JP4065719B2 - 追記型光記録媒体及びその記録再生方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、追記型（ＷＯＲＭ：Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ Ｒｅａｄ Ｍａｎｙ ）光記録媒体に係わり、特に青色レーザ波長でも高密度記録が可能な追記型光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
超高密度の記録が可能となる青色レーザの開発は急速に進んでおり、それに対応した追記型光記録媒体の開発が行われている。
従来の追記型光記録媒体では、有機材料からなる記録層にレーザ光を照射し、主に有機材料の分解・変質による屈折率減少を生じさせることで記録ピットを形成させており、記録層に用いられる有機材料の光学定数や分解挙動が、良好な記録ピットを形成させるための重要な要素となっている。
従って、記録層に用いる有機材料としては、青色レーザ波長に対する光学的性質や分解挙動の適切な材料を選択する必要がある。
即ち、未記録時の反射率を高め、またレーザの照射によって有機材料が分解し大きな屈折率変化（減少）が生じるようにするため（これによって大きな変調度が得られる）、記録再生波長は大きな吸収帯の長波長側の裾に位置するように選択される（図１参照。図中の斜線領域は記録再生波長の範囲を示す）。
何故ならば、有機材料の大きな吸収帯の長波長側の裾は、適度に小さな吸収係数を有し且つ大きな屈折率が得られる波長領域となるためである。
【０００３】
しかしながら、青色レーザ波長に対する光学的性質が従来並みの値を有する有機材料は未だ見出されていない。
これは、青色レーザ波長領域に吸収帯を持つ有機材料を得るためには、分子骨格を小さくするか又は共役系を短くする必要があるが、そうすると吸収係数の低下、即ち屈折率の低下を招くためである（吸収係数ｋと屈折率ｎは下記〔式１〕に示すＫｒａｍｅｒｓ−Ｋｒｏｎｉｇの関係で結ばれており、ある任意の吸収帯の吸収係数が低下すると、その吸収帯の長波長側では屈折率が低下する）。
【数１】
つまり、青色レーザ波長領域に吸収帯を持つ有機材料は多数存在し、吸収係数を制御することはある程度可能となるが、大きな屈折率を持たないため、大きな変調度を得ることができなくなる。
【０００４】
青色レーザ対応の有機材料としては、例えば、特開２００１−１８１５２４号、特開２００１−１５８８６５号、特開２０００−３４３８２４号、特開２０００−３４３８２５号、特開２０００−３３５１１０号各公報に記載がある。
しかし、これらの公報では、実施例を見ても溶液と薄膜のスペクトルを測定しているのみで、記録再生に関する記載はない。
特開平１１−２２１９６４号、特開平１１−３３４２０６号、特開２０００−４３４２３号各公報では、実施例に記録の記載があるものの、記録波長は４８８ｎｍであり、また記録条件や記録密度に関する記載はなく、良好な記録ピットが形成できた旨の記載があるのみである。
【０００５】
特開平１１−５８９５５号公報では、実施例に記録の記載があるものの、記録波長は４３０ｎｍであり、また記録条件や記録密度に関する記載はなく、良好な変調度が得られた旨の記載があるのみである。
特開２００１−３９０３４号、特開２０００−１４９３２０号、特開２０００−１１３５０４号、特開２０００−１０８５１３号、特開２０００−２２２７７２号、特開２０００−２１８９４０号、特開２０００−２２２７７１号、特開２０００−１５８８１８号、特開２０００−２８０６２１号、特開２０００−２８０６２０号各公報では、実施例に記録波長４３０ｎｍ、ＮＡ０．６５での記録例があるが、最短ピットが０．４μｍという低記録密度条件（ＤＶＤと同等の記録密度）である。
特開２００１−１４６０７４号公報では、記録再生波長は４０５〜４０８ｎｍであるが、記録密度に関する具体的な記載がなく、１４Ｔ−ＥＦＭ信号の記録という低記録密度条件である。
【０００６】
また、従来のＣＤ、ＤＶＤ系光記録媒体と異なる層構成及び記録方法に関して、以下のような技術が公開されている。
特開平７−３０４２５８号公報には、基板／可飽和吸収色素含有層／反射層という層構成で、可飽和吸収色素の消衰係数（本発明でいう吸収係数）の変化により記録を行う技術が開示されている。
特開平８−８３４３９号公報には、基板／金属蒸着層／光吸収層／保護シートという層構成で、光吸収層によって発生した熱によって、金属蒸着層を変色又は変形させることで記録を行う技術が開示されている。
特開平８−１３８２４５号公報には、基板／誘電体層／光吸収体を含む記録層／反射層という層構成で、記録層の膜厚を変えることにより溝部の深さを変えて記録を行う技術が開示されている。
【０００７】
特開平８−２９７８３８号公報には、基板／光吸収体を含む記録層／金属反射層という層構成で、記録層の膜厚を１０〜３０％変化させることにより記録を行う技術が開示されている。
特開平９−１９８７１４号公報には、基板／有機色素を含有する記録層／金属反射層／保護層という層構成で、基板の溝幅を未記録部に対して２０〜４０％広くすることにより記録を行う技術が開示されている。
特許第２５０６３７４号公報には、基板／中間層／金属薄膜という層構成で、金属薄膜が変形しバブルを形成することにより記録を行う技術が開示されている。
特許第２５９１９３９号公報には、基板／光吸収層／記録補助層／光反射層という層構成で、記録補助層を凹状に変形させると共に、記録補助層の変形に沿って光反射層を凹状に変形させることで記録を行う技術が開示されている。
【０００８】
特許第２５９１９４０号公報には、基板／光吸収層／多孔質な記録補助層／光反射層、或いは、基板／多孔質な記録補助層／光吸収層／光反射層という層構成で、記録補助層を凹状に変形させると共に、記録補助層の変形に沿って光反射層を凹状に変形させることで記録を行う技術が開示されている。
特許第２５９１９４１号公報には、基板／多孔質な光吸収層／光反射層という層構成で、光吸収層を凹状に変形させると共に、光吸収層の変形に沿って光反射層を凹状に変形させることで記録を行う技術が開示されている。
特許第２９８２９２５号公報には、基板／有機色素を含む記録層／記録補助層という層構成で、記録補助層と有機色素が相溶して、有機色素の吸収スペクトルを短波長側へシフトさせることで記録を行う技術が開示されている。
【０００９】
特開平９−２６５６６０号公報には、基板上に反射層と記録層の機能を有する複合機能層、保護層を順次形成した層構成で、基板と複合機能層がバンプを形成することで記録を行う技術が開示されている。なお、複合機能層としては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、又はそれらの合金との規定がある。
特開平１０−１３４４１５号公報には、基板上に金属薄膜層、変形可能な緩衝層、反射層、保護層を順次形成した層構成で、基板と金属薄膜層を変形させ、同時にこの変形部での緩衝層膜厚を薄くさせることで記録を行う技術が開示されている。なお、金属薄膜層としては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、又はそれらの合金との規定がある。また、緩衝層としては、変形し易く適当な流動性を持つ樹脂が用いられ、変形を促進させるために色素を含有させても良いとの記載がある。
【００１０】
特開平１１−３０６５９１号公報には、基板上に金属薄膜層、緩衝層、反射層を順次積層した層構成で、基板と金属薄膜層を変形させ、同時にこの変形部での緩衝層膜厚と光学定数とを変化させることで記録を行う技術が開示されている。なお、金属薄膜層としては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、又はそれらの合金が好ましいとの記載がある。また、緩衝層は色素と有機高分子の混合物からなり、記録再生波長領域に大きな吸収帯を有する色素が用いられる。
特開平１０−１２４９２６号公報には、基板上に金属記録層、バッファ層、反射層を順次積層した層構成で、基板と金属記録層を変形させ、同時にこの変形部でのバッファ層膜厚と光学定数とを変化させることで記録を行う技術が開示されている。なお、金属記録層としては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、又はそれらの合金が好ましいとの記載がある。また、バッファ層は色素と樹脂の混合物からなり、記録再生波長領域に大きな吸収帯を有する色素が用いられる。
【００１１】
以上のように、上記諸々の従来技術は、青色レーザ波長領域での追記型光記録媒体の実現を狙ったものではなく、青色レーザ波長領域で有効となる層構成や記録方法でもない。
特に、現在実用化されている青色半導体レーザの発振波長の中心である４０５ｎｍ近傍においては、従来の追記型光記録媒体の記録層に要求される光学定数と同程度の光学定数を有する有機材料が殆んど存在しない。
また、４０５ｎｍ近傍で記録条件を明確にし、ＤＶＤよりも高記録密度で記録された例はない。
更に、上記従来技術における多くの実施例では、従来と同じ光学特性と機能を持つ色素が要求され、そのような色素が使用されており、青色レーザ波長領域で、有機材料からなる追記型光記録媒体を容易に実現できる層構成や記録原理、記録方式についての有効な提案はない。
【００１２】
一方、青色レーザ波長に対応した光記録媒体の提案は、特開２００１−２７３６７２号公報に記載がある。
この光記録媒体は、基板上に屈折率変化を起こす有機材料層を設けたもので、この屈折率変化は減少であっても増加であってもよい。
記録によって有機材料層の屈折率を増加させるという記録原理は、本発明と同一であるが、本発明では有機材料層の上に、複素屈折率を特定した上引層を設け、高反射率化と高変調度化を図る点が異なる。
本発明と同様に、有機材料層に隣接して金属層を設けることも提案されているが、明細書中には金属としてＡｕとＣｕの記載しかなく（これらは有機材料層に対して低屈折率層である）、本発明で使用可能である上引層（これらは有機材料層に対して高屈折率層である）に当てはまらない。
【００１３】
また、本発明では、有機材料層と上引層の界面の変形を利用し、高変調度化を図る点が、特開２００１−２７３６７２号公報とは異なる。
また、従来の有機材料を用いた追記型光記録媒体では、変調度と反射率の確保の点から、記録再生波長に対し大きな屈折率と比較的小さな吸収係数（０．１０程度）を持つ有機材料しか使用することができない。
即ち、有機材料は記録光に対して十分な吸収能を持たないため、有機材料の膜厚を薄膜化することが不可能であり、従って、深い溝を持った基板を使用する必要があった（有機材料は通常スピンコート法によって形成されるため、有機材料を深い溝に埋めて厚膜化していた）。そのため深い溝を有する基板の形成が非常に難しくなり、追記型光記録媒体としての品質を低下させる要因になっていた。更に、従来の追記型光記録媒体では、相変化型の光記録媒体に対して記録パワーマージンが狭いという問題がった（記録パワーの変動に対して記録再生特性が変動しやすい）。この記録パワーマージンが狭い原因も、有機材料の光吸収能不足を有機材料層の厚膜化で対処せざるを得ない点にある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、単純層構成で、安価に製造可能な青色レーザ波長に対応可能な追記型光記録媒体及びその記録再生方法、比較的高い反射率が得られる追記型光記録媒体及び記録再生方法、有機材料層の薄膜化が可能で、記録パワーマージンの広い追記型光記録媒体及びその記録再生方法、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ（ハイ・トゥー・ロー）記録となる追記型光記録媒体及びその記録再生方法、基板溝深さが浅い、成形性に優れた基板の使用を可能とする追記型光記録媒体及びその記録再生方法、有機材料の選択の幅を拡大でき、表面記録、或いは高ＮＡレンズによる記録に対応でき、高密度化が達成できる追記型光記録媒体及びその記録再生方法の提供を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、次の１）〜２２）の発明（以下、本発明１〜２２という）によって解決される。
１） 少なくとも、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層と、入射光から見て該有機材料層の奥側に隣接する該有機材料層よりも高屈折率の上引層を設けた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能である追記型光記録媒体。
２） 少なくとも、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層と、入射光から見て該有機材料層の奥側に隣接し該有機材料層よりも高屈折率の上引層を設けた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能である追記型光記録媒体。
３） 基板上に、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、該有機材料層よりも高屈折率の上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生が基板側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
４） 基板上に、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層、該有機材料層よりも高屈折率の上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生が基板側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
５） 基板上に、多重反射効果を最適化するエンハンス層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、該有機材料層よりも高屈折率の上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生が基板側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
６） 基板上に、多重反射効果を最適化するエンハンス層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層、該有機材料層よりも高屈折率の上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生が基板側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
７） 基板上に、有機材料層よりも高屈折率の上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、カバー層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが ４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生がカバー層側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
８） 基板上に、有機材料層よりも高屈折率の上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層、カバー層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生がカバー層側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
９） 基板上に、有機材料層よりも高屈折率の上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、多重反射効果を最適化するエンハンス層、カバー層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生がカバー層側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
１０） 基板上に、有機材料層よりも高屈折率の上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層、多重反射効果を最適化するエンハンス層、カバー層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生がカバー層側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
１１） 有機材料層よりも高屈折率の上引層が光吸収機能を有し、記録レーザ光を照射した際に、有機材料層の光吸収機能及び／又は該有機材料層よりも高屈折率の上引層の光吸収機能による発熱によって有機材料層中の有機材料が分解し、記録再生波長での屈折率が増加することで記録が行われることを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１２） 有機材料層よりも高屈折率の上引層が光吸収機能を有し、記録レーザ光を照射した際に、有機材料層の光吸収機能及び／又は該有機材料層よりも高屈折率の上引層の光吸収機能によって、記録再生波長よりも長波長側に存在する有機材料層の吸収帯の吸収係数が減少し、記録再生波長での屈折率が増加することで記録が行われることを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１３） 記録によって有機材料層よりも高屈折率の上引層が有機材料層側へ変形することを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１４） 有機材料層よりも高屈折率の上引層が有機材料層よりも高硬度を有する材料からなることを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１５） 有機材料層よりも高屈折率の上引層がＳｉ又はＧｅを含有することを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１６） エンハンス層がＳｉＯ２又はＺｎＳ−ＳｉＯ２を主成分とすることを特徴とする５）、６）、９）、１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１７） ３５０〜５００ｎｍの記録再生波長に対応する有機材料層及び該有機材料層よりも高屈折率の上引層を有することを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１８） 記録レーザ光の照射によって、有機材料層中の有機材料を分解させ、記録再生波長での屈折率を増加させることで情報の記録再生を行うことを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体の記録再生方法。
１９） 記録レーザ光の照射によって、記録再生波長よりも長波長側に存在する有機材料層の吸収帯の吸収係数を減少させ、記録再生波長での屈折率を増加させることで情報の記録再生を行うことを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体の記録再生方法。
２０） 記録レーザ光の照射によって、有機材料層中の有機材料を分解させて記録再生波長での屈折率を増加させ、かつ該有機材料層よりも高屈折率の上引層を有機材料層側へ変形させることで情報の記録再生を行うことを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体の記録再生方法。
２１） 記録レーザ光の照射によって、記録再生波長よりも長波長側に存在する有機材料層の吸収帯の吸収係数を減少させて記録再生波長での屈折率を増加させ、かつ該有機材料層よりも高屈折率の上引層を有機材料層側へ変形させることで情報の記録再生を行うことを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体の記録再生方法。
２２） 記録再生波長を３５０〜５００ｎｍとしたことを特徴とする１８）〜２１）の何れかに記載の記録再生方法。
【００１６】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
従来のように、有機材料の主吸収帯（最も大きな吸収係数を有する吸収帯）を記録再生波長に対して短波長側に位置させる場合（有機材料の最大吸収波長を記録再生波長に対して短波長側に位置させるとも言える）、例えば記録再生波長を４００ｎｍ近傍と仮定すると、有機材料の主吸収帯（或いは最大吸収波長）は４００ｎｍ以下に設定させる必要があり、これは有機材料の分子骨格、或いは共役系を小さくすることを意味する。
この有機材料の分子骨格、或いは共役系を小さくすることは、吸収係数と共に屈折率の低下を引き起こすため、記録によって大きな屈折率変化が生じなくなる（即ち変調度が低下する）。
また、有機材料の分子骨格、或いは共役系を小さくすることは、置換基の導入個所の減少を招き、溶解性を悪化させたり、凝集性や結晶性を高める恐れがある（その結果、スピンコーティングによって良好な膜を得ることができなくなり、また温湿度に対する安定性が低下する恐れがある）。
更には、ドナーやアクセプターの導入による波長制御が十分な効果を持たなくなる恐れもある。
【００１７】
そこで、本発明では、
・置換基の導入個所を十分確保し、溶解性、或いは凝集性や結晶性を容易に制御できるようにする
・ドナーやアクセプターの導入によって波長制御が容易に制御できるようにする・保存安定性を高める
・有機材料の選択幅を拡大する
・記録前後での屈折率変化を大きくする
という目標を実現させるため、有機材料の主吸収帯（最も大きな吸収係数を有する吸収帯）を記録再生波長に対して長波長側に存在させる（有機材料の最大吸収波長を記録再生波長に対して長波長側に存在させるとも言える）ことにした。
これによって、主吸収帯が比較的長波長域（４００ｎｍ以上）にある有機材料を選択することができる。
【００１８】
主吸収帯が比較的長波長域（４００ｎｍ以上）にある有機材料は、その種類が多く、分子骨格も大きいため、高い複素屈折率実部領域と低い複素屈折率実部領域を得ることができる（従って、高い変調度を得ることが可能となる）。
また、分子骨格が大きくなるため、置換基導入、溶解性、凝集・結晶性、波長制御性、保存安定性等の問題が解消される。
そして本発明では、記録によって有機材料を分解させ（これによって主吸収帯の吸収係数が減少する）、或いは記録再生波長よりも長波長側に存在する有機材料層の吸収帯の吸収係数を減少させ（有機材料の分解だけでなく、凝集状態変化や構造変化による吸収係数の減少を含む）、記録再生波長における屈折率を増加させる。
この記録による屈折率の増加によって情報の記録再生を行う。
【００１９】
以上の記録原理をＫｒａｍｅｒｓ−Ｋｒｏｎｉｇの関係式で説明する。
まず、従来の記録原理をＫｒａｍｅｒｓ−Ｋｒｏｎｉｇの関係式で説明すると、今記録再生波長λ＝λ０とし、前記〔式１〕の積分範囲λｉをλ０より大きい領域と小さい領域に分けて考える（下記〔式２〕参照）。
従来の記録再生波長と有機材料の吸収帯の関係から（図１参照。図中の斜線領域は記録再生波長の範囲を示す）、記録再生波長λ０よりも長波長領域では、有機材料の吸収帯は存在しないため、〔式２〕中の大きいカッコ内の第一項の積分値はほぼゼロである。
一方、図１に示すように、従来の記録再生波長と有機材料の吸収帯の関係から、記録再生波長λ０の短波長側の領域には、大きな有機材料の吸収帯が存在するため、〔式２〕中の大きいカッコ内の第二項の積分値がλ０近傍で符号がプラスの大きな値となる〔（λ０ ２−λ１ ２）＞０。大きいカッコ内の第二項の積分においてλ０近傍で分母が非常に小さくなる〕。従って、この領域で高屈折率が得られるのである。
なお、図にも示したように、記録再生波長λ０は、ある程度の幅を有しており、通常は幅±１０ｎｍ程度である。
【００２０】
【数２】
従来の記録原理では、記録によって有機材料を分解させ、主吸収帯の吸収係数{〔式１〕〔式２〕におけるｋ（λｉ）}を低下させている。即ち、記録再生波長λ０における〔式２〕中の大きいカッコ内の第二項の積分値を低下させている。そして、これによって記録再生波長λ０で屈折率の低下が起き、記録再生を可能としている。
【００２１】
次に、本発明に用いる記録原理をＫｒａｍｅｒｓ−Ｋｒｏｎｉｇの関係式で説明する。
本発明で用いる記録再生波長と有機材料の吸収帯の関係から（図２参照。図中の斜線領域は記録再生波長の範囲を示す）、記録再生波長λ０よりも短波長領域では、有機材料の吸収帯が存在しても、一般的に、その吸収係数はあまり大きくないため、〔式２〕中の大きいカッコ内の第二項の積分値は小さな値である。
一方、本発明で用いる記録再生波長と有機材料の吸収帯の関係から（図２参照）、記録再生波長λ０の長波長側の領域には、大きな有機材料の吸収帯が存在するため、〔式２〕中の大きいカッコ内の第一項の積分値がλ０近傍で符号がマイナスの大きな値となる〔（λ０ ２−λ１ ２）＜０。大きいカッコ内の第一項の積分においてλ０近傍で分母が非常に小さくなる〕。
従って、この領域で低屈折率が得られるのである。
本発明に用いる記録原理では、記録によって有機材料を分解するか、或いは凝集状態や構造等の変化を起こさせ、主吸収帯の吸収係数{〔式１〕、〔式２〕におけるｋ（λｉ）}を低下させている。即ち、記録再生波長λ０における〔式２〕中の大きいカッコ内の第一項の積分値を低下させている。
これによって記録再生波長λ０で屈折率の増加が起き、記録再生を可能としている。
【００２２】
以上の記録再生原理は、例えば特開２００１−２７３６７２号公報にも記載されている技術であるが、本発明では
・未記録時の反射率を高める
・記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化する条件を拡大する
・記録パワーマージンを向上させる
・変調度を確保する
という目標を実現させるために、有機材料層に隣接して、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である上引層、又は記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層を設ける構造とした。
なお、未記録時の反射率を高めることは、再生信号の品質を向上させ、また記録再生装置の負荷を低減する意味で重要である。
また、記録極性のＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化（記録によって反射率が低下する）は、従来の光記録媒体との互換性をとるために重要であり、また未記録時の反射率を高めるためにも重要である（記録極性をＬｏｗ ｔｏ Ｈｉｇｈ化することは、一般的に、変調度が小さくなり易く、また未記録時の反射率低下を招く恐れがある）。
【００２３】
以下、入射光から見て有機材料層の奥側に隣接して設けた、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である上引層、又は記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層の機能について説明する。
本発明では、有機材料の主吸収帯（最も大きな吸収係数を有する吸収帯）を記録再生波長に対して長波長側に存在させる（有機材料の最大吸収波長を記録再生波長に対して長波長側に存在させるとも言える）ため、一般的に、記録再生波長での有機材料の屈折率（複素屈折率の実部）は、０．８〜１．７程度となる。
従って、複素屈折率の実部ｎが２．５以上の上引層を設けることで、上引層がない場合に比べ（即ち有機材料層との界面は基板又はカバー層であり、両者の屈折率は１．５〜１．８程度である）、反射率を向上させることができる（反射係数が大きな値となるからである）。
【００２４】
記録パワーマージンを広げるためには、有機材料層の膜厚を薄くすることで対処することができる。
何故ならば、有機材料層の膜厚が厚くなると、記録される領域が膜厚方向に広がり、より三次元的な記録マークとなるため、記録パワーによって記録マークの長さや幅に加えて、深さ方向の幅が変動することになるからである（有機材料層が薄い場合には、記録マークがより二次元的になり、記録パワーの変動による記録マークの深さ方向幅の変動の寄与を低減できる）。
しかし、有機材料層の膜厚を薄くすると、光吸収能が低下するため記録感度が低下し（高い記録パワーが必要となる）、変調度も低下してしまうという問題がある。
【００２５】
これに対し、本発明では有機材料層に隣接して複素屈折率の虚部が０．５以上である上引層を設けたため（但し、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層を用いた場合はこの限りではない）、有機材料層の膜厚を薄くして有機材料層自身の光吸収能を低下させても、上引層の光吸収能を併用することが可能となり、適度な記録パワー範囲で有機材料層の屈折率を変化させることができる。即ち、複素屈折率の虚部が０．５以上である上引層を設けることによって、記録パワーマージンを、上引層がない場合に比べて拡大させることができる。
また、有機材料層を薄膜化できることによって、有機材料を用いた光記録媒体でありながら、トラッキング用に設けられる基板の溝の深さを大幅に浅くすることができ、溝の浅い基板は成形が容易であるため、従来の有機材料を用いた光記録媒体比べて、信号品質を大幅に高めることができる。
【００２６】
また、本発明では複素屈折率の虚部が０．５以上である上引層を設けたため、上引層自身の温度が上昇して変形を起こさせることが可能である（但し、上引層の変形は、有機材料層の光吸収機能によっても誘発される）。
この上引層の変形を併用することで、有機材料層の膜厚を薄くしたことによる低変調度化を改善することができる。
なお、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層を用いた場合、記録再生波長における複素屈折率の虚部ｋが０．５以下となっても構わない。この場合でも、有機材料層の膜厚の薄膜化による光吸収能の低下を上引層で補償できない訳ではなく、例え、記録再生波長における複素屈折率の虚部ｋが０．５以下であっても、上引層自身の熱伝導率や隣接層の熱伝導率、更には上引層の膜厚を最適化することで、有機材料層の膜厚の薄膜化による光吸収能の低下を上引層で補償できる。
【００２７】
一方、変形量が大きくなると、有機材料層の膜厚を厚膜化するのと同様に、記録パワーマージンが狭くなる可能性があるが、本発明では有機材料層の膜厚が薄く、また上引層を有機材料層側に変形させるようにするため、上引層の変形量は一定量に制限できる。その結果、変形量の増大による記録パワーマージンの悪化を抑制することができる。
なお、上引層を有機材料層側へ変形させることは、変形量の抑制及び変形量の拡大抑制のために非常に重要であるが、その手段としては、上引層として有機材料層よりも高硬度の層を設けさえすればよい。
但し、ここで言う高硬度とは、材料自身が高硬度である場合のみならず、膜厚の硬度への寄与により層全体が高硬度である場合も含む意味である。
従って、上引層上の層としては、樹脂材料からなるカバー層や紫外線硬化型樹脂等からなる保護層等で十分である。
【００２８】
以上、本発明の、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である上引層、又は記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層を設けることで、未記録時の反射率を高め、記録パワーマージンを向上させ、成形性が良好な浅溝基板が使用でき、更に変調度が十分確保できることを説明した。
なお、これらの複素屈折率の数値限定の理由（数値の意味）、及び、これらの数値限定を満足する上引層を設けることで、記録極性をＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化する条件が拡大でき、また記録による有機材料層の屈折率増加量が少なくても大きな変調度を発生させることが可能となることについては、後述の実施例で詳しく説明する。
【００２９】
本発明は、記録再生波長の範囲が３５０〜５００ｎｍ程度の場合に特に有用である。何故ならば、記録再生波長が５００ｎｍよりも長い場合には、その波長において十分屈折率の大きな材料が数多く存在し（図１に示すような従来の記録原理で十分記録再生が可能であり）、本発明に係る記録原理を採用するメリットが少なくなるからである。他方、記録再生波長が３５０ｎｍよりも短い場合には、例えば有機材料層の主吸収帯を４００ｎｍよりも短波長側に位置させる必要があるが、前述した通り、４００ｎｍよりも短波長に吸収帯を持つ有機材料は、一般的にその吸収係数が小さくなるため、有機材料層の短波長側における屈折率が十分小さくならない（即ち、記録による屈折率増加量が低下する）からである。
但し、記録再生波長が３５０ｎｍ以下の場合には本発明を適用できないということではなく、あくまで、高変調度を容易に達成するためには、３５０ｎｍ以上の記録再生波長が好ましいということである。
【００３０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、添付した図面を参照しつつ詳しく説明する。
基板材料としては、熱的、機械的に優れた特性を有し、基板側から（基板を通して）記録再生が行われる場合には光透過特性も優れているものであれば、特別な制限はない。具体例としては、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、非晶質ポリオレフィン、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられるが、ポリカーボネート、非晶質ポリオレフィンが好ましい。
基板の厚さは用途に応じて異なり、特に制限はない。
【００３１】
上引層としては、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である材料を用いることが好ましく（詳しくは、後述の実施例で説明する）、かつ熱伝導率がＡｇやＡｕに比べて比較的低い材料が適している。
上記複素屈折率の条件は、未記録時の反射率を高め、膜厚の薄い有機材料層であってもＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの信号が得られ、かつ記録による有機材料層の屈折率増加量が少なくても大きな変調度を発生させるために必要となる。
また、ＡｇやＡｕに比べて比較的低い熱伝導率を有することは、効率よく（低記録パワーで）有機材料を分解、或いは凝集状態変化、結晶状態変化、構造変化等を起させるために必要である。
【００３２】
更に、有機材料の分解、凝集状態変化、結晶状態変化、構造変化等を低記録パワーで生じさせるために、上引層の材料として、記録再生波長における吸収係数（複素屈折率の虚部）がある程度大きい（例えば０．５以上）ものを用いることが好ましい。
以上の点から、上引層には、Ｓｉ又はＧｅを含有する材料、例えばＳｉ、Ｇｅ、ＳｉｘＧｅ１−ｘ、Ｍｇ２Ｇｅ、Ｍｇ２Ｓｉ、ＳｉＣ等を用いることが好ましい。
その他、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｅ、Ｖ等の金属、或いはこれらの金属酸化物（例えばＴａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５等）、ＡｌＳｂ、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ、ＣｄＳｅ、ＧａＳｂ、Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、ＩｎＰ、ＧａＰ等の半導体等が上引層として使用可能である。
上引層の膜厚は、通常５〜１５０ｎｍ程度とする。５ｎｍよりも薄いと上引層としての機能を発揮し難くなるし、１５０ｎｍを越えると製造上の問題が生じるので好ましくない。
【００３３】
エンハンス層は、変調度と反射率を高めるために、有機材料層の隣接層のうち、入射光側の層として挿入される。
エンハンス層には、記録再生波長に対して吸収係数が十分小さい材料を用いることが好ましい。
その具体例としては、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｒＯ２、ＵＯ２、ＴｈＯ２などの単純酸化物系の酸化物；ＳｉＯ２、２ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＣａＯ・ＳｉＯ２、ＺｒＯ２・ＳｉＯ２、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・４ＳｉＯ２などのケイ酸塩系の酸化物；Ａｌ２ＴｉＯ５、ＭｇＡｌ２Ｏ４、Ｃａ１０（ＰＯ４）６（ＯＨ）２、ＢａＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ（ＰｂＴｉＯ３−ＰｂＺｒＯ３系酸化物）、フェライトなどの複酸化物系の酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ６−ＺＡｌＺＯＺＮ８−Ｚ、ＡｌＮ、ＢＮ、ＴｉＮなどの窒化物系の非酸化物；ＳｉＣ、Ｂ４Ｃ、ＴｉＣ、ＷＣなどの炭化物系の非酸化物；ＬａＢ６、ＴｉＢ２、ＺｒＢ２などのホウ化物系の非酸化物；ＣｄＳ、ＭｏＳ２などの硫化物系の非酸化物；ＭｏＳｉ２などのケイ化物系の非酸化物；アモルファス炭素、黒鉛、ダイアモンド等の炭素系の非酸化物を挙げることができ、中でもＳｉＯ２、又はＺｎＳ−ＳｉＯ２を主成分とするものが好ましい。
但し、ここで主成分とは、材料全体の５０重量％以上を占めることを意味する。
エンハンス層の膜厚は、高反射率化（未記録時の反射率）と高変調度化が実現できるような膜厚に設定することが好ましく、通常は１０〜２００ｎｍ程度である。
更に、エンハンス層には、有機材料層を外部、或いはカバー層を接着する際の接着剤から保護する保護機能を持たせてもよいし（いわゆる保護層としても機能させる）、上引層の変形を抑制するための機能を持たせることも可能である。
【００３４】
有機材料層に用いられる材料としては、色素が好ましい。
色素としては、ポリメチン系、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系各色素、及び金属錯体化合物などが挙げられる。
これらの色素は、その主吸収帯の最大吸収波長が記録再生波長よりも長波長側にあればよく、記録光の照射によって分解を起し主吸収帯の吸収係数が減少するか、或いは記録光の照射によって凝集状態、結晶状態、構造が変化を起し主吸収帯の吸収係数が減少するものが好ましい。
本発明では、記録による屈折率変化を大きくするため（即ち変調度を高めるため）、有機材料層の吸収スペクトルの最大吸収波長が、記録再生波長に対して長波長側に位置するような有機材料を選択し、有機材料の吸収帯による異常分散によって屈折率が低下する波長領域、好ましくは屈折率が最小となる波長近傍を使用する（図２参照）。即ち、屈折率が最小となる波長近傍に記録再生波長が重なるようにする。
【００３５】
色素層の形成は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、溶剤塗布などの通常の手段によって行なうことができる。塗布法を用いる場合には、上記色素などを有機溶剤に溶解し、スプレー、ローラーコーティング、ディッピング、スピンコーティングなどの慣用のコーティング法で行なうことができる。
用いられる有機溶剤としては、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類；ベンゼン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類；メトキシエタノール、エトキシエタノールなどのセロソルブ類；ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの炭化水素類などが挙げられる。
色素層の膜厚は、１０ｎｍ〜１０μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍが適当である。
【００３６】
カバー層は、高密度化を図るため高ＮＡのレンズを用いる場合に必要となる。例えば高ＮＡ化すると、再生光が透過する部分の厚さを薄くする必要があるが、これは、高ＮＡ化に伴い、光学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直からズレる角度（いわゆるチルト角、光源の波長の逆数と対物レンズの開口数の積の２乗に比例する）により発生する収差の許容量が小さくなるためであり、このチルト角が基板の厚さによる収差の影響を受け易いためである。
従って、一般に基板の厚さを薄くしてチルト角に対する収差の影響をなるべく小さくするようにしている。
そこで、例えば基板上に凹凸を形成して記録層とし、その上に反射層を設け、更にその上に記録再生用の光を透過する光透過性のカバー層を設けて、カバー層側から再生光を照射することにより記録層の情報を再生することができるような構造の追記型光記録媒体や、基板上に反射層を設け、その上に記録層を形成し、更にその上に記録再生用の光に対し透過性を有するカバー層を設けて、カバー層側から再生光を照射することにより記録層の情報を再生することができるような構造の追記型光記録媒体が提案されている。
【００３７】
このようにすれば、カバー層を薄型化していくことで対物レンズの高ＮＡ化に対応可能である。つまり、薄いカバー層を設け、このカバー層側から記録再生することで、更なる高記録密度化を図ることができる。
なお、このようなカバー層は、ポリカーボネートシートや紫外線硬化型樹脂により形成されるのが一般的である。
また、本発明で言うカバー層には、カバー層を接着するための層、或いはカバー層を接着する材料（層）から有機材料層を保護するための層も含むものとする（例えば、有機材料層上にカバー層を接着させる場合、その接着層材料が有機材料層を侵す物質を含む場合、接着層を形成させるためには有機材料層を保護する層が必要となる）。
【００３８】
本発明の光記録媒体における情報の記録原理を、図３を参照しつつ説明する。光源として３５０〜５００ｎｍの波長のレーザを用いて、５〜１５ｍＷ程度のパワーで光記録媒体に照射すると、有機材料層中の有機材料、又は有機材料層に隣接して設けられた上引層が光を吸収し、昇温して熱を放出する。
この熱は、有機材料層中の有機材料を分解したり、有機材料の凝集状態変化、結晶状態変化又は構造変化を引き起こす。
この分解や、凝集状態変化、結晶状態変化又は構造変化によって、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に設定された有機材料層、或いは記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となるように設定された有機材料層の屈折率を増加させる。
【００３９】
また、上記の有機材料層の屈折率を増加させると共に、有機材料層中の有機材料、又は有機材料層に隣接して設けられた上引層の光吸収機能によって、上引層を変形させる。この上引層の変形は、上引層に隣接し有機材料層とは反対側に設けられた層によって、有機材料層側へ起るようにする。
これによって、上引層の変形量の制御が可能になると共に、記録極性をＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化させることが容易になる。
レーザ照射によって形成された記録ピット部では、この有機材料層の屈折率増加と、上引層の変形によって、未記録部との間に大きな反射率差が生じるため、再生レーザ光を照射することで明瞭に信号を検出することが可能となる。
【００４０】
以下、図４〜図７の各構成の機能について説明する。
図４は、本発明３及び本発明４に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図であり、基板上に、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、通常、記録再生が基板側から行われる。
図５は、本発明５及び本発明６に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図であり、基板上に、多重反射効果を最適化するエンハンス層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、通常、記録再生が基板側から行われる。
【００４１】
図６は、本発明７及び本発明８に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図であり、基板上に、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、カバー層が順次設けられた構造を有し、通常、記録再生がカバー層側から行われる。
図７は、本発明９及び本発明１０に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図であり、基板上に、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、多重反射効果を最適化するエンハンス層、カバー層が順次設けられた構造を有し、通常、記録再生がカバー層側から行われる。
【００４２】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
初めに、本発明における上引層として、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であると規定したことの妥当性を明らかにする。
なお、以下の実施例では、記録による有機材料層の複素屈折率の実部の増加量を０．４程度と想定しているが、これは実際に種々の有機材料で複素屈折率変化を評価した結果得られた平均的な値である。
【００４３】
また、実施例１〜１３に係る図８〜図２０の横軸は上引層の複素屈折率実部（ＵＬｎ）、縦軸は上引層の複素屈折率虚部（ＵＬｋ）、等高線は変調度を表す。変調度は［（未記録時の反射率）−（記録後の反射率）］／（未記録時の反射率）で表される値である。
同じく図８〜図２０には、本発明で規定した、複素屈折率実部（２．５以上）と複素屈折率虚部（０．５以上）の範囲を明確にするために、白線を記した（２本の白線によって４分割された領域のうち、右上の領域が本発明で規定する上引層の複素屈折率範囲である）。
同じく図８〜図２０には、記録によって変調度が殆ど発生しないか、或いは記録極性がＬｏｗ ｔｏ Ｈｉｇｈ化（記録によって反射率が上昇する）する領域に「ＬＨ」の文字を記した。
また、実施例１４〜２５及び比較例１〜２に係る図２１〜図３４の横軸は有機材料層の複素屈折率実部（Ｄｙｅ ｎ）、縦軸は有機材料層の膜厚（単位ｎｍ）、等高線は変調度を表す。
【００４４】
実施例１
本発明の、基板／有機材料層／上引層／保護層（通常、記録再生は基板側から行われる）、又は、カバー層／有機材料層／上引層／基板（通常、記録再生はカバー層側から行われる）という構成において、下記の条件下で変調度が上引層の複素屈折率によってどのように変化するかを計算した。結果を図８に示す。
＜計算条件＞
未記録時の有機材料層の複素屈折率：１．０−ｉ０．２０
記録後の有機材料層の複素屈折率 ：１．４−ｉ０．２０
有機材料層の膜厚 ：５０ｎｍ
上引層の膜厚 ：１０ｎｍ
図８の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することを確認できた。
【００４５】
実施例２
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．２−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．６−ｉ０．２０とした点以外は、実施例１と同様な計算を行った。結果を図９に示す。
図９の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００４６】
実施例３
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．４−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．８−ｉ０．２０とした点以外は、実施例１と同様な計算を行った。結果を図１０に示す。
図１０の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００４７】
実施例４
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．４−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．８−ｉ０．１０とした点以外は、実施例１と同様な計算を行った。結果を図１１に示す。
図１１の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００４８】
以上、実施例１〜４の結果からは、高変調度が得られる領域が、本発明で規定する上引層の複素屈折率範囲以外、例えば上引層の複素屈折率実部が２．５よりも小さい領域にも存在することが分る。
しかし、この上引層の複素屈折率実部が２．５よりも小さい領域では、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部によって、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できる上引層の複素屈折率虚部範囲が大きく変動することが分る。
即ち、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部が１．０の場合（図８参照）、上引層の複素屈折率実部が約２．５より小さい領域では、ほぼ上引層の複素屈折率虚部によらず記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとなるが、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部が１．４の場合（図１０参照）には、上引層の複素屈折率実部が約２．５より小さい領域では、上引層の複素屈折率虚部が非常に大きな値を持たないと記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとならないのである。
【００４９】
これに対し、本発明の上引層の複素屈折率規定範囲、即ち複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である範囲では、ほぼ未記録時の有機材料層の複素屈折率実部に依存せず、記録極性をＨｉｇｈ ｔｏＬｏｗとすることが可能であることが分る。
なお、図８〜図１１では、上引層の複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である範囲であっても、一部の境界領域で記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとなっていない領域が存在するが、これは本実施例では作為的に厳しい条件を課した場合の例を示したことによるものであって、有機材料層の膜厚、未記録時の有機材料層の複素屈折率、記録後の有機材料層の複素屈折率等を適当な範囲に選べば、本発明の上引層の複素屈折率規定範囲が有効であることは明らかである。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることによって、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００５０】
実施例５
計算条件を下記のように変更した（有機材料層の膜厚を５０ｎｍから６０ｎｍに変更した）点以外は、実施例１と同様にして計算した。結果を図１２に示す。
＜計算条件＞
未記録時の有機材料層の複素屈折率：１．０−ｉ０．２０
記録後の有機材料層の複素屈折率 ：１．４−ｉ０．２０
有機材料層の膜厚 ：６０ｎｍ
上引層の膜厚 ：１０ｎｍ
図１２の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００５１】
実施例６
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．２−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．６−ｉ０．２０とした点以外は、実施例５と同様な計算を行った。結果を図１３に示す。
図１３の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００５２】
実施例７
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．４−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．８−ｉ０．２０とした点以外は、実施例５と同様な計算を行った。結果を図１４に示す。
図１４の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００５３】
以上、実施例５〜７の結果からは、高変調度が得られる領域が、本発明で規定する上引層の複素屈折率範囲以外、例えば上引層の複素屈折率実部が２．５よりも小さい領域にも存在することが分る。
しかし、この上引層の複素屈折率実部が２．５よりも小さい領域では、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部によって、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できる上引層の複素屈折率虚部範囲が大きく変動することが分る。
即ち、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部が１．０の場合（図１２参照）、上引層の複素屈折率実部が約２．５より小さい領域では、ほぼ上引層の複素屈折率虚部によらず記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとなるが、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部が１．４の場合（図１４参照）には、上引層の複素屈折率実部が約２．５より小さい領域では、上引層の複素屈折率虚部が非常に大きな値を持たないと記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとならないのである。
【００５４】
これに対し、本発明の上引層の複素屈折率規定範囲、即ち複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である範囲では、ほぼ未記録時の有機材料層の複素屈折率実部に依存せず、記録極性をＨｉｇｈ ｔｏＬｏｗとすることが可能であることが分る。
なお、図１２〜図１４では、上引層の複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上の範囲であっても、一部の境界領域で記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとなっていない領域が存在するが、これは、本実施例では作為的に厳しい条件を課した場合の例を示したことによるものであって、有機材料層の膜厚、未記録時の有機材料層の複素屈折率、記録後の有機材料層の複素屈折率等を適当な範囲に選べば、本発明の上引層の複素屈折率規定範囲が有効であることは明らかである。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることによって、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００５５】
実施例８
計算条件を下記のように変更した（有機材料層の膜厚を５０ｎｍから４０ｎｍに変更した）点以外は、実施例１と同様にして計算した。結果を図１５に示す。
＜計算条件＞
未記録時の有機材料層の複素屈折率：１．０−ｉ０．２０
記録後の有機材料層の複素屈折率 ：１．４−ｉ０．２０
有機材料層の膜厚 ：４０ｎｍ
上引層の膜厚 ：１０ｎｍ
図１５の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００５６】
実施例９
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．２−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．６−ｉ０．２０とした点以外は、実施例８と同様な計算を行った。結果を図１６に示す。
図１６の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００５７】
実施例１０
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．４−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．８−ｉ０．２０とした点以外は、実施例８と同様な計算を行った。結果を図１７に示す。
図１７の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００５８】
実施例１１
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．４−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．８−ｉ０．１０とした点以外は、実施例８と同様な計算を行った。結果を図１８に示す。
図１８の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００５９】
実施例１２
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．０−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．３−ｉ０．２０とした点以外は、実施例８と同様な計算を行った。結果を図１９に示す。
図１９の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００６０】
実施例１３
未記録時の有機材料層の複素屈折率を０．８−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．２−ｉ０．１０とした点以外は、実施例８と同様な計算を行った。結果を図２０に示す。
図２０の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００６１】
以上、実施例８〜１３の結果からは、高変調度が得られる領域が、本発明で規定する上引層の複素屈折率範囲以外、例えば上引層の複素屈折率実部が２．５よりも小さい領域にも存在することが分る。
しかし、この上引層の複素屈折率実部が２．５よりも小さい領域では、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部によって、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できる上引層の複素屈折率虚部範囲が大きく変動することが分る。
即ち、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部が１．０の場合（図１５参照）、上引層の複素屈折率実部が約２．５より小さい領域では、ほぼ上引層の複素屈折率虚部によらず記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとなるが、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部が１．４の場合（図１７参照）には、上引層の複素屈折率実部が約２．５より小さい領域では、上引層の複素屈折率虚部が非常に大きな値を持たないと記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとならないのである。
【００６２】
これに対し、本発明の上引層の複素屈折率規定範囲、即ち複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である範囲では、ほぼ未記録時の有機材料層の複素屈折率実部に依存せず、記録極性をＨｉｇｈ ｔｏＬｏｗとすることが可能であることが分る。
なお、図１５〜図２０では、上引層の複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上の範囲であっても、一部の境界領域で記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとなっていない領域が存在するが、これは、本実施例では作為的に厳しい条件を課した場合の例を示したことによるものであって、有機材料層の膜厚、未記録時の有機材料層の複素屈折率、記録後の有機材料層の複素屈折率等を適当な範囲に選べば、本発明の上引層の複素屈折率規定範囲は有効であることは明らかである。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることによって、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００６３】
実施例１４
本発明の、基板／有機材料層／上引層／保護層という構成において（通常、記録再生は基板側から行われる）、有機材料層の複素屈折率虚部を０．２０、上引層をＳｉ（膜厚５ｎｍ。Ｓｉの４０５ｎｍにおける複素屈折率は、おおよそ４．３０−ｉ２．０である）とした場合、有機材料層の複素屈折率実部と有機材料層の膜厚を変化させた時の反射率がどうなるかを計算した。結果を図２１に示す。図２１の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用いることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約５０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００６４】
実施例１５
上引層の膜厚を１０ｎｍとした点以外は、実施例１４と同様な計算を行った。
結果を図２２に示す。
図２２の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用いることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約４０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００６５】
実施例１６
上引層の膜厚を２０ｎｍとした点以外は、実施例１４と同様な計算を行った。
結果を図２３に示す。
図２３の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用いることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約３０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００６６】
実施例１７
本発明の、基板／エンハンス層／有機材料層／上引層／保護層という構成において（通常、記録再生は基板側から行われる）、有機材料層の複素屈折率虚部を０．２０、エンハンス層をＺｎＳ−ＳｉＯ２（膜厚１００ｎｍ。ＺｎＳ−ＳｉＯ２の４０５ｎｍにおける複素屈折率は、おおよそ２．３０−ｉ０．００６である）、上引層をＳｉ（膜厚１０ｎｍ。Ｓｉの４０５ｎｍにおける複素屈折率は、おおよそ４．３０−ｉ２．０である）とした場合、有機材料層の複素屈折率実部と有機材料層の膜厚を変化させた時の反射率がどうなるかを計算した。結果を図２４に示す。
図２４の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用い、更に上引層と反対側の有機材料層の隣接層にエンハンス層を設けることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約３０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、実施例１５（エンハンス層がない点以外は本実施例と同じ層構成の場合）の結果である図２２と比較すると、明らかにエンハンス層を用いることで、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生する有機材料層の膜厚範囲を広げることがでることが分る（より有機材料層の薄膜化が可能となる）。
【００６７】
実施例１８
エンハンス層の膜厚を５０ｎｍとした点以外は、実施例１７と同様な計算を行った。結果を図２５に示す。
図２５の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用い、更に上引層と反対側の有機材料層の隣接層にエンハンス層を設けることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約３０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、実施例１５（エンハンス層がない点以外は本実施例と同じ層構成の場合）の結果である図２２と比較すると、明らかにエンハンス層を用いることで、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生する有機材料層の膜厚範囲を広げることができ（より有機材料層の薄膜化が可能となる）、また、記録による有機材料層の複素屈折率実部の変化量が小さくても高い変調度が発生することが分る（反射率を表す等高線の間隔が密になっている）。
【００６８】
実施例１９
エンハンス層の膜厚を２５ｎｍとした点以外は、実施例１７と同様な計算を行った。結果を図２６に示す。
図２６の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用い、更に上引層と反対側の有機材料層の隣接層にエンハンス層を設けることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約４０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、実施例１５（エンハンス層がない点以外は本実施例と同じ層構成の場合）の結果である図２２と比較すると、明らかにエンハンス層を用いることで、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生する有機材料層の膜厚範囲を広げることができ（より有機材料層の薄膜化が可能となる）、また、記録による有機材料層の複素屈折率実部の変化量が小さくても高い変調度が発生することが分る（反射率を表す等高線の間隔が密になっている）。
【００６９】
以上、実施例１７〜１９の結果から、エンハンス層の効果を確認することができたが、実施例１７〜１９での計算条件下では、エンハンス層の膜厚は約５０ｎｍとすることが好ましいことが分る。
【００７０】
実施例２０
本発明の、カバー層／有機材料層／上引層／基板という構成において（通常、記録再生はカバー層側から行われる）、有機材料層の複素屈折率虚部を０．２０、上引層をＳｉ（膜厚５ｎｍ。Ｓｉの４０５ｎｍにおける複素屈折率は、おおよそ４．３０−ｉ２．０である）とした場合、有機材料層の複素屈折率実部と有機材料層の膜厚を変化させた時の反射率がどうなるかを計算した。結果を図２７に示す。
図２７の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用いることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約５０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００７１】
実施例２１
上引層の膜厚を１０ｎｍとした点以外は、実施例２０と同様な計算を行った。結果を図２８に示す。
図２８の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用いることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約４０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００７２】
実施例２２
上引層の膜厚を２０ｎｍとした点以外は、実施例２０と同様な計算を行った。結果を図２９に示す。
図２９の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用いることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約３０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００７３】
実施例２３
本発明の、カバー層／エンハンス層／有機材料層／上引層／基板という構成において（通常、記録再生はカバー層側から行われる）、有機材料層の複素屈折率虚部を０．２０、エンハンス層をＺｎＳ−ＳｉＯ２（膜厚１００ｎｍ。ＺｎＳ−ＳｉＯ２の４０５ｎｍにおける複素屈折率は、おおよそ２．３０−ｉ０．００６である）、上引層をＳｉ（膜厚１０ｎｍ。Ｓｉの４０５ｎｍにおける複素屈折率は、おおよそ４．３０−ｉ２．０である）とした場合、有機材料層の複素屈折率実部と有機材料層の膜厚を変化させた時の反射率がどうなるかを計算した。結果を図３０に示す。
図３０の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用い、更に上引層と反対側の有機材料層の隣接層にエンハンス層を設けることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約４０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、実施例２１（エンハンス層がない点以外は本実施例と同じ層構成の場合）の結果である図２８と比較すると、明らかにエンハンス層を用いることで、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生する有機材料層の膜厚範囲を広げることができることが分る（より有機材料層の薄膜化が可能となる）。
【００７４】
実施例２４
エンハンス層の膜厚を５０ｎｍとした点以外は、実施例２３と同様な計算を行った。結果を図３１に示す。
図３１の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用い、更に上引層と反対側の有機材料層の隣接層にエンハンス層を設けることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約３０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、実施例２１（エンハンス層がない点以外は本実施例と同じ層構成の場合）の結果である図２８と比較すると、明らかにエンハンス層を用いることで、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生する有機材料層の膜厚範囲を広げることができ（より有機材料層の薄膜化が可能となる）、また、記録による有機材料層の複素屈折率実部の変化量が小さくても高い変調度が発生することが分る（反射率を表す等高線の間隔が密になっている）。
【００７５】
実施例２５
エンハンス層の膜厚を２５ｎｍとした点以外は、実施例２３と同様な計算を行った。結果を図３２に示す。
図３２の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用い、更に上引層と反対側の有機材料層の隣接層にエンハンス層を設けることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約４０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、実施例２１（エンハンス層がない点以外は本実施例と同じ層構成の場合）の結果である図２８と比較すると、明らかにエンハンス層を用いることで、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生する有機材料層の膜厚範囲を広げることができ（より有機材料層の薄膜化が可能となる）、また、記録による有機材料層の複素屈折率実部の変化量が小さくても高い変調度が発生することが分る（反射率を表す等高線の間隔が密になっている）。
【００７６】
以上、実施例２３〜２５の結果から、エンハンス層の効果を確認することができたが、実施例２３〜２５での計算条件下では、エンハンス層の膜厚は約５０ｎｍとすることが好ましいことが分る。
【００７７】
比較例１
特開２００１−２７３６７２号公報に記載されている、カバー層／有機材料層／基板という構成において（通常、記録再生はカバー層側から行われる）、有機材料層の複素屈折率虚部を０．２０とした場合、有機材料層の複素屈折率実部と有機材料層の膜厚を変化させた時の反射率がどうなるかを計算した。
結果を図３３に示す。
この結果を本発明と比べると（図２７〜図２９参照）、この比較例１の層構成では、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとなる有機材料層の複素屈折率実部の範囲が非常に狭く、また、記録極性をＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化するためには、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部を１．０よりも小さくする必要があり、有機材料の選択に大きな制限が加わることが分る。
【００７８】
比較例２
特開２００１−２７３６７２号公報に記載されている、カバー層／エンハンス層／有機材料層／基板という構成において（通常、記録再生はカバー層側から行われる）、有機材料層の複素屈折率虚部を０．２０、エンハンス層をＳｉ３Ｎ４（膜厚１５０ｎｍ。Ｓｉ３Ｎ４の４０５ｎｍにおける複素屈折率は、おおよそ２．００−ｉ０．００６である）とした場合、有機材料層の複素屈折率実部と有機材料層の膜厚を変化させた時の反射率がどうなるかを計算した。
結果を図３４に示す。
この結果を本発明と比べると（図３０〜図３２参照）、本発明の方が、より未記録時の反射率を高めることができ、より小さな有機材料層の屈折率実部変化で高い変調度が得られることが明らかである。
【００７９】
【発明の効果】
本発明１〜２２によれば、次のような特性を有する追記型光記録媒体及びその記録再生方法を提供できる。
・単純層構成で、安価に製造可能であり青色レーザ波長に対応可能な追記型光記録媒体 及びその記録再生方法。
・比較的高い反射率が得られる追記型光記録媒体及びその記録再生方法。
・有機材料層の薄膜化が可能で、記録パワーマージンの広い追記型光記録媒体及びその 記録再生方法。
・記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ記録となる追記型光記録媒体及びその記録再生方 法。
・基板溝深さが浅い、成形性に優れた基板の使用を可能とする追記型光記録媒体及びそ の記録再生方法。
・有機材料の選択の幅が拡大した追記型光記録媒体及びその記録再生方法。
・表面記録、或いは高ＮＡレンズによる記録に対応でき、高密度化が達成できる追記型 光記録媒体及びその記録再生方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の追記型光記録媒体における有機材料の吸収帯と記録再生波長との関係を示す図。
【図２】本発明の追記型光記録媒体における有機材料の吸収帯と記録再生波長との関係を示す図。
【図３】本発明の追記型光記録媒体における情報の記録原理を説明するための図。
【図４】本発明３及び本発明４に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図。
【図５】本発明５及び本発明６に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図。
【図６】本発明７及び本発明８に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図。
【図７】本発明９及び本発明１０に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図。
【図８】実施例１の計算結果を示す図。
【図９】実施例２の計算結果を示す図。
【図１０】実施例３の計算結果を示す図。
【図１１】実施例４の計算結果を示す図。
【図１２】実施例５の計算結果を示す図。
【図１３】実施例６の計算結果を示す図。
【図１４】実施例７の計算結果を示す図。
【図１５】実施例８の計算結果を示す図。
【図１６】実施例９の計算結果を示す図。
【図１７】実施例１０の計算結果を示す図。
【図１８】実施例１１の計算結果を示す図。
【図１９】実施例１２の計算結果を示す図。
【図２０】実施例１３の計算結果を示す図。
【図２１】実施例１４の計算結果を示す図。
【図２２】実施例１５の計算結果を示す図。
【図２３】実施例１６の計算結果を示す図。
【図２４】実施例１７の計算結果を示す図。
【図２５】実施例１８の計算結果を示す図。
【図２６】実施例１９の計算結果を示す図。
【図２７】実施例２０の計算結果を示す図。
【図２８】実施例２１の計算結果を示す図。
【図２９】実施例２２の計算結果を示す図。
【図３０】実施例２３の計算結果を示す図。
【図３１】実施例２４の計算結果を示す図。
【図３２】実施例２５の計算結果を示す図。
【図３３】比較例１の計算結果を示す図。
【図３４】比較例２の計算結果を示す図。
【符号の説明】
ＵＬｎ 上引層の複素屈折率実部
ＵＬｋ 上引層の複素屈折率虚部
ＬＨ 記録によって変調度が殆ど発生しないか、或いは記録極性がＬｏｗ ｔｏ Ｈｉｇｈ化（記録によって反射率が上昇する）する領域
Ｄｙｅ ｎ 有機材料層の複素屈折率実部
Ｄｙｅ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ 有機材料層の膜厚（ｎｍ）
【発明の属する技術分野】
本発明は、追記型（ＷＯＲＭ：Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ Ｒｅａｄ Ｍａｎｙ ）光記録媒体に係わり、特に青色レーザ波長でも高密度記録が可能な追記型光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
超高密度の記録が可能となる青色レーザの開発は急速に進んでおり、それに対応した追記型光記録媒体の開発が行われている。
従来の追記型光記録媒体では、有機材料からなる記録層にレーザ光を照射し、主に有機材料の分解・変質による屈折率減少を生じさせることで記録ピットを形成させており、記録層に用いられる有機材料の光学定数や分解挙動が、良好な記録ピットを形成させるための重要な要素となっている。
従って、記録層に用いる有機材料としては、青色レーザ波長に対する光学的性質や分解挙動の適切な材料を選択する必要がある。
即ち、未記録時の反射率を高め、またレーザの照射によって有機材料が分解し大きな屈折率変化（減少）が生じるようにするため（これによって大きな変調度が得られる）、記録再生波長は大きな吸収帯の長波長側の裾に位置するように選択される（図１参照。図中の斜線領域は記録再生波長の範囲を示す）。
何故ならば、有機材料の大きな吸収帯の長波長側の裾は、適度に小さな吸収係数を有し且つ大きな屈折率が得られる波長領域となるためである。
【０００３】
しかしながら、青色レーザ波長に対する光学的性質が従来並みの値を有する有機材料は未だ見出されていない。
これは、青色レーザ波長領域に吸収帯を持つ有機材料を得るためには、分子骨格を小さくするか又は共役系を短くする必要があるが、そうすると吸収係数の低下、即ち屈折率の低下を招くためである（吸収係数ｋと屈折率ｎは下記〔式１〕に示すＫｒａｍｅｒｓ−Ｋｒｏｎｉｇの関係で結ばれており、ある任意の吸収帯の吸収係数が低下すると、その吸収帯の長波長側では屈折率が低下する）。
【数１】
【０００４】
青色レーザ対応の有機材料としては、例えば、特開２００１−１８１５２４号、特開２００１−１５８８６５号、特開２０００−３４３８２４号、特開２０００−３４３８２５号、特開２０００−３３５１１０号各公報に記載がある。
しかし、これらの公報では、実施例を見ても溶液と薄膜のスペクトルを測定しているのみで、記録再生に関する記載はない。
特開平１１−２２１９６４号、特開平１１−３３４２０６号、特開２０００−４３４２３号各公報では、実施例に記録の記載があるものの、記録波長は４８８ｎｍであり、また記録条件や記録密度に関する記載はなく、良好な記録ピットが形成できた旨の記載があるのみである。
【０００５】
特開平１１−５８９５５号公報では、実施例に記録の記載があるものの、記録波長は４３０ｎｍであり、また記録条件や記録密度に関する記載はなく、良好な変調度が得られた旨の記載があるのみである。
特開２００１−３９０３４号、特開２０００−１４９３２０号、特開２０００−１１３５０４号、特開２０００−１０８５１３号、特開２０００−２２２７７２号、特開２０００−２１８９４０号、特開２０００−２２２７７１号、特開２０００−１５８８１８号、特開２０００−２８０６２１号、特開２０００−２８０６２０号各公報では、実施例に記録波長４３０ｎｍ、ＮＡ０．６５での記録例があるが、最短ピットが０．４μｍという低記録密度条件（ＤＶＤと同等の記録密度）である。
特開２００１−１４６０７４号公報では、記録再生波長は４０５〜４０８ｎｍであるが、記録密度に関する具体的な記載がなく、１４Ｔ−ＥＦＭ信号の記録という低記録密度条件である。
【０００６】
また、従来のＣＤ、ＤＶＤ系光記録媒体と異なる層構成及び記録方法に関して、以下のような技術が公開されている。
特開平７−３０４２５８号公報には、基板／可飽和吸収色素含有層／反射層という層構成で、可飽和吸収色素の消衰係数（本発明でいう吸収係数）の変化により記録を行う技術が開示されている。
特開平８−８３４３９号公報には、基板／金属蒸着層／光吸収層／保護シートという層構成で、光吸収層によって発生した熱によって、金属蒸着層を変色又は変形させることで記録を行う技術が開示されている。
特開平８−１３８２４５号公報には、基板／誘電体層／光吸収体を含む記録層／反射層という層構成で、記録層の膜厚を変えることにより溝部の深さを変えて記録を行う技術が開示されている。
【０００７】
特開平８−２９７８３８号公報には、基板／光吸収体を含む記録層／金属反射層という層構成で、記録層の膜厚を１０〜３０％変化させることにより記録を行う技術が開示されている。
特開平９−１９８７１４号公報には、基板／有機色素を含有する記録層／金属反射層／保護層という層構成で、基板の溝幅を未記録部に対して２０〜４０％広くすることにより記録を行う技術が開示されている。
特許第２５０６３７４号公報には、基板／中間層／金属薄膜という層構成で、金属薄膜が変形しバブルを形成することにより記録を行う技術が開示されている。
特許第２５９１９３９号公報には、基板／光吸収層／記録補助層／光反射層という層構成で、記録補助層を凹状に変形させると共に、記録補助層の変形に沿って光反射層を凹状に変形させることで記録を行う技術が開示されている。
【０００８】
特許第２５９１９４０号公報には、基板／光吸収層／多孔質な記録補助層／光反射層、或いは、基板／多孔質な記録補助層／光吸収層／光反射層という層構成で、記録補助層を凹状に変形させると共に、記録補助層の変形に沿って光反射層を凹状に変形させることで記録を行う技術が開示されている。
特許第２５９１９４１号公報には、基板／多孔質な光吸収層／光反射層という層構成で、光吸収層を凹状に変形させると共に、光吸収層の変形に沿って光反射層を凹状に変形させることで記録を行う技術が開示されている。
特許第２９８２９２５号公報には、基板／有機色素を含む記録層／記録補助層という層構成で、記録補助層と有機色素が相溶して、有機色素の吸収スペクトルを短波長側へシフトさせることで記録を行う技術が開示されている。
【０００９】
特開平９−２６５６６０号公報には、基板上に反射層と記録層の機能を有する複合機能層、保護層を順次形成した層構成で、基板と複合機能層がバンプを形成することで記録を行う技術が開示されている。なお、複合機能層としては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、又はそれらの合金との規定がある。
特開平１０−１３４４１５号公報には、基板上に金属薄膜層、変形可能な緩衝層、反射層、保護層を順次形成した層構成で、基板と金属薄膜層を変形させ、同時にこの変形部での緩衝層膜厚を薄くさせることで記録を行う技術が開示されている。なお、金属薄膜層としては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、又はそれらの合金との規定がある。また、緩衝層としては、変形し易く適当な流動性を持つ樹脂が用いられ、変形を促進させるために色素を含有させても良いとの記載がある。
【００１０】
特開平１１−３０６５９１号公報には、基板上に金属薄膜層、緩衝層、反射層を順次積層した層構成で、基板と金属薄膜層を変形させ、同時にこの変形部での緩衝層膜厚と光学定数とを変化させることで記録を行う技術が開示されている。なお、金属薄膜層としては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、又はそれらの合金が好ましいとの記載がある。また、緩衝層は色素と有機高分子の混合物からなり、記録再生波長領域に大きな吸収帯を有する色素が用いられる。
特開平１０−１２４９２６号公報には、基板上に金属記録層、バッファ層、反射層を順次積層した層構成で、基板と金属記録層を変形させ、同時にこの変形部でのバッファ層膜厚と光学定数とを変化させることで記録を行う技術が開示されている。なお、金属記録層としては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、又はそれらの合金が好ましいとの記載がある。また、バッファ層は色素と樹脂の混合物からなり、記録再生波長領域に大きな吸収帯を有する色素が用いられる。
【００１１】
以上のように、上記諸々の従来技術は、青色レーザ波長領域での追記型光記録媒体の実現を狙ったものではなく、青色レーザ波長領域で有効となる層構成や記録方法でもない。
特に、現在実用化されている青色半導体レーザの発振波長の中心である４０５ｎｍ近傍においては、従来の追記型光記録媒体の記録層に要求される光学定数と同程度の光学定数を有する有機材料が殆んど存在しない。
また、４０５ｎｍ近傍で記録条件を明確にし、ＤＶＤよりも高記録密度で記録された例はない。
更に、上記従来技術における多くの実施例では、従来と同じ光学特性と機能を持つ色素が要求され、そのような色素が使用されており、青色レーザ波長領域で、有機材料からなる追記型光記録媒体を容易に実現できる層構成や記録原理、記録方式についての有効な提案はない。
【００１２】
一方、青色レーザ波長に対応した光記録媒体の提案は、特開２００１−２７３６７２号公報に記載がある。
この光記録媒体は、基板上に屈折率変化を起こす有機材料層を設けたもので、この屈折率変化は減少であっても増加であってもよい。
記録によって有機材料層の屈折率を増加させるという記録原理は、本発明と同一であるが、本発明では有機材料層の上に、複素屈折率を特定した上引層を設け、高反射率化と高変調度化を図る点が異なる。
本発明と同様に、有機材料層に隣接して金属層を設けることも提案されているが、明細書中には金属としてＡｕとＣｕの記載しかなく（これらは有機材料層に対して低屈折率層である）、本発明で使用可能である上引層（これらは有機材料層に対して高屈折率層である）に当てはまらない。
【００１３】
また、本発明では、有機材料層と上引層の界面の変形を利用し、高変調度化を図る点が、特開２００１−２７３６７２号公報とは異なる。
また、従来の有機材料を用いた追記型光記録媒体では、変調度と反射率の確保の点から、記録再生波長に対し大きな屈折率と比較的小さな吸収係数（０．１０程度）を持つ有機材料しか使用することができない。
即ち、有機材料は記録光に対して十分な吸収能を持たないため、有機材料の膜厚を薄膜化することが不可能であり、従って、深い溝を持った基板を使用する必要があった（有機材料は通常スピンコート法によって形成されるため、有機材料を深い溝に埋めて厚膜化していた）。そのため深い溝を有する基板の形成が非常に難しくなり、追記型光記録媒体としての品質を低下させる要因になっていた。更に、従来の追記型光記録媒体では、相変化型の光記録媒体に対して記録パワーマージンが狭いという問題がった（記録パワーの変動に対して記録再生特性が変動しやすい）。この記録パワーマージンが狭い原因も、有機材料の光吸収能不足を有機材料層の厚膜化で対処せざるを得ない点にある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、単純層構成で、安価に製造可能な青色レーザ波長に対応可能な追記型光記録媒体及びその記録再生方法、比較的高い反射率が得られる追記型光記録媒体及び記録再生方法、有機材料層の薄膜化が可能で、記録パワーマージンの広い追記型光記録媒体及びその記録再生方法、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ（ハイ・トゥー・ロー）記録となる追記型光記録媒体及びその記録再生方法、基板溝深さが浅い、成形性に優れた基板の使用を可能とする追記型光記録媒体及びその記録再生方法、有機材料の選択の幅を拡大でき、表面記録、或いは高ＮＡレンズによる記録に対応でき、高密度化が達成できる追記型光記録媒体及びその記録再生方法の提供を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、次の１）〜２２）の発明（以下、本発明１〜２２という）によって解決される。
１） 少なくとも、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層と、入射光から見て該有機材料層の奥側に隣接する該有機材料層よりも高屈折率の上引層を設けた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能である追記型光記録媒体。
２） 少なくとも、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層と、入射光から見て該有機材料層の奥側に隣接し該有機材料層よりも高屈折率の上引層を設けた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能である追記型光記録媒体。
３） 基板上に、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、該有機材料層よりも高屈折率の上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生が基板側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
４） 基板上に、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層、該有機材料層よりも高屈折率の上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生が基板側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
５） 基板上に、多重反射効果を最適化するエンハンス層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、該有機材料層よりも高屈折率の上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生が基板側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
６） 基板上に、多重反射効果を最適化するエンハンス層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層、該有機材料層よりも高屈折率の上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生が基板側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
７） 基板上に、有機材料層よりも高屈折率の上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、カバー層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが ４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生がカバー層側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
８） 基板上に、有機材料層よりも高屈折率の上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層、カバー層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生がカバー層側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
９） 基板上に、有機材料層よりも高屈折率の上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、多重反射効果を最適化するエンハンス層、カバー層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生がカバー層側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
１０） 基板上に、有機材料層よりも高屈折率の上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層、多重反射効果を最適化するエンハンス層、カバー層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生がカバー層側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
１１） 有機材料層よりも高屈折率の上引層が光吸収機能を有し、記録レーザ光を照射した際に、有機材料層の光吸収機能及び／又は該有機材料層よりも高屈折率の上引層の光吸収機能による発熱によって有機材料層中の有機材料が分解し、記録再生波長での屈折率が増加することで記録が行われることを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１２） 有機材料層よりも高屈折率の上引層が光吸収機能を有し、記録レーザ光を照射した際に、有機材料層の光吸収機能及び／又は該有機材料層よりも高屈折率の上引層の光吸収機能によって、記録再生波長よりも長波長側に存在する有機材料層の吸収帯の吸収係数が減少し、記録再生波長での屈折率が増加することで記録が行われることを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１３） 記録によって有機材料層よりも高屈折率の上引層が有機材料層側へ変形することを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１４） 有機材料層よりも高屈折率の上引層が有機材料層よりも高硬度を有する材料からなることを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１５） 有機材料層よりも高屈折率の上引層がＳｉ又はＧｅを含有することを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１６） エンハンス層がＳｉＯ２又はＺｎＳ−ＳｉＯ２を主成分とすることを特徴とする５）、６）、９）、１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１７） ３５０〜５００ｎｍの記録再生波長に対応する有機材料層及び該有機材料層よりも高屈折率の上引層を有することを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１８） 記録レーザ光の照射によって、有機材料層中の有機材料を分解させ、記録再生波長での屈折率を増加させることで情報の記録再生を行うことを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体の記録再生方法。
１９） 記録レーザ光の照射によって、記録再生波長よりも長波長側に存在する有機材料層の吸収帯の吸収係数を減少させ、記録再生波長での屈折率を増加させることで情報の記録再生を行うことを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体の記録再生方法。
２０） 記録レーザ光の照射によって、有機材料層中の有機材料を分解させて記録再生波長での屈折率を増加させ、かつ該有機材料層よりも高屈折率の上引層を有機材料層側へ変形させることで情報の記録再生を行うことを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体の記録再生方法。
２１） 記録レーザ光の照射によって、記録再生波長よりも長波長側に存在する有機材料層の吸収帯の吸収係数を減少させて記録再生波長での屈折率を増加させ、かつ該有機材料層よりも高屈折率の上引層を有機材料層側へ変形させることで情報の記録再生を行うことを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体の記録再生方法。
２２） 記録再生波長を３５０〜５００ｎｍとしたことを特徴とする１８）〜２１）の何れかに記載の記録再生方法。
【００１６】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
従来のように、有機材料の主吸収帯（最も大きな吸収係数を有する吸収帯）を記録再生波長に対して短波長側に位置させる場合（有機材料の最大吸収波長を記録再生波長に対して短波長側に位置させるとも言える）、例えば記録再生波長を４００ｎｍ近傍と仮定すると、有機材料の主吸収帯（或いは最大吸収波長）は４００ｎｍ以下に設定させる必要があり、これは有機材料の分子骨格、或いは共役系を小さくすることを意味する。
この有機材料の分子骨格、或いは共役系を小さくすることは、吸収係数と共に屈折率の低下を引き起こすため、記録によって大きな屈折率変化が生じなくなる（即ち変調度が低下する）。
また、有機材料の分子骨格、或いは共役系を小さくすることは、置換基の導入個所の減少を招き、溶解性を悪化させたり、凝集性や結晶性を高める恐れがある（その結果、スピンコーティングによって良好な膜を得ることができなくなり、また温湿度に対する安定性が低下する恐れがある）。
更には、ドナーやアクセプターの導入による波長制御が十分な効果を持たなくなる恐れもある。
【００１７】
そこで、本発明では、
・置換基の導入個所を十分確保し、溶解性、或いは凝集性や結晶性を容易に制御できるようにする
・ドナーやアクセプターの導入によって波長制御が容易に制御できるようにする・保存安定性を高める
・有機材料の選択幅を拡大する
・記録前後での屈折率変化を大きくする
という目標を実現させるため、有機材料の主吸収帯（最も大きな吸収係数を有する吸収帯）を記録再生波長に対して長波長側に存在させる（有機材料の最大吸収波長を記録再生波長に対して長波長側に存在させるとも言える）ことにした。
これによって、主吸収帯が比較的長波長域（４００ｎｍ以上）にある有機材料を選択することができる。
【００１８】
主吸収帯が比較的長波長域（４００ｎｍ以上）にある有機材料は、その種類が多く、分子骨格も大きいため、高い複素屈折率実部領域と低い複素屈折率実部領域を得ることができる（従って、高い変調度を得ることが可能となる）。
また、分子骨格が大きくなるため、置換基導入、溶解性、凝集・結晶性、波長制御性、保存安定性等の問題が解消される。
そして本発明では、記録によって有機材料を分解させ（これによって主吸収帯の吸収係数が減少する）、或いは記録再生波長よりも長波長側に存在する有機材料層の吸収帯の吸収係数を減少させ（有機材料の分解だけでなく、凝集状態変化や構造変化による吸収係数の減少を含む）、記録再生波長における屈折率を増加させる。
この記録による屈折率の増加によって情報の記録再生を行う。
【００１９】
以上の記録原理をＫｒａｍｅｒｓ−Ｋｒｏｎｉｇの関係式で説明する。
まず、従来の記録原理をＫｒａｍｅｒｓ−Ｋｒｏｎｉｇの関係式で説明すると、今記録再生波長λ＝λ０とし、前記〔式１〕の積分範囲λｉをλ０より大きい領域と小さい領域に分けて考える（下記〔式２〕参照）。
従来の記録再生波長と有機材料の吸収帯の関係から（図１参照。図中の斜線領域は記録再生波長の範囲を示す）、記録再生波長λ０よりも長波長領域では、有機材料の吸収帯は存在しないため、〔式２〕中の大きいカッコ内の第一項の積分値はほぼゼロである。
一方、図１に示すように、従来の記録再生波長と有機材料の吸収帯の関係から、記録再生波長λ０の短波長側の領域には、大きな有機材料の吸収帯が存在するため、〔式２〕中の大きいカッコ内の第二項の積分値がλ０近傍で符号がプラスの大きな値となる〔（λ０ ２−λ１ ２）＞０。大きいカッコ内の第二項の積分においてλ０近傍で分母が非常に小さくなる〕。従って、この領域で高屈折率が得られるのである。
なお、図にも示したように、記録再生波長λ０は、ある程度の幅を有しており、通常は幅±１０ｎｍ程度である。
【００２０】
【数２】
【００２１】
次に、本発明に用いる記録原理をＫｒａｍｅｒｓ−Ｋｒｏｎｉｇの関係式で説明する。
本発明で用いる記録再生波長と有機材料の吸収帯の関係から（図２参照。図中の斜線領域は記録再生波長の範囲を示す）、記録再生波長λ０よりも短波長領域では、有機材料の吸収帯が存在しても、一般的に、その吸収係数はあまり大きくないため、〔式２〕中の大きいカッコ内の第二項の積分値は小さな値である。
一方、本発明で用いる記録再生波長と有機材料の吸収帯の関係から（図２参照）、記録再生波長λ０の長波長側の領域には、大きな有機材料の吸収帯が存在するため、〔式２〕中の大きいカッコ内の第一項の積分値がλ０近傍で符号がマイナスの大きな値となる〔（λ０ ２−λ１ ２）＜０。大きいカッコ内の第一項の積分においてλ０近傍で分母が非常に小さくなる〕。
従って、この領域で低屈折率が得られるのである。
本発明に用いる記録原理では、記録によって有機材料を分解するか、或いは凝集状態や構造等の変化を起こさせ、主吸収帯の吸収係数{〔式１〕、〔式２〕におけるｋ（λｉ）}を低下させている。即ち、記録再生波長λ０における〔式２〕中の大きいカッコ内の第一項の積分値を低下させている。
これによって記録再生波長λ０で屈折率の増加が起き、記録再生を可能としている。
【００２２】
以上の記録再生原理は、例えば特開２００１−２７３６７２号公報にも記載されている技術であるが、本発明では
・未記録時の反射率を高める
・記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化する条件を拡大する
・記録パワーマージンを向上させる
・変調度を確保する
という目標を実現させるために、有機材料層に隣接して、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である上引層、又は記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層を設ける構造とした。
なお、未記録時の反射率を高めることは、再生信号の品質を向上させ、また記録再生装置の負荷を低減する意味で重要である。
また、記録極性のＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化（記録によって反射率が低下する）は、従来の光記録媒体との互換性をとるために重要であり、また未記録時の反射率を高めるためにも重要である（記録極性をＬｏｗ ｔｏ Ｈｉｇｈ化することは、一般的に、変調度が小さくなり易く、また未記録時の反射率低下を招く恐れがある）。
【００２３】
以下、入射光から見て有機材料層の奥側に隣接して設けた、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である上引層、又は記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層の機能について説明する。
本発明では、有機材料の主吸収帯（最も大きな吸収係数を有する吸収帯）を記録再生波長に対して長波長側に存在させる（有機材料の最大吸収波長を記録再生波長に対して長波長側に存在させるとも言える）ため、一般的に、記録再生波長での有機材料の屈折率（複素屈折率の実部）は、０．８〜１．７程度となる。
従って、複素屈折率の実部ｎが２．５以上の上引層を設けることで、上引層がない場合に比べ（即ち有機材料層との界面は基板又はカバー層であり、両者の屈折率は１．５〜１．８程度である）、反射率を向上させることができる（反射係数が大きな値となるからである）。
【００２４】
記録パワーマージンを広げるためには、有機材料層の膜厚を薄くすることで対処することができる。
何故ならば、有機材料層の膜厚が厚くなると、記録される領域が膜厚方向に広がり、より三次元的な記録マークとなるため、記録パワーによって記録マークの長さや幅に加えて、深さ方向の幅が変動することになるからである（有機材料層が薄い場合には、記録マークがより二次元的になり、記録パワーの変動による記録マークの深さ方向幅の変動の寄与を低減できる）。
しかし、有機材料層の膜厚を薄くすると、光吸収能が低下するため記録感度が低下し（高い記録パワーが必要となる）、変調度も低下してしまうという問題がある。
【００２５】
これに対し、本発明では有機材料層に隣接して複素屈折率の虚部が０．５以上である上引層を設けたため（但し、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層を用いた場合はこの限りではない）、有機材料層の膜厚を薄くして有機材料層自身の光吸収能を低下させても、上引層の光吸収能を併用することが可能となり、適度な記録パワー範囲で有機材料層の屈折率を変化させることができる。即ち、複素屈折率の虚部が０．５以上である上引層を設けることによって、記録パワーマージンを、上引層がない場合に比べて拡大させることができる。
また、有機材料層を薄膜化できることによって、有機材料を用いた光記録媒体でありながら、トラッキング用に設けられる基板の溝の深さを大幅に浅くすることができ、溝の浅い基板は成形が容易であるため、従来の有機材料を用いた光記録媒体比べて、信号品質を大幅に高めることができる。
【００２６】
また、本発明では複素屈折率の虚部が０．５以上である上引層を設けたため、上引層自身の温度が上昇して変形を起こさせることが可能である（但し、上引層の変形は、有機材料層の光吸収機能によっても誘発される）。
この上引層の変形を併用することで、有機材料層の膜厚を薄くしたことによる低変調度化を改善することができる。
なお、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層を用いた場合、記録再生波長における複素屈折率の虚部ｋが０．５以下となっても構わない。この場合でも、有機材料層の膜厚の薄膜化による光吸収能の低下を上引層で補償できない訳ではなく、例え、記録再生波長における複素屈折率の虚部ｋが０．５以下であっても、上引層自身の熱伝導率や隣接層の熱伝導率、更には上引層の膜厚を最適化することで、有機材料層の膜厚の薄膜化による光吸収能の低下を上引層で補償できる。
【００２７】
一方、変形量が大きくなると、有機材料層の膜厚を厚膜化するのと同様に、記録パワーマージンが狭くなる可能性があるが、本発明では有機材料層の膜厚が薄く、また上引層を有機材料層側に変形させるようにするため、上引層の変形量は一定量に制限できる。その結果、変形量の増大による記録パワーマージンの悪化を抑制することができる。
なお、上引層を有機材料層側へ変形させることは、変形量の抑制及び変形量の拡大抑制のために非常に重要であるが、その手段としては、上引層として有機材料層よりも高硬度の層を設けさえすればよい。
但し、ここで言う高硬度とは、材料自身が高硬度である場合のみならず、膜厚の硬度への寄与により層全体が高硬度である場合も含む意味である。
従って、上引層上の層としては、樹脂材料からなるカバー層や紫外線硬化型樹脂等からなる保護層等で十分である。
【００２８】
以上、本発明の、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である上引層、又は記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層を設けることで、未記録時の反射率を高め、記録パワーマージンを向上させ、成形性が良好な浅溝基板が使用でき、更に変調度が十分確保できることを説明した。
なお、これらの複素屈折率の数値限定の理由（数値の意味）、及び、これらの数値限定を満足する上引層を設けることで、記録極性をＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化する条件が拡大でき、また記録による有機材料層の屈折率増加量が少なくても大きな変調度を発生させることが可能となることについては、後述の実施例で詳しく説明する。
【００２９】
本発明は、記録再生波長の範囲が３５０〜５００ｎｍ程度の場合に特に有用である。何故ならば、記録再生波長が５００ｎｍよりも長い場合には、その波長において十分屈折率の大きな材料が数多く存在し（図１に示すような従来の記録原理で十分記録再生が可能であり）、本発明に係る記録原理を採用するメリットが少なくなるからである。他方、記録再生波長が３５０ｎｍよりも短い場合には、例えば有機材料層の主吸収帯を４００ｎｍよりも短波長側に位置させる必要があるが、前述した通り、４００ｎｍよりも短波長に吸収帯を持つ有機材料は、一般的にその吸収係数が小さくなるため、有機材料層の短波長側における屈折率が十分小さくならない（即ち、記録による屈折率増加量が低下する）からである。
但し、記録再生波長が３５０ｎｍ以下の場合には本発明を適用できないということではなく、あくまで、高変調度を容易に達成するためには、３５０ｎｍ以上の記録再生波長が好ましいということである。
【００３０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、添付した図面を参照しつつ詳しく説明する。
基板材料としては、熱的、機械的に優れた特性を有し、基板側から（基板を通して）記録再生が行われる場合には光透過特性も優れているものであれば、特別な制限はない。具体例としては、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、非晶質ポリオレフィン、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられるが、ポリカーボネート、非晶質ポリオレフィンが好ましい。
基板の厚さは用途に応じて異なり、特に制限はない。
【００３１】
上引層としては、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である材料を用いることが好ましく（詳しくは、後述の実施例で説明する）、かつ熱伝導率がＡｇやＡｕに比べて比較的低い材料が適している。
上記複素屈折率の条件は、未記録時の反射率を高め、膜厚の薄い有機材料層であってもＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの信号が得られ、かつ記録による有機材料層の屈折率増加量が少なくても大きな変調度を発生させるために必要となる。
また、ＡｇやＡｕに比べて比較的低い熱伝導率を有することは、効率よく（低記録パワーで）有機材料を分解、或いは凝集状態変化、結晶状態変化、構造変化等を起させるために必要である。
【００３２】
更に、有機材料の分解、凝集状態変化、結晶状態変化、構造変化等を低記録パワーで生じさせるために、上引層の材料として、記録再生波長における吸収係数（複素屈折率の虚部）がある程度大きい（例えば０．５以上）ものを用いることが好ましい。
以上の点から、上引層には、Ｓｉ又はＧｅを含有する材料、例えばＳｉ、Ｇｅ、ＳｉｘＧｅ１−ｘ、Ｍｇ２Ｇｅ、Ｍｇ２Ｓｉ、ＳｉＣ等を用いることが好ましい。
その他、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｅ、Ｖ等の金属、或いはこれらの金属酸化物（例えばＴａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５等）、ＡｌＳｂ、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ、ＣｄＳｅ、ＧａＳｂ、Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、ＩｎＰ、ＧａＰ等の半導体等が上引層として使用可能である。
上引層の膜厚は、通常５〜１５０ｎｍ程度とする。５ｎｍよりも薄いと上引層としての機能を発揮し難くなるし、１５０ｎｍを越えると製造上の問題が生じるので好ましくない。
【００３３】
エンハンス層は、変調度と反射率を高めるために、有機材料層の隣接層のうち、入射光側の層として挿入される。
エンハンス層には、記録再生波長に対して吸収係数が十分小さい材料を用いることが好ましい。
その具体例としては、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｒＯ２、ＵＯ２、ＴｈＯ２などの単純酸化物系の酸化物；ＳｉＯ２、２ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＣａＯ・ＳｉＯ２、ＺｒＯ２・ＳｉＯ２、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・４ＳｉＯ２などのケイ酸塩系の酸化物；Ａｌ２ＴｉＯ５、ＭｇＡｌ２Ｏ４、Ｃａ１０（ＰＯ４）６（ＯＨ）２、ＢａＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ（ＰｂＴｉＯ３−ＰｂＺｒＯ３系酸化物）、フェライトなどの複酸化物系の酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ６−ＺＡｌＺＯＺＮ８−Ｚ、ＡｌＮ、ＢＮ、ＴｉＮなどの窒化物系の非酸化物；ＳｉＣ、Ｂ４Ｃ、ＴｉＣ、ＷＣなどの炭化物系の非酸化物；ＬａＢ６、ＴｉＢ２、ＺｒＢ２などのホウ化物系の非酸化物；ＣｄＳ、ＭｏＳ２などの硫化物系の非酸化物；ＭｏＳｉ２などのケイ化物系の非酸化物；アモルファス炭素、黒鉛、ダイアモンド等の炭素系の非酸化物を挙げることができ、中でもＳｉＯ２、又はＺｎＳ−ＳｉＯ２を主成分とするものが好ましい。
但し、ここで主成分とは、材料全体の５０重量％以上を占めることを意味する。
エンハンス層の膜厚は、高反射率化（未記録時の反射率）と高変調度化が実現できるような膜厚に設定することが好ましく、通常は１０〜２００ｎｍ程度である。
更に、エンハンス層には、有機材料層を外部、或いはカバー層を接着する際の接着剤から保護する保護機能を持たせてもよいし（いわゆる保護層としても機能させる）、上引層の変形を抑制するための機能を持たせることも可能である。
【００３４】
有機材料層に用いられる材料としては、色素が好ましい。
色素としては、ポリメチン系、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系各色素、及び金属錯体化合物などが挙げられる。
これらの色素は、その主吸収帯の最大吸収波長が記録再生波長よりも長波長側にあればよく、記録光の照射によって分解を起し主吸収帯の吸収係数が減少するか、或いは記録光の照射によって凝集状態、結晶状態、構造が変化を起し主吸収帯の吸収係数が減少するものが好ましい。
本発明では、記録による屈折率変化を大きくするため（即ち変調度を高めるため）、有機材料層の吸収スペクトルの最大吸収波長が、記録再生波長に対して長波長側に位置するような有機材料を選択し、有機材料の吸収帯による異常分散によって屈折率が低下する波長領域、好ましくは屈折率が最小となる波長近傍を使用する（図２参照）。即ち、屈折率が最小となる波長近傍に記録再生波長が重なるようにする。
【００３５】
色素層の形成は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、溶剤塗布などの通常の手段によって行なうことができる。塗布法を用いる場合には、上記色素などを有機溶剤に溶解し、スプレー、ローラーコーティング、ディッピング、スピンコーティングなどの慣用のコーティング法で行なうことができる。
用いられる有機溶剤としては、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類；ベンゼン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類；メトキシエタノール、エトキシエタノールなどのセロソルブ類；ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの炭化水素類などが挙げられる。
色素層の膜厚は、１０ｎｍ〜１０μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍが適当である。
【００３６】
カバー層は、高密度化を図るため高ＮＡのレンズを用いる場合に必要となる。例えば高ＮＡ化すると、再生光が透過する部分の厚さを薄くする必要があるが、これは、高ＮＡ化に伴い、光学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直からズレる角度（いわゆるチルト角、光源の波長の逆数と対物レンズの開口数の積の２乗に比例する）により発生する収差の許容量が小さくなるためであり、このチルト角が基板の厚さによる収差の影響を受け易いためである。
従って、一般に基板の厚さを薄くしてチルト角に対する収差の影響をなるべく小さくするようにしている。
そこで、例えば基板上に凹凸を形成して記録層とし、その上に反射層を設け、更にその上に記録再生用の光を透過する光透過性のカバー層を設けて、カバー層側から再生光を照射することにより記録層の情報を再生することができるような構造の追記型光記録媒体や、基板上に反射層を設け、その上に記録層を形成し、更にその上に記録再生用の光に対し透過性を有するカバー層を設けて、カバー層側から再生光を照射することにより記録層の情報を再生することができるような構造の追記型光記録媒体が提案されている。
【００３７】
このようにすれば、カバー層を薄型化していくことで対物レンズの高ＮＡ化に対応可能である。つまり、薄いカバー層を設け、このカバー層側から記録再生することで、更なる高記録密度化を図ることができる。
なお、このようなカバー層は、ポリカーボネートシートや紫外線硬化型樹脂により形成されるのが一般的である。
また、本発明で言うカバー層には、カバー層を接着するための層、或いはカバー層を接着する材料（層）から有機材料層を保護するための層も含むものとする（例えば、有機材料層上にカバー層を接着させる場合、その接着層材料が有機材料層を侵す物質を含む場合、接着層を形成させるためには有機材料層を保護する層が必要となる）。
【００３８】
本発明の光記録媒体における情報の記録原理を、図３を参照しつつ説明する。光源として３５０〜５００ｎｍの波長のレーザを用いて、５〜１５ｍＷ程度のパワーで光記録媒体に照射すると、有機材料層中の有機材料、又は有機材料層に隣接して設けられた上引層が光を吸収し、昇温して熱を放出する。
この熱は、有機材料層中の有機材料を分解したり、有機材料の凝集状態変化、結晶状態変化又は構造変化を引き起こす。
この分解や、凝集状態変化、結晶状態変化又は構造変化によって、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に設定された有機材料層、或いは記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となるように設定された有機材料層の屈折率を増加させる。
【００３９】
また、上記の有機材料層の屈折率を増加させると共に、有機材料層中の有機材料、又は有機材料層に隣接して設けられた上引層の光吸収機能によって、上引層を変形させる。この上引層の変形は、上引層に隣接し有機材料層とは反対側に設けられた層によって、有機材料層側へ起るようにする。
これによって、上引層の変形量の制御が可能になると共に、記録極性をＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化させることが容易になる。
レーザ照射によって形成された記録ピット部では、この有機材料層の屈折率増加と、上引層の変形によって、未記録部との間に大きな反射率差が生じるため、再生レーザ光を照射することで明瞭に信号を検出することが可能となる。
【００４０】
以下、図４〜図７の各構成の機能について説明する。
図４は、本発明３及び本発明４に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図であり、基板上に、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、通常、記録再生が基板側から行われる。
図５は、本発明５及び本発明６に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図であり、基板上に、多重反射効果を最適化するエンハンス層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、通常、記録再生が基板側から行われる。
【００４１】
図６は、本発明７及び本発明８に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図であり、基板上に、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、カバー層が順次設けられた構造を有し、通常、記録再生がカバー層側から行われる。
図７は、本発明９及び本発明１０に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図であり、基板上に、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、多重反射効果を最適化するエンハンス層、カバー層が順次設けられた構造を有し、通常、記録再生がカバー層側から行われる。
【００４２】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
初めに、本発明における上引層として、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であると規定したことの妥当性を明らかにする。
なお、以下の実施例では、記録による有機材料層の複素屈折率の実部の増加量を０．４程度と想定しているが、これは実際に種々の有機材料で複素屈折率変化を評価した結果得られた平均的な値である。
【００４３】
また、実施例１〜１３に係る図８〜図２０の横軸は上引層の複素屈折率実部（ＵＬｎ）、縦軸は上引層の複素屈折率虚部（ＵＬｋ）、等高線は変調度を表す。変調度は［（未記録時の反射率）−（記録後の反射率）］／（未記録時の反射率）で表される値である。
同じく図８〜図２０には、本発明で規定した、複素屈折率実部（２．５以上）と複素屈折率虚部（０．５以上）の範囲を明確にするために、白線を記した（２本の白線によって４分割された領域のうち、右上の領域が本発明で規定する上引層の複素屈折率範囲である）。
同じく図８〜図２０には、記録によって変調度が殆ど発生しないか、或いは記録極性がＬｏｗ ｔｏ Ｈｉｇｈ化（記録によって反射率が上昇する）する領域に「ＬＨ」の文字を記した。
また、実施例１４〜２５及び比較例１〜２に係る図２１〜図３４の横軸は有機材料層の複素屈折率実部（Ｄｙｅ ｎ）、縦軸は有機材料層の膜厚（単位ｎｍ）、等高線は変調度を表す。
【００４４】
実施例１
本発明の、基板／有機材料層／上引層／保護層（通常、記録再生は基板側から行われる）、又は、カバー層／有機材料層／上引層／基板（通常、記録再生はカバー層側から行われる）という構成において、下記の条件下で変調度が上引層の複素屈折率によってどのように変化するかを計算した。結果を図８に示す。
＜計算条件＞
未記録時の有機材料層の複素屈折率：１．０−ｉ０．２０
記録後の有機材料層の複素屈折率 ：１．４−ｉ０．２０
有機材料層の膜厚 ：５０ｎｍ
上引層の膜厚 ：１０ｎｍ
図８の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することを確認できた。
【００４５】
実施例２
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．２−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．６−ｉ０．２０とした点以外は、実施例１と同様な計算を行った。結果を図９に示す。
図９の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００４６】
実施例３
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．４−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．８−ｉ０．２０とした点以外は、実施例１と同様な計算を行った。結果を図１０に示す。
図１０の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００４７】
実施例４
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．４−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．８−ｉ０．１０とした点以外は、実施例１と同様な計算を行った。結果を図１１に示す。
図１１の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００４８】
以上、実施例１〜４の結果からは、高変調度が得られる領域が、本発明で規定する上引層の複素屈折率範囲以外、例えば上引層の複素屈折率実部が２．５よりも小さい領域にも存在することが分る。
しかし、この上引層の複素屈折率実部が２．５よりも小さい領域では、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部によって、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できる上引層の複素屈折率虚部範囲が大きく変動することが分る。
即ち、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部が１．０の場合（図８参照）、上引層の複素屈折率実部が約２．５より小さい領域では、ほぼ上引層の複素屈折率虚部によらず記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとなるが、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部が１．４の場合（図１０参照）には、上引層の複素屈折率実部が約２．５より小さい領域では、上引層の複素屈折率虚部が非常に大きな値を持たないと記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとならないのである。
【００４９】
これに対し、本発明の上引層の複素屈折率規定範囲、即ち複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である範囲では、ほぼ未記録時の有機材料層の複素屈折率実部に依存せず、記録極性をＨｉｇｈ ｔｏＬｏｗとすることが可能であることが分る。
なお、図８〜図１１では、上引層の複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である範囲であっても、一部の境界領域で記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとなっていない領域が存在するが、これは本実施例では作為的に厳しい条件を課した場合の例を示したことによるものであって、有機材料層の膜厚、未記録時の有機材料層の複素屈折率、記録後の有機材料層の複素屈折率等を適当な範囲に選べば、本発明の上引層の複素屈折率規定範囲が有効であることは明らかである。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることによって、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００５０】
実施例５
計算条件を下記のように変更した（有機材料層の膜厚を５０ｎｍから６０ｎｍに変更した）点以外は、実施例１と同様にして計算した。結果を図１２に示す。
＜計算条件＞
未記録時の有機材料層の複素屈折率：１．０−ｉ０．２０
記録後の有機材料層の複素屈折率 ：１．４−ｉ０．２０
有機材料層の膜厚 ：６０ｎｍ
上引層の膜厚 ：１０ｎｍ
図１２の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００５１】
実施例６
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．２−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．６−ｉ０．２０とした点以外は、実施例５と同様な計算を行った。結果を図１３に示す。
図１３の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００５２】
実施例７
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．４−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．８−ｉ０．２０とした点以外は、実施例５と同様な計算を行った。結果を図１４に示す。
図１４の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００５３】
以上、実施例５〜７の結果からは、高変調度が得られる領域が、本発明で規定する上引層の複素屈折率範囲以外、例えば上引層の複素屈折率実部が２．５よりも小さい領域にも存在することが分る。
しかし、この上引層の複素屈折率実部が２．５よりも小さい領域では、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部によって、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できる上引層の複素屈折率虚部範囲が大きく変動することが分る。
即ち、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部が１．０の場合（図１２参照）、上引層の複素屈折率実部が約２．５より小さい領域では、ほぼ上引層の複素屈折率虚部によらず記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとなるが、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部が１．４の場合（図１４参照）には、上引層の複素屈折率実部が約２．５より小さい領域では、上引層の複素屈折率虚部が非常に大きな値を持たないと記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとならないのである。
【００５４】
これに対し、本発明の上引層の複素屈折率規定範囲、即ち複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である範囲では、ほぼ未記録時の有機材料層の複素屈折率実部に依存せず、記録極性をＨｉｇｈ ｔｏＬｏｗとすることが可能であることが分る。
なお、図１２〜図１４では、上引層の複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上の範囲であっても、一部の境界領域で記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとなっていない領域が存在するが、これは、本実施例では作為的に厳しい条件を課した場合の例を示したことによるものであって、有機材料層の膜厚、未記録時の有機材料層の複素屈折率、記録後の有機材料層の複素屈折率等を適当な範囲に選べば、本発明の上引層の複素屈折率規定範囲が有効であることは明らかである。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることによって、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００５５】
実施例８
計算条件を下記のように変更した（有機材料層の膜厚を５０ｎｍから４０ｎｍに変更した）点以外は、実施例１と同様にして計算した。結果を図１５に示す。
＜計算条件＞
未記録時の有機材料層の複素屈折率：１．０−ｉ０．２０
記録後の有機材料層の複素屈折率 ：１．４−ｉ０．２０
有機材料層の膜厚 ：４０ｎｍ
上引層の膜厚 ：１０ｎｍ
図１５の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００５６】
実施例９
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．２−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．６−ｉ０．２０とした点以外は、実施例８と同様な計算を行った。結果を図１６に示す。
図１６の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００５７】
実施例１０
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．４−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．８−ｉ０．２０とした点以外は、実施例８と同様な計算を行った。結果を図１７に示す。
図１７の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００５８】
実施例１１
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．４−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．８−ｉ０．１０とした点以外は、実施例８と同様な計算を行った。結果を図１８に示す。
図１８の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００５９】
実施例１２
未記録時の有機材料層の複素屈折率を１．０−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．３−ｉ０．２０とした点以外は、実施例８と同様な計算を行った。結果を図１９に示す。
図１９の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００６０】
実施例１３
未記録時の有機材料層の複素屈折率を０．８−ｉ０．２０、記録後の有機材料層の複素屈折率を１．２−ｉ０．１０とした点以外は、実施例８と同様な計算を行った。結果を図２０に示す。
図２０の結果から、本実施例の条件下では、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である複素屈折率範囲の上引層、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることで、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化でき、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００６１】
以上、実施例８〜１３の結果からは、高変調度が得られる領域が、本発明で規定する上引層の複素屈折率範囲以外、例えば上引層の複素屈折率実部が２．５よりも小さい領域にも存在することが分る。
しかし、この上引層の複素屈折率実部が２．５よりも小さい領域では、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部によって、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できる上引層の複素屈折率虚部範囲が大きく変動することが分る。
即ち、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部が１．０の場合（図１５参照）、上引層の複素屈折率実部が約２．５より小さい領域では、ほぼ上引層の複素屈折率虚部によらず記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとなるが、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部が１．４の場合（図１７参照）には、上引層の複素屈折率実部が約２．５より小さい領域では、上引層の複素屈折率虚部が非常に大きな値を持たないと記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとならないのである。
【００６２】
これに対し、本発明の上引層の複素屈折率規定範囲、即ち複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上である範囲では、ほぼ未記録時の有機材料層の複素屈折率実部に依存せず、記録極性をＨｉｇｈ ｔｏＬｏｗとすることが可能であることが分る。
なお、図１５〜図２０では、上引層の複素屈折率の実部ｎが２．５以上であり、かつ複素屈折率の虚部が０．５以上の範囲であっても、一部の境界領域で記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとなっていない領域が存在するが、これは、本実施例では作為的に厳しい条件を課した場合の例を示したことによるものであって、有機材料層の膜厚、未記録時の有機材料層の複素屈折率、記録後の有機材料層の複素屈折率等を適当な範囲に選べば、本発明の上引層の複素屈折率規定範囲は有効であることは明らかである。
また、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上である複素屈折率範囲の上引層を用いることによって、より確実に記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化できることが確認できた。
【００６３】
実施例１４
本発明の、基板／有機材料層／上引層／保護層という構成において（通常、記録再生は基板側から行われる）、有機材料層の複素屈折率虚部を０．２０、上引層をＳｉ（膜厚５ｎｍ。Ｓｉの４０５ｎｍにおける複素屈折率は、おおよそ４．３０−ｉ２．０である）とした場合、有機材料層の複素屈折率実部と有機材料層の膜厚を変化させた時の反射率がどうなるかを計算した。結果を図２１に示す。図２１の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用いることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約５０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００６４】
実施例１５
上引層の膜厚を１０ｎｍとした点以外は、実施例１４と同様な計算を行った。
結果を図２２に示す。
図２２の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用いることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約４０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００６５】
実施例１６
上引層の膜厚を２０ｎｍとした点以外は、実施例１４と同様な計算を行った。
結果を図２３に示す。
図２３の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用いることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約３０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００６６】
実施例１７
本発明の、基板／エンハンス層／有機材料層／上引層／保護層という構成において（通常、記録再生は基板側から行われる）、有機材料層の複素屈折率虚部を０．２０、エンハンス層をＺｎＳ−ＳｉＯ２（膜厚１００ｎｍ。ＺｎＳ−ＳｉＯ２の４０５ｎｍにおける複素屈折率は、おおよそ２．３０−ｉ０．００６である）、上引層をＳｉ（膜厚１０ｎｍ。Ｓｉの４０５ｎｍにおける複素屈折率は、おおよそ４．３０−ｉ２．０である）とした場合、有機材料層の複素屈折率実部と有機材料層の膜厚を変化させた時の反射率がどうなるかを計算した。結果を図２４に示す。
図２４の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用い、更に上引層と反対側の有機材料層の隣接層にエンハンス層を設けることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約３０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、実施例１５（エンハンス層がない点以外は本実施例と同じ層構成の場合）の結果である図２２と比較すると、明らかにエンハンス層を用いることで、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生する有機材料層の膜厚範囲を広げることがでることが分る（より有機材料層の薄膜化が可能となる）。
【００６７】
実施例１８
エンハンス層の膜厚を５０ｎｍとした点以外は、実施例１７と同様な計算を行った。結果を図２５に示す。
図２５の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用い、更に上引層と反対側の有機材料層の隣接層にエンハンス層を設けることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約３０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、実施例１５（エンハンス層がない点以外は本実施例と同じ層構成の場合）の結果である図２２と比較すると、明らかにエンハンス層を用いることで、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生する有機材料層の膜厚範囲を広げることができ（より有機材料層の薄膜化が可能となる）、また、記録による有機材料層の複素屈折率実部の変化量が小さくても高い変調度が発生することが分る（反射率を表す等高線の間隔が密になっている）。
【００６８】
実施例１９
エンハンス層の膜厚を２５ｎｍとした点以外は、実施例１７と同様な計算を行った。結果を図２６に示す。
図２６の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用い、更に上引層と反対側の有機材料層の隣接層にエンハンス層を設けることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約４０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、実施例１５（エンハンス層がない点以外は本実施例と同じ層構成の場合）の結果である図２２と比較すると、明らかにエンハンス層を用いることで、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生する有機材料層の膜厚範囲を広げることができ（より有機材料層の薄膜化が可能となる）、また、記録による有機材料層の複素屈折率実部の変化量が小さくても高い変調度が発生することが分る（反射率を表す等高線の間隔が密になっている）。
【００６９】
以上、実施例１７〜１９の結果から、エンハンス層の効果を確認することができたが、実施例１７〜１９での計算条件下では、エンハンス層の膜厚は約５０ｎｍとすることが好ましいことが分る。
【００７０】
実施例２０
本発明の、カバー層／有機材料層／上引層／基板という構成において（通常、記録再生はカバー層側から行われる）、有機材料層の複素屈折率虚部を０．２０、上引層をＳｉ（膜厚５ｎｍ。Ｓｉの４０５ｎｍにおける複素屈折率は、おおよそ４．３０−ｉ２．０である）とした場合、有機材料層の複素屈折率実部と有機材料層の膜厚を変化させた時の反射率がどうなるかを計算した。結果を図２７に示す。
図２７の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用いることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約５０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００７１】
実施例２１
上引層の膜厚を１０ｎｍとした点以外は、実施例２０と同様な計算を行った。結果を図２８に示す。
図２８の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用いることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約４０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００７２】
実施例２２
上引層の膜厚を２０ｎｍとした点以外は、実施例２０と同様な計算を行った。結果を図２９に示す。
図２９の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用いることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約３０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
【００７３】
実施例２３
本発明の、カバー層／エンハンス層／有機材料層／上引層／基板という構成において（通常、記録再生はカバー層側から行われる）、有機材料層の複素屈折率虚部を０．２０、エンハンス層をＺｎＳ−ＳｉＯ２（膜厚１００ｎｍ。ＺｎＳ−ＳｉＯ２の４０５ｎｍにおける複素屈折率は、おおよそ２．３０−ｉ０．００６である）、上引層をＳｉ（膜厚１０ｎｍ。Ｓｉの４０５ｎｍにおける複素屈折率は、おおよそ４．３０−ｉ２．０である）とした場合、有機材料層の複素屈折率実部と有機材料層の膜厚を変化させた時の反射率がどうなるかを計算した。結果を図３０に示す。
図３０の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用い、更に上引層と反対側の有機材料層の隣接層にエンハンス層を設けることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約４０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、実施例２１（エンハンス層がない点以外は本実施例と同じ層構成の場合）の結果である図２８と比較すると、明らかにエンハンス層を用いることで、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生する有機材料層の膜厚範囲を広げることができることが分る（より有機材料層の薄膜化が可能となる）。
【００７４】
実施例２４
エンハンス層の膜厚を５０ｎｍとした点以外は、実施例２３と同様な計算を行った。結果を図３１に示す。
図３１の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用い、更に上引層と反対側の有機材料層の隣接層にエンハンス層を設けることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約３０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、実施例２１（エンハンス層がない点以外は本実施例と同じ層構成の場合）の結果である図２８と比較すると、明らかにエンハンス層を用いることで、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生する有機材料層の膜厚範囲を広げることができ（より有機材料層の薄膜化が可能となる）、また、記録による有機材料層の複素屈折率実部の変化量が小さくても高い変調度が発生することが分る（反射率を表す等高線の間隔が密になっている）。
【００７５】
実施例２５
エンハンス層の膜厚を２５ｎｍとした点以外は、実施例２３と同様な計算を行った。結果を図３２に示す。
図３２の結果から、本発明で規定する複素屈折率範囲にあるＳｉを上引層として用い、更に上引層と反対側の有機材料層の隣接層にエンハンス層を設けることで、記録によって有機材料層の複素屈折率実部が増加すると、有機材料層の膜厚が約４０ｎｍ以上の領域で、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生することが確認できた。
また、実施例２１（エンハンス層がない点以外は本実施例と同じ層構成の場合）の結果である図２８と比較すると、明らかにエンハンス層を用いることで、未記録時の反射率が高く、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗであり、比較的高い変調度が発生する有機材料層の膜厚範囲を広げることができ（より有機材料層の薄膜化が可能となる）、また、記録による有機材料層の複素屈折率実部の変化量が小さくても高い変調度が発生することが分る（反射率を表す等高線の間隔が密になっている）。
【００７６】
以上、実施例２３〜２５の結果から、エンハンス層の効果を確認することができたが、実施例２３〜２５での計算条件下では、エンハンス層の膜厚は約５０ｎｍとすることが好ましいことが分る。
【００７７】
比較例１
特開２００１−２７３６７２号公報に記載されている、カバー層／有機材料層／基板という構成において（通常、記録再生はカバー層側から行われる）、有機材料層の複素屈折率虚部を０．２０とした場合、有機材料層の複素屈折率実部と有機材料層の膜厚を変化させた時の反射率がどうなるかを計算した。
結果を図３３に示す。
この結果を本発明と比べると（図２７〜図２９参照）、この比較例１の層構成では、記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗとなる有機材料層の複素屈折率実部の範囲が非常に狭く、また、記録極性をＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ化するためには、未記録時の有機材料層の複素屈折率実部を１．０よりも小さくする必要があり、有機材料の選択に大きな制限が加わることが分る。
【００７８】
比較例２
特開２００１−２７３６７２号公報に記載されている、カバー層／エンハンス層／有機材料層／基板という構成において（通常、記録再生はカバー層側から行われる）、有機材料層の複素屈折率虚部を０．２０、エンハンス層をＳｉ３Ｎ４（膜厚１５０ｎｍ。Ｓｉ３Ｎ４の４０５ｎｍにおける複素屈折率は、おおよそ２．００−ｉ０．００６である）とした場合、有機材料層の複素屈折率実部と有機材料層の膜厚を変化させた時の反射率がどうなるかを計算した。
結果を図３４に示す。
この結果を本発明と比べると（図３０〜図３２参照）、本発明の方が、より未記録時の反射率を高めることができ、より小さな有機材料層の屈折率実部変化で高い変調度が得られることが明らかである。
【００７９】
【発明の効果】
本発明１〜２２によれば、次のような特性を有する追記型光記録媒体及びその記録再生方法を提供できる。
・単純層構成で、安価に製造可能であり青色レーザ波長に対応可能な追記型光記録媒体 及びその記録再生方法。
・比較的高い反射率が得られる追記型光記録媒体及びその記録再生方法。
・有機材料層の薄膜化が可能で、記録パワーマージンの広い追記型光記録媒体及びその 記録再生方法。
・記録極性がＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ記録となる追記型光記録媒体及びその記録再生方 法。
・基板溝深さが浅い、成形性に優れた基板の使用を可能とする追記型光記録媒体及びそ の記録再生方法。
・有機材料の選択の幅が拡大した追記型光記録媒体及びその記録再生方法。
・表面記録、或いは高ＮＡレンズによる記録に対応でき、高密度化が達成できる追記型 光記録媒体及びその記録再生方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の追記型光記録媒体における有機材料の吸収帯と記録再生波長との関係を示す図。
【図２】本発明の追記型光記録媒体における有機材料の吸収帯と記録再生波長との関係を示す図。
【図３】本発明の追記型光記録媒体における情報の記録原理を説明するための図。
【図４】本発明３及び本発明４に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図。
【図５】本発明５及び本発明６に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図。
【図６】本発明７及び本発明８に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図。
【図７】本発明９及び本発明１０に係る追記型光記録媒体の層構成を示す図。
【図８】実施例１の計算結果を示す図。
【図９】実施例２の計算結果を示す図。
【図１０】実施例３の計算結果を示す図。
【図１１】実施例４の計算結果を示す図。
【図１２】実施例５の計算結果を示す図。
【図１３】実施例６の計算結果を示す図。
【図１４】実施例７の計算結果を示す図。
【図１５】実施例８の計算結果を示す図。
【図１６】実施例９の計算結果を示す図。
【図１７】実施例１０の計算結果を示す図。
【図１８】実施例１１の計算結果を示す図。
【図１９】実施例１２の計算結果を示す図。
【図２０】実施例１３の計算結果を示す図。
【図２１】実施例１４の計算結果を示す図。
【図２２】実施例１５の計算結果を示す図。
【図２３】実施例１６の計算結果を示す図。
【図２４】実施例１７の計算結果を示す図。
【図２５】実施例１８の計算結果を示す図。
【図２６】実施例１９の計算結果を示す図。
【図２７】実施例２０の計算結果を示す図。
【図２８】実施例２１の計算結果を示す図。
【図２９】実施例２２の計算結果を示す図。
【図３０】実施例２３の計算結果を示す図。
【図３１】実施例２４の計算結果を示す図。
【図３２】実施例２５の計算結果を示す図。
【図３３】比較例１の計算結果を示す図。
【図３４】比較例２の計算結果を示す図。
【符号の説明】
ＵＬｎ 上引層の複素屈折率実部
ＵＬｋ 上引層の複素屈折率虚部
ＬＨ 記録によって変調度が殆ど発生しないか、或いは記録極性がＬｏｗ ｔｏ Ｈｉｇｈ化（記録によって反射率が上昇する）する領域
Ｄｙｅ ｎ 有機材料層の複素屈折率実部
Ｄｙｅ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ 有機材料層の膜厚（ｎｍ）
Claims (22)
- 少なくとも、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層と、入射光から見て該有機材料層の奥側に隣接する該有機材料層よりも高屈折率の上引層を設けた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能である追記型光記録媒体。
- 少なくとも、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層と、入射光から見て該有機材料層の奥側に隣接し該有機材料層よりも高屈折率の上引層を設けた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能である追記型光記録媒体。
- 基板上に、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、該有機材料層よりも高屈折率の上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生が基板側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
- 基板上に、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層、該有機材料層よりも高屈折率の上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生が基板側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
- 基板上に、多重反射効果を最適化するエンハンス層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、該有機材料層よりも高屈折率の上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生が基板側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
- 基板上に、多重反射効果を最適化するエンハンス層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層、該有機材料層よりも高屈折率の上引層、保護層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生が基板側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
- 基板上に、有機材料層よりも高屈折率の上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、カバー層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生がカバー層側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
- 基板上に、有機材料層よりも高屈折率の上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層、カバー層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生がカバー層側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
- 基板上に、有機材料層よりも高屈折率の上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在する有機材料層、多重反射効果を最適化するエンハンス層、カバー層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生がカバー層側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
- 基板上に、有機材料層よりも高屈折率の上引層、記録再生波長に対して吸収スペクトルの最大吸収波長が長波長側に存在し、記録再生波長で屈折率が最小となる有機材料層、多重反射効果を最適化するエンハンス層、カバー層が順次設けられた構造を有し、該上引層は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが２．５以上で且つ複素屈折率の虚部が０．５以上であるか、又は、記録再生波長における複素屈折率の実部ｎが４．０以上であり、記録再生波長が３５０〜５００ｎｍの範囲においてＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗの記録極性が実現可能であり、記録再生がカバー層側から行われることを特徴する追記型光記録媒体。
- 有機材料層よりも高屈折率の上引層が光吸収機能を有し、記録レーザ光を照射した際に、有機材料層の光吸収機能及び／又は該有機材料層よりも高屈折率の上引層の光吸収機能による発熱によって有機材料層中の有機材料が分解し、記録再生波長での屈折率が増加することで記録が行われることを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の追記型光記録媒体。
- 有機材料層よりも高屈折率の上引層が光吸収機能を有し、記録レーザ光を照射した際に、有機材料層の光吸収機能及び／又は該有機材料層よりも高屈折率の上引層の光吸収機能によって、記録再生波長よりも長波長側に存在する有機材料層の吸収帯の吸収係数が減少し、記録再生波長での屈折率が増加することで記録が行われることを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の追記型光記録媒体。
- 記録によって有機材料層よりも高屈折率の上引層が有機材料層側へ変形することを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の追記型光記録媒体。
- 有機材料層よりも高屈折率の上引層が有機材料層よりも高硬度を有する材料からなることを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の追記型光記録媒体。
- 有機材料層よりも高屈折率の上引層がＳｉ又はＧｅを含有することを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の追記型光記録媒体。
- エンハンス層がＳｉＯ２又はＺｎＳ−ＳｉＯ２を主成分とすることを特徴とする請求項５、６、９、１０の何れかに記載の追記型光記録媒体。
- ３５０〜５００ｎｍの記録再生波長に対応する有機材料層及び該有機材料層よりも高屈折率の上引層を有することを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の追記型光記録媒体。
- 記録レーザ光の照射によって、有機材料層中の有機材料を分解させ、記録再生波長での屈折率を増加させることで情報の記録再生を行うことを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の追記型光記録媒体の記録再生方法。
- 記録レーザ光の照射によって、記録再生波長よりも長波長側に存在する有機材料層の吸収帯の吸収係数を減少させ、記録再生波長での屈折率を増加させることで情報の記録再生を行うことを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の追記型光記録媒体の記録再生方法。
- 記録レーザ光の照射によって、有機材料層中の有機材料を分解させて記録再生波長での屈折率を増加させ、かつ該有機材料層よりも高屈折率の上引層を有機材料層側へ変形させることで情報の記録再生を行うことを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の追記型光記録媒体の記録再生方法。
- 記録レーザ光の照射によって、記録再生波長よりも長波長側に存在する有機材料層の吸収帯の吸収係数を減少させて記録再生波長での屈折率を増加させ、かつ該有機材料層よりも高屈折率の上引層を有機材料層側へ変形させることで情報の記録再生を行うことを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の追記型光記録媒体の記録再生方法。
- 記録再生波長を３５０〜５００ｎｍとしたことを特徴とする請求項１８〜２１の何れかに記載の記録再生方法。
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