JP4030842B2

JP4030842B2 - 基板の塗布処理装置

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Publication number: JP4030842B2
Application number: JP2002263810A
Authority: JP
Inventors: 利親武井; 義行川淵
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2002-09-10
Filing date: 2002-09-10
Publication date: 2008-01-09
Anticipated expiration: 2022-09-10
Also published as: JP2004103835A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の塗布処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後のウェハに対して現像を行う現像処理等が順次行われ，ウェハに所定の回路パターンを形成する。
【０００３】
上述のレジスト塗布処理は，通常レジスト塗布装置で行われ，レジスト塗布装置は，ウェハ上を往復移動しながら線状のレジスト液を吐出するノズルや，ウェハを保持し，ノズルの往復移動方向と直角方向にウェハを移動できるチャック等を備えている。このレジスト塗布装置では，レジスト液を吐出した状態のノズルがウェハ上において往復移動し，当該ノズルがウェハの端部に到達する度に，チャックによってウェハが前記直角方向に少しずつ移動していく。こうすることによって，最終的にはウェハ全面に満遍なくレジスト液を塗布することができる。
【０００４】
このようにレジスト液を吐出したノズルがウェハに対して往復移動する，いわゆるスキャン方式のレジスト塗布装置には，図１２に示すようにウェハＷの端部上を覆い，ノズル２００から吐出されるレジスト液を受け止めるマスク部材２０１が設けられている。マスク部材２０１は，ウェハＷ上に塗布されるレジスト液の塗布端部を規定し，レジスト液がウェハＷの外方に落下するのを防止している（例えば，特許文献１，特許文献２参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００―７７３２６号公報
【特許文献２】
特開２０００―１４８３３８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで，前記スキャン方式のレジスト塗布装置におけるノズル２００は，移動しながらレジスト液を吐出するので，図１２に示したようにウェハＷの内側から外側に向けてノズル２００が移動した際には，吐出されたレジスト液は，慣性により外側方向の速度成分を有する。この結果，レジスト液は，ノズル２００から吐出された後斜めに落下し，マスク部材２０１の内側，つまりマスク部材２０１の先端部よりもウェハＷの外側にまで塗布される。一方，塗布位置をずらすためにウェハＷが前記直角方向に移動した後，ノズル２００が折り返してウェハの内側に向けて移動した際には，図１３に示すように吐出されたレジスト液は，内側方向の速度成分を有する。したがって，レジスト液は，マスク部材２０１の先端部直下よりウェハの内側から滴下され始める。
【０００７】
この結果，ノズル２００の移動方向によって，レジスト液の塗布端部の位置が異なり，平面から見るとウェハＷの端部には，図１４に示すようにレジスト液の凹凸状の塗布端部Ｄが形成される。そもそも，ウェハＷの端部に塗布されるレジスト液は，後にパーティクル等の原因になるため，後処理において取り除く必要があるが，上述した凹凸状の塗布端部Ｄは，最も内側の塗布端部Ｄの位置を基準に，それより外側にあるレジスト液を取り除くことになる。このため，ウェハＷの端部におけるレジスト液の取り除き幅，いわゆるエッジカット幅が広くなる。これは，レジスト液の塗布範囲を狭め，一枚のウェハから生産される有効チップ数を減少させることになるので，半導体デバイスの生産効率の低下に繋がる。
【０００８】
前記塗布端部の凸凹を最小限に抑えるために，マスク部材をウェハにより近づけて配置することも提案できるが，これは，マスク部材とウェハとの接触，塗布されたレジスト液とマスク部材との接触，レジスト液筋のマスク部材との繋がり等が懸念され，実現性に乏しい。
【０００９】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，ウェハを含む基板の端部における，レジスト液を初めとする塗布液の塗布端部が凹凸形状にならないようにする基板の塗布処理装置を提供することをその目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば，円形の基板に塗布液を塗布する塗布処理装置であって，基板に対して塗布液を吐出しながら，少なくとも基板の一端部上から他端部上までの間を往復移動するノズルと，基板を前記ノズルに対して前記往復移動の方向の直角方向に水平移動させる基板駆動部と，前記ノズルの下方でかつ基板の端部上において，ノズルから吐出される塗布液を受け止めるマスク部材と，前記マスク部材を移動させて基板の端部上の基準位置に位置させるマスク部材駆動機構と，前記マスク部材を前記基板の端部上の基準位置から前記ノズルの往復移動の方向に移動させる駆動部と，を備え，塗布液を吐出しているノズルが基板の内側から基板の端部上の前記マスク部材上に移動するときには，当該マスク部材を，基板の端部上の基準位置から基板の内側方向に所定距離移動させ，塗布液を吐出しているノズルが基板の端部上のマスク部材上から基板の内側に向かって移動するときには，当該マスク部材を，基板の端部上の基準位置から基板の外側方向に所定距離移動させるように，前記駆動部は制御されていることを特徴とする基板の塗布処理装置が提供される。なお，「ノズルが基板の内側から基板の端部上のマスク部材上に移動するとき」，「ノズルが基板の端部上のマスク部材上から基板の内側に向かって移動するとき」には，ノズルの移動開始前及び移動中も含まれる。
【００１１】
この発明によれば，駆動部によってノズルの移動方向と逆の方向にマスク部材を移動させておくことができる。ノズルが基板の外側に向かって移動する場合に，塗布液がマスク部材に受け止められず基板に最後に滴下する位置を，基板の内側に修正することができる。ノズルがマスク部材上から基板の内側に向かって移動する場合に，塗布液が基板に最初に滴下する位置を，基板の外側に修正することができる。したがって，吐出された塗布液がノズルの進行方向の速度成分を有していても，ノズルが基板の外側に移動する場合の塗布液の塗布端部と，ノズルが基板の内側に移動する場合の塗布液の塗布端部とを揃えることができる。つまり，基板の端部において，塗布液の塗布端部が平面から見て凹凸状になることが防止できる。これにより，塗布液を基板のより外側からエッジカットできるので，塗布液のエッジカット幅を狭くすることができる。
【００１２】
前記マスク部材は，前記基板の両端部上に配置され，前記駆動部は，当該各マスク部材毎に備えられていてもよい。また，前記各マスク部材は，当該各マスク部材を保持するそれぞれの保持部材に保持され，前記駆動部は，当該駆動部本体が伸縮自在なものであり，かつ前記マスク部材と前記保持部材との間に介在されていてもよい。かかる場合，駆動部自体の伸縮によってマスク部材の駆動が行われ，マスク部材の駆動を比較的簡単な機構で実現できる。
【００１３】
前記マスク部材は，前記基板の両端部上に配置され，前記マスク部材は，同一の支持体に支持されており，前記駆動部は，前記支持体全体を移動させて，前記マスク部材の移動を行うようにしてもよい。
【００１６】
前記基板の塗布処理装置において，前記駆動部を制御する制御装置を備え，前記制御装置には，前記ノズルの往復移動の移動速度と，前記塗布液の吐出速度と，前記ノズルから吐出された塗布液の水平方向の飛距離との相関データが記憶され，前記制御装置は，前記相関データに基づいて，前記マスク部材が移動する前記所定距離を定め，前記駆動部を制御して前記マスク部材を前記所定距離移動させてもよい。
前記駆動部は，圧電素子であってもよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板の塗布処理装置が搭載された塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００１８】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００１９】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２０】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできるように構成されている。
【００２１】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置は，ウェハＷに施される処理の種類によって任意に変更可能である。
【００２２】
第１の処理装置群G1では，例えば図２に示すように，ウェハＷにレジスト液を塗布してウェハＷ上にレジスト膜を形成するレジスト塗布装置１７と，露光後にウェハＷを現像処理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。処理装置群G2の場合も同様に，本実施の形態にかかる塗布処理装置としてのレジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ねられている。
【００２３】
第３の処理装置群G3では，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷの受け渡しを行うためのエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を蒸発させるためのプリベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置３５が下から順に例えば６段に重ねられている。
【００２４】
第４の処理装置群G4では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，現像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置４６が下から順に例えば７段に積み重ねられている。
【００２５】
インターフェイス部４の中央部には，図１に示すように例えばウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成されている。
【００２６】
次に上述したレジスト塗布装置１９の構成について説明する。図４は，レジスト塗布装置１９の構成の概略を示す横断面の説明図であり，図５は，レジスト塗布装置１９の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【００２７】
レジスト塗布装置１９は，図４及び図５に示すように例えば上面が開口した略箱型形状のケーシング１９ａを有する。図４に示すようにケーシング１９ａのＸ方向正方向（図４の左方向）側の側壁であって，Ｙ方向負方向（図４の下方向）側には，ケーシング１９ａ内にウェハＷを搬入出するための搬送口１９ｂが設けられている。ケーシング１９ａには，ケーシング１９ａの上面の全面を覆う天板６０が設けられている。天板６０の中央部付近には，図４に示すようにＸ方向に長いスリット６１が開口している。このスリット６１上には，ウェハＷに塗布液としてのレジスト液を吐出するノズル６２が吐出口を下に向けた状態で配置されている。
【００２８】
ノズル６２は，例えば図５に示すようにＸ方向に沿って設けられた駆動ベルト６３に取り付けられている。駆動ベルト６３は，例えばケーシング１９ａのＸ方向の両側壁にそれぞれ設けられた駆動プーリ６４と従動プーリ６５間に掛けられている。駆動プーリ６４は，駆動源６６によって正転・反転される。かかる構成から，駆動プーリ６４が回転され，駆動ベルト６３が移動し，ノズル６２がスリット６１に沿って往復移動する。また，ノズル６２は，レジスト液の供給源（図示せず）に連通しており，この供給源の薬液ポンプ（図示せず）によって所定の速度でレジスト液を吐出することができる。したがって，ノズル６２は，後述するＸ−Ｙステージ７１によってスリット６１の下方を通過するウェハＷに対し，往復移動しながらレジスト液を吐出することができる。なお，ノズル６２の往復移動の移動速度，薬液ポンプにおける吐出速度は，プロセスレシピに従って後述する制御装置９２に設定される。
【００２９】
天板６０の下方には，図５に示すようにウェハＷを保持するチャック７０が設けられている。チャック７０の上面は，水平に形成されており，当該上面には，例えばウェハＷを吸着するための図示しない吸引口が設けられている。これにより，チャック７０は，ウェハＷを水平に吸着保持することができる。なお，ウェハＷ上に塗布されたレジスト液中の溶剤が急激に揮発しないように，チャック７０に保持されたウェハＷと天板６０との隙間が狭くなるように，チャックの７０の高さが設定されている。チャック７０には，ウェハＷを上下動するための昇降機構（図示しない）や，ウェハＷの位置合わせを行うための回転機構（図示しない）が設けられている。
【００３０】
チャック７０は，Ｘ―Ｙステージ７１上に取り付けられており，Ｘ，Ｙ方向に移動可能である。例えばＸ―Ｙステージ７１のＸ方向の第１レール７２は，図５に示すように搬送口１９ｂに対応する位置に敷設けられており，チャック７０が第１レール７２上を搬送口１９ｂまで移動することによって，主搬送装置１３とチャック７０との間でウェハＷの受け渡しを行うことができる。Ｘ―Ｙステージ７１のＹ方向の第２レール７３は，例えばケーシング１９ａの中心付近を通るように敷設されている。第２レール７３は，ケーシング１９ａのＹ方向の両側壁付近にまで敷設されている。これにより，チャック７０は，ケーシング１９ａ内における第１レール７２のあるＹ方向負方向側から，天板６０のスリット６１の下方を通過し，Ｙ方向正方向側まで移動することができる。なお，Ｘ−Ｙステージ７１は，ステージ駆動部７４により駆動する。
【００３１】
図４に示すように，例えば天板６０上であって，平面から見てスリット６１上のノズル６２の両側には，ノズル６２から吐出されたレジスト液を受け止めることのできる一対のマスク部材８０，８１が配置されている。マスク部材８０は，スリット６１のＸ方向正方向側に，マスク部材８１は，スリット６１のＸ方向負方向側に配置されている。マスク部材８０，８１は，図５に示すようにチャック７０上のウェハＷとノズル６２との間の高さに配置されている。マスク部材８０，８１は，例えば図４及び図６に示すようにＸ方向に長い平板形状を有している。マスク部材８０，８１には，表面で受け止めたレジスト液を排出するための図示しないドレイン管が接続されている。
【００３２】
例えばマスク部材８０，８１は，それぞれ保持部材としてのマスク保持アーム８２，８３に保持されている。マスク保持アーム８２，８３は，例えば天板６０上に設けられた支持体としてのマスク駆動機構８４に取り付けられている。このマスク駆動機構８４は，各マスク保持アーム８２，８３を同軸上でＸ方向に移動させ，マスク部材８０，８１間の距離の調節を図るものである。マスク駆動機構８４は，例えば図４に示すように各マスク保持アーム８２，８３がそれぞれ取り付けられたボールねじ８５，８６と，このボールねじ８５，８６を回転駆動できる回転駆動部８７を有している。回転駆動部８７は，例えば歯車機構によってボールねじ８５，８６を逆方向に等速度で回転できる。したがって，回転駆動部８７によって，ボールねじ８５，８６を回転させると，マスク保持アーム８２，８３が互いに逆方向に移動し，マスク部材８０，８１間の距離が変動する。かかる構成から，スリット６１の下を通過するウェハＷの外形に合わせて，マスク部材８０，８１間の距離を調節し，マスク部材８０，８１をウェハＷの端部上の基準位置に位置させることができる。ウェハＷの端部上に位置させたマスク部材８０，８１によって，ノズル６２から吐出されたレジスト液が遮断され，ウェハＷ上のレジスト液の塗布端部が規定される。
【００３３】
ところで，各マスク部材８０，８１には，前記マスク駆動機構８４とは別に，このマスク部材８０，８１をＸ方向に進退させる駆動部，例えば圧電素子９０，９１が設けられている。圧電素子９０，９１は，印可される電圧の変動によって伸縮する。圧電素子９０，９１は，例えば図６に示すように各マスク部材８０，８１とマスク保持アーム８２，８３との間に介在されている。圧電素子９０，９１の動作は，例えば圧電素子９０，９１に印可する電圧を変えることのできる制御装置９２（図５に示す）によって制御されている。つまり，制御装置９２は，ウェハＷの端部上に配置された各マスク部材８０，８１を所定のタイミングでＸ方向に進退させて，マスク部材８０，８１を基準位置からウェハＷの内側又は外側に移動させることができる。なお，制御装置９２は，例えばノズル６２の駆動源６６，Ｘ−Ｙステージ７１のステージ駆動部７４，マスク駆動機構８４の回転駆動部８７の動作の制御も行っている。
【００３４】
次に，以上のように構成されているレジスト塗布装置１９の作用について詳しく説明する。アドヒージョン装置３１においてHMDSが塗布され，クーリング装置３０において冷却されたウェハＷは，主搬送装置１３によってレジスト塗布装置１９内に搬送される。搬送口１９ｂからケーシング１９ａ内に搬入されたウェハＷは，チャック７０に保持され，図４に示すように第１レール７２上を，ケーシング１９ａの中心部まで移動される。
【００３５】
続いて，チャック７０がＹ方向正方向に移動し，ウェハＷのＹ方向正方向側の端部がノズル６２の下方に位置される。このとき，各マスク部材８０，８１は，ウェハＷの端部から例えば１．５ｍｍ部分の外周を非塗布領域としてカバーするようにウェハＷの両端部上に配置される。そして，ノズル６２からレジスト液が吐出され始め，それと同時にノズル６２のＸ方向への往復移動が開始される。この往復移動の往路及び復路の移動距離は，例えばウェハＷの直径より長く設定されている。
【００３６】
ノズル６２が図７に示すようにウェハＷ上を移動し，やがてウェハＷ外方の折り返し位置まで到達すると，ノズル６２は一旦停止し，その間にウェハＷがＹ方向正方向側に僅かにずらされる。そして，ノズル６２は折り返し，先程と逆の方向に移動する。ノズル６２は，ウェハＷ上を通過し，逆側の折り返し位置に到達すると，ノズル６２は停止し，ウェハＷがまたＹ方向正方向側に僅かにずらされる。これを繰り返すことによって，ウェハＷにレジスト液が走査線状に塗られていき，最終的にはウェハＷの全面にレジスト液が塗布される。また，マスク部材８０とマスク部材８１との間の距離は，ウェハＷがＹ方向正方向にずらされる度に調整され，図７に示したように各マスク部材８０，８１が常にウェハＷの端部上にあるように制御される。つまり，ウェハＷがＹ方向正方向側に移動し，スリット６１直下のウェハＷのＸ方向の長さが長くなるにつれて，マスク部材８０，８１の間隔が広げられ，その後スリット６１直下のウェハＷのＸ方向の長さが短くなるにつれて，マスク部材８０，８１の間隔が狭められる。このマスク部材８０，８１により，ノズル６２がウェハＷの一端の外方から他端の外方までの間を往復移動しても，ウェハＷの外部にレジスト液が落下することを防止できる。
【００３７】
ここで，マスク部材８０，８１のウェハＷの端部上におけるより細かい進退動作について説明する。図８に示すように，ノズル６２が，例えばＸ方向正方向側に移動している際には，Ｘ方向正方向側のマスク部材８０が，圧電素子９０によって，基準位置ＳよりもＸ方向負方向側に所定距離Ｅ移動される。ここで，基準位置Ｓは，例えば上述したマスク駆動機構８４によってマスク部材８０，８１間の距離が調整されたときのマスク部材８０，８１の位置であり，例えばマスク部材８０，８１の先端部がレジスト液の塗布端部上になる位置である。所定距離Ｅは，マスク部材８０の先端部付近を通過するＸ方向正方向の速度成分を有するレジスト液が最終的に基準位置Ｓに落下するように定められている。具体的には，例えば制御装置９２に，ノズル６２の往復移動の移動速度，薬液ポンプ（図示せず）の吐出速度及びレジスト液の飛距離の相関データを予め記憶させておき，この相関データと，プロセスレシピに従って設定したノズル６２の移動速度，薬液ポンプの吐出速度に基づいて，所定距離Ｅが定められる。この結果，レジスト液がウェハＷの基準位置Ｓまで塗られ，それより外側は，マスク部材８０によって遮断されるので，レジスト液の塗布端部が基準位置Ｓに合わせられる。
【００３８】
その後，ノズル６２がＸ方向正方向側の折り返し位置で停止し，ウェハＷがＹ方向正方向側にずらされたときに，圧電素子９０が短縮し，図９に示すようにマスク部材８０が基準位置ＳよりもＸ方向正方向側に所定距離Ｅ移動される。このとき，Ｘ方向負方向側のマスク部材８１は，圧電素子９１によって基準位置ＳよりもＸ方向正方向側に所定距離Ｅに移動される。このとき制御は，例えば制御装置９２がノズル６２の停止信号を受けて，制御装置９２がその停止信号をトリガとしてウェハＷのＹ方向への移動信号とマスク部材８０，８１のＸ方向への移動信号を発することによって行われる。
【００３９】
そして，マスク部材８０上のノズル６２がレジスト液を吐出しながら，先ほどのＸ方向正方向側へ移動と同じ所定速度でＸ方向負方向側に移動すると，レジスト液がマスク部材８０の途切れた位置から進行方向に斜めに落下し，基準位置Ｓに滴下される。こうしてウェハＷ上のレジスト液の塗布は，基準位置Ｓから開始される。
【００４０】
その後，ノズル６２がウェハＷのＸ方向負方向側に到達すると，予めＸ方向正方向側に移動していたマスク部材８１によってレジスト液が基準位置Ｓまで塗布される。ノズル６２がＸ方向負方向側の折り返し位置で停止し，ウェハＷがＹ方向正方向側ずらされた時に，図８に示すようにマスク部材８１は，圧電素子９１によって基準位置ＳよりもＸ方向負方向側に所定距離Ｅ移動される。このときマスク部材８０も上述したように基準位置ＳよりもＸ方向負方向側に所定距離Ｅずらされる。
【００４１】
このように，ノズル６２がレジスト液を吐出しながらウェハＷの内側から外側に向けて移動し，ウェハＷの端部上を通過する際には，その端部上のマスク部材８０，８１がウェハＷの内側に所定距離Ｅ移動される。ノズル６２がウェハＷの外側から内側に向けて移動し，ウェハＷの端部上を通過する際には，その端部上のマスク部材８０，８１は，ウェハＷの外側に所定距離Ｅ移動される。こうすることによって，移動中のノズル６２から吐出され，水平方向に速度成分を有したレジスト液であっても，所望の位置に滴下され，レジスト液の塗布端部が揃えられる。つまり，ウェハＷの端部に，従来のようにレジスト液の凹凸状の塗布端部が形成されることがなくなる。
【００４２】
また，マスク部材８０，８１の移動を，ウェハＷのＹ方向への移動と同時期に行うことによって，例えばノズル６２の折り返し位置の停止をトリガにして，マスク部材８０，８１とウェハＷの両方の移動を行うことができる。したがって，制御装置９２は，その移動の制御信号を同じトリガによって発することができ，レジスト塗布処理の制御が簡略化できる。
【００４３】
以上の実施の形態では，マスク部材８０，８１を進退させる駆動部に，圧電素子９０，９１を用いたが，圧電素子に代えてサーボモータや空圧式駆動部などの他の駆動部を用いてもよい。また，圧電素子９０，９１等の駆動部の取付位置は，任意に選択できる。例えば図１０に示すようにマスク保持アーム１００の外側であってもよい。この場合，例えばマスク部材１０１がマスク保持アーム１００上に載置されてもよい。こうすることによって，マスク部材１０１の先端部が自重によって撓むことが抑制できる。なお，前記実施の形態における所定距離Ｅは，上述したようにウェハＷの端部上通過するノズル６２の速度，レジスト液の吐出速度，ウェハＷとノズル６２との距離に左右されるので，ウェハＷの外側にノズル６２が移動している際のマスク部材の移動距離と，ウェハＷの内側にノズル６２が移動している際のマスク部材の移動距離が異なっていてもよい。
【００４４】
上記実施の形態では，マスク部材８０，８１を進退させるための駆動部が，各マスク部材毎に取り付けられていたが，図１１に示すようにマスク部材８０，８１の両方が支持されているマスク駆動機構８４に取り付けてもよい。かかる場合，例えばマスク駆動機構８４には，Ｘ方向に沿った直動ガイド１１０と，マスク駆動機構８４全体をＸ方向に進退させる例えば圧電素子１１１が取り付けられる。そして，例えばノズル６２がＸ方向正方向側の折り返し位置で停止し，ウェハＷがＹ方向にずらされたときに，マスク移動機構８４全体がＸ方向正方向側に所定距離Ｅ移動される。ノズル６２がＸ方向負方向側の折り返し位置で停止し，ウェハＷがＹ方向にずらされたときに，マスク移動機構８４全体がＸ方向負方向側に所定距離Ｅ移動される。こうすることにより，上記実施の形態と同様に，レジスト液の塗布端部を，ノズル６２がウェハＷの外側から内側に移動する場合と，内側から外側に移動する場合で揃えることができる。
【００４５】
上記実施の形態では，マスク部材８０，８１側がウェハＷに対してＸ方向に進退していたが，例えばチャック７０などの駆動部によってウェハＷ側がマスク部材８０，８１に対してＸ方向に進退してもよい。
【００４６】
以上の実施の形態は，本発明をウェハＷにレジスト液を塗布する塗布処理装置について適用したものであったが，本発明は，他の塗布液，例えばＳＯＤ，ＳＯＧ膜等を形成する処理液や現像液を塗布する塗布処理装置にも適用できる。また，以上で説明した実施の形態は，半導体デバイスの製造プロセスのフォトリソグラフィー工程における塗布処理装置について適用したものであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板，フォトマスク用のマスクレチクル基板の塗布処理装置においても適用できる。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば，塗布液の塗布端部の位置が揃えられるので，エッジカット幅を狭くし，例えば半導体デバイスの生産効率を向上できる。また，シンナーなどの塗布液の溶剤により基板周縁を所定幅でカットする，いわゆるサイドリンス処理が不要になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態にかかるレジスト塗布装置を搭載した塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】レジスト塗布装置の構成の概略を示す平面図である。
【図５】レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図６】マスク部材の構成を示すための斜視図である。
【図７】ノズルを吐出している状態を示す斜視図である。
【図８】ノズルがＸ方向正方向側に移動している様子を示す説明図である。
【図９】ノズルがＸ方向負方向側に移動している様子を示す説明図である。
【図１０】マスク部材の他の構成を示すための斜視図である。
【図１１】マスク駆動機構の他の構成例を示す斜視図である。
【図１２】従来のレジスト塗布装置のレジスト液の塗布時の様子を示す説明図である。
【図１３】従来のレジスト塗布装置のレジスト液の塗布時の様子を示す説明図である。
【図１４】従来のレジスト塗布装置で塗布されたレジスト液のウェハ上の塗布端部を示す説明図である。
【符号の説明】
１塗布現像処理システム
１９レジスト塗布装置
６２ノズル
８０，８１マスク部材
８２，８３マスク保持アーム
９０，９１圧電素子
Ｗウェハ

Claims

円形の基板に塗布液を塗布する塗布処理装置であって，
基板に対して塗布液を吐出しながら，少なくとも基板の一端部上から他端部上までの間を往復移動するノズルと，
基板を前記ノズルに対して前記往復移動の方向の直角方向に水平移動させる基板駆動部と，
前記ノズルの下方でかつ基板の端部上において，ノズルから吐出される塗布液を受け止めるマスク部材と，
前記マスク部材を移動させて基板の端部上の基準位置に位置させるマスク部材駆動機構と，
前記マスク部材を前記基板の端部上の基準位置から前記ノズルの往復移動の方向に移動させる駆動部と，を備え，
塗布液を吐出しているノズルが基板の内側から基板の端部上の前記マスク部材上に移動するときには，当該マスク部材を，基板の端部上の基準位置から基板の内側方向に所定距離移動させ，塗布液を吐出しているノズルが基板の端部上のマスク部材上から基板の内側に向かって移動するときには，当該マスク部材を，基板の端部上の基準位置から基板の外側方向に所定距離移動させるように，前記駆動部は制御されていることを特徴とする，基板の塗布処理装置。
前記マスク部材は，前記基板の両端部上に配置され，
前記駆動部は，当該各マスク部材毎に備えられていることを特徴とする，請求項１に記載の基板の塗布処理装置。
前記各マスク部材は，当該各マスク部材を保持するそれぞれの保持部材に保持され，
前記駆動部は，当該駆動部本体が伸縮自在なものであり，かつ前記マスク部材と前記保持部材との間に介在されていることを特徴とする，請求項２に記載の基板の塗布処理装置。
前記マスク部材は，前記基板の両端部上に配置され，
前記マスク部材は，同一の支持体に支持されており，
前記駆動部は，前記支持体全体を移動させて，前記マスク部材の移動を行うことができることを特徴とする，請求項１に記載の基板の塗布処理装置。
前記駆動部を制御する制御装置を備え，
前記制御装置には，前記ノズルの往復移動の移動速度と，前記塗布液の吐出速度と，前記ノズルから吐出された塗布液の水平方向の飛距離との相関データが記憶され，
前記制御装置は，前記相関データに基づいて，前記マスク部材が移動する前記所定距離を定め，前記駆動部を制御して前記マスク部材を前記所定距離移動させることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の基板の塗布処理装置。
前記駆動部は，圧電素子であることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の基板の塗布処理装置。