度で動作させるために特徴（ピッチ、幅、環状性）を最適化した突出畝から構成される。
前駆体は、半導体産業で使用されるシリコンプレート（Ｗａｆｅｒ）の、たとえば１５０ｍｍの直径に相当する直径１３８ｍｍまたはそれ以上のニッケルシートから調製可能である。前駆体は、半導体産業で使用されるシリコンウェファーの厚さと同様の厚さに相当する３００マイクロメータまたはそれ以上のニッケルシートから調製可能である。
シートは、複数の前駆体を同じ基板に同時に調製可能にする寸法（長さ、幅）を有することができ、これらの前駆体は、その後、スタンピングによりカットされて、円板状のプレス加工プレートを形成し、プレス加工鋳型に導入されるように構成される。
この前駆体の製造は、様々な技術によって実施可能であり、特に、「ガラス」タイプの金型から電気めっきにより再生可能である。ニッケルまたは同等材料からなる基板（１）は、その後、少ない操作数で調製される。図１に示された第一の一連の操作は、ニッケル基板（１）に２個の誘電性材料の層（２、３）を堆積することからなる。すなわち、
− 反応性スパッタまたは同等の方法による、分離層をなす第一の誘電性薄膜（２）に相当する部分全体の堆積である。この材料は、たとえば窒化シリコンである。この分離層（２）の厚さは、数ナノメータである。分離層は、ガイド畝（８）に係合する均質な厚さの膜を形成する。
− 第二の堆積（３）は、この分離層に形成される。この第二の堆積物は、たとえば、以降の操作時に基板のエッチングに強い誘電性材料、たとえばシリカである。第二の堆積物もまた、特にガイドラインを被覆する均質な厚さの膜を形成し、従って、第一の膜（２）の起伏と係合する。
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− 第二の堆積（３）は、この分離層に形成される。この第二の堆積物は、たとえば、以降の操作時に基板のエッチングに強い誘電性材料、たとえばシリカである。第二の堆積物もまた、特にガイドラインを被覆する均質な厚さの膜を形成し、従って、第一の膜（２）の起伏と係合する。
図２に示された第二のステップは、螺旋の頂部（５、６）を同高にしてその上に分離層（２）が残るように、機械−化学研磨を実施することからなる。それに対して、誘電性の層（３）は、突出した螺旋の位置でなくなり、螺旋間のスペースにのみ残る。
この研磨の後、ホアラーの上で、数十ナノメータの厚さの非常に薄い感光性樹脂（４）により表面塗布を行う。
その場合、必要に応じて前駆体をプレート状にカットし、カスタマイズされる調製をする。
こうしたカスタマイズステップを図３に示した。このステップは、レーザ（たとえば４００ナノメータのレーザダイオード）で感光性樹脂を照射することからなり、それにより、畝の頂部（８、９）の符号化情報に従って前駆体の表面にスポットを形成し、従って、相補的に微小突起を形成するための保護スペースを形成する。局部的な照射により、感光性樹脂の除去位置が特定され、螺旋の頂部以外で誘電性材料に被覆された基板を残す穴（１０）を形成する。照射スポットがない場合、螺旋の頂部（９）を局部的に保護する樹脂（１１）が保持される。
図４に次の操作を示した。この操作は、既知の方法で前駆体の表面をエッチングすることからなり、樹脂が、エッチングマスクをなす。このエッチングは、たとえば化学的な腐食により行われる。こうしたエッチングにより、樹脂を照射した場所に微小穴（１２）が形成され、これらの微小穴は、前駆体の調製ステップ時に形成されたガイド螺旋に配置される。
その後、樹脂と、残っている誘電性膜を剥がすことによりプロセスを終了する。この操作は、分離層（２）の存在により容易になる。従って、以前のステップで照射を受けなかった樹脂で被覆された螺旋の場所では、通常の方法で実施される光ディスクの成形金型の微小突起と同様に、頂部の一部が残る。
図５〜図９は、ガイドラインが、ガイドレールではなくガイド畝からなる、本発明の他の実施例に関する。
第一のステップは、基板（１）に、突出部の形状、特にガイド畝（１５）と係合して分離層を構成する、たとえばシリコン（２）の被覆を堆積することからなる。第一の被覆の上に、たとえばシリカ（３）からなる第二の被覆を堆積する。次のステップ（図６）は、畝（１５）の位置でシリコン分離層（２）と同高にするように機械−化学研磨を行うことからなる。それに対して、シリカからなる第二の被覆の層は、螺旋の間に含まれるスペースでなくなり、螺旋の中空部にのみ残る。
その後、このように調製されたアセンブリの表面に感光性樹脂を塗布する（図７）。このとき、前駆体は、カスタマイズされる用意ができる。このステップは、制御レーザ（たとえば４００ナノメータのレーザダイオード）で感光性樹脂を照射することからなり、それにより、畝の頂部の上の符号化情報に従って前駆体の表面にスポットを形成し、従って、相補的に微小突起を形成するための保護スペースを形成する。局部的な照射により、感光性樹脂の除去位置が特定され、螺旋の頂部以外で第二の層に被覆された基板を残す穴と、分離層とを形成する。照射スポットがない場合、螺旋の被覆を局部的に保護する樹脂（１１）が保持される。
次の操作（図８）は、既知の方法で前駆体の表面をエッチングすることからなり、樹脂が、エッチングマスクをなす。このエッチングは、たとえば、ＣＨＦ３ガスを用いた反応性イオン加工またはＲＩＥにより行われる。このエッチングにより、樹脂を照射した場所に微小穴（１２）が形成され、これらの微小穴は、前駆体の調製ステップ時に形成されたガイド螺旋に配置される。微小穴で、第二の被覆がエッチングされる。その後、溶剤を用いて、あるいは酸素を主成分とする反応性プラズマで、基板のアセンブリ全体から樹脂を除去する。次いで、たとえば、同様に、ＳＦ６を用いた反応性イオン加工方法で分離材料をエッチングし、前のステップの際にエッチングされない第二の被覆部分をマスクとして用いる。従って、シリコン分離材料と、第二のシリカ被覆とからなるサンドイッチ状の突起部分が残る。
図８は、樹脂により保護されるエリアで分離層（２）のエッチング後の結果を示す図である。この図は、基板（１）をなすニッケル面を有し、このニッケル面の上に、分離材料の層（２）と第二の材料の層（３）とからなるピットが存在する。
図９は、光照射により樹脂が劣化したエリアの断面図である。
図１０、１１は、２個の区間の上面図である。露出エリア（２０、２１）は、処理後、ピット（２４、２５）を分離する残留畝（２２、２３）を形成する。
二つの実施形態で記載された方法は、幅および長さが異なる二つの方法の二つの異なる製造ステップで得られる情報ピットを形成する。これは、写真平版方法により全てが決定される従来の方法にはない。最も重要な結果は、ＣＤおよびＤＶＤの二つのフォーマットの書き込みのために単一の書き込みヘッドの使用を検討可能なことにある。
同様に、同じ理由から、ピットの勾配は、半径方向（内部トラック）および接線方向（２個のピットの間）で異なるものにすることができる。接線方向のトラックの勾配は、信号の品質に影響を有し（垂直であればあるほど転位が明らかになり、信号が良好になる）、一方で、一般的な勾配は、ディスク/金型の型抜き品質、従って、製造サイクル時間に影響を有する（垂直でなければないほど形抜きしやすい）。この性能は、結局、金型が、半径方向に「ゆるい」が接線方向に急な勾配を有するために、有効であることが分かる。
この方法の難点の一つは、金属エッチングを均質にしなければならないことにあり、これを自動的に止めるものは何もない。そのためには、下の金属基板とは異なる速度でエッチングされる適切に選択した金属層（たとえばニッケル合金）により前駆体に第一の堆積を実施可能であり、これによって、ピット表面の少なくとも一部に止め層を導入できる。これは、「自動的に」適切な深さが画定されるピットを形成するという長所になる。
電気めっきによる製造形態によれば、前駆体の製造ステップが、分離層と、少なくとも一つの導電性材料の層とを調製金型に堆積し、次いで、前記導電性材料の堆積物に基板の材料を堆積してから、金型と前記堆積物とを分離するステップを含む。分離層は、たとえばクロムからなる。
エッチングの光源に前駆体を露光させる際は、完全な平面性を確保しながら心合わせする正確な調整により、基板を回転支持体に固定することが必要である。有効な解決方法は、ニッケル基板または磁気材料からなる基板との磁気相互作用を確保する回転磁気基板を使用することからなる。このため、本発明は、また、エッチングステップ時に前駆体を保持する回転磁気支持体を備えたエッチング装置を対象とする。
磁気支持体と前駆体との分離は、エッチング操作後、前駆体の支持面に対して立つ、一連の引き込み式のピンを用いて行われる。
Claims (27)
- 光ディスクの金型の製造方法であって、少なくとも一つの金属材料の層を含む基板から構成されて、少なくとも一つのガイドライン（突出部または中空部）を備えた、前駆体の製造ステップと、少なくとも一つの第一の材料（２）の層と、前記第一の材料（２）とは異なる第二の材料（３）とを基板上で重ね、このように調製された面を腐食してガイドラインの場所に前記材料の一方だけを残すようにし、このように調製された面に反応性樹脂（たとえば感光性樹脂）を堆積することからなる前記前駆体の調製ステップとを含み、その後、前記反応性樹脂を局部的に除去するように、金型の特別な情報に応じて反応面を構造化して前駆体をカスタマイズし、マスクのないガイドラインの場所で第二の材料のエリアをエッチングし、次いで、第二の材料によりカバーされるエリア以外で樹脂および第一の材料の残っている堆積を取り除くことからなる露出ステップを含むことを特徴とする方法。
- 第二の材料が、基板の材料と同じかまたは異なる金属製であり、第一の材料の堆積より前に基板に存在し、第一の材料が、反応性樹脂を構造化可能な装置で用いられる波長で金属材料の光学特性とは著しく異なる光学特性を持つ少なくとも一つの材料層から構成されることを特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の光ディスク金型の製造方法。
- ガイドラインが、少なくとも一つの突出した螺旋から構成されることを特徴とする、特許請求の範囲第１項または第２項に記載の光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 第一の材料が、反応性樹脂を構造化可能にする装置で使用される波長で第二の材料の光学特性とは著しく異なる光学特性を持つ少なくとも一つの材料層から構成され、第一の材料より後で堆積される第二の材料が、前駆体のカスタマイズステップにおいて第二の材料の下で第一の材料の局部的なエッチングを妨げうる少なくとも一つの層から構成されることを特徴とする、特許請求の範囲第１項または第３項に記載の光ディスクの金型の製造方法。
- ガイドラインが、畝から構成されることを特徴とする、特許請求の範囲第１項または第４項に記載の光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 基板を構成する金属材料が、ニッケル、ニッケルを主成分とする合金、クロム、クロムを主成分とする合金、窒化チタン、タンタル、モリブデン、および、それらの合金を含む群の中から選択されることを特徴とする、特許請求の範囲第１項から第５項のいずれか一項に記載の光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 反応性樹脂が、金属材料のエッチング製品に強い光化学反応樹脂であることを特徴とする、特許請求の範囲第１項から第６項のいずれか一項に記載の光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 反応性樹脂が、感光性樹脂であることを特徴とする、特許請求の範囲第１項から第７項のいずれか一項に記載の光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 前駆体の調製ステップが、反応性樹脂の堆積前の平坦化ステップを含むことを特徴とする、特許請求の範囲第１項から第８項のいずれか一項に記載の光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 前記平坦化ステップが、機械−化学研磨によって実施されることを特徴とする、特許請求の範囲第９項に記載の光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 前記平坦化ステップが、ドライフィルム研磨によって実施されることを特徴とする、特許請求の範囲第９項に記載の光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 前記平坦化ステップが、いわゆる「エッチバック」方法により実施され、厚さ約２００〜５００ｎｍの誘電性材料で被覆される前駆体に、平面を有するポリマー樹脂層を堆積し、次いで、樹脂と誘電性材料とを等速で除去するドライエッチング方法により樹脂が全部なくなるまで表面をエッチングすることからなることを特徴とする、特許請求の範囲第９項に記載の光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 前記平坦化ステップは、たとえばノボラック感光性樹脂またはポリイミド材料から構成される平坦化ポリマー層の堆積により実施され、第一の弱い焼きなましの後で、前記ポリマー層の制御エッチングを行って「材料２」と同高の材料を露出した後、１１０℃を超える温度で強い焼きなましを行うことを特徴とする、特許請求の範囲第９項に記載の光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- ガイドラインを含む前駆体の製造ステップが、電気めっきステップを含むことを特徴とする、特許請求の範囲第１項から第１３項のいずれか一項に記載の光ディスクの製造方法。
- ガイドラインを含む前駆体の製造ステップが、基板の成形ステップを含むことを特徴とする、特許請求の範囲第１項から第１４項のいずれか一項に記載の光ディスクの製造方法。
- 基板の第一の製造ステップの際に、所定の半径方向の幅のガイドエレメントを有する金属材料からなる前駆体の製造ステップを含み、これらのガイドエレメントが、特許請求の範囲第１項から第１５項のいずれか一項に記載の構造化された反応性樹脂によりマスクされる露出方法によって局部的にエッチングされ、第一の材料が、ガイドエレメントのエッチングを感知しない性質をもち、その場合、この方法の終わりに、ガイドエレメントにより被覆されない個々の情報エレメントの半径方向の幅が、ガイドエレメントの初期の半径方向の幅により決定され、個々の情報エレメントの接線方向の長さが、反応性樹脂の構造化方法により決定されることを特徴とする、光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 前駆体の調製ステップが、ガイドの突起未満の厚さを有する第一の分離層と、誘電性材料からなる外部層とを金属基板に堆積する操作および、ガイド突起の高さと、分離層の厚さを加えた前記高さとの間に含まれる被覆の厚さをとどめるようにするための、反応性樹脂堆積前の研磨による平坦化操作を含むことを特徴とする、特許請求の範囲第１項から第３項または第６項から第１６項のいずれか一項に記載の光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 突出する金属ガイドエレメントを有する金属材料からなる基板の製造ステップを含み、これらのガイドエレメントが、特許請求の範囲第１項から第１６項のいずれか一項に記載の構造化された反応性樹脂によりマスクされる露出方法によって局部的にエッチングされ、基板の第一の成形方法の際に発生する半径方向における情報エレメントの底辺と頂点との勾配が、基板の基準面に対して一般に２０°〜６０°であり、カスタマイズされる金型に至る堆積方法および除去方法の際に不変であり、一方で、接線方向における情報エレメントのこの勾配が、基板の基準面に対して４０°〜９０°であり、構造化された樹脂によりマスクされる金属エッチング方法により形成されることを特徴とする、光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 前駆体が、材料１の堆積前に第二の金属材料を金属基板に重ねることから構成され、前記金属層が、基板に対して選択的にエッチングされうるという特性を有することを特徴とする、特許請求の範囲第１項から第３項および第６項から第１８項のいずれか一項に記載の光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 少なくとも一つの突出した螺旋から構成されるガイドラインを有する、予め形成された金属基板と、誘電性の被覆層とからなり、最も厚い部分の厚さが、基準の厚さの２０％前後以下の余裕を伴って、ガイドの突起の高さと分離層の厚さを加えた前記高さとの間に含まれており、この被覆が、反応性樹脂を収容するように構成されることを特徴とする、特許請求の範囲第１項から第３項および第６項から第１９項のいずれか一項に記載の方法を実施する前駆体。
- 前駆体の調製ステップが、第一の材料を堆積する第一の操作、続いて、ガイドの突起未満の厚さを有する分離層、次いで誘電性材料からなる外部層を堆積する操作、および、ガイドの突起の高さと、分離層の厚さを加えた前記高さとの間に含まれる被覆の厚さをとどめるようにするための、反応性樹脂の堆積前の研磨による平坦化操作を含むことを特徴とする、特許請求の範囲第１項または第４項から第１５項のいずれか一項に記載の光ディスクの製造方法。
- 前記第一の材料が、前記第二の材料をマスクとして用いることにより、前記金型をカスタマイズするステップの際にエッチングされ、最初の金属基板は、基板の主要面に対して２０°〜６０°の勾配を縁が有するガイド畝を含んでおり、その結果、前記第二の材料が、半径方向に可変の厚さを有し、前記第二の材料が、第一の材料のエッチング時にゆっくりとエッチングされて、第一の材料の半径方向の勾配を基板の主要面に対して２０°〜６０°とし、基板に対してトラックの接線方向の勾配を４０°〜９０°とすることを特徴とする、特許請求の範囲第１項または第４項から第１６項または第２１項のいずれか一項に記載の光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 少なくとも一つの中空の螺旋からなるガイドラインを備えた、予め成形された金属基板と、第一の層、場合によっては分離層と、反応性樹脂を構造化可能にする装置で使用される波長で下層の光学特性とは著しく異なる光学特性を備えた第二の層とからなり、第二の層の最も厚い部分の厚さが、基準の厚さの２０％前後以下の余裕を伴って、ガイドの突起の高さと分離層の厚さを加えた前記高さとの間にほぼ含まれており、前記被覆が、反応性樹脂を収容するように構成されることを特徴とする、特許請求の範囲第１項または第４項から第１６項に記載の方法を実施するための前駆体。
- 反応性の樹脂が、放射作用下で特定される昇華により構造化される樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第７項のいずれか一項に記載の光ディスクのプレス加工金型の製造方法。
- 前駆体の製造ステップが、場合によっては、分離層の堆積ステップと、調製した金型に導電性材料層を堆積し、次いで前記導電性材料の堆積物に基板材料を堆積してから、金型と前記堆積物とを分離する、少なくとも一つのステップとを含むことを特徴とする、特許請求の範囲第１項から第１４項のいずれか一項に記載の光ディスクの製造方法。
- エッチングステップ時に前駆体を保持する回転磁気支持体を含むことを特徴とする、特許請求の範囲第１項から第１３項のいずれか一項に記載の方法を実施するためのエッチング装置。
- エッチング操作後、前記回転磁気支持体で前駆体の支持面に対して立てられる一連の引き込み式のピンを有することを特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の方法を実施するためのエッチング装置。
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