JP4069181B2 - 無電解めっき法 - Google Patents

無電解めっき法 Download PDF

Info

Publication number
JP4069181B2
JP4069181B2 JP2002094821A JP2002094821A JP4069181B2 JP 4069181 B2 JP4069181 B2 JP 4069181B2 JP 2002094821 A JP2002094821 A JP 2002094821A JP 2002094821 A JP2002094821 A JP 2002094821A JP 4069181 B2 JP4069181 B2 JP 4069181B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electroless plating
plating
palladium
plating method
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002094821A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003286578A (ja
Inventor
憲 伊與田
益 島田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dowa Metaltech Co Ltd
Original Assignee
Dowa Metaltech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dowa Metaltech Co Ltd filed Critical Dowa Metaltech Co Ltd
Priority to JP2002094821A priority Critical patent/JP4069181B2/ja
Priority to EP20030405206 priority patent/EP1371753A1/en
Priority to US10/400,817 priority patent/US6737173B2/en
Publication of JP2003286578A publication Critical patent/JP2003286578A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4069181B2 publication Critical patent/JP4069181B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1886Multistep pretreatment
    • C23C18/1893Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12528Semiconductor component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12736Al-base component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12736Al-base component
    • Y10T428/1275Next to Group VIII or IB metal-base component

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はめっき前処理法に関し、特に、金属材と非金属材とからなる複合材のめっき前処理法および金属材と非金属材とからなる複合材上に密着力の大きいめっき皮膜を有する複合材に関するものである。更には、ヒートシンク材などの電子材料に使用可能で、車載にも耐え、特に信頼性の高いめっきに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来技術として、Al等金属材をハイブリッドIC基板用としてのヒートシンク(放熱)材に用いる場合には該基板を半田付けする必要があり、そのためには表面上にめっきを施しておく方法がとられており、更にAl、Mg等の金属材をSiC、Al23 、AlN、C等の非金属材で強化した複合材をヒートシンク材に用いる場合についても同様にめっき処理が必要となる。このめっきは均一かつ密着性が高くなければ、半田付けされたIC基板がめっきごと剥がれる等によりその効果は発揮されない。Al等の金属材と非金属材からなる複合材に均一に同時にめっきを施す方法はまだ確立されているとはいえないが、従来、Al等の金属材やセラミックス等非金属材(非導電材)の個別のめっき及び複合材のめっきについてはそれぞれ以下のような方法がある。
【0003】
AlやMg等の金属材については、エッチングや酸洗等の前処理の後、酸化亜鉛のアルカリ溶液を基本とする液により処理し、表面の薄い酸化皮膜を除去すると同時に亜鉛を置換析出させることにより中間層として密着性の高い亜鉛皮膜を形成させる亜鉛置換法(ジンケート法)を用い、その後Niめっき等を行う方法が従来技術として知られている。
【0004】
また、非金属材が、たとえばセラミックスやプラスチック材等の非導電材の場合には、塩化パラジウムと塩化錫を主体とするコロイド溶液(キャタリスト液)に浸漬した後、硫酸または塩酸による酸溶液(アクセレーター液)に浸漬してパラジウムを活性化しパラジウム核をめっきすべき面(被めっき面という。)に沈着させてから無電解Niめっき等により上記の核を中心に導電皮膜を析出させる方法や、塩化錫を含む塩酸溶液(センシタイザー液)に浸漬して親水化された表面に錫を吸着させた後に、塩化パラジウムからなるパラジウム活性化液(アクチベータ液)に浸漬してレドックス反応を起こさせて表面にパラジウム核を形成させてから上記と同様に無電解Niめっき等を行う方法がある。
【0005】
さらに、Al等の金属材に炭化珪素等セラミックスやカーボン等の非金属材(非導電材)を添加した複合材については、近年、被処理物を、好ましくは亜鉛置換処理を行ってから、pH5〜9の中性コロイダルパラジウム水溶液に浸漬して吸着性を高めた後、無電解めっきを施す方法が提案されている(特開平11−209879号公報)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
めっきの効果を発揮するには、均一で密着性の高いめっき皮膜を生成する必要があるが、上記従来技術を用いてAl等金属材とSiC等非金属材すなわち非導電性材から構成された複合材を前処理後、無電解めっき処理する場合には下記のような問題点があった。
まず、亜鉛置換法の場合には、金属材表面では該金属と亜鉛との置換が行われるが、非金属材表面では亜鉛の置換は不十分である。そのためNiめっきに際してはめっき皮膜が斑となり、均一なめっき皮膜が得られない。また、どうにかめっきされたにしても、めっき皮膜の密着性は著しく低いものになる。
【0007】
また、パラジウム活性化法の場合、キャタリスト液、アクセレーター液等は前記のように一般に酸性液で塩化物から構成されているので、酸性塩化物溶液に溶解する金属が母材となる複合材中に含有されると、部分的にその金属材が溶解してしまい、めっきが均一に行われない。
【0008】
さらに、複合材の中性コロイダルパラジウム処理法の場合には、処理液が中性であり、表面の酸化皮膜をとらずにめっきするために密着性に懸念があり、より信頼性の高いめっき皮膜、密着力を必要とする場合には亜鉛置換法を併用する等が必要となり、経済性においても問題がある。
【0009】
以上の問題に鑑み、本発明は、金属材と非金属材とからなる複合材のめっき処理法において、均一で密着性のよいめっき皮膜を得るべく、金属材の溶解量が少なく非金属材上にもパラジウムが均一に吸着する効率的且つ経済的な前処理法及び金属材と非金属材とからなる複合材上に高い密着強度のめっき皮膜を有する複合材の提供を目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の目的達成のため、本発明者等は、パラジウム活性化処理時のpH域が重要な要件となることを見出した。すなわち、本発明は、第1に、金属材と非金属材粉末とを鋳造してなる複合材の被めっき面を表面清浄化し、次いで、pH2〜5においてパラジウム活性化液で該被めっき面をパラジウム活性化処理した後に無電解めっきすることを特徴とする無電解めっき法を、第2に、金属材と非金属材粉末とを混合し鋳造した後に切り出してなる複合材の被めっき面を表面清浄化し、次いで、pH2〜5においてパラジウム活性化液に浸漬して該被めっき面をパラジウム活性化処理した後に無電解めっきすることを特徴とする無電解めっき法を、第3に、前記複合材が回路基板のヒートシンク材である第1または2に記載無電解めっき法を、第4に、前記パラジウム活性化液のpH調整を炭酸水素塩で行う第1〜3のいずれかに記載無電解めっき法を、第5に、前記の無電解めっきの皮膜に対して超音波ボンディングされた . 3mmφのアルミニウムワイヤーによる引っ張り試験において、該めっき皮膜の剥離強度が400g以上である第1〜4のいずれかに記載の無電解めっき法を、第6に、前記の無電解めっきの皮膜に対して超音波ボンディングされた . 3mmφのアルミニウムワイヤーによる引っ張り試験において、該めっき皮膜の剥離強度が800g以上である第1〜4のいずれかに記載の無電解めっき法を、第7に、前記の無電解めっきの皮膜に対して超音波ボンディングされた . 3mmφのアルミニウムワイヤーによる引っ張り試験において、破断モードが該アルミニウムワイヤーのループ切れまたはネック切れである第1〜6のいずれかに記載の無電解めっき法を、第8に、前記無電解めっきがNi合金めっきである第1〜7のいずれかに記載の無電解めっき法を、第9に、前記金属材の主成分がAl、Mg、CuまたはFeであり、前記非金属材粉末の主成分がSiC、Al23、AlNまたはSi34である第1〜8のいずれかに記載の無電解めっき法を、第10に、前記金属材の主成分がAlであり、前記非金属材粉末の主成分がSiCである第9に記載の無電解めっき法を、第11に、前記表面清浄化の処理が脱脂及び化学研摩である第1〜10のいずれかに記載の無電解めっき法を提供するものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
Al等金属材とSiC等非金属材とからなる複合材を用意し、硼酸ソーダ、燐酸ソーダ、界面活性剤等からなる脱脂液によって浸漬脱脂を行い、水洗の後、クロム酸、硫酸等からなる酸系化学研摩液に浸漬して複合材表面を化研処理し、再度水洗することにより、複合材を表面清浄化することができる。表面清浄処理の後、パラジウム活性化処理を行う。
【0012】
パラジウム活性化処理剤にはAl用のパラジウム塩(塩化パラジウム主体)、オキシカルボン酸塩、フッ化水素酸を含む硝酸液(硝酸1.7%液)からなる混合液剤を使用する。この液剤は、酸濃度が比較的高く、かつパラジウム濃度が小さくコロイダル系ではなく溶液系に属する。このようなパラジウム活性化液剤としては市販のものも利用できる。
【0013】
このパラジウム活性化処理液となるこの液剤にアルカリ剤を添加してpHを上げ所定のpH範囲とすることにより、複合材中の金属の溶解量を低減させるとともに良好なめっき前処理をすることができる。このpHを上げるためのアルカリ剤としては炭酸水素ナトリウム等の炭酸水素塩を用いると、容易にpHを調整することができ好都合である。
ただし、pHを中性域まで上昇させると、パラジウムの吸着が悪くなり、めっき処理に際し、めっき皮膜の密着性が劣るので、活性化液のpHが適正な酸性域に止まるように調整する。特に、pHが2〜5の範囲内において金属及び金属の表面酸化膜等の溶解量とパラジムの吸着性とのバランスが良好で、めっき皮膜の密着性が向上する。しかし、pHが2未満では金属の溶解量が多くなり、均一性、密着性ともに劣るめっき皮膜になる。一方、pH5より大きいとパラジウムの吸着が悪くなる。
【0014】
めっきは電気めっきも可能であるが、無電解Niめっき、無電解Cuめっき等の通常の無電解めっきが適用でき、電流密度、浴電圧、それらの分布等を考慮する必要がなく、均質な皮膜が得られるので有利である。
なお、複合材中の金属材として、主にAlについて記載したが、本発明はAl以外の金属、例えばMg、Cu、FeについてもAlと同様に実施することができる。
また、非金属材としてはSiC、Al、AlN、Siのようなセラミックスであることが好ましい。
【0015】
めっきの密着強度としては、従来テープ剥離試験で密着強度を評価することが行われているが、車載用などの特に信頼性を要する電子部品、更にはヒートシンク材のような複合部品にはより高度な密着信頼性が要求される。このために、電子部品ではアルミニウムワイヤーを超音波ボンディングマシンによりめっき皮膜の表面にボンディングし、それを引っ張ったときの剥離強度を測定したり、その破断モードにより密着性を評価することが行われるようになった。
電子部品として引っ張り強さは400g以上であれば問題ないが、より好ましくは800g以上である。また、破断モードはアルニウムワイヤーのループ切れ或いはネック切れが好ましく、めっき皮膜と被めっき面との間やめっき皮膜とアルミニウムワイヤーとの間で取れるのはめっきの密着強度が低いことやボンディング条件が適正でなく好ましくない。なお、このとき超音波ボンディングの条件は機種やめっき皮膜及び被めっき面の硬さ等により最適化される必要があり、これは当業者であれば所定の方法で調整可能である。
【0016】
【実施例】
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明の技術的範囲はこれらの実施例の記載に限定されないことは言うまでもない。
【0017】
〔実施例1〕 Al粉末(高純度化学製、純度99.9%)と平均粒径3μmのSiC粉末(ワナミ製、#3000)とを7:3重量%の割合で乳鉢を用いて10分間混合した後740℃で熔解した後にスラブに鋳造した。得られた複合材スラブから、ダイヤモンドカッターにて縦20mm、横15mm、厚さ2mmの試験片を切り出した。
この試験片No.1を硫酸、アルカンスルホン酸混合系脱脂液(上村工業社製、LCL−1E)に、40℃、2分間浸漬した後、室温で1分間の水洗を行った。その後、酸系化学研摩液(上村工業社製、AD−101F)に70℃、2分間浸漬した後、水洗を室温で1分間行って試験片の表面を洗浄した。
【0018】
次に、めっき前処理として酸性域でのパラジウム活性化処理を行った。
塩化パラジウムとオキシカルボン酸塩を含むパラジウム活性化液(上村工業社製AT−360)に、炭酸水素ナトリウム粉末(和光純薬工業社製)をpH計を見ながらpHが2.0になるまで添加した液に、室温で2分間浸漬した。その後、水洗を室温で1分間行った。
【0019】
ニッケルイオンと次亜りん酸塩を主成分とし、錯化剤等を含む無電解Niめっき液(上村工業社製ニムデンSX)に90℃で26分間浸漬し、試験片上に4.8μmのNi−Pめっき膜を生成した。水洗を室温で3分間行った後、室温で2分間のブロー乾燥を行った。
その後、透明電気炉において、水素雰囲気中370℃で10分間熱処理を行い、めっき密着性の向上を図った。
【0020】
めっき皮膜厚の測定と共に、めっき皮膜の密着性評価として、めっき皮膜表面に0.3mmφのAlワイヤーを超音波ボンディングした後、ループの先を垂直方向に引っ張ることにより、めっき皮膜の剥離(密着)強度を測定した。
なお、超音波ボンディングの条件は以下の通りである。
装置 :超音波工業社製 太線用超音波ワイヤボンダ USW−20ZD60S−C
ワイヤ:田中貴金属社製 TANW−SOFTII Ni入りAlワイヤ 直径0.3mm
条件 :超音波出力 2.0W 400g×0.5秒
パラジウム活性化処理液中のAl溶解量はICPで測定した。得られた結果を表1に示す。
なお、引張り強度測定装置の測定上限は800gであり、めっき皮膜が剥離しなかった場合は密着強度800g以上としてある。
また、参考のため粘着テープによるテープ剥離試験を同時に行ったが、めっき剥離は見られなかった。
【0021】
【表1】
Figure 0004069181
【0022】
〔実施例2〕 パラジウム活性化処理液のpHを3.0に調整した以外は実施例1と同様にして、めっき前処理を行い次いで無電解Niめっき処理を行った。得られた試験片No.2のめっき膜厚、めっき密着強度およびAl溶解量の測定結果を表1に記載した。
【0023】
〔実施例3〕 パラジウム活性化処理液のpHを4.1に調整した以外は実施例1と同様にして、めっき前処理を行い次いで無電解Niめっき処理を行った。得られた試験片No.3のめっき膜厚、めっき密着強度およびAl溶解量の測定結果を表1に記載した。
【0024】
〔比較例1〕 パラジウム活性化処理液のpHを7.7に調整した以外は実施例1と同様にして、めっき前処理を行い次いで無電解Niめっき処理を行った。得られた試験片No.4のめっき膜厚、めっき密着強度およびAl溶解量の測定結果を表1に記載した。
【0025】
〔比較例2〕 パラジウム活性化処理液の炭酸水素塩によるpH調整を行わずpHを1.3のままとし、それ以外は実施例1と同様にして、めっき前処理を行い次いで無電解Niめっき処理を行った。得られた試験片No.5のめっき膜厚、めっき密着強度およびAl溶解量の測定結果を表1に記載した。
【0026】
表1から分かるように、酸性領域の中でもpHが2〜5の範囲内にパラジウム活性化処理液をpH調整した試験片No.1〜3においてはAlの溶解量が少なく、次工程の無電解Niめっき工程で密着性が良好なNi−Pめっき膜を得ることができた。
一方、pH5を上回るpH7〜8程度の中性域の試験片No.4ではAl溶解量は少なかったが、パラジウムが吸着されないため、めっき密着性が弱かった。また、pHが2未満の試験片No.5では、Alの溶解量が多いため、めっきが均一に行われずめっき膜の密着性は弱かった。
【0027】
【発明の効果】
本発明によれば、Al等の金属材とセラミックス等の非金属材との複合材において、均一かつ密着性のよいNi等の金属めっきが効率的且つ経済的に得られるという効果を奏する。これにより、金属材と非金属材から構成される複合材を例えば回路基板のヒートシンク材として用いる場合、基板の半田付けが良好になり、耐食性も向上させることができる。

Claims (11)

  1. 金属材と非金属材粉末とを鋳造してなる複合材の被めっき面を表面清浄化し、次いで、pH2〜5においてパラジウム活性化液で該被めっき面をパラジウム活性化処理した後に無電解めっきすることを特徴とする無電解めっき法。
  2. 金属材と非金属材粉末とを混合し鋳造した後に切り出してなる複合材の被めっき面を表面清浄化し、次いで、pH2〜5においてパラジウム活性化液に浸漬して該被めっき面をパラジウム活性化処理した後に無電解めっきすることを特徴とする無電解めっき法。
  3. 前記複合材が回路基板のヒートシンク材である、請求項1または2に記載無電解めっき法。
  4. 前記パラジウム活性化液のpH調整を炭酸水素塩で行う、請求項1〜3のいずれかに記載無電解めっき法。
  5. 前記の無電解めっきの皮膜に対して超音波ボンディングされた . 3mmφのアルミニウムワイヤーによる引っ張り試験において、該めっき皮膜の剥離強度が400g以上である、請求項1〜4のいずれかに記載の無電解めっき法
  6. 前記の無電解めっきの皮膜に対して超音波ボンディングされた . 3mmφのアルミニウムワイヤーによる引っ張り試験において、該めっき皮膜の剥離強度が800g以上である、請求項1〜4のいずれかに記載の無電解めっき法
  7. 前記の無電解めっきの皮膜に対して超音波ボンディングされた . 3mmφのアルミニウムワイヤーによる引っ張り試験において、破断モードが該アルミニウムワイヤーのループ切れまたはネック切れである、請求項1〜6のいずれかに記載の無電解めっき法
  8. 前記無電解めっきがNi合金めっきである、請求項1〜7のいずれかに記載の無電解めっき法
  9. 前記金属材の主成分がAl、Mg、CuまたはFeであり、前記非金属材粉末の主成分がSiC、Al23、AlNまたはSi34である、請求項1〜8のいずれかに記載の無電解めっき法
  10. 前記金属材の主成分がAlであり、前記非金属材粉末の主成分がSiCである、請求項9に記載の無電解めっき法
  11. 前記表面清浄化の処理が脱脂及び化学研摩である、請求項1〜10のいずれかに記載の無電解めっき法
JP2002094821A 2002-03-29 2002-03-29 無電解めっき法 Expired - Fee Related JP4069181B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002094821A JP4069181B2 (ja) 2002-03-29 2002-03-29 無電解めっき法
EP20030405206 EP1371753A1 (en) 2002-03-29 2003-03-26 Pretreating method before plating and composites having a plated coat
US10/400,817 US6737173B2 (en) 2002-03-29 2003-03-27 Pretreating method before plating and composites having a plated coat

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002094821A JP4069181B2 (ja) 2002-03-29 2002-03-29 無電解めっき法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003286578A JP2003286578A (ja) 2003-10-10
JP4069181B2 true JP4069181B2 (ja) 2008-04-02

Family

ID=28449703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002094821A Expired - Fee Related JP4069181B2 (ja) 2002-03-29 2002-03-29 無電解めっき法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6737173B2 (ja)
EP (1) EP1371753A1 (ja)
JP (1) JP4069181B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040149689A1 (en) * 2002-12-03 2004-08-05 Xiao-Shan Ning Method for producing metal/ceramic bonding substrate
JP2008066512A (ja) * 2006-09-07 2008-03-21 Sony Corp 放熱板の製造方法
CN109183009A (zh) * 2018-10-17 2019-01-11 北京卫星制造厂有限公司 适用于高体分SiCp/Al复合材料的化学镀镍溶液及化学镀镍方法
KR102473755B1 (ko) * 2022-07-11 2022-12-01 허도 분말야금단조 소재의 경질크롬도금 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3904792A (en) * 1972-02-09 1975-09-09 Shipley Co Catalyst solution for electroless metal deposition on a substrate
DE2257378C3 (de) * 1972-11-23 1980-05-08 Dr. Hesse & Cie, 4800 Bielefeld Verfahren und Mittel zur Vorbehandlung von stromlos zu metallisierenden, nichtleitenden Trägeroberflächen
GB1424660A (en) * 1974-10-10 1976-02-11 Inst Metallurg Im 50 Letia Ssr Producing a coating of metal on articles of non-metallic material
JPS5423610A (en) * 1977-07-22 1979-02-22 Nippon Mining Co Method of plating metallcarbide powder and metallcarbide
JPS5776196A (en) * 1980-10-30 1982-05-13 Kumamotoken Silver-palladium alloy plating liquid
JPS6032209A (ja) * 1983-07-31 1985-02-19 松下電工株式会社 複合接点材料
US4659587A (en) * 1984-10-11 1987-04-21 Hitachi, Ltd. Electroless plating process and process for producing multilayer wiring board
JPS6320486A (ja) * 1986-07-11 1988-01-28 Sanyo Shikiso Kk 銀又は銅被膜雲母の製造法
DE3827893A1 (de) * 1988-08-17 1990-03-01 Hoechst Ceram Tec Ag Verfahren zur stromlosen abscheidung von nickel
JPH0828561B2 (ja) * 1991-01-18 1996-03-21 石原薬品株式会社 プリント配線板の製造法
US5455118A (en) * 1994-02-01 1995-10-03 Pcc Composites, Inc. Plating for metal matrix composites
US5730853A (en) * 1996-04-25 1998-03-24 Northrop Grumman Corporation Method for plating metal matrix composite materials with nickel and gold
FR2748754B1 (fr) * 1996-05-15 1998-07-10 Dassault Electronique Procede de metallisation d'un composite a matrice metallique et composite ainsi obtenu
JPH11209879A (ja) 1998-01-22 1999-08-03 Toyota Motor Corp ワークへのめっき処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003286578A (ja) 2003-10-10
EP1371753A1 (en) 2003-12-17
US6737173B2 (en) 2004-05-18
US20030186071A1 (en) 2003-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0680523A1 (en) Preparation of alumina ceramic surfaces for electroless and electrochemical metal deposition
TW200523108A (en) Chromium-free antitarnish adhesion promoting treatment composition
JP5937086B2 (ja) 高アルカリ性めっき浴を用いた無電解金属析出法
KR20140035701A (ko) 금 박막 형성 방법 및 인쇄회로기판
Ogutu et al. Hybrid method for metallization of glass interposers
JP3916586B2 (ja) リードフレームのめっき方法
JPS63297573A (ja) プラスチツクの付着堅固なメタライジング法
JP4069181B2 (ja) 無電解めっき法
JP2009235579A (ja) リードフレーム
JP2007177268A (ja) 無電解ニッケルめっき用貴金属表面活性化液
JP2003013249A (ja) 置換金メッキ液
JP3247517B2 (ja) チタン材料のめっき方法
JP5766318B2 (ja) リードフレーム
JP2004346405A (ja) アルミニウムおよびアルミニウム合金のめっき前処理方法
JP4081576B2 (ja) 無電解めっき皮膜の形成方法、それに用いる置換触媒溶液、並びにプリント配線基板及び放熱めっき部材
JP6521553B1 (ja) 置換金めっき液および置換金めっき方法
JP4704313B2 (ja) リードフレームのめっき方法
JPH10298788A (ja) 銅または銅合金の変色防止液並びに変色防止方法
JPH0154438B2 (ja)
JP2007009334A5 (ja)
JP3567539B2 (ja) 電子部品用基板及びその製造方法
JP5508329B2 (ja) リードフレーム
JPH05160551A (ja) 電子部品実装窒化アルミニウム基板の製造方法
JP2000178753A (ja) 無電解めっき方法
JPH09176864A (ja) 無電解金めっきの厚付け方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20040206

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20040318

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050221

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050909

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070320

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070516

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20071207

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20071207

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20071207

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4069181

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140125

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees