JP4068204B2 - プラズマ成膜方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体デバイスの層間絶縁膜に用いることのできるフッ素添加カーボン膜を成膜する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの高集積化を図るために、パターンの微細化、回路の多層化といった工夫が進められており、そのうちの一つとして配線を多層化する技術がある。多層配線構造をとるためには、ｎ層目の配線層と（ｎ＋１）番目の配線層の間を導電層で接続すると共に、導電層以外の領域は層間絶縁膜と呼ばれる薄膜が形成される。
【０００３】
この層間絶縁膜の代表的なものとしてＳｉＯ2 膜があるが、近年デバイスの動作についてより一層の高速化を図るために層間絶縁膜の比誘電率を低くすることが要求されており、層間絶縁膜の材質についての検討がなされている。即ちＳｉＯ2 膜は比誘電率がおよそ４であり、これよりも小さい材質の発掘に力が注がれている。そのうちの一つとして比誘電率が３．５であるＳｉＯＦ膜の実現化が進められているが、本発明者は比誘電率が更に小さいフッ素添加カーボン膜（以下「ＣＦ膜」という）に注目している。このＣＦ膜の成膜に際しては、例えば熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）あるいはプラズマＣＶＤが用いられている。
【０００４】
そこで本発明者は、電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを発生させるプラズマ装置を用い、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスをプラズマガスとして用いると共に、炭素（Ｃ）及びフッ素（Ｆ）の化合物ガスと炭化水素ガスとを含むガスを成膜ガスとして用い、種々のプロセス条件を詰めて、密着性及び硬度の大きいＣＦ膜の製造の実現化を図った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながらＣＦ膜にはまだ以下のような課題がある。図８はウエハに形成された回路部分の一部であり、１１、１２はＣＦ膜、１３、１４はＷ（タングステン）よりなる導電層、１５はＡｌ（アルミニウム）よりなる導電層、１６は、Ｐ、ＢをドープしたＳｉＯ2 膜、１７はｎ形半導体領域である。ところでＷ層１３を形成するときのプロセス温度は４００〜４５０℃であり、このときＣＦ膜１１、１２はそのプロセス温度まで加熱される。しかしながらＣＦ膜は、このような高温に加熱されると一部のＣ−Ｆ結合が切れて、主としてＦ系ガスが脱離してしまう。このＦ系ガスとしてはＦ、ＣＦ、ＣＦ2 などが挙げられる。
【０００６】
このようにＦ系ガスが脱離すると、次のような問題が起こる。
ａ）アルミニウムやタングステンなどの金属配線が腐食する。
ｂ）絶縁膜はアルミニウム配線を押え込んでアルミニウムのうねりを防止する機能をも有しているが、脱ガスにより絶縁膜による押え込みが弱まり、この結果アルミニウム配線がうねり、エレクトロマイグレーションと呼ばれる電気的欠陥が発生しやすくなってしまう。
ｃ）絶縁膜にクラックが入り、配線間の絶縁性が悪くなるし、またその程度が大きいと次段の配線層を形成することができなくなる。
ｄ）Ｆの抜けが多いと比誘電率が上がる。
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は強固な結合を有し、熱安定性の高いＣＦ膜よりなる絶縁膜、例えば半導体デバイスの層間絶縁膜を成膜することのできる方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ成膜方法は、その内部に基板の載置台が設けられると共に、前記載置台の下方側から真空排気が行われる真空容器内にて、前記載置台上の基板に対して成膜ガスのプラズマにより成膜を行うプラズマ成膜方法において、前記真空容器内の上部にネオンガスを含むプラズマ生成用ガスを導入し、このプラズマ生成用ガスをプラズマ化する工程と、前記真空容器内におけるプラズマ生成用ガスの導入位置よりも下方側であって前記載置台の上方側から、炭素とフッ素との化合物ガスを含む成膜ガスを導入し、前記真空容器内を降りてきたプラズマにより、前記成膜ガスをプラズマ化し、このプラズマにより被処理基板上にフッ素添加カ−ボン膜よりなる層間絶縁膜を成膜する工程と、を含み、前記ネオンガスを含むプラズマ生成用ガスをプラズマ化する工程では、前記真空容器内に成膜ガスを導入する前に、前記真空容器内にネオンガスとアルゴンガスとを含むプラズマ生成用ガスを導入して、このプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする。
【０００９】
また本発明では、ネオンガスを含むプラズマ生成用ガスをプラズマ化する工程では、前記真空容器内に成膜ガスを導入する前に、前記真空容器内に、ネオンガスとアルゴンガスとを含むプラズマ生成用ガスを導入する代わりに、ネオンガスとアルゴンガスとを含むプラズマ生成用ガス、若しくはネオンガスとクリプトンガスあるいはネオンガスとキセノンガスとを含むプラズマ生成用ガスを導入して、このプラズマ生成用ガスをプラズマ化するようにしてもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
先ず本発明の実施の形態に用いられるプラズマ成膜装置の一例を図１に示す。この装置は例えばアルミニウム等により形成された真空容器２を有しており、この真空容器２は上方に位置してプラズマを発生させる筒状の第１の真空室２１と、この下方に連通させて連結され、第１の真空室２１よりは口径の大きい筒状の第２の真空室２２とからなる。なおこの真空容器２は接地されてゼロ電位になっている。
【００１１】
この真空容器２の上端は開口されて、この部分にマイクロ波を透過する部材例えば石英等の材料で形成された透過窓２３が気密に設けられており、真空容器２内の真空状態を維持するようになっている。この透過窓２３の外側には、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生する高周波電源部２４に接続された導波管２５が設けられており、高周波電源部２４にて発生したマイクロ波を例えばＴＥモードにより導波管２５で案内して、またはＴＥモ−ドにより案内されたマイクロ波を導波管２５でＴＭモ−ドに変換して、透過窓２３から第１の真空室２１内へ導入し得るようになっている。
【００１２】
第１の真空室２１を区画する側壁には例えばその周方向に沿って均等に配置したガスノズル３１が設けられると共に、このガスノズル３１には図示しないプラズマ生成用ガス源例えばネオン（Ｎｅ）ガス源が接続されており、第１の真空室２１内の上部にプラズマ生成用ガスとしてＮｅガスをムラなく均等に供給し得るようになっている。
【００１３】
前記第２の真空室２２内には、前記第１の真空室２１と対向するように半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）１０の載置台４が設けられている。この載置台４は表面部に静電チャック４１を備えており、この静電チャック４１の電極には、ウエハを吸着する直流電源（図示せず）の他、ウエハにイオンを引き込むためのバイアス電圧を印加するように高周波電源部４２が接続されている。
【００１４】
一方前記第２の真空室２２の上部即ち第１の真空室２１と連通している部分にはリング状の成膜ガス供給部５が設けられており、この成膜ガス供給部５は、例えばガス供給管５１、５２から例えば２種類の成膜ガス、例えばＣとＦとの化合物ガスであるＣ4 Ｆ8 ガスと炭化水素ガスであるＣ2 Ｈ4 ガスとが供給され、その混合ガスを内周面のガス穴５３から真空容器２内に供給するように構成されている。
【００１５】
前記第１の真空室２１を区画する側壁の外周には、これに接近させて磁場形成手段として例えばリング状の主電磁コイル２６が配置されると共に、第２の真空室２２の下方側にはリング状の補助電磁コイル２７が配置されている。また第２の真空室２２の底部には例えば真空室２２の中心軸に対称な２個所の位置に各々排気管２８が接続されている。
【００１６】
次に上述の装置を用いて被処理基板であるウエハ１０上にＣＦ膜よりなる層間絶縁膜を形成する方法について説明する。先ず真空容器２の側壁に設けた図示しないゲートバルブを開いて図示しない搬送アームにより、例えば表面にアルミニウム配線が形成されたウエハ１０を図示しないロードロック室から搬入して載置台４上に載置し、静電チャック４１によりウエハ１０を静電吸着する。
【００１７】
続いてゲートバルブを閉じて内部を密閉した後、排気管２８より内部雰囲気を排気して所定の真空度まで真空引きし、ガスノズル３１からＮｅガスを第１の真空室２１内へ所定の流量で導入すると共に、成膜ガス供給部５から成膜ガスを第２の真空室２２内へ所定の流量で導入する。そして真空容器２内を所定のプロセス圧に維持し、かつ高周波電源部４２により載置台４に１３．５６ＭＨｚ、１５００Ｗのバイアス電圧を印加する。
【００１８】
一方高周波電源部２４からの２．４５ＧＨｚ、２７００Ｗの高周波（マイクロ波）は導波管２５を通って真空容器２の天井部に至り、ここの透過窓２３を透過して第１の真空室２１内へ導入される。また真空容器２内には主電磁コイル２６及び補助電磁コイル２７により第１の真空室２１の上部から第２の真空室２２の下部に向かう磁場が形成され、例えば第１の真空室２１の下部付近にて磁場の強さが８７５ガウスとなる。
【００１９】
こうして磁場とマイクロ波との相互作用により電子サイクロトロン共鳴が生じ、この共鳴によりＮｅガスがプラズマ化され、且つ高密度化される。またこのようにＮｅガスのプラズマを生成させることにより、プラズマが安定化する。こうして発生したプラズマ流は、第１の真空室２１より第２の真空室２２内に流れ込んで行き、ここに供給されているＣ4 Ｆ8 ガス、Ｃ2 Ｈ4 ガスを活性化（プラズマ化）して活性種（プラズマ）を形成する。
【００２０】
一方Ｎｅガスはバイアス電圧によりウエハ１０に引き込まれ、ウエハ１０表面のパタ−ン（凹部）の角を削り取って間口を広げる。そしてこのスパッタエッチング作用と平行して成膜ガスのプラズマによりＣＦ膜が成膜されて凹部内に埋め込まれ、こうしてウエハ１０上にＣＦ膜からなる層間絶縁膜が形成される。なお実際のデバイスを製造する場合には、その後このＣＦ膜に対して所定のパターンでエッチングを行い、溝部に例えばＷ膜を埋め込んでＷ配線が形成される。
【００２１】
ここで上述のプロセスのシ−ケンスを図２に示す。実際のプロセスでは、Ｎｅガスの導入とマイクロ波電力（高周波電源部２４）の印加とをほぼ同時に行ってプラズマを発生させ、続いてＮｅガスの導入から所定時間例えば３０秒経過後にバイアス電力（高周波電源部４２）の印加とＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスの導入をほぼ同時に行って、これにより成膜処理が開始される。このようにＮｅガスとＣ4 Ｆ8 等との導入のタイミングをずらすのは、プラズマを安定化させるためとウエハを加熱するためである。
【００２２】
このような方法で形成されたＣＦ膜は強固な結合を有し、後述の実験結果からも分かるように熱安定性が大きい、つまり高温になってもＦ系ガスの抜けが少ない。その理由についてはプラズマ生成用ガスとしてＮｅガスを用いたためと考えられる。即ち成膜ガスとしてＣＦ系ガスと炭化水素ガスとを組み合わせてＣＦ膜を成膜すると、このＣＦ膜中には図３に示すように当該ＣＦ膜の堆積中に形成されたＣ−Ｃ結合やＣ−Ｆ結合、Ｃ−Ｈ結合等が存在するが、プラズマ生成用ガスは既述のようにスパッタ作用を有するため、成膜処理の際にはこれらの結合がプラズマ生成用ガスによりスパッタされると考えられる。
【００２３】
ところでスパッタ効果は衝突エネルギ−の大きさに関係するため、一般に質量の大きい原子をスパッタガスとして用いるとスパッタ効果が大きくなり、質量の小さい原子を用いるとスパッタ効果が小さくなる。ここで従来はプラズマが生成しやすいことからプラズマ生成用ガスとしてＡｒガスが用いられているが、このＡｒとＮｅとの質量を比べてみると、ＮｅはＡｒの約１／２程度であり（Ａｒの原子量は３９．９４８、Ｎｅの原子量は２０．１７９）、このためＡｒガスを用いた場合にはＮｅガスを用いた場合よりもスパッタ効果が大きくなると推察される。
【００２４】
ここでＣＦ膜がスパッタされると上述のＣ−Ｃ結合等が物理的に叩かれ、スパッタ効果が大きいとこれらの結合が叩き切られるが、Ａｒガスを用いた場合には弱い結合であるＣ−Ｈ結合やＣ−Ｆ結合の一部が切断されるのみならず、強い結合であるＣ−Ｃ結合の一部も切断されてしまい、膜全体を通して見ると強い結合が少なくなると考えられる。
【００２５】
一方Ｎｅガスを用いた場合には、ＮｅガスはＡｒガスよりもスパッタ効果が小さいので、弱い結合であるＣ−Ｆ結合やＣ−Ｈ結合の一部は叩き切られるものの、強い結合であるＣ−Ｃ結合は切断されないと考えられる。
【００２７】
このようなことに起因して、Ｎｅガスをプラズマ生成用ガスとして用いて形成されたＣＦ膜は、Ａｒガスを用いた場合よりも高温の熱処理時においてもＦ系ガスの脱ガスが防止され、これによりＣＦ膜の熱安定性が向上すると考えられる。
【００２８】
続いて本発明方法により形成されたＣＦ膜の熱安定性を調べるために行った実験例について説明する。図１に示すプラズマ処理装置を用い、プラズマ生成ガスとしてＮｅガスを１５０ｓｃｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、Ｃ2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ導入して、ウエハ１０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。このときＮｅガスの導入から３０秒経過後に成膜ガスを導入した。またマイクロ波電力及びバイアス電力は夫々２７００Ｗ、１５００Ｗとし、載置台４表面の温度は３００℃、プロセス圧力は０．２Ｐａとした（実施例１）。
【００２９】
こうして形成されたＣＦ膜について４２５℃で２時間アニ−ル処理を行って、アニ−ル処理前後の重量変化を精密電子天秤により調べた。この重量変化は薄膜の熱安定性の指標であり、この値が小さい程Ｆ系ガスの抜けが少なく、熱安定性が高いことを示している。
【００３０】
またプラズマ生成用ガスとしてＮｅガスを１５０ｓｃｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、水素（Ｈ2 ）ガスを５０ｓｃｃｍ夫々導入し、その他の条件は全て実施例１と同様とした場合（実施例２）、プラズマ生成用ガスとしてＡｒガスを用いた場合（比較例１）、プラズマ生成用ガスとしてＫｒガスを用いた場合（比較例２）及びプラズマ生成用ガスとしてＸｅガスを用いた場合（比較例３）についても実験を行った。比較例１、２、３ではＡｒガス等の流量やその他の条件は全て実施例１と同様とした。
【００３１】
この結果を図４に示すが、図中Ｎｅ（１）は実施例１、Ｎｅ（２）は実施例２を夫々示している。これによりＣＦ膜の熱重量変化は、プラズマ生成用ガスとしてＮｅガスを用いた場合（実施例１）は２．６％程度、Ａｒガスを用いた場合（比較例１）は３．５％程度、Ｋｒガスを用いた場合（比較例２）は６％程度、Ｘｅガスを用いた場合（比較例３）は８．７％程度であることが確認された。ここでＸｅ、Ｋｒの原子量は夫々１３１．２９及び８３．８０とＡｒ、Ｎｅに比べてかなり大きく、このことからプラズマ生成用ガスの質量とＣＦ膜の熱重量変化とは比例関係にあり、プラズマ生成用ガスの質量が小さい程ＣＦ膜の重量変化が小さくなり、熱安定性が大きくなることが理解される。
【００３２】
また実施例２のプロセス条件でＣＦ膜を成膜した場合の熱重量変化は１．７％であり、比較例１、２、３に比べて小さいことから、成膜ガスとして炭化水素ガスの代わりにＨ2 ガスを用いてＣＦ膜を成膜しても、Ｎｅガスを用いることにより当該ＣＦ膜の熱安定性が高まることが確認された。
【００３３】
続いて本発明の他の例について説明する。この例は、上述のようにプラズマ生成用ガスとしてＮｅガスを用いた場合にはＣＦ膜の熱安定性を高めることができるという効果を有するものの、マイクロ波電力の印加（Ｎｅガスの導入開始）から数秒間、長い場合には１０秒程度待たないとプラズマが発生しない場合があったことから、この点を改善するためになされたものであり、少なくともプラズマの発生時には、プラズマ生成用ガスとしてＮｅガスとＡｒガスの混合ガスまたはＮｅガスとＫｒガスの混合ガスあるいはＮｅガスとＸｅガスの混合ガスを導入することを特徴としている。
【００３４】
本実施の形態について成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを用いた場合について、図５のシ−ケンスに基づいて具体的に説明すると、図１のプラズマ成膜装置において、先ずＮｅガスとＡｒガスとをほぼ同時に導入すると共に、マイクロ波電力の印加をほぼ同時に行なってプラズマを発生させる。続いてＮｅガスの導入から所定時間例えば３０秒経過後にバイアス電力の印加とＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスの導入をほぼ同時に行なって成膜処理を開始する。この際Ａｒガスは成膜処理が開始されると同時に、つまり導入から所定時間例えば３０秒経過後に導入が停止される。
【００３５】
ここでこの場合のプロセス条件の一例を挙げると、Ｎｅガス及びＡｒガスの流量は夫々１５０ｓｃｃｍ，３０ｓｃｃｍ、Ｃ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスの流量は夫々４０ｓｃｃｍ，３０ｓｃｃｍであって、マイクロ波電力は２．７ｋＷ，バイアス電力は１．５ｋＷである。
【００３６】
このようにプラズマの発生時にプラズマ生成用ガスとしてＮｅガスとＡｒガスの混合ガスを用いると、プラズマが生成しやすく、安定した成膜処理を行うことができるという効果がある。その理由については次のように考えられる。即ち水素ガスや希ガスの電離電圧及び最低励起順位の電圧を図６に示すが、ＮｅはＡｒやＸｅ、Ｋｒ、Ｈに比べて電離電圧及び最低励起順位の電圧が高い。
【００３７】
ここで電離電圧等が高いということは、プラズマ化されにくく、プラズマを生成させるためには大きなエネルギ−が必要となることを意味しており、従ってＮｅガスはＡｒガス等に比べてマイクロ波電力等の条件が同じであればプラズマが発生しにくいと言える。ところでプラズマの発生時にＮｅガスとＡｒガスの混合ガスを導入すると、ＡｒガスはＮｅガスに比べて電離電圧が低く、プラズマ化しやすいので、このＡｒガスのペニング効果（一方のガスの放電開始電圧が他方のガスの放電開始電圧よりも少し高い場合に、両者を混合すると放電開始電圧が低くなるという効果）により当該混合ガスはＮｅガスを単独で用いる場合よりもプラズマ化しやすくなると考えられる。
【００３８】
このためマイクロ波電力等の条件が同じであれば、前記混合ガスを用いた場合にはＮｅガスを単独で用いた場合よりも、マイクロ波電力の印加からプラズマ発生までの時間が短縮され、例えば１秒程度のかなり短い時間でプラズマが発生する。しかもプラズマの発生が安定しており、プラズマが発生したり、しなかったりというようなことは起こりにくいので、量産時にプロセスシ−ケンスを組みやすく、安定したプラズマ処理を行うことができる。一方Ａｒガスは成膜処理が開始されると同時に導入が停止されるので、成膜処理の際、Ａｒガスのスパッタ作用によりＣＦ膜の熱安定性が低くなることも抑えられる。
【００３９】
続いて本実施の形態の効果を確認するために行った実験例について説明する。図１に示すプラズマ処理装置を用い、プラズマ生成ガスとしてＮｅガスとＡｒガスを夫々１５０ｓｃｃｍ，３０ｓｃｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ4 ガスを夫々４０ｓｃｃｍ，３０ｓｃｃｍ導入して、ウエハ１０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。このときマイクロ波電力及びバイアス電力は夫々２７００Ｗ、１５００Ｗとした。またＮｅガス及びＡｒガス、成膜ガスの導入及び停止のタイミング、マイクロ波電力及びバイアス電力の印加及び停止のタイミングは夫々図５のシ−ケンスに従った（実施例３）。この成膜処理の際、マイクロ波電力印加から３秒後のプラズマの発生の有無を目視で確認した。
【００４０】
またプラズマ生成用ガスとしてＮｅガスとＫｒガスとの混合ガスを用い、Ｎｅガス及びＫｒガスの流量を夫々１５０ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍとした場合（実施例４）、プラズマ生成用ガスとしてＮｅガスとＸｅガスとの混合ガスを用い、Ｎｅガス及びＸｅガスの流量を夫々１５０ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍとした場合（実施例５）、プラズマ生成用ガスとしてＮｅガスを単独で用い、流量を１５０ｓｃｃｍとした場合（比較例４）についても、他の条件を実施例３と同様として実験を行った。
【００４１】
この結果を図７に示すが、これによりプラズマ生成用ガスとしてＮｅガスとＡｒガスの混合ガスを用いた場合（実施例３）、ＮｅガスとＫｒガスの混合ガスを用いた場合（実施例４）、ＮｅガスとＸｅガスの混合ガスを用いた場合（実施例５）はプラズマが瞬時に発生したが、Ｎｅガスを単独で用いた場合（比較例４）はプラズマが発生するまでに少し時間がかかることが確認された。
【００４２】
以上において成膜ガスとしては、ＣとＦとの化合物ガスとしてはＣＦ4 ガス、Ｃ2 Ｆ6 ガス、Ｃ3 Ｆ8 ガス、Ｃ5 Ｆ8 ガス、Ｃ6 Ｆ6 ガス等を用いることができ、ＣとＦのみならずＣとＦとＨとを含むガス例えばＣＨＦ3 ガス等を用いることもできる。また炭化水素ガスとしてはＣＨ4 ガスやＣ2 Ｈ2 ガス、Ｃ2 Ｈ6 ガス、Ｃ3 Ｈ8 ガス、Ｃ4 Ｈ8 ガス等を用いることができるが、炭化水素ガスの代りに水素ガスを用いるようにしてもよい。
【００４３】
さらにまた本発明はＥＣＲによりプラズマを生成することに限られず、例えばＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｕｍａ）などと呼ばれている、ドーム状の容器に巻かれたコイルから電界及び磁界を処理ガスに与える方法などによりプラズマを生成する場合にも適用できる。さらにヘリコン波プラズマなどと呼ばれている例えば１３．５６ＭＨｚのヘリコン波と磁気コイルにより印加された磁場との相互作用によりプラズマを生成する場合や、マグネトロンプラズマなどと呼ばれている２枚の平行なカソ−ドにほぼ平行をなすように磁界を印加することによってプラズマを生成する場合、平行平板などと呼ばれている互いに対向する電極間に高周波電力を印加してプラズマを生成する場合にも適用することができる。
【００４４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、熱的安定性が大きく、Ｆ系のガスの脱離が小さいＣＦ膜を得ることができる。従ってこのＣＦ膜を例えば半導体デバイスの層間絶縁膜に使用すれば、金属配線を腐食するおそれがなく、アルミニウム配線のうねりやクラックの発生も防止できる。半導体デバイスの微細化、高速化が要請されている中で、ＣＦ膜が比誘電率の小さい有効な絶縁膜として注目されていることから、本発明はＣＦ膜の絶縁膜としての実用化を図る上で有効な方法である。さらにプラズマを生成する際に、ネオンガスとアルゴンガス、クリプトンガスまたはキセノンガスを含むガスとをプラズマ化するようにすると、プラズマが生成しやすく、プラズマを生成するまでの時間が短縮される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法を実施するためのプラズマ処理装置の一例を示す縦断側面図である。
【図２】本発明方法をシ−ケンスを示す説明図である。
【図３】ＣＦ膜中に存在する結合を説明するための模式図である。
【図４】プラズマ生成用ガスとＣＦ膜の熱重量変化との関係を示す特性図である。
【図５】本発明方法の他の例のシ−ケンスを示す説明図である。
【図６】希ガスの電離電圧と最低励起順位の電圧を示す特性図である。
【図７】プラズマ生成用ガスとプラズマ発生の有無との関係を示す特性図である。
【図８】半導体デバイスの構造の一例を示す構造図である。
【符号の説明】
１０ 半導体ウエハ
２ 真空容器
２１ 第１の真空室
２２ 第２の真空室
２４ 高周波電源部
２５ 導波管
２６、２７ 電磁コイル
２８ 排気管
３１ ガスノズル
４ 載置台
５ 成膜ガス供給部
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体デバイスの層間絶縁膜に用いることのできるフッ素添加カーボン膜を成膜する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの高集積化を図るために、パターンの微細化、回路の多層化といった工夫が進められており、そのうちの一つとして配線を多層化する技術がある。多層配線構造をとるためには、ｎ層目の配線層と（ｎ＋１）番目の配線層の間を導電層で接続すると共に、導電層以外の領域は層間絶縁膜と呼ばれる薄膜が形成される。
【０００３】
この層間絶縁膜の代表的なものとしてＳｉＯ2 膜があるが、近年デバイスの動作についてより一層の高速化を図るために層間絶縁膜の比誘電率を低くすることが要求されており、層間絶縁膜の材質についての検討がなされている。即ちＳｉＯ2 膜は比誘電率がおよそ４であり、これよりも小さい材質の発掘に力が注がれている。そのうちの一つとして比誘電率が３．５であるＳｉＯＦ膜の実現化が進められているが、本発明者は比誘電率が更に小さいフッ素添加カーボン膜（以下「ＣＦ膜」という）に注目している。このＣＦ膜の成膜に際しては、例えば熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）あるいはプラズマＣＶＤが用いられている。
【０００４】
そこで本発明者は、電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを発生させるプラズマ装置を用い、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスをプラズマガスとして用いると共に、炭素（Ｃ）及びフッ素（Ｆ）の化合物ガスと炭化水素ガスとを含むガスを成膜ガスとして用い、種々のプロセス条件を詰めて、密着性及び硬度の大きいＣＦ膜の製造の実現化を図った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながらＣＦ膜にはまだ以下のような課題がある。図８はウエハに形成された回路部分の一部であり、１１、１２はＣＦ膜、１３、１４はＷ（タングステン）よりなる導電層、１５はＡｌ（アルミニウム）よりなる導電層、１６は、Ｐ、ＢをドープしたＳｉＯ2 膜、１７はｎ形半導体領域である。ところでＷ層１３を形成するときのプロセス温度は４００〜４５０℃であり、このときＣＦ膜１１、１２はそのプロセス温度まで加熱される。しかしながらＣＦ膜は、このような高温に加熱されると一部のＣ−Ｆ結合が切れて、主としてＦ系ガスが脱離してしまう。このＦ系ガスとしてはＦ、ＣＦ、ＣＦ2 などが挙げられる。
【０００６】
このようにＦ系ガスが脱離すると、次のような問題が起こる。
ａ）アルミニウムやタングステンなどの金属配線が腐食する。
ｂ）絶縁膜はアルミニウム配線を押え込んでアルミニウムのうねりを防止する機能をも有しているが、脱ガスにより絶縁膜による押え込みが弱まり、この結果アルミニウム配線がうねり、エレクトロマイグレーションと呼ばれる電気的欠陥が発生しやすくなってしまう。
ｃ）絶縁膜にクラックが入り、配線間の絶縁性が悪くなるし、またその程度が大きいと次段の配線層を形成することができなくなる。
ｄ）Ｆの抜けが多いと比誘電率が上がる。
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は強固な結合を有し、熱安定性の高いＣＦ膜よりなる絶縁膜、例えば半導体デバイスの層間絶縁膜を成膜することのできる方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ成膜方法は、その内部に基板の載置台が設けられると共に、前記載置台の下方側から真空排気が行われる真空容器内にて、前記載置台上の基板に対して成膜ガスのプラズマにより成膜を行うプラズマ成膜方法において、前記真空容器内の上部にネオンガスを含むプラズマ生成用ガスを導入し、このプラズマ生成用ガスをプラズマ化する工程と、前記真空容器内におけるプラズマ生成用ガスの導入位置よりも下方側であって前記載置台の上方側から、炭素とフッ素との化合物ガスを含む成膜ガスを導入し、前記真空容器内を降りてきたプラズマにより、前記成膜ガスをプラズマ化し、このプラズマにより被処理基板上にフッ素添加カ−ボン膜よりなる層間絶縁膜を成膜する工程と、を含み、前記ネオンガスを含むプラズマ生成用ガスをプラズマ化する工程では、前記真空容器内に成膜ガスを導入する前に、前記真空容器内にネオンガスとアルゴンガスとを含むプラズマ生成用ガスを導入して、このプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする。
【０００９】
また本発明では、ネオンガスを含むプラズマ生成用ガスをプラズマ化する工程では、前記真空容器内に成膜ガスを導入する前に、前記真空容器内に、ネオンガスとアルゴンガスとを含むプラズマ生成用ガスを導入する代わりに、ネオンガスとアルゴンガスとを含むプラズマ生成用ガス、若しくはネオンガスとクリプトンガスあるいはネオンガスとキセノンガスとを含むプラズマ生成用ガスを導入して、このプラズマ生成用ガスをプラズマ化するようにしてもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
先ず本発明の実施の形態に用いられるプラズマ成膜装置の一例を図１に示す。この装置は例えばアルミニウム等により形成された真空容器２を有しており、この真空容器２は上方に位置してプラズマを発生させる筒状の第１の真空室２１と、この下方に連通させて連結され、第１の真空室２１よりは口径の大きい筒状の第２の真空室２２とからなる。なおこの真空容器２は接地されてゼロ電位になっている。
【００１１】
この真空容器２の上端は開口されて、この部分にマイクロ波を透過する部材例えば石英等の材料で形成された透過窓２３が気密に設けられており、真空容器２内の真空状態を維持するようになっている。この透過窓２３の外側には、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生する高周波電源部２４に接続された導波管２５が設けられており、高周波電源部２４にて発生したマイクロ波を例えばＴＥモードにより導波管２５で案内して、またはＴＥモ−ドにより案内されたマイクロ波を導波管２５でＴＭモ−ドに変換して、透過窓２３から第１の真空室２１内へ導入し得るようになっている。
【００１２】
第１の真空室２１を区画する側壁には例えばその周方向に沿って均等に配置したガスノズル３１が設けられると共に、このガスノズル３１には図示しないプラズマ生成用ガス源例えばネオン（Ｎｅ）ガス源が接続されており、第１の真空室２１内の上部にプラズマ生成用ガスとしてＮｅガスをムラなく均等に供給し得るようになっている。
【００１３】
前記第２の真空室２２内には、前記第１の真空室２１と対向するように半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）１０の載置台４が設けられている。この載置台４は表面部に静電チャック４１を備えており、この静電チャック４１の電極には、ウエハを吸着する直流電源（図示せず）の他、ウエハにイオンを引き込むためのバイアス電圧を印加するように高周波電源部４２が接続されている。
【００１４】
一方前記第２の真空室２２の上部即ち第１の真空室２１と連通している部分にはリング状の成膜ガス供給部５が設けられており、この成膜ガス供給部５は、例えばガス供給管５１、５２から例えば２種類の成膜ガス、例えばＣとＦとの化合物ガスであるＣ4 Ｆ8 ガスと炭化水素ガスであるＣ2 Ｈ4 ガスとが供給され、その混合ガスを内周面のガス穴５３から真空容器２内に供給するように構成されている。
【００１５】
前記第１の真空室２１を区画する側壁の外周には、これに接近させて磁場形成手段として例えばリング状の主電磁コイル２６が配置されると共に、第２の真空室２２の下方側にはリング状の補助電磁コイル２７が配置されている。また第２の真空室２２の底部には例えば真空室２２の中心軸に対称な２個所の位置に各々排気管２８が接続されている。
【００１６】
次に上述の装置を用いて被処理基板であるウエハ１０上にＣＦ膜よりなる層間絶縁膜を形成する方法について説明する。先ず真空容器２の側壁に設けた図示しないゲートバルブを開いて図示しない搬送アームにより、例えば表面にアルミニウム配線が形成されたウエハ１０を図示しないロードロック室から搬入して載置台４上に載置し、静電チャック４１によりウエハ１０を静電吸着する。
【００１７】
続いてゲートバルブを閉じて内部を密閉した後、排気管２８より内部雰囲気を排気して所定の真空度まで真空引きし、ガスノズル３１からＮｅガスを第１の真空室２１内へ所定の流量で導入すると共に、成膜ガス供給部５から成膜ガスを第２の真空室２２内へ所定の流量で導入する。そして真空容器２内を所定のプロセス圧に維持し、かつ高周波電源部４２により載置台４に１３．５６ＭＨｚ、１５００Ｗのバイアス電圧を印加する。
【００１８】
一方高周波電源部２４からの２．４５ＧＨｚ、２７００Ｗの高周波（マイクロ波）は導波管２５を通って真空容器２の天井部に至り、ここの透過窓２３を透過して第１の真空室２１内へ導入される。また真空容器２内には主電磁コイル２６及び補助電磁コイル２７により第１の真空室２１の上部から第２の真空室２２の下部に向かう磁場が形成され、例えば第１の真空室２１の下部付近にて磁場の強さが８７５ガウスとなる。
【００１９】
こうして磁場とマイクロ波との相互作用により電子サイクロトロン共鳴が生じ、この共鳴によりＮｅガスがプラズマ化され、且つ高密度化される。またこのようにＮｅガスのプラズマを生成させることにより、プラズマが安定化する。こうして発生したプラズマ流は、第１の真空室２１より第２の真空室２２内に流れ込んで行き、ここに供給されているＣ4 Ｆ8 ガス、Ｃ2 Ｈ4 ガスを活性化（プラズマ化）して活性種（プラズマ）を形成する。
【００２０】
一方Ｎｅガスはバイアス電圧によりウエハ１０に引き込まれ、ウエハ１０表面のパタ−ン（凹部）の角を削り取って間口を広げる。そしてこのスパッタエッチング作用と平行して成膜ガスのプラズマによりＣＦ膜が成膜されて凹部内に埋め込まれ、こうしてウエハ１０上にＣＦ膜からなる層間絶縁膜が形成される。なお実際のデバイスを製造する場合には、その後このＣＦ膜に対して所定のパターンでエッチングを行い、溝部に例えばＷ膜を埋め込んでＷ配線が形成される。
【００２１】
ここで上述のプロセスのシ−ケンスを図２に示す。実際のプロセスでは、Ｎｅガスの導入とマイクロ波電力（高周波電源部２４）の印加とをほぼ同時に行ってプラズマを発生させ、続いてＮｅガスの導入から所定時間例えば３０秒経過後にバイアス電力（高周波電源部４２）の印加とＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスの導入をほぼ同時に行って、これにより成膜処理が開始される。このようにＮｅガスとＣ4 Ｆ8 等との導入のタイミングをずらすのは、プラズマを安定化させるためとウエハを加熱するためである。
【００２２】
このような方法で形成されたＣＦ膜は強固な結合を有し、後述の実験結果からも分かるように熱安定性が大きい、つまり高温になってもＦ系ガスの抜けが少ない。その理由についてはプラズマ生成用ガスとしてＮｅガスを用いたためと考えられる。即ち成膜ガスとしてＣＦ系ガスと炭化水素ガスとを組み合わせてＣＦ膜を成膜すると、このＣＦ膜中には図３に示すように当該ＣＦ膜の堆積中に形成されたＣ−Ｃ結合やＣ−Ｆ結合、Ｃ−Ｈ結合等が存在するが、プラズマ生成用ガスは既述のようにスパッタ作用を有するため、成膜処理の際にはこれらの結合がプラズマ生成用ガスによりスパッタされると考えられる。
【００２３】
ところでスパッタ効果は衝突エネルギ−の大きさに関係するため、一般に質量の大きい原子をスパッタガスとして用いるとスパッタ効果が大きくなり、質量の小さい原子を用いるとスパッタ効果が小さくなる。ここで従来はプラズマが生成しやすいことからプラズマ生成用ガスとしてＡｒガスが用いられているが、このＡｒとＮｅとの質量を比べてみると、ＮｅはＡｒの約１／２程度であり（Ａｒの原子量は３９．９４８、Ｎｅの原子量は２０．１７９）、このためＡｒガスを用いた場合にはＮｅガスを用いた場合よりもスパッタ効果が大きくなると推察される。
【００２４】
ここでＣＦ膜がスパッタされると上述のＣ−Ｃ結合等が物理的に叩かれ、スパッタ効果が大きいとこれらの結合が叩き切られるが、Ａｒガスを用いた場合には弱い結合であるＣ−Ｈ結合やＣ−Ｆ結合の一部が切断されるのみならず、強い結合であるＣ−Ｃ結合の一部も切断されてしまい、膜全体を通して見ると強い結合が少なくなると考えられる。
【００２５】
一方Ｎｅガスを用いた場合には、ＮｅガスはＡｒガスよりもスパッタ効果が小さいので、弱い結合であるＣ−Ｆ結合やＣ−Ｈ結合の一部は叩き切られるものの、強い結合であるＣ−Ｃ結合は切断されないと考えられる。
【００２７】
このようなことに起因して、Ｎｅガスをプラズマ生成用ガスとして用いて形成されたＣＦ膜は、Ａｒガスを用いた場合よりも高温の熱処理時においてもＦ系ガスの脱ガスが防止され、これによりＣＦ膜の熱安定性が向上すると考えられる。
【００２８】
続いて本発明方法により形成されたＣＦ膜の熱安定性を調べるために行った実験例について説明する。図１に示すプラズマ処理装置を用い、プラズマ生成ガスとしてＮｅガスを１５０ｓｃｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、Ｃ2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ導入して、ウエハ１０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。このときＮｅガスの導入から３０秒経過後に成膜ガスを導入した。またマイクロ波電力及びバイアス電力は夫々２７００Ｗ、１５００Ｗとし、載置台４表面の温度は３００℃、プロセス圧力は０．２Ｐａとした（実施例１）。
【００２９】
こうして形成されたＣＦ膜について４２５℃で２時間アニ−ル処理を行って、アニ−ル処理前後の重量変化を精密電子天秤により調べた。この重量変化は薄膜の熱安定性の指標であり、この値が小さい程Ｆ系ガスの抜けが少なく、熱安定性が高いことを示している。
【００３０】
またプラズマ生成用ガスとしてＮｅガスを１５０ｓｃｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、水素（Ｈ2 ）ガスを５０ｓｃｃｍ夫々導入し、その他の条件は全て実施例１と同様とした場合（実施例２）、プラズマ生成用ガスとしてＡｒガスを用いた場合（比較例１）、プラズマ生成用ガスとしてＫｒガスを用いた場合（比較例２）及びプラズマ生成用ガスとしてＸｅガスを用いた場合（比較例３）についても実験を行った。比較例１、２、３ではＡｒガス等の流量やその他の条件は全て実施例１と同様とした。
【００３１】
この結果を図４に示すが、図中Ｎｅ（１）は実施例１、Ｎｅ（２）は実施例２を夫々示している。これによりＣＦ膜の熱重量変化は、プラズマ生成用ガスとしてＮｅガスを用いた場合（実施例１）は２．６％程度、Ａｒガスを用いた場合（比較例１）は３．５％程度、Ｋｒガスを用いた場合（比較例２）は６％程度、Ｘｅガスを用いた場合（比較例３）は８．７％程度であることが確認された。ここでＸｅ、Ｋｒの原子量は夫々１３１．２９及び８３．８０とＡｒ、Ｎｅに比べてかなり大きく、このことからプラズマ生成用ガスの質量とＣＦ膜の熱重量変化とは比例関係にあり、プラズマ生成用ガスの質量が小さい程ＣＦ膜の重量変化が小さくなり、熱安定性が大きくなることが理解される。
【００３２】
また実施例２のプロセス条件でＣＦ膜を成膜した場合の熱重量変化は１．７％であり、比較例１、２、３に比べて小さいことから、成膜ガスとして炭化水素ガスの代わりにＨ2 ガスを用いてＣＦ膜を成膜しても、Ｎｅガスを用いることにより当該ＣＦ膜の熱安定性が高まることが確認された。
【００３３】
続いて本発明の他の例について説明する。この例は、上述のようにプラズマ生成用ガスとしてＮｅガスを用いた場合にはＣＦ膜の熱安定性を高めることができるという効果を有するものの、マイクロ波電力の印加（Ｎｅガスの導入開始）から数秒間、長い場合には１０秒程度待たないとプラズマが発生しない場合があったことから、この点を改善するためになされたものであり、少なくともプラズマの発生時には、プラズマ生成用ガスとしてＮｅガスとＡｒガスの混合ガスまたはＮｅガスとＫｒガスの混合ガスあるいはＮｅガスとＸｅガスの混合ガスを導入することを特徴としている。
【００３４】
本実施の形態について成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを用いた場合について、図５のシ−ケンスに基づいて具体的に説明すると、図１のプラズマ成膜装置において、先ずＮｅガスとＡｒガスとをほぼ同時に導入すると共に、マイクロ波電力の印加をほぼ同時に行なってプラズマを発生させる。続いてＮｅガスの導入から所定時間例えば３０秒経過後にバイアス電力の印加とＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスの導入をほぼ同時に行なって成膜処理を開始する。この際Ａｒガスは成膜処理が開始されると同時に、つまり導入から所定時間例えば３０秒経過後に導入が停止される。
【００３５】
ここでこの場合のプロセス条件の一例を挙げると、Ｎｅガス及びＡｒガスの流量は夫々１５０ｓｃｃｍ，３０ｓｃｃｍ、Ｃ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスの流量は夫々４０ｓｃｃｍ，３０ｓｃｃｍであって、マイクロ波電力は２．７ｋＷ，バイアス電力は１．５ｋＷである。
【００３６】
このようにプラズマの発生時にプラズマ生成用ガスとしてＮｅガスとＡｒガスの混合ガスを用いると、プラズマが生成しやすく、安定した成膜処理を行うことができるという効果がある。その理由については次のように考えられる。即ち水素ガスや希ガスの電離電圧及び最低励起順位の電圧を図６に示すが、ＮｅはＡｒやＸｅ、Ｋｒ、Ｈに比べて電離電圧及び最低励起順位の電圧が高い。
【００３７】
ここで電離電圧等が高いということは、プラズマ化されにくく、プラズマを生成させるためには大きなエネルギ−が必要となることを意味しており、従ってＮｅガスはＡｒガス等に比べてマイクロ波電力等の条件が同じであればプラズマが発生しにくいと言える。ところでプラズマの発生時にＮｅガスとＡｒガスの混合ガスを導入すると、ＡｒガスはＮｅガスに比べて電離電圧が低く、プラズマ化しやすいので、このＡｒガスのペニング効果（一方のガスの放電開始電圧が他方のガスの放電開始電圧よりも少し高い場合に、両者を混合すると放電開始電圧が低くなるという効果）により当該混合ガスはＮｅガスを単独で用いる場合よりもプラズマ化しやすくなると考えられる。
【００３８】
このためマイクロ波電力等の条件が同じであれば、前記混合ガスを用いた場合にはＮｅガスを単独で用いた場合よりも、マイクロ波電力の印加からプラズマ発生までの時間が短縮され、例えば１秒程度のかなり短い時間でプラズマが発生する。しかもプラズマの発生が安定しており、プラズマが発生したり、しなかったりというようなことは起こりにくいので、量産時にプロセスシ−ケンスを組みやすく、安定したプラズマ処理を行うことができる。一方Ａｒガスは成膜処理が開始されると同時に導入が停止されるので、成膜処理の際、Ａｒガスのスパッタ作用によりＣＦ膜の熱安定性が低くなることも抑えられる。
【００３９】
続いて本実施の形態の効果を確認するために行った実験例について説明する。図１に示すプラズマ処理装置を用い、プラズマ生成ガスとしてＮｅガスとＡｒガスを夫々１５０ｓｃｃｍ，３０ｓｃｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ4 ガスを夫々４０ｓｃｃｍ，３０ｓｃｃｍ導入して、ウエハ１０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。このときマイクロ波電力及びバイアス電力は夫々２７００Ｗ、１５００Ｗとした。またＮｅガス及びＡｒガス、成膜ガスの導入及び停止のタイミング、マイクロ波電力及びバイアス電力の印加及び停止のタイミングは夫々図５のシ−ケンスに従った（実施例３）。この成膜処理の際、マイクロ波電力印加から３秒後のプラズマの発生の有無を目視で確認した。
【００４０】
またプラズマ生成用ガスとしてＮｅガスとＫｒガスとの混合ガスを用い、Ｎｅガス及びＫｒガスの流量を夫々１５０ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍとした場合（実施例４）、プラズマ生成用ガスとしてＮｅガスとＸｅガスとの混合ガスを用い、Ｎｅガス及びＸｅガスの流量を夫々１５０ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍとした場合（実施例５）、プラズマ生成用ガスとしてＮｅガスを単独で用い、流量を１５０ｓｃｃｍとした場合（比較例４）についても、他の条件を実施例３と同様として実験を行った。
【００４１】
この結果を図７に示すが、これによりプラズマ生成用ガスとしてＮｅガスとＡｒガスの混合ガスを用いた場合（実施例３）、ＮｅガスとＫｒガスの混合ガスを用いた場合（実施例４）、ＮｅガスとＸｅガスの混合ガスを用いた場合（実施例５）はプラズマが瞬時に発生したが、Ｎｅガスを単独で用いた場合（比較例４）はプラズマが発生するまでに少し時間がかかることが確認された。
【００４２】
以上において成膜ガスとしては、ＣとＦとの化合物ガスとしてはＣＦ4 ガス、Ｃ2 Ｆ6 ガス、Ｃ3 Ｆ8 ガス、Ｃ5 Ｆ8 ガス、Ｃ6 Ｆ6 ガス等を用いることができ、ＣとＦのみならずＣとＦとＨとを含むガス例えばＣＨＦ3 ガス等を用いることもできる。また炭化水素ガスとしてはＣＨ4 ガスやＣ2 Ｈ2 ガス、Ｃ2 Ｈ6 ガス、Ｃ3 Ｈ8 ガス、Ｃ4 Ｈ8 ガス等を用いることができるが、炭化水素ガスの代りに水素ガスを用いるようにしてもよい。
【００４３】
さらにまた本発明はＥＣＲによりプラズマを生成することに限られず、例えばＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｕｍａ）などと呼ばれている、ドーム状の容器に巻かれたコイルから電界及び磁界を処理ガスに与える方法などによりプラズマを生成する場合にも適用できる。さらにヘリコン波プラズマなどと呼ばれている例えば１３．５６ＭＨｚのヘリコン波と磁気コイルにより印加された磁場との相互作用によりプラズマを生成する場合や、マグネトロンプラズマなどと呼ばれている２枚の平行なカソ−ドにほぼ平行をなすように磁界を印加することによってプラズマを生成する場合、平行平板などと呼ばれている互いに対向する電極間に高周波電力を印加してプラズマを生成する場合にも適用することができる。
【００４４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、熱的安定性が大きく、Ｆ系のガスの脱離が小さいＣＦ膜を得ることができる。従ってこのＣＦ膜を例えば半導体デバイスの層間絶縁膜に使用すれば、金属配線を腐食するおそれがなく、アルミニウム配線のうねりやクラックの発生も防止できる。半導体デバイスの微細化、高速化が要請されている中で、ＣＦ膜が比誘電率の小さい有効な絶縁膜として注目されていることから、本発明はＣＦ膜の絶縁膜としての実用化を図る上で有効な方法である。さらにプラズマを生成する際に、ネオンガスとアルゴンガス、クリプトンガスまたはキセノンガスを含むガスとをプラズマ化するようにすると、プラズマが生成しやすく、プラズマを生成するまでの時間が短縮される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法を実施するためのプラズマ処理装置の一例を示す縦断側面図である。
【図２】本発明方法をシ−ケンスを示す説明図である。
【図３】ＣＦ膜中に存在する結合を説明するための模式図である。
【図４】プラズマ生成用ガスとＣＦ膜の熱重量変化との関係を示す特性図である。
【図５】本発明方法の他の例のシ−ケンスを示す説明図である。
【図６】希ガスの電離電圧と最低励起順位の電圧を示す特性図である。
【図７】プラズマ生成用ガスとプラズマ発生の有無との関係を示す特性図である。
【図８】半導体デバイスの構造の一例を示す構造図である。
【符号の説明】
１０ 半導体ウエハ
２ 真空容器
２１ 第１の真空室
２２ 第２の真空室
２４ 高周波電源部
２５ 導波管
２６、２７ 電磁コイル
２８ 排気管
３１ ガスノズル
４ 載置台
５ 成膜ガス供給部
Claims (3)
- その内部に基板の載置台が設けられると共に、前記載置台の下方側から真空排気が行われる真空容器内にて、前記載置台上の基板に対して成膜ガスのプラズマにより成膜を行うプラズマ成膜方法において、
前記真空容器内の上部にネオンガスを含むプラズマ生成用ガスを導入し、このプラズマ生成用ガスをプラズマ化する工程と、
前記真空容器内におけるプラズマ生成用ガスの導入位置よりも下方側であって前記載置台の上方側から、炭素とフッ素との化合物ガスを含む成膜ガスを導入し、前記真空容器内を降りてきたプラズマにより、前記成膜ガスをプラズマ化し、このプラズマにより被処理基板上にフッ素添加カ−ボン膜よりなる層間絶縁膜を成膜する工程と、を含み、
前記ネオンガスを含むプラズマ生成用ガスをプラズマ化する工程では、前記真空容器内に成膜ガスを導入する前に、前記真空容器内にネオンガスとアルゴンガスとを含むプラズマ生成用ガスを導入して、このプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とするプラズマ成膜方法。 - 前記ネオンガスを含むプラズマ生成用ガスをプラズマ化する工程では、前記真空容器内に成膜ガスを導入する前に、前記真空容器内に、ネオンガスとアルゴンガスとを含むプラズマ生成用ガスを導入する代わりに、ネオンガスとクリプトンガスとを含むプラズマ生成用ガスを導入して、このプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする請求項１記載のプラズマ成膜方法。
- 前記ネオンガスを含むプラズマ生成用ガスをプラズマ化する工程では、前記真空容器内に成膜ガスを導入する前に、前記真空容器内に、ネオンガスとアルゴンガスとを含むプラズマ生成用ガスを導入する代わりに、ネオンガスとキセノンガスとを含むプラズマ生成用ガスを導入して、このプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする請求項１記載のプラズマ成膜方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02271898A JP4068204B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | プラズマ成膜方法 |
| KR10-2000-7005355A KR100477402B1 (ko) | 1997-11-20 | 1998-11-19 | 플라즈마 박막 증착 방법 |
| TW087119197A TW430882B (en) | 1997-11-20 | 1998-11-19 | Plasma film forming method |
| EP98954753A EP1033746A4 (en) | 1997-11-20 | 1998-11-19 | PLASMA DEPOSITION OF A FILM |
| PCT/JP1998/005218 WO1999027575A1 (fr) | 1997-11-20 | 1998-11-19 | Procede de formation d'un film par plasma |
| US09/573,412 US6770332B2 (en) | 1997-11-20 | 2000-05-18 | Method for forming film by plasma |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02271898A JP4068204B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | プラズマ成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214383A JPH11214383A (ja) | 1999-08-06 |
| JP4068204B2 true JP4068204B2 (ja) | 2008-03-26 |
Family
ID=12090588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02271898A Expired - Fee Related JP4068204B2 (ja) | 1997-11-20 | 1998-01-20 | プラズマ成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4068204B2 (ja) |
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1998
- 1998-01-20 JP JP02271898A patent/JP4068204B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11214383A (ja) | 1999-08-06 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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