JP4018793B2 - プラズマ成膜方法及び半導体デバイス - Google Patents
プラズマ成膜方法及び半導体デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP4018793B2 JP4018793B2 JP04888298A JP4888298A JP4018793B2 JP 4018793 B2 JP4018793 B2 JP 4018793B2 JP 04888298 A JP04888298 A JP 04888298A JP 4888298 A JP4888298 A JP 4888298A JP 4018793 B2 JP4018793 B2 JP 4018793B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- film
- plasma
- fluorine
- forming method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体デバイスの層間絶縁膜に用いることのできるフッ素添加カーボン膜をプラズマ処理により成膜する方法及び、この方法で成膜された層間絶縁膜を備えた半導体デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの高集積化を図るために、パターンの微細化、回路の多層化といった工夫が進められており、そのうちの一つとして配線を多層化する技術がある。多層配線構造をとるためには、n層目の配線層と(n+1)番目の配線層の間を導電層で接続すると共に、導電層以外の領域は層間絶縁膜と呼ばれる薄膜が形成される。
【0003】
この層間絶縁膜の代表的なものとしてSiO2 膜があるが、近年デバイスの動作についてより一層の高速化を図るために層間絶縁膜の比誘電率を低くすることが要求されており、層間絶縁膜の材質についての検討がなされている。即ちSiO2 は比誘電率がおよそ4であり、これよりも小さい材質の発掘に力が注がれている。そのうちの一つとして比誘電率が3.5であるSiOFの実現化が進められているが、本発明者は比誘電率が更に小さいフッ素添加カーボン膜(以下「CF膜」という)に注目している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
図12はウエハに形成された回路部分の一部であり、11、12はCF膜、13、14はW(タングステン)よりなる導電層、15はAl(アルミニウム)よりなる導電層、16は、P、BをドープしたSiO2 膜、17はn形半導体領域である。ところでW層13を形成するときのプロセス温度は400〜450℃であり、このときCF膜11、12はそのプロセス温度まで加熱される。しかしながらCF膜は、このような高温に加熱されると一部のC−F結合が切れて、主としてF(フッ素)系ガスが脱離してしまう。このF系ガスとしてはF、CF、CF2 などが挙げられる。
【0005】
このようにF系ガスが脱離すると、次のような問題が起こる。
a)アルミニウムやタングステンなどの金属配線が腐食する。
b)絶縁膜はアルミニウム配線を押え込んでアルミニウムのうねりを防止する機能をも有しているが、脱ガスにより絶縁膜による押え込みが弱まり、この結果アルミニウム配線がうねり、エレクトロマイグレーションと呼ばれる電気的欠陥が発生しやすくなってしまう。
c)絶縁膜にクラックが入り、配線間の絶縁性が悪くなるし、またその程度が大きいと次段の配線層を形成することができなくなる。
d)Fの抜けが多いと比誘電率が上がる。
【0006】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、強固な結合を有し、分解しにくいCF膜よりなる半導体デバイスの層間絶縁膜を形成することのできる方法及びこの層間絶縁膜を備えた半導体デバイスを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ成膜方法は、多層配線構造を有する半導体デバイスを製造する際に形成される層間絶縁膜を成膜するプラズマ成膜方法において、
フッ素を有する芳香族化合物ガスを含む成膜ガスをプラズマ化し、このプラズマにより被処理基板上に前記層間絶縁膜としてのフッ素添加カーボン膜を成膜することを特徴とする。
他の発明は、層間絶縁膜が形成された多層配線構造を有する半導体デバイスであって、
前記層間絶縁膜としてのフッ素添加カーボン膜が請求項1ないし5のいずれか一つに記載のプラズマ成膜方法によって形成されたものであることを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】
先ず本発明の実施の形態に用いられるプラズマ処理装置の一例を図1に示す。この装置は例えばアルミニウム等により形成された真空容器2を有しており、この真空容器2は上方に位置してプラズマを発生させる筒状の第1の真空室21と、この下方に連通させて連結され、第1の真空室21よりは口径の大きい筒状の第2の真空室22とからなる。なおこの真空容器2は接地されてゼロ電位になっている。
【0009】
この真空容器2の上端は、開口されてこの部分にマイクロ波を透過する部材例えば石英等の材料で形成された透過窓23が気密に設けられており、真空容器2内の真空状態を維持するようになっている。この透過窓23の外側には、例えば2.45GHzのマイクロ波を発生する高周波電源部24に接続された導波管25が設けられており、高周波電源部24にて発生したマイクロ波を例えばTEモードにより導波管25で導入して、またはTEモードにより案内されたマイクロ波を導波管25でTMモードに変換して、透過窓23から第1の真空室21内へ導入し得るようになっている。
【0010】
第1の真空室21を区画する側壁には例えばその周方向に沿って均等に配置したガスノズル31が設けられると共にこのノズル31には、図示しないガス源、例えばArガス源が接続されており、第1の真空室21内の上部にArガスをムラなく均等に供給し得るようになっている。
【0011】
前記第2の真空室22内には、前記第1の真空室21と対向するようにウエハの載置台4が設けられている。この載置台4は表面部に静電チャック41を備えており、この静電チャック41の電極には、ウエハを吸着する直流電源(図示せず)の他、ウエハにイオンを引き込むためのバイアス電圧を印加するように高周波電源部42が接続されている。
【0012】
一方前記第2の真空室22の上部即ち第1の真空室21と連通している部分にはリング状の成膜ガス供給部51が設けられており、この成膜ガス供給部51は、例えばガス供給管52、53から例えば2種類の成膜ガスが供給され、その混合ガスを内周面のガス穴54から真空容器2内に供給できるように構成されている。
【0013】
前記第1の真空室21を区画する側壁の外周には、これに接近させて磁場形成手段として例えばリング状の主電磁コイル26が配置されると共に、第2の真空室22の下方側にはリング状の補助電磁コイル27が配置されている。また第2の真空室22の底部には例えば真空室22の中心軸に対称な2個所の位置に各々排気管28が接続されている。
【0014】
次に上述の装置を用いて被処理基板であるウエハW上にCF膜よりなる層間絶縁膜を形成する方法について説明する。先ず、真空容器2の側壁に設けた図示しないゲートバルブを開いて図示しない搬送アームにより、例えば表面にアルミニウム配線が形成されたウエハWを図示しないロードロック室から搬入して載置台4上に載置し、静電チャック41によりウエハWを静電吸着する。
【0015】
続いて、ゲートバルブを閉じて内部を密閉した後、排気管28より内部雰囲気を排気して所定の真空度まで真空引きし、プラズマガスノズル31から第1の真空室21内へプラズマ発生用ガス例えばArガスを導入すると共に成膜ガス供給部5から第2真空室22内へ成膜ガスを所定の流量で導入する。
【0016】
ここで本実施の形態では成膜ガスに特徴があり、この成膜ガスとしてベンゼン環を有する化合物(芳香族化合物)のガス例えばC6 F6 (ヘキサフルオロベンゼン)を用いる。なお成膜ガスとして例えばC6 F6 一種類を用いる場合には、ガス導入管52、53の一方から成膜ガス供給部51内を通じて真空容器2内に供給される。そして真空容器2内を所定のプロセス圧に維持し、かつ高周波電源部42により載置台4に例えば13.56MHz、1500Wのバイアス電圧を印加すると共に、載置台4の表面温度をおよそ400℃に設定する。
【0017】
高周波電源部24からの2.45GHzの高周波(マイクロ波)は、導波管25を通って真空容器2の天井部に至り、ここの透過窓23を透過して第1の真空室21内へ導入される。一方真空容器2内には電磁コイル26、27により第1の真空室21の上部から第2の真空室22の下部に向かう磁場が形成される。例えば第1の真空室21の下部付近にて磁場の強さが875ガウスとなり、磁場とマイクロ波との相互作用により電子サイクロトロン共鳴が生じ、この共鳴によりArガスがプラズマ化され、且つ高密度化される。第1の真空室21より第2の真空室22内に流れ込んだプラズマ流は、ここに供給されている例えばC6 F6 ガスを活性化して活性種を形成し、ウエハW上にCF膜を成膜する。なお実際のデバイスを製造する場合には、その後このCF膜に対して所定のパターンでエッチングを行い、溝部に例えばW膜を埋め込んでW配線が形成される。
【0018】
このような方法で成膜されたCF膜は強固な結合を有し、後述の実験結果からも分かるように熱的安定性が大きい。その理由については、図2に示すようにベンゼン環はAとBの状態が共鳴していてC−C間の結合が一重結合と二重結合の中間の状態にあるため安定している。従ってCF膜中に存在するベンゼン環中のC−C結合、及びベンゼン環中のCとその外のCとの結合力が強く、CF、CF2 CF3 の脱離する量が少ないと考えられる。
【0019】
ここで本発明で用いるベンゼン環を含む化合物の例を図3及び図4に示す。
【0020】
【実施例】
(実施例1)
図5に示す測定装置を用いて薄膜の熱的安定性の指標である高温下での重量変化を調べた。図5において61は真空容器、62はヒータ、63は軽量天びん機構のビームに吊り下げられたるつぼ、64は重量測定部である。測定方法については、ウエハ上のCF膜を削り落としてるつぼ63内に入れ、真空雰囲気下でるつぼ63内の温度を425℃まで昇温させ、そのまま2時間加熱して重量測定部64で重量変化を調べた。上述の実施の形態で述べた成膜プロセスにおいて、C6 F6 (ヘキサフルオロベンゼン)ガス及びArガスの流量を夫々40sccm及び30sccm、ウエハWの温度を400℃、プロセス圧力を0.06Paとし、マイクロ波パワー(高周波電源部24の電力)及びバイアス電力(高周波電源部42の電力)を種々の値に設定し、各条件で得られたCF膜について重量変化を調べた。結果は図6に示す通りである。なお重量変化とは、熱を加える前のるつぼ内の薄膜の重量をA、熱を加えた後のるつぼ内の薄膜の重量をBとすると{(A−B)/A×100}で表わされる値である。
【0021】
更に上述のプロセス条件の中でマイクロ波パワー1.0kw,バイアス電力1.5kwの条件で得たCF膜について、高温下での質量分析を行った。この測定は具体的には所定量の薄膜を真空容器内に置き、この真空容器内を425℃に加熱して、真空容器に接続した質量分析計により行った。結果は図7に示す通りである。同図において縦軸はスペクトルの強度に対する無次元量であり、ピークのある部分が各ガスの脱離を示している。また横軸は真空容器内の昇温を開始した後の時間であり、室温から10℃/分の速度で昇温を行い、425℃に達した後30分間保持している。
【0022】
(実施例2)
C6 F6 ガスの代りにC7 F8 (オクタフルオロトルエン)ガスを用い、C7 F8 ガス及びArガスの流量を夫々40sccm及び40sccmとし、プロセス圧力を0.07Pa、マイクロ波パワーを1.0kw、バイアス電力を1.0kwとした他は実施例1と同様にしてCF膜をウエハ上に成膜した。このCF膜について実施例1と同様に重量変化を調べたところ、重量変化は1.9%であった。(図6参照)
(実施例3)
C6 F6 ガスの代わりにC4 F8 ガス及びC7 H5 F3 (トリフルオロメチルベンゼン)ガスを用い、C4 F8 ガス、C7 H5 F3 ガス及びArガスの流量を夫々20sccm、20sccm及び30sccmとし、プロセス圧力を0.07Pa、マイクロ波パワーを1.0kw、バイアス電力を1.0kwとした他は実施例1と同様にしてCF膜をウエハ上に成膜した。このCF膜について実施例1と同様に重量変化を調べたところ、重量変化は2.2%であった。(図6参照)
(実施例4)
C6 F6 ガスの代わりにC4 F8 ガス及びC7 H8 (トルエン)ガスを用い、C4 F8 ガス、C7 H8 ガス及びArガスの流量を夫々40sccm、15sccm及び150sccmとし、プロセス圧力を0.15Pa、マイクロ波パワーを1.0kw、バイアス電力を0.75kwとした他は実施例1と同様にしてCF膜をウエハ上に成膜した。このCF膜について実施例1と同様に重量変化を調べたところ重量変化は2.8%であった。(図6参照)
(比較例)
C6 F6 ガスの代わりにC4 F8 ガス及びC2 H4 ガスを用い、C4 F8 ガス、C2 H4 ガス及びArガスの流量を夫々40sccm、30sccm及び150sccmとし、プロセス圧力を0.22Pa、マイクロ波パワーを2.0kw、バイアス電力を1.5kwとした他は4.4%であった。(図6参照)
更にこのCF膜について実施例1と同様にして質量分析を行った。結果は図8に示す通りである。
【0023】
(考察)
実施例1、2から分かるようにC6 F6 ガスあるいはC7 F8 ガスを用いた場合には重量変化は1%台になり熱的安定性が高くて脱ガスが少なく、特にC6 F6 ガスを用いた場合には熱的安定性が極めて高い。また図7及び図8を比較して分かるようにC6 F6 ガスを用いた場合には、C4 F8 ガス及びC2 H4 ガスを用いた場合に比べてCF、CF2 、CF3 、の脱離量が少ない。これは既述のように芳香族化合物の原料ガスを用いた場合にはC−C結合が切れにくいという推測と合致している。
【0024】
そして実施例3、4では重量変化が比較例よりは優れているものの2%台と実施例1、2に比べて大きい理由は、C 7 H 8 ガスやC7H5F3ガスを単独で用いるとFが不足するためC4F8ガスを加えており、C4F8ガスの分解生成物に基づいて成膜される分、ネットワーク構造が少なくなり、そのためC−C結合が切れてCF、CF2、CF3となって脱離し、結果としてC6F6ガスやC7F8 ガスを用いた場合に比べて重量変化が大きくなっているものと推測される。
【0025】
ここでC6 F6 、C7 F8 及びC8 H4 F6 (1.4−ビストリフロロメチルベンゼン)について、これらの分解生成物を0.002Paの減圧化で気化させ、質量分析計により分析したところ夫々図9〜図11に示す結果が得られた。このことからベンゼン環を有する成分が熱分解生成物として多く存在し、この結果ネットワーク構造の安定したCF膜が生成されることが推測できる。
【0026】
更に本発明はECRによりプラズマを生成することに限られず例えばICP(Inductive Coupled Plasma)などと呼ばれている、ドーム状の容器に巻かれたコイルから電界及び磁界を処理ガスに与える方法などによりプラズマを生成する場合にも適用することができる。
【0027】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、熱的安定性が大きいCF膜を生成することができる。従ってこのCF膜を例えば半導体デバイスの層間絶縁膜に使用すれば、金属配線を腐食するおそれがなく、アルミニウム配線のうねりやクラックの発生も防止できる。半導体デバイスの微細化、高速化が要請されている中で、CF膜が比誘電率の小さい有効な絶縁膜として注目されていることから、本発明はCF膜の絶縁膜としての実用化を図る上で有効な方法である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法を実施するためのプラズマ処理装置の一例を示す縦断側面図である。
【図2】本発明方法で用いる成膜ガスの分解、再結合の様子を示す説明図である。
【図3】成膜ガスの例の分子式を示す説明図である。
【図4】成膜ガスの例の分子式を示す説明図である。
【図5】薄膜の重量変化を調べる測定装置を示す略解断面図である。
【図6】実施例及び比較例についての重量変化を示す説明図である。
【図7】実施例のCF膜について高温下で質量分析を行ったときの結果を示す特性図である。
【図8】比較例のCF膜について高温下で質量分析を行ったときの結果を示す特性図である。
【図9】ヘキサフルオロベンゼンを熱分解したときの質量分析結果を示す特性図である。
【図10】オクタフルオロトルエンを熱分解したときの質量分析結果を示す特性図である。
【図11】1,4ビストリフロロメチルベンゼンを熱分解したときの質量分析結果を示す特性図である。
【図12】半導体デバイスの構造の一例を示す構造図である。
【符号の説明】
2 真空容器
21 第1の真空室
22 第2の真空室
24 高周波電源部
25 導波管
26、27 電磁コイル
28 排気管
31 プラズマガスノズル
4 載置台
W 半導体ウエハ
51 成膜ガス供給部
Claims (6)
- 多層配線構造を有する半導体デバイスを製造する際に形成される層間絶縁膜を成膜するプラズマ成膜方法において、
フッ素を有する芳香族化合物ガスを含む成膜ガスをプラズマ化し、このプラズマにより被処理基板上に前記層間絶縁膜としてのフッ素添加カーボン膜を成膜することを特徴とするプラズマ成膜方法。 - フッ素を有する芳香族化合物ガスを含む前記成膜ガスは、炭素とフッ素とからなる芳香族化合物ガスであることを特徴とする請求項1記載のプラズマ成膜方法。
- 前記炭素とフッ素とからなる芳香族化合物ガスは、C 6 F 6 (ヘキサフルオロベンゼン)ガスまたはC 7 F 8 (オクタフルオロトルエン)ガスであることを特徴とする請求項2記載のプラズマ成膜方法。
- フッ素を有する芳香族化合物ガスを含む前記成膜ガスは、炭素と水素とフッ素とからなる芳香族化合物ガスであることを特徴とする請求項1記載のプラズマ成膜方法。
- 前記炭素と水素とフッ素とからなる芳香族化合物ガスは、C 6 H 5 F(フルオロベンゼン)ガス、C 7 H 7 F(フルオロトルエン)ガス、C 6 H 4 F 2 (ジフルオロベンゼン)ガス、C 6 H 3 F 3 (テトラフルオロベンゼン)ガス、C 6 HF 5 (ペンタフルオロベンゼン)ガス、C 7 H 5 F 3 (トリフルオロメチルベンゼン)ガス、C 7 H 6 F 2 (2,5−ジフルオロトルエン)ガス、C 9 H 3 F 9 (1,3,5−トリス(トリフルオロメチル)ベンゼン)ガス、C 8 H 4 F 6 (1,4−ビストリフロロメチルベンゼン)ガスのいずれかであることを特徴とする請求項4記載のプラズマ成膜方法。
- 層間絶縁膜が形成された多層配線構造を有する半導体デバイスであって、
前記層間絶縁膜としてのフッ素添加カーボン膜が請求項1ないし5のいずれか一つに記載のプラズマ成膜方法によって形成されたものであることを特徴とする半導体デバイス。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04888298A JP4018793B2 (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | プラズマ成膜方法及び半導体デバイス |
EP98954754A EP1035569B1 (en) | 1997-11-27 | 1998-11-19 | Method for forming plasma films |
KR10-2000-7005723A KR100382388B1 (ko) | 1997-11-27 | 1998-11-19 | 플라즈마 박막증착 방법 및 반도체 디바이스 |
PCT/JP1998/005219 WO1999028962A1 (fr) | 1997-11-27 | 1998-11-19 | Procede de formation de films de plasma |
DE69836146T DE69836146T2 (de) | 1997-11-27 | 1998-11-19 | Plasma-abscheidung von filmen |
TW087119563A TW382750B (en) | 1997-11-27 | 1998-11-25 | Plasma film forming method |
US09/578,726 US6544901B1 (en) | 1997-11-27 | 2000-05-26 | Plasma thin-film deposition method |
US10/367,762 US20030152714A1 (en) | 1997-11-27 | 2003-02-19 | Plasma thin-film deposition method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04888298A JP4018793B2 (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | プラズマ成膜方法及び半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11233507A JPH11233507A (ja) | 1999-08-27 |
JP4018793B2 true JP4018793B2 (ja) | 2007-12-05 |
Family
ID=12815666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04888298A Expired - Fee Related JP4018793B2 (ja) | 1997-11-27 | 1998-02-13 | プラズマ成膜方法及び半導体デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4018793B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7385142B2 (ja) * | 2021-11-01 | 2023-11-22 | ダイキン工業株式会社 | エッチングガス及びそれを用いたエッチング方法 |
-
1998
- 1998-02-13 JP JP04888298A patent/JP4018793B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11233507A (ja) | 1999-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4361625B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3402972B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3574734B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
KR100430807B1 (ko) | 플라즈마 성막 방법 | |
JP3429171B2 (ja) | プラズマ処理方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP3469761B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JPH10144676A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
EP1035569B1 (en) | Method for forming plasma films | |
JP3515347B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス | |
JP4018793B2 (ja) | プラズマ成膜方法及び半導体デバイス | |
JP4141021B2 (ja) | プラズマ成膜方法 | |
JP4068204B2 (ja) | プラズマ成膜方法 | |
JP4054123B2 (ja) | プラズマ成膜方法 | |
JP3321148B2 (ja) | フッ素添加カーボン膜及びその形成方法 | |
JPH11340217A (ja) | プラズマ成膜方法 | |
JPH11233501A (ja) | プラズマ成膜方法 | |
JPH11162961A (ja) | プラズマ成膜方法 | |
JPH11330063A (ja) | プラズマ処理装置のクリ−ニング方法 | |
JPS63299347A (ja) | 薄膜の堆積方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050208 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070515 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070717 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070911 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070921 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100928 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130928 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |