JP4035676B2

JP4035676B2 - ジメチルアミンの製造法

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Publication number: JP4035676B2
Application number: JP02583298A
Authority: JP
Inventors: 敏雄日高; 恵美子横瀬
Original assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Current assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date: 1998-02-06
Filing date: 1998-02-06
Publication date: 2008-01-23
Anticipated expiration: 2018-02-06
Also published as: JPH11228507A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はジメチルアミンの製造法に関する。ジメチルアミンはジメチルホルアミドに代表される溶剤、ゴム製品、医薬品や界面活性剤等の原料として重要である。
【０００２】
【従来の技術】
ジメチルアミンを工業的に製造する方法としてはメタノールとアンモニアから製造する方法が代表的であり、通常、シリカ−アルミナ等の非晶質固体酸触媒を用いて４００℃前後の温度で気相反応によって製造されている。良く知られている様に非晶質固体酸触媒を用いた場合には、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミンの三種類の熱力学的な平衡組成混合物が得られる。メチルアミン類の需要は殆どジメチルアミンに偏っているので、ジメチルアミン以外のメチルアミン類は循環して不均化するのが通常である。しかし、上記の様にトリメチルアミンの生成が多ければアンモニアやモノメチルアミン、或いはジメチルアミンとの複雑な共沸混合物の形成によって、プロセス循環量の増大や装置類の大型化に繋がり、エネルギー消費が大きく装置費用が嵩む等の欠点がある。この様な欠点を解決する為にジメチルアミンを選択的に得る試みが種々、検討されている。
【０００３】
近年、ゼオライト触媒を用いる熱力学的な平衡組成を上回るジメチルアミンの製造方法が提案されている。例えば、ゼオライトＡ（特開昭５６−６９８４６号公報）、ＦＵ−１（特開昭５４−４８７０８号公報）、ＺＳＭ−５（ＵＳＰ４０８２８０５号公報）、フェリェライト及びエリオナイト（特開昭５６−１１３７４７号公報）、ＺＫ−５、Ｒｈｏ、シャバサイト及びエリオナイト（特開昭６１−２５４２５６号公報）、モルデナイト（特開昭５６−４６８４６号公報、特開昭５８−４９３４０号公報、特開昭５９−２１００５０号公報、特開昭５９−２２７８４１号公報）等やゼオライトのシリル化（特開平３−２６２５４０号公報）、液相シリル化処理（特開平８−１９３０５７号公報）、或いはキレート剤による修飾をを施したゼオライト（特開平８−２２５４９８号公報）を用いる方法等が挙げられる。しかし、これらの方法でも実用的には不充分であった。
その他、ジメチルアミンを製造する方法としてモノメチルアミンとメタノール、或いはモノメチルアミンの不均化反応による方法が知られているが何れの場合もトリメチルアミンの生成は避けられない。この問題点を改良したジメチルアミンを選択的に得るモノメチルアミンの不均化方法が提案されている。例えば、モルデナイト、フェリエライトやクリノプチロライト等のゼオライト類を用いる方法（特開昭５６−４６８４６号公報）である。しかし、この方法ではジメチルアミンの選択率を高くする事は出来るが、実用的な触媒寿命が望める３００℃前後の温度ではモノメチルアミンの転化率が低く、ジメチルアミンの収率が低い為、実際のプロセスに適用するには難があるものであった。
メタノールとアンモニアからのジメチルアミンの選択的な製造法は技術的、経済的観点から見て非常に意義が大きく、この課題の解決が望まれている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は従来技術の欠点を克服したメタノールとアンモニアからのジメチルアミンの製造法を提供することである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者等はジメチルアミンを選択的に製造する工業的に実施可能な方法を開発する為に鋭意検討を重ねた。その結果、メタノールとアンモニアの反応に於いてトリメチルアミンの生成を抑えて選択的にモノメチルアミンとジメチルアミンを与えるシリカ変性モレキュラーシーブ触媒が、驚くべき事に、モノメチルアミンの不均化反応に於いても高い活性と選択性を示し、従来に比べてジメチルアミンがより有利に製造出来ると言う予期せぬ事実を見いだし、本発明に到達した。
【０００６】
即ち、本発明はメタノールとアンモニアとを主成分とする原料から触媒の存在下モノメチルアミンとジメチルアミンとを含むメチルアミン類を生成する工程１と、工程２で得られたモノメチルアミンを触媒の存在下不均化してジメチルアミンに転化する工程２とを含み、且つ工程１及び工程２の少なくとも一方に触媒としてシリカ変性結晶質シリコアルミノホスフェートモレキュラーシーブを用いる、メタノールとアンモニアからジメチルアミンを製造する方法である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の工程１及び工程２で使用可能な触媒として、有効細孔径が０．３から０．６ｎｍの範囲にあるモレキュラーシーブを挙げることが出来る。例えばＩＵＰＡＣのゼオライトとその類縁化合物の構造コードで言えば、８員環構造のＡＢＷ，ＡＥＩ，ＡＦＸ，ＡＰＣ，ＡＴＮ，ＡＴＴ，ＡＴＶ，ＡＷＷ，ＣＨＡ，ＤＤＲ，ＥＡＢ，ＥＲＩ，ＧＩＳ，ＪＢＷ，ＫＦＩ，ＬＥＶ，ＬＴＡ，ＭＥＲ，ＭＯＮ，ＰＡＵ，ＰＨＩ，ＲＨＯ，ＲＴＥ，ＲＴＨ，ＶＮＩ，９員環構造であるＣＨＩ，ＬＯＶ，ＲＳＮ，ＶＳＶ，１０員環構造のＤＡＣ，ＥＰＩ，ＦＥＲ，ＬＡＵ，ＭＥＬ，ＭＦＩ，ＭＦＳ，ＭＴＴ，ＮＥＳ，ＴＯＮ，ＷＥＩ，１２員環構造のＡＦＳ，ＡＦＹ，ＡＴＯ，ＣＡＮ，ＧＭＥ，ＭＡＺ，ＭＥＩ，ＭＴＷ，ＯＦＦ，ＲＯＮ，ＶＥＴ等が挙げられ、こうした構造に該当する結晶質アルミノシリケートモレキュラーシーブ、及び結晶質シリコアルミノホスフェートモレキュラーシーブが好ましい。
【０００８】
具体的には結晶質アルミノシリケートモレキュラーシーブとして、シャバサイト、モルデナイト、エリオナイト、フェリエライト、エピスティルバイト、クリノプチロライト、ポーリンガイト、フィッリップサイト、レビナイト、ゼオライト−Ａ、ｒｈｏ、ＺＫ−５、ＦＵ−１、及びＺＳＭ−５等が挙げられる。又、結晶質アルミノシリケートは酸強度や活性増加を目的としてイオン交換或いは金属置換等を施しても良く、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｂ、Ｐ、Ｇｅ等の原子を用いるのが相応しい。
【０００９】
本発明に於ける、結晶質シリコアルミノホスフェートモレキュラーシーブとは、結晶質燐酸アルミニウム化合物のＰ、又はＡｌ−Ｐ結合の一部を珪素で同形置換したものを指し、通常、ＳＡＰＯと称される。具体的には、例えば、ＳＡＰＯ−５、１１、１７、１８、３１、３４、３５、３７、４０、４１、４２、４４、４７、或いは５６等が挙げられ、更にはこれ等をＬｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂ、Ｇａ、或いはＧｅ等で同形置換した化合物が挙げられる。この中、ＳＡＰＯ−１１、１７、１８、２６、３１、３３、３４、３５、４２、４３、４４、４７及び５６が特に好ましい。
【００１０】
この様な結晶質モレキュラーシーブはアルミ化合物、シリカ源、必要に応じて燐酸水溶液を加え、鋳型剤としてアミンや第四級アンモニウム化合物等を用いて水熱合成する事で比較的容易に所望のものを得る事が出来る。ジメチルアミン触媒として適当な結晶質モレキュラーシーブを得る上で、特に好ましいのは鋳型剤に用いるアミン、或いは有機アンモニウム塩水溶液を２０℃以下に冷却し、次いでアルミニウムアルコキシドを添加して加水分解し、均一な水酸化アルミニウムのコロイド又は水溶液を得、シリカ、若しくは珪素源、及び必要に応じて燐酸、又は燐源、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂ、Ｇａ、及びＧｅ源を加えた混合物を水熱処理する手順に従う事である。
【００１１】
上記、結晶性アルミノシリケート、及び結晶性シリコアルミノホスフェート類は本発明の工程１及び工程２の触媒として用いる事も出来るが、トリメチルアミンの生成を抑えるには不充分な場合が多い。ジメチルアミンを選択的に得るには触媒修飾が好適であり、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂ、Ｇａ等の III族及びIV族元素による変性が好ましい。中でもシリカ変性を行う事が特に好ましい。シリカ変性法としては、例えば、Ｓｉ源をシリカ変性前の触媒に添加しその表面にケイ素原子を堆積、沈殿又は被覆する処理や、四塩化珪素を用いるＣＶＤによる気相シリル化や有機珪素化合物を用いるシラン処理等がある。シラン処理に用いる有機珪素化合物として、例えば、トリエチルシラン、メチルフェニルシラン、フェニルシラン、ジフェニルシランやトリエチルシラン等のアルキル、若しくはアラルキルシラン類、メチルジクロロシラン、エチルメチルクロロシラン、ジメチルジクロロシランやフェニルメチルクロロシラン等のクロロシラン類、トリメトキシシラン、テトラメトキシシシラン、トリエトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジエトキシメチルシランやアリロキシトリメチルシラン等のアルコキシシラン類、ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノジメチルシランやトリス(Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ)メチルシラン等のシリルアミン類、Ｎ、Ｏ−ビス（トリメチルシリル)アセトアミド、Ｎ−トリメチルシリルアセトアミドやビストリメチルシリルウレア等のシリルアミド類が挙げられる。この中、安価なクロロシラン類やアルコキシシラン類が好ましく、特にアルコキシシラン類が好ましい。
【００１２】
上記、シラン処理剤によるシリカ変性の際、あらかじめ２５０から７５０℃の温度において水蒸気加熱処理を施したり、酸やアミン、又はキレート剤等による浸漬処理や適当な調湿処理等を選択して適宜行うとより効果的である。シラン処理剤による処理条件を一概に規定する事は難しいが、例えば、室温から７００℃の範囲の温度で、４８時間以下の浸漬時間、圧力は０．１以下、或いは３０ＭＰａ以下の気相、液相、或いは超臨界状態において実施する事が出来る。シラン処理を、より効果的なものとする為に例えば、アルコール類、エステル類炭化水素類等の適当な溶剤を用いて、浸漬処理、加熱振盪や超音波分散等を適宜実施するのが好ましい。シラン処理剤の濃度は、通常、１から３０重量パーセントの範囲であれば充分であるが特に制限は無い。シラン処理後、濾別、洗浄、乾燥処理を施した後、好ましくは酸化雰囲気下に、温度４００から７５０℃の範囲、２から２４時間の条件で焼成する事で高い触媒活性とジメチルアミンへの選択性が賦与される。
【００１３】
この様にして得られるシリカ変性結晶質アルミノシリケート類及びシリカ変性結晶質シリコアルミノホスフェート類のうち、本発明の工程１及び工程２で用いる触媒としてはシリカ変性結晶質シリコアルミノホスフェート類が特に好ましい。従って本発明においては工程１及び工程２の少なくとも一方にシリカ変性結晶質シリコアルミノホスフェート類を用いる。工程１及び工程２の両方にシリカ変性結晶質シリコアルミノホスフェート類を用いる態様が最も好ましい。シリカ変性触媒はそのまま、或いは適宜バインダーを加えて成型処理をする等してジメチルアミンの製造に好適に用いる事が出来る。
【００１４】
本発明の実施に用いる装置は主に、工程１の実施に用いる主反応器と工程２の実施に用いる副反応器とからなる。工程１ではメタノールとアンモニアを主成分とする原料から触媒の存在下モノメチルアミンとジメチルアミンとを含むメチルアミン類を生成する。工程１の反応後、モノメチルアミンを含むアンモニア回収、トリメチルアミン回収、脱水、次いでモノメチルアミンとジメチルアミンの回収を行う。回収は通常蒸留により行われる。回収されたアンモニア及びトリメチルアミンは工程１の主反応器に循環される。回収されたモノメチルアミンは工程２の副反応器において不均化反応によりジメチルアミンに転化される。回収されたモノメチルアミンを主反応器に循環し、モノメチルアミンの不均化を行う事も出来るが、回収したモノメチルアミンを効率的にジメチルアミンに転化する為には、不均化反応用の副反応器を設ける事が好ましい。工程１及び工程２で生成されたジメチルアミンは目的物として得られる。工程１及び工程２の反応形態は気相固定床、或いは流動床に於ける流通方式での実施が特に好ましいがこれだけに限るものでは無い。これ等の主、副反応器は必要に応じて単独、或いは複数基を設けて実施しても良い。
【００１５】
工程１に於ける原料はメタノールとアンモニアであり、これにジメチルエーテルやメチルアミン類を含む事もある。工程２に於ける原料はモノメチルアミンであり、これにメタノールとジメチルエーテル、或いは他のメチルアミン類を含む事もある。工程１及び工程２の何れの場合も２００から４００℃の温度範囲で行う事が好ましく、ジメチルアミンの選択率と触媒活性を考慮すると、２５０から３５０℃の範囲が特に好ましい。主反応器、及び副反応器に充填する触媒は同一であっても、異なっても特に問題は無い。触媒は、単一、若しくは複数の層に分けて充填使用する事が好ましく、反応熱の除去、或いは触媒層の温度上昇に伴い生じる副反応の抑制や触媒寿命の低下を避ける上で、複数の触媒充填層を設ける事や原料を分割して複数の触媒層に供給する事が特に好ましい。
【００１６】
工程１及び工程２における反応圧力は、通常、０．１から１０ＭＰａが好ましく、特に０．５から２ＭＰａの範囲が好ましい。工程１及び工程２における原料供給速度（ＧＨＳＶ１／ｈ）は、大きい程生産性の点で好ましいが、あまり大きくすると原料転化率が低下するので好ましくない。本発明では、ＧＨＳＶは通常、毎時１００から１００００である事が好ましい。上記の反応条件によりによって主反応器出口ではトリメチルアミンを殆ど含まず、通常モノメチルアミン含有率２０から４０重量％、ジメチルアミン含有率は６０から８０重量％程度の組成のメチルアミンが得られる。従って、モノメチルアミンをジメチルアミンに効果的に転化可能な工程２を組み合わせる事でジメチルアミンの収率を更に改善することが出来る。
【００１７】
本発明では不均化に工程１と同じ触媒を用いる事が可能であり、しかもモノメチルアミンの凡そ８０％をジメチルアミンに転化可能な為、二段の反応を併せた全収率は最大で約９０％に達する。既存の方法、即ち平衡型触媒を用いた場合の１段当たりの収率は約２５％であり、ゼオライト触媒を用いた場合でも、高々、６０％にしか過ぎない。従って、本発明はこれ等に比べて、非常に有利なジメチルアミンの製造手段を提供する。
本発明に依れば、従来の様にアンモニアやトリメチルアミンを主とするプロセス流体を大量に循環する必要が無くなり、しかも従来の技術に比べ高いジメチルアミン収率が得られる。
【００１８】
【実施例】
次に本発明を、実施例、及び比較例をもって更に詳細に説明する。
以下の実施例、及び比較例に於けるジメチルアミンへの反応は原料タンク、原料供給ポンプ、不活性ガス導入用マスフローコントローラー、反応管（内径13φ、長さ300mm、SUS316L）、試料採取タンク、背圧弁、及びメチルアミン類の分離精製装置等を備えた加圧循環流通反応装置を用いて行った。又、必要に応じメタノールとアンモニアの反応を行う主反応器と並列に配置した副反応器を使用した。生成物は反応が定常状態に達して２から４時間後に試料を約１時間かけて採取しキャピラリーカラムとしてPora PLOT Aminesを用いてＦＩＤ検知方式のガスクロマトグラフで分析し、メチルアミン類の組成分布を求めた。更に、必要に応じてプロセス流体の物質収支を求めた。
【００１９】
触媒調製例１
シリカ変性ＳＡＰＯ−３４：
３５％−水酸化テトラエチルアンモニウム( 151.47g)と純水(84.2g)の混合物を０℃に冷却し、アルミニウムイソプロポキシド(81.7g)を３分かけて添加し、１５分間高速攪拌を行った。次に、シリカゾル（ 12g）を加え、５分間均一になる高速攪拌した。更に、８５％燐酸( 46.1g)を加えて、同様に５分間攪拌し、引き続き擂潰処理を１時間行った。得られた混合物をオートクレーブ中、２００℃で４時間加熱した。生成物を遠心分離、水洗操作を４回繰り返した後、１１０℃で一晩乾燥した。更に空気中、６００℃で４時間焼成し白色の結晶粉末( 40g)を得た。この粉末はＸＲＤ分析の結果、ＳＡＰＯ−３４の回折パターンと一致した。又、結晶化度は高く、粒子が均一であり良く揃ったものであった。
この結晶を水分含有量１０重量％に調整した。次いで、１３％テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）の乾燥トルエン溶液中に１６時間浸漬した。浸漬後、結晶を濾別し、１２０℃で４時間減圧乾燥した。その後、更に空気中、６００℃で３時間焼成を行いシリカ変性ＳＡＰＯ−３４（触媒１）、３７．９ｇを得た。
【００２０】
触媒調製例２
シリカ変性ＣｏＳＡＰＯ−３４：
金属源として、酢酸コバルト（ 2.5g）を添加した以外は、触媒調製例１と同様にしてコバルトを含むＳＡＰＯ−３４を得、更にシラン処理を施してシリカ変性された触媒２を得た。
【００２１】
触媒調製例３
シリカ変性ＴｉＳＡＰＯ−３４：
触媒調製例２に於いてＴｉ源としてＴｉイソプロポキシドを用いた以外は同様にしてＴｉＳＡＰＯ−３４を得、更にシラン処理を施してシリカ変性された触媒３を得た。
【００２２】
触媒調製例４
ＳＡＰＯ−３４にシリカゲルを珪素として５wt％添加した後、乾燥し、更に５０℃で焼成した後、打錠成形して触媒４を得た。
【００２３】
触媒調製例５
モルデナイト（東ソー、HSZ-630HOA、Si/Al2=16）を、７重量％のＴＥＯＳ乾燥エタノール溶液に浸漬し、６０℃で４時間超音波分散処理を施した。次に、遠心離と洗浄を４回行った後、１２０℃で２時間減圧乾燥し、更に空気中、６００℃で３時間焼成し、シリカ変性モルデナイト（触媒５）を得た。
【００２４】
触媒調製例６
公知の文献（特開昭５９−２２７８４１号等）に記載の方法に準じて水蒸気処理したＮａモルデナイト触媒を調製した（触媒６）。
【００２５】
実施例１
（主反応：メタノールとアンモニアの反応）
触媒１を反応管に７．５ｇ（容積 13.5ｍｌ）充填し、原料（メタノール：アンモニア＝１：１）混合物を毎時２０ｇ、空間速度（ＧＨＳＶ： 1/h）１５００で供給し、圧力２ＭＰａ温度３２０℃で反応を行った。反応成績はメタノール転化率が９９．４％、モノ、ジ、及びトリメチルアミンの選択率は其々、３５、６３、２重量％であった。
（不均化：モノメチルアミンの不均化反応）
触媒１を２．８ｇ（容積５ｍｌ）用いて、モノメチルアミンを原料として、空間速度（ＧＨＳＶ： 1/h）５００で供給し、圧力２ＭＰａ、温度３２０℃で反応を行った。反応成績はメタノール転化率が８０％、ジ、及びトリメチルアミンの選択率は、其々、９９、１重量％であった。
【００２６】
実施例２
実施例１に於いて、触媒２を用いた以外は同様にして反応を行った。反応成績は表１に記載した。
【００２７】
実施例３
実施例１に於いて、触媒３を用いた以外は同様に反応を行った。反応成績は表１に記載した。
【００２８】
実施例４
実施例１に於いて、触媒４を用いた以外は同様に反応を行った。反応成績は表１に記載した。
【００２９】
実施例５
主反応器に触媒１を２０ｍｌ、副反応器にも同様に触媒１を４ｍｌ充填して、何れの反応器においても、圧力２ＭＰａ、温度３２０℃に於いて反応を行った。反応工程の概略を図１に示す。主反応器にはメタノールとアンモニア、及び蒸留系より循環されたメチルアミン類を含むアンモニアを空間速度（ＧＨＳＶ： 1/h）１５８０で供給した。蒸留系で分離回収したモノメチルアミンをＳＶ４７０で、副反応器へ供給した。プロセス流体の物質収支を表２に纏めて記載した。この時のジメチルアミンの生成量は毎時９．１ｇであった。
【００３０】
比較例１
触媒調製例１に準じて、シリカ変性を施さないＳＡＰＯ−３４を調製し、これを触媒に用いた以外は実施例１と同様に反応を行った。反応成績は表１に記載した。
【００３１】
比較例２
シリカ変性を施さないＣｏＳＡＰＯ−３４を調製し、これを触媒に用いた以外は実施例１と同様に反応を行った。反応成績は表１に記載した。
【００３２】
比較例３
シリカ変性を施さないＴｉＳＡＰＯ−３４を調製し、これを触媒に用いた以外は実施例１と同様に反応を行った。反応成績は表１に記載した。
【００３３】
比較例４
触媒５を用い、温度３２０℃、圧力２ＭＰａ、空間速度（ＧＨＳＶ： 1/h）９００で主反応を実施した。同様に触媒４を用いて空間速度（ＧＨＳＶ： 1/h）５００で不均化反応を行った。反応成績は表１に記載した。
【００３４】
比較例５
主反応器に触媒６を２０ｍｌ、副反応器にはシリカ−アルミナ触媒（日東化学株式会社製ＮＨ−Ｈ３Ｎ）を４ｍｌ充填して、何れの反応器においても、圧力２ＭＰａ、温度３２０℃に於いて反応を行った。反応工程の概略を図１に示す。主反応器にはメタノールとアンモニア、及び蒸留系より循環されたメチルアミン類を含むアンモニアとを空間速度（ＧＨＳＶ： 1/h）１５５０で供給した。蒸留系で分離回収したモノメチルアミンとトリメチルアミンを、ＳＶ８００で副反応器へ供給した。プロセス流体の物質収支を表２に纏めて記載した。この時のジメチルアミンの生成量は毎時６．０ｇであった。
【００３５】
【表１】

【００３６】
【表２】

表１に例示した様に、本発明に依れば従来の製造法に比べて有利にジメチルアミンを製造可能である事が分かる。更に、表２に記載の実施例１と比較例５を対比すれば、従来のプロセスに比べてジメチルアミンの生産量の増加、及び同一生産量で比較した場合のプロセス循環量の低減に著しい効果がある事が明白である。
【００３７】
【発明の効果】
ジメチルアミンの大きな生産性の向上が可能であり、触媒の選択性や活性が高い為、未反応原料の回収操作が不要であり、蒸留負荷が大きく軽減される等の利点が生じる。その結果、製造工程の簡略化、機器数の低減、機器類の小型化や生産性の向上等が可能である。従って、本発明は工業的に優れ、価格競争力の高いジメチルアミン製造法であり、その意義は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例５及び比較例５で用いた反応工程の概略
【符号の説明】
１；流路（主反応器への原料供給）
２；流路
３；流路（副反応器への原料供給）
４；流路
５；流路（トリメチルアミン）
６；流路（ジメチルアミン）

Claims

メタノールとアンモニアとからジメチルアミンを製造する方法において、該方法がメタノールとアンモニアを主成分とする原料から触媒の存在下モノメチルアミンとジメチルアミンとを含むメチルアミン類を生成する工程１と、工程１で得られたモノメチルアミンを触媒の存在下不均化してジメチルアミンに転化する工程２とを含み、且つ工程１及び工程２の少なくとも一方に触媒としてシリカ変性結晶質シリコアルミノホスフェートモレキュラーシーブを用いることを特徴とするジメチルアミンの製造法。
工程１及び工程２のいずれにおいても触媒としてシリカ変性結晶質シリコアルミノホスフェートモレキュラーシーブを用いる請求項１記載の製造法。
触媒であるシリカ変性結晶質シリコアルミノホスフェートモレキュラーシーブの有効細孔径が０．３から０．６ｎｍの範囲にある請求項１記載の製造法。
触媒であるシリカ変性結晶質シリコアルミノホスフェートモレキュラーシーブがＳＡＰＯ−１１、１７、１８、２６、３１、３３、３４、３５、４２、４３、４４、４７及び５６の中から選択された少なくとも一種類を主な構成成分とするものである請求項２記載の製造法。
シリカ変性結晶質シリコアルミノホスフェートモレキュラーシーブがＨ型、或いはＨ型の一部がＬｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂ、Ｇａ、及びＧｅの中から選択された原子によって置換されたものである請求項１記載の方法。
シリカ変性結晶質シリコアルミノホスフェートモレキュラーシーブが、シリカ変性する前の該表面にケイ素原子を堆積、沈殿又は被覆してシリカ変性されたものである請求項１記載の方法。
シリカ変性結晶質シリコアルミノホスフェートモレキュラーシーブがアルコキシシラン、或いはハロゲン化シランより選ばれる少なくとも１種類を用いてシリカ変性されたものである請求項１記載の方法。