JP4058001B2 - 高いq値および低い挿入損のfbarを達成するための構造および製作の手順 - Google Patents
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Claims (37)
- 基板上に形成された圧電薄膜共振器であって、
前記圧電薄膜共振器は、
前記基板上に設けられたシード層と、
前記基板に近接し前記シード層に相対した第1表面と、前記基板の表面から遠位に位置する第2表面とを含み、前記シード層の上に堆積された圧電材料の層と、
前記圧電材料の層の前記第1表面と接触している部分を含み、非平面状である第1電極と、
前記圧電材料の層の前記第2表面に接する第2電極と
を備える、圧電薄膜共振器。 - 前記第1電極および前記第2電極が、前記圧電材料の層の前記第1表面および前記第2表面に堆積する、請求項1に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記圧電材料の層が単結晶薄膜である、請求項1に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記圧電材料の層がAlNである、請求項3に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記圧電材料の層がZnOである、請求項3に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記圧電材料の層がc軸配向させられた薄膜である、請求項3に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記圧電材料の層が、
c軸配向した部分と、
c軸配向していない部分と
を備え、
少なくとも前記第1電極の一部分および前記第2電極の一部分が、前記圧電材料の層の前記c軸配向した部分と近接している、請求項1に記載の圧電薄膜共振器。 - 前記第1電極が、
第1平面部分と、
第2平面部分と
を備え、
前記第1平面部分および前記第2平面部分が異なる平面に表面をそれぞれ備える、請求項1に記載の圧電薄膜共振器。 - 基板にデバイスを形成する方法であって、
前記基板上に第1電極の第1部分を堆積させるステップと、
前記基板および前記第1電極の前記第1部分の一部分の上に、前記基板に近接した第1表面と前記基板から離間した第2表面を備える圧電層を堆積させるステップと、
前記圧電層の前記第2表面に第2電極を配置するステップと、
前記圧電層の下部および前記第1電極の前記一部分の下部にある前記基板の一部分を除去するステップと、
前記圧電層の前記第1表面上および前記第1電極の前記第1部分上に前記第1電極の第2部分を堆積させるステップと
を備える、方法。 - 前記圧電層は単結晶圧電薄膜である、請求項9に記載の方法。
- 前記圧電層の前記第1表面の一部分を除去するステップを更に備える、請求項9に記載の方法。
- 前記第1電極の前記第1部分の一部分を除去するステップを更に備える、請求項11に記載の方法。
- 前記第1電極の前記第1部分と前記第1電極の前記第2部分とを電気的に接触させるステップを更に備える、請求項9に記載の方法。
- 基板にデバイスを形成する方法であって、
前記基板上に第1電極の第1部分を配置するステップと、
前記基板上および前記第1電極の前記第1部分の一部分の上に対して、前記基板に近接した第1表面と前記基板から離間した第2表面とを備える圧電層を配置するステップと、
前記圧電層の前記第2表面に第2電極を配置するステップと、
前記圧電層の下部および前記第1電極の前記一部分の下部に存在する前記基板の一部分を除去するステップと、
前記圧電層の前記第1表面上に対して、および前記第1電極の前記第1部分上に対して、前記第1電極の前記第2部分を配置するステップと
を備える、方法。 - 前記基板上にシード層を配置するステップを更に備える、請求項14に記載の方法。
- 前記シード層が非導電性である、請求項15に記載の方法。
- 前記圧電層の前記第1表面の一部分を除去するステップを更に備える、請求項14に記載の方法。
- 前記圧電層の下部および前記第1電極の一部分の下部に存在する前記シード層の一部分を除去するステップを更に備える、請求項15に記載の方法。
- 前記シード層が単結晶シード層である、請求項15に記載の方法。
- 前記シード層が単結晶圧電薄膜を成長させる事が可能である、請求項15に記載の方法。
- 前記シード層が導電性である、請求項15に記載の方法。
- 前記圧電層の前記第1表面の一部分を除去するステップを更に備える、請求項21に記載の方法。
- 基板にデバイスを形成する方法であって、
前記基板上に誘電体層を堆積するステップと、
前記誘電体層上にシード層を堆積するステップと、
前記誘電体層上に第1電極の第1部分を堆積するステップと、
前記誘電体層上および前記第1電極の前記第1部分の一部分の上に対して、前記基板に近接している第1表面と前記基板から離間している第2表面を備える圧電層を堆積するステップと、
前記圧電層の前記第2表面に第2電極を配置するステップと、
前記圧電層の下部および前記第1電極の前記一部分の下部に存在する前記基板の一部分を除去するステップと、
前記圧電層の下部および前記第1電極の前記一部分の下部に存在する前記誘電体層の一部分を除去するステップと、
前記圧電層の下部および前記第1電極の前記一部分の下部に存在する前記シード層の一部分を除去するステップと、
前記圧電層の第1表面上および前記第1電極の前記第1部分上に対して、前記第1電極の第2部分を堆積するステップと
を備える、方法。 - 前記シード層が非導電性である、請求項23に記載の方法。
- 前記圧電層の前記第1表面の一部分を除去するステップを更に備える、請求項24に記載の方法。
- 前記シード層が導電性である、請求項23に記載の方法。
- 前記圧電層の前記第1表面の一部分を除去するステップを更に備える、請求項26に記載の方法。
- 前記第1平面部分は、前記基板上に堆積されて形成され、
前記圧電材料の層は、前記基板および前記第1平面部分の一部分の上に堆積されて形成され、
前記第2平面部分は、前記基板の一部分が除去された後に、前記圧電材料の層の前記第1表面および前記第1平面部分に接触させて形成される、請求項8に記載の圧電薄膜共振器。 - 前記圧電材料の層は、前記基板上に第1層を成長させた後、前記第1層上に前記第1層より配向品質が高い第2層を成長させ、さらに前記第1層の一部分を除去することにより形成され、
前記第2平面部分は、前記第1層の一部分が除去された後に、前記圧電材料の層の前記第1表面および前記第1平面部分に接触させて形成される、請求項8に記載の圧電薄膜共振器。 - 前記圧電層を堆積させるステップは、
前記基板および前記第1電極の前記第1部分の一部分の上に、圧電材料を堆積させて第1層を形成するステップと、
前記第1層の上に、圧電材料を堆積させて前記第1層より配向品質が高い第2層を形成するステップと
を有する、請求項9に記載の方法。 - 前記第2層を形成するステップは、圧電材料をc軸配向で成長させるステップを含む、請求項30に記載の方法。
- 前記基板の一部分が除去された後に、前記第1層の一部分を除去するステップをさらに備え、
前記第1電極の前記第2部分を堆積させるステップは、前記第1層上および前記第1電極の前記第1部分上に、前記第1電極の前記第2部分を堆積させるステップを有する、請求項30に記載の方法。 - 前記圧電層を配置するステップは、前記シード層上に前記圧電層を堆積させるステップを有する、請求項15に記載の方法。
- 前記第1電極は、
前記シード層の上に形成された第1部分と、
前記シード層に設けられたウィンドウにより露出された前記圧電材料の前記第1表面に前記基板の裏側から堆積される、第2部分と
を備える請求項1に記載の圧電薄膜共振器。 - 基板上に第1電極の第1部分を堆積させるステップと、
前記基板および前記第1電極の前記第1部分の一部分の上に、前記基板に近接した第1表面と前記基板から離間した第2表面を備える圧電層を堆積させるステップと、
前記圧電層の前記第2表面に第2電極を配置するステップと、
前記圧電層の下部および前記第1電極の前記一部分の下部にある前記基板の一部分を除去するステップと、
前記圧電層の前記第1表面上および前記第1電極の前記第1部分上に前記第1電極の第2部分を堆積させるステップと
を備える、方法により製造された圧電薄膜共振器。 - 基板上に第1電極の第1部分を配置するステップと、
前記基板上および前記第1電極の前記第1部分の一部分の上に対して、前記基板に近接した第1表面と前記基板から離間した第2表面とを備える圧電層を配置するステップと、
前記圧電層の前記第2表面に第2電極を配置するステップと、
前記圧電層の下部および前記第1電極の前記一部分の下部に存在する前記基板の一部分を除去するステップと、
前記圧電層の前記第1表面上に対して、および前記第1電極の前記第1部分上に対して、前記第1電極の前記第2部分を配置するステップと
を備える、方法により製造された圧電薄膜共振器。 - 基板上に誘電体層を堆積するステップと、
前記誘電体層上にシード層を堆積するステップと、
前記誘電体層上に第1電極の第1部分を堆積するステップと、
前記誘電体層上および前記第1電極の前記第1部分の一部分の上に対して、前記基板に近接している第1表面と前記基板から離間している第2表面を備える圧電層を堆積するステップと、
前記圧電層の前記第2表面に第2電極を配置するステップと、
前記圧電層の下部および前記第1電極の前記一部分の下部に存在する前記基板の一部分を除去するステップと、
前記圧電層の下部および前記第1電極の前記一部分の下部に存在する前記誘電体層の一部分を除去するステップと、
前記圧電層の下部および前記第1電極の前記一部分の下部に存在する前記シード層の一部分を除去するステップと、
前記圧電層の第1表面上および前記第1電極の前記第1部分上に対して、前記第1電極の第2部分を堆積するステップと
を備える、方法により製造された圧電薄膜共振器。
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