JP4079182B2 - 表面処理方法及びその装置 - Google Patents
表面処理方法及びその装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4079182B2 JP4079182B2 JP2006224232A JP2006224232A JP4079182B2 JP 4079182 B2 JP4079182 B2 JP 4079182B2 JP 2006224232 A JP2006224232 A JP 2006224232A JP 2006224232 A JP2006224232 A JP 2006224232A JP 4079182 B2 JP4079182 B2 JP 4079182B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- supply
- surface treatment
- nitrogen
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
2PbO+2NO2→Pb(NO3)2+Pb …(1)
となり、被処理体表面の酸化物PbOが窒素酸化物Pb(NO3)2に置換される。
PbO+N2O→2NO+Pb …(2)
となり、この場合は、被処理体表面の酸化物PbOが還元されてPbとなる。このとき、NOが発生し、これがさらに被処理体表面の改質に寄与する。
PbO+NO→NO2+Pb …(3)
となり、この場合も被処理体表面の酸化物PbOが還元されてPbとなる。このとき、NO2が発生し、これがさらに上述の通り被処理体表面の改質に寄与する。
PbO+2HNO3→Pb(NO3)2+H2O …(4)
となり、被処理体表面の酸化物PbOが窒素酸化物Pb(NO3)2に置換される。
PbO+HNO2→Pb+HNO3 …(5)
となり、この場合は被処理体表面の酸化物PbOが還元されてPbとなる。このとき、HNO3が発生し、これがさらに被処理体の改質に寄与する。
2PbO+H2N2O2→2Pb+2HNO2 …(6)
となり、この場合も被処理体表面の酸化物PbOが還元されてPbとなる。このとき、HNO2が発生し、これがさらに被処理体の改質に寄与する。
2NO+2H2O→2HNO2+H2 …(8)
2NO+2H2O→H2N2O2+H2+O2 …(9)
従って、水の添加により、(1)〜(3)のいずれか1以上の反応と、(4)〜(6)のいずれか1以上の反応とが行われて、被処理体の表面を改質することが分かる。このため、被処理体の表面を改質処理の効率が高まるという利点がある。なお、式(7)の反応は、式(8)(9)に比べて起きにくい。このため、HNO3は生成され難く、HNO2、H2N2O2が比較的多く生成されるので、上述の式(5)(6)の反応により、酸化物が還元されるので、被処理体の表面の改質処理の効率がさらに高まる。
をさらに有することが好ましい。このために、本発明装置では、強制排気手段とトラップ手段とを備える。これにより、窒素酸化物など大気に散乱させずに回収できる。特に、窒化物等を回収する触媒、活性炭等の浄化手段は、廃棄することが容易であり、ランニングコストを低減できる。
本発明では、窒素酸化物N2O、NO、NO2、H2N2O2、HNO2、HNO3などを含む処理ガスを被処理体に接触させ、この反応性の高い処理ガスにより、被処理体の表面を改質させる処理をしている。この反応性の高い処理ガスは、ボンベから供給管を介して被処理体に供給してもよいが、処理ガスを第1図〜第6図の6通りの方法のいずれかの方法で生成することもできる。
第1図の実施例では、処理ガス供給管2及び供給ガス供給管3が連結された処理ガス生成用容器1内にて、処理ガスである酸素原子(O)及び窒素原子(N)を含む供給ガスを、大気圧又はその近傍の圧力下での放電により分解して、処理ガスを生成している。このために、処理ガス生成用容器1内に、一対の電極を備えたプラズマ発生部4を設けている。
第2図では、第1図の加熱器4に代えて、供給ガス例えば酸素ガスO2と窒素ガスN2が導入される処理ガス生成用容器1内を加熱する加熱器5を設けている。
第3図の実施例では、処理ガス供給管2及び原料ガス供給管3が連結された処理ガス生成用容器1内にて、供給ガスである例えば酸素ガスと窒素ガスとを光分解して、処理ガスを生成している。このために、処理ガス生成用容器1内に光例えば紫外線を照射するUVランプ6を設けている。
第4図の実施例は、処理ガス供給管2が連結された処理ガス生成用容器1内にて、アルカリ金属と窒素化合物から成る塩の水溶液を電気分解して、処理ガスを生成している。このために、処理ガス生成用容器1内に上記塩の水溶液の水溶液を収容し、仕切り板7にて仕切られた各領域に電極8a,8bを配置した。この電極8a,8bに例えばDC24Vを印加したところ、HNO3、HNO2、H2N2O2を含む処理ガスを生成できた。
第5図の実施例は、キャリアガス供給管を兼ねる処理ガス供給管2は、キャリアガスを処理ガス生成用容器1内に導く第1の分岐管2aと、処理ガス生成用容器1内にて発生した処理ガスを導出する第2の分岐管2bとを有する。キャリアガスをHNO3、HNO2又はH2N2O2の酸の水溶液と接触させ、その酸の液体を含む処理ガスを生成している。この酸の液体を含むキャリアガスを被処理体に接触させることで、上述の式(4)〜(6)のいずれかの反応式により、被処理体の表面を改質することができる。
ここで、第1図〜第3図の実施例では、処理容器1内に水H2Oを導入することが好ましい。第1図の実施例の変形例を示す第6図では、水を収容した容器酸素ガス及び窒素ガスの一方のガスを直接に処理ガス生成用容器1に供給する第1のガス供給管3aと、その他方のガスを供給する第2のガス供給管3bと、第2のガス供給管3b途中にて他方のガスを水と接触させる容器9とを設けている。従って、他方のガスは水を含んだ状態で、処理ガス生成用容器1に導入される。この結果、上述した式(8)(9)の反応が主に生じて、処理ガスとしてHNO2又はH2N2O2が含まれることになる。この結果、上述した式(5)(6)の反応が主に生じて、被処理体の表面処理を促進できる。
ここで、被処理体をICのリードフレームとし、表面処理されたリードフレーム12の濡れ性について評価してみた。この評価結果を第7図に示す。第7図では、リードフレームの濡れ性の評価値を、リードフレームに作用する浮力の値で示している。この濡れ性を反映する浮力の値は、例えば第8図に模式的に示す測定装置で測定した値である。
第9図は、本実施例にかかる表面処理装置の全体構成を示す概略説明図である。
この表面処理ユニット30は、第10図に示すように、1つの筺体32内部に、ガス給気管40、電源50、プラズマ発生部60、排気管70及びトラップ手段である触媒80を搭載している。
第10図に示す実施例では、供給ガスが、工場内に配置された設備を用いて、表面処理ユニット30のガス給気管40にそれぞれ導入される。この供給ガスは、ガス給気管40に途中に設けられた流量計42により流量調整されている。流量調整された供給ガスは、プラズマ発生部60に導入される。プラズマ発生部60内に設けられた一対の電極62a、62bには、10〜50kHzの比較的低周波数の交流電圧が印加されている。
次に、第9図の表面処理ユニット30の他の構成を、第16図及び第17図を参照して説明する。
次に、上述した表面処理ユニット30,100及び110の形状もしくはそれらに連結される給気連結管20、排気連結管24の形状を変更した各種タイプについて、第18図以降を参照して説明する。
第18図及び第19図に示すラインタイプの表面処理ユニット160は、コンベアライン14により搬送される例えば板状のワーク500と対向する上方位置に、設けられている。この表面処理ユニット160は、筺体161の下部に給排気部162を備えている。この給排気部162は、給気管164及び排気管166にて二重間構造を構成している。本実施例では、中心部に給気管164を配置し、その周囲に排気管166を配置し、排気管166の下端部は、傘状に広がる形状となっている。
第20図に示すスタンドタイプの表面処理ユニット200は、載置可能な底面を有する筺体201を有している。この筺体201内部には、上述した通り処理ガスが導入され、触媒を経由して排気ガスが排気される。この筺体201には、上方に伸びる給気連結管210及び排気連結管230が設けられている。給気連結管210は屈曲され、下端にて開口する給気部220を有する。この給気部220の周囲には、処理ガスの拡散を防止するための傘状の拡散防止板222が設けられている。一方、排気連結管230は、拡散防止板222と対向する位置に、上方に向かうに従い開口面積の増大する傘状の排気吸引部240が形成されている。
第22図及び第23図に示す実施例は、表面処理ユニット300自体を、例えば半田ごてのような筒状の筺体301にて構成したものである。この筺体301に連結された給気連結管310及び排気連結管320は二重管構造となっており、内側の給気連結管310により処理ガスがワーク500に向けて導出され、外側の排気連結管320よりその曝露された処理ガスが筺体301内部に導かれる。排気連結管320の先端部は、排気領域を拡大する観点から、第22図及び第23図に示すとおり、傘状に広がる形状とすることが好ましい。
第24図及び第25図に示す表面処理ユニット400は、筺体401の一面例えばその上面に、板状のワーク500を挿入できるスリット状の挿入部410を有している。このスリット状の挿入部410には排気管420が連結されている。一方、スリット状の挿入部410の例えば両側壁には、該側壁にて一端が開口する処理ガス給気管430が設けられている。
第26図は、多数のワークをバッチ式で処理する装置を示している。この装置は、上述の表面処理ユニット30(又は110又は120)に接続された給気連結管20及び排気連結管24を、バッチ処理ボックス450に連結している。このバッチ処理ボックス450は、内部に多数のワーク510を収容するものである。バッチ処理されるワーク510としては、上述のIC10、線材250、板状のワーク500の他、例えばロール状に巻回されたTABテープであってもよい。
Claims (8)
- 誘電体を挟んで配置される第1、第2の電極を有し、前記第1、第2の電極が、前記誘電体と対面する各面の互いに非対向となる位置に第1、第2の凹部を有する一対の電極を用意し、
大気圧又はその近傍の圧力下で、酸素原子(O)と窒素原子(N)と水(H 2 O)を含む供給ガスを、前記第1、第2の凹部の少なくとも一方に供給し、
50kHz以下の低周波数の交流電圧又は直流電圧が印加される前記一対の電極により、前記供給ガスを励起して放電を生成して、NO2 の窒素酸化物を含む処理ガスを生成し、
前記処理ガスを被処理体の表面に形成された金属酸化物に接触させて、前記窒素酸化物により前記被処理体の金属酸化物を還元し、または、前記窒素酸化物により前記被処理体の金属酸化物を置換して、前記被処理体の表面を処理することを特徴とする表面処理方法。 - 請求項1において、
前記供給ガスとして、酸素(O2)ガスと窒素(N2)ガスとを供給し、前記窒素ガスをキャリアガスとして兼用することを特徴とする表面処理方法。 - 請求項2において、
前記酸素ガスの供給量を、15体積%以下としたことを特徴とする表面処理方法。 - 請求項2において、
前記酸素ガスの供給量を、10体積%以下としたことを特徴とする表面処理方法。 - 請求項2において、
前記酸素ガスの供給量を、5〜10体積%としたことを特徴とする表面処理方法。 - 請求項1乃至5のいずれかにおいて、
前記被処理体に向けて供給された前記処理ガス及び反応生成物を強制排気する工程と、
排気途中にて、前記処理ガス及び反応生成物をトラップする工程と、
をさらに有することを特徴とする表面処理方法。 - 請求項1乃至6のいずれかにおいて、
前記処理ガスを前記被処理体の表面に接触させて、前記表面での半田の濡れ性を向上させることを特徴とする表面処理方法。 - 誘電体を挟んで配置される第1、第2の電極を有し、前記第1、第2の電極が、前記誘電体と対面する各面の互いに非対向となる位置に第1、第2の凹部を有し、50kHz以下の低周波数の交流電圧又は直流電圧が印加される一対の電極と、
大気圧又はその近傍の圧力下で、酸素原子(O)と窒素原子(N)と水(H 2 O)を含む供給ガスを、前記第1、第2の凹部の少なくとも一方に供給する手段と、
前記一対の電極にて生成される処理ガスであって、NO2 の窒素酸化物を含む処理ガスを被処理体の表面に形成された金属酸化物に導く処理ガス供給手段と、
を有し、前記窒素酸化物により前記被処理体の金属酸化物を還元し、または、前記窒素酸化物により前記被処理体の金属酸化物を置換して、被処理体の表面を処理することを特徴とする表面処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006224232A JP4079182B2 (ja) | 1995-11-07 | 2006-08-21 | 表面処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32814595 | 1995-11-07 | ||
JP10357696 | 1996-03-29 | ||
JP2006224232A JP4079182B2 (ja) | 1995-11-07 | 2006-08-21 | 表面処理方法及びその装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1997519601 Division | 1996-11-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006342432A JP2006342432A (ja) | 2006-12-21 |
JP4079182B2 true JP4079182B2 (ja) | 2008-04-23 |
Family
ID=37670951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006224232A Expired - Lifetime JP4079182B2 (ja) | 1995-11-07 | 2006-08-21 | 表面処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4079182B2 (ja) |
-
2006
- 2006-08-21 JP JP2006224232A patent/JP4079182B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006342432A (ja) | 2006-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7407635B2 (en) | Processes and apparatuses for treating halogen-containing gases | |
JP4407252B2 (ja) | 処理装置 | |
WO1997019204A1 (fr) | Procede et appareil de traitement de surface | |
US7220396B2 (en) | Processes for treating halogen-containing gases | |
JP2003010638A (ja) | プラズマ排ガス処理方法と該方法を利用した排ガス放電処理塔ならびに前記プラズマ排ガス処理塔を搭載した排ガス処理装置 | |
JP4079182B2 (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
JP3796857B2 (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
JP3838611B2 (ja) | 窒素酸化物・硫黄酸化物の浄化方法及び浄化装置 | |
JP3772936B2 (ja) | 表面処理方法 | |
KR102576749B1 (ko) | 수중 플라즈마 발생을 이용한 질소산화물 함유 수 제조 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2003236338A (ja) | 有機ハロゲン含有ガスの処理方法および装置 | |
JP6086229B2 (ja) | 無害化処理装置 | |
KR102407755B1 (ko) | 다단 스크러버의 배기가스 처리 장치 및 방법 | |
JP3731133B2 (ja) | 表面処理方法 | |
KR100830790B1 (ko) | 처리 장치 | |
JP2005328075A (ja) | 表面処理方法および表面処理装置 | |
JP2010058009A (ja) | 三フッ化窒素分解処理方法および三フッ化窒素分解処理装置 | |
JP4558176B2 (ja) | ハロゲン含有ガス処理方法及び処理装置 | |
JP2006239691A (ja) | 窒素酸化物・硫黄酸化物の浄化方法及び浄化装置 | |
JP2006049849A (ja) | 表面処理方法および表面処理装置 | |
JP6529705B1 (ja) | 水処理システム及び水処理方法 | |
JP2004330129A (ja) | 窒素酸化物含有気体の処理方法及び処理装置 | |
JP2014188497A (ja) | 無害化処理装置及び無害化処理方法 | |
KR19980032019A (ko) | 표면 처리 방법 및 그 장치 | |
JP2004217512A (ja) | オゾン発生方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070220 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070821 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070919 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20071113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080128 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120215 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215 Year of fee payment: 5 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |