JP4029187B2 - 基板加熱処理室の清掃方法及び基板加熱処理室 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、清掃作業を容易にする為に、基板加熱処理室の上部と側壁の一部とを開放すると共に、発熱体を昇降可能にして狭い場所にも容易に手が届くようにして、短期間に基板加熱処理室を完全清掃することを目的とした基板加熱処理室の清掃方法及び清掃が容易な基板加熱処理室に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来基板加熱処理室は、図４のように真空容器２０の上部に蓋２１を被冠し、前記真空容器２０の内側下部に発熱体２２を設置して構成されていたので、清掃の際には、前記蓋２１を取外し、上部方向から手拭で内側を清掃していた。
【０００３】
【発明により解決すべき課題】
近来半導体製造の分野において素子の集積化と微細化はますます進んでいる。このような素子の微細化は、より粒径が小さく、数量が少ないパーティクルの低減技術を要求する。即ち微細配線パターン上に付着するパーティクルによる配線パターンの断線を予防する為である。
【０００４】
そこで必然的に基板加熱処理室内の清掃についてもパーティクルの発塵源因の除去と完全な清掃が要求される。前記図４のような従来の基板加熱処理室の構成では、蓋を開けて上部から拭き掃除する外はないので、発熱体と熱処理室の底との間隙及び各内側隅部の清掃が不十分になる問題点があった。
【０００５】
特に発熱体と熱処理室の底面との間隙は手拭きが不十分になり易く、十分な清掃を行うには作業時間が長くなり、装置全体の停止時間が長くなる問題点があった。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】
然るにこの発明は、基板加熱処理室の上側壁を大面積に亘って開放すると共に、基板を載置する発熱体を昇降可能とし、前記発熱体と、処理室底との間隙部を広くすることにより、該部を短時間で、かつ隅々まで完全清掃できる（手が届くようにする）ようにして、前記従来の問題点を解決したのである。
【０００７】
即ち方法の発明は、基板加熱処理室の上側壁及び側壁を大面積に亘って開放すると共に、基板を載置する発熱体を必要高さまで上昇させて、前記処理室内を清掃する基板加熱処理室の清掃方法であって、基板加熱処理室は、上側壁およびこれに直角な側壁を下側壁方向に向けて対角的に斜切して上側壁方向と側壁方向とを同時に開放することとしたものである。
【０００８】
前記のように、基板加熱処理室の上側壁およびこれに直角な側壁を、上側壁から下側壁に向けて、対角的に斜切することによって、基板加熱処理室の上側壁を大面積に亘って、すなわち上側壁方向と側壁方向とを同時に、開放する事ができる。こうして、基板加熱処理室の上側壁を大面積に亘って開放するとともに、基板を載置する発熱体を必要高さまで上昇させることによって、基板加熱処理室の隅々まで手が届くので、簡単に、かつ短時間で完全に清掃する事ができ、更に発熱体の下面と基板加熱処理室底面との間の間隔を広げて簡単に清掃する事もできる。また、基板加熱処理室の上側壁方向と側壁方向とを同時に開放して清掃するので、パーティクル発塵源を、開放されている側壁方向へ完全に除去することができる。
【０００９】
また他の発明は、基板加熱処理室の上側壁に直角な前後側壁を、上側壁における左右側壁のどちらか一方の側壁に近い側を支軸として、上側壁及び左右側壁の前記支軸が配備されている側の側壁に対向する側の他方の側壁を、当該支軸を中心にして基板加熱処理室の前記上側壁及び他方の側壁で閉鎖されている部分を開放可能に、前記支軸が配備されている位置から前記他方の側壁の下側壁方向の隅部に向けて斜めに破切し、前記処理室の発熱体に昇降手段を付設すると共に、該昇降手段と処理室内とを気密に連結したことを特徴とする基板加熱処理室である。
また、 基板加熱処理室の上側壁に直角な前後側壁を、左右側壁におけるどちらか一方の側壁の下側壁に近い側を支軸として、上側壁及び左右側壁における前記支軸が配備されている側壁を、当該支軸を中心にして基板加熱処理室の前記上側壁及び前記支軸が配備されている側壁で閉鎖されている部分を開放可能に、前記支軸が配備されている位置から前記上側壁における左右側壁の前記一方の側壁に対向する他方の側壁に近い側に向けて斜めに破切し、前記処理室の発熱体に昇降手段を付設すると共に、該昇降手段と処理室内とを気密に連結したことを特徴とする基板加熱処理室である。
更に、基板加熱処理室の上側壁から下側壁に亘って側壁を対角的に斜切して開放可能に構成し、前記処理室の発熱体に昇降手段を付設すると共に、該昇降手段と処理室内とを気密に連結したことを特徴とする基板加熱処理室である。ここで、昇降手段と処理室内との気密な連結部はベローズによって気密に被覆する事によって図ったものである。
【００１０】
前記のように基板加熱処理室を構成することによって、上側壁から下側壁に亘って斜めに基板加熱処理室を大きな面積で開放することができ、また、発熱体の下面と基板加熱処理室底面との間の間隔を簡単に広げることができる。これによって、基板加熱処理室の清掃の際に人の手が入るスペースを大きく確保でき、上部と側面とから清掃作業を行う事ができ、清掃が容易な基板加熱処理室を提供できる。更に、発熱体に付設されている昇降手段は、気密に被覆されているので基板加熱処理室の真空状態の維持、基板加熱処理室と前記昇降手段の連結部からのパーティクル発塵源の混入を未然に防止できる。
【００１１】
前記方法の発明においては、基板加熱処理室の上部開放について、その具体的構成について制約がなく、要は前記処理室内の隅々まで目が届き、かつ十分な手拭きができるようにすることである。また拭き掃除に際して、隅角部まで確実にごみを拭き取るには、隅角部を皆無にするか（円弧状にする）、必要最少限にすることが望ましい。
【００１２】
前記発熱体の昇降については、基板の加熱処理時に、気密を要する為に、可動部分はベローズによって気密を保持し、昇降動力は外部で付与するようにしたが、気密性を確保し、かつパーティクルの発塵源にならない装置ならば、前記ベローズ方式と同等に採用することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
この発明は基板加熱処理室の上側壁及び側壁を可及的に広面積で開放すると共に、発熱体を昇降可能にして、前記処理室の内側の清掃が容易、かつ短時間にできるようにしたものである。
【００１４】
また基板加熱処理室の上側壁から下側壁に亘って側壁を対角的に斜切して上蓋を開閉可能に構成し、前記加熱処理室内に設置した発熱体に昇降手段を付与することによって、前記処理室を上側壁方向及び側壁方向に渡って広い面積で開放できるようにすると共に、前記処理室底と発熱体の下面との間隙を広くできるようにして容易に清掃できるようにした基板加熱処理室である。
【００１５】
【実施例】
この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１において、真空容器１の内側下部に発熱体３を支杆４に支持して設置し、該支杆４の下部に、第一の上下支持ブロック５の基端を固定し、第一の上下支持ブロック５の先端部に第二の上下支持ブロック６を前記支杆４と平行に固定し （図３）、前記第二の上下支持ブロック６は、前記真空容器１の底壁１ａの下面へ、前記支杆４と平行に固定したガイド付上下機構７に昇降自在に嵌装し、前記第二の上下支持ブロック６にボールネジ８を螺合し、ボールネジ８の下端にハンドル９を固定して昇降手段を構成してある。前記ガイド付上下機構７の一側壁には、前記第一の上下支持ブロック５のガイド溝１０が縦設されている。
【００１７】
前記発熱体３の支杆４と、真空容器１の底壁１ａとの間隙１１は、筒状のベローズ１２によって気密に被覆されている。従って前記支杆４の上昇時（図２）にはベローズ１２が収縮し、下降時（図１）にはベローズ１２が伸長するので、ベローズ１２の上下端が気密に固着してあれば、真空容器１の気密は保持される。前記真空容器１の上蓋２は、上部一側部を支軸Ａとし、下部他側隅Ｂまで前後側壁が対角的に斜切されている。なお、下部他側隅Ｂを支軸とし、上部一側部のＡで示される部分まで前後側壁を対角的に斜切する構成とすることもできる。
【００１８】
前記実施例において、真空容器１内を清掃するには、支軸Ａを中心として、上蓋２を矢示１３のように開くと共に、ハンドル９を操作し、ボールネジ８を回転し、第二の上下支持ブロック６を矢示１４のように上昇させると、支杆４を介して発熱体３が矢示１５の方向へ所望の位置まで上昇する。こうすると、図２図示のように、基板処理室（真空容器１）は、上方向及び側壁（図２中、左側）方向へ大きく開放されているので、隅々まで十分に掃除できる。また、側壁（図２中、左側）方向へ大きく開放されているので、パーティクル発塵源を側壁（図２中、左側）方向へ完全に除去できる。更に、発熱体３が持ち上げられて発熱体３の下側面と底壁１ａとの間隙部が広げられているので、この部分へも、手を入れるスペースを十分に確保する事ができ、直視しつつ手を入れて念入りに清掃することができる。
【００１９】
前記清掃終了後は、蓋２を矢示１６のように支軸Ａを中心にして回転させ、旧位置に復帰密閉させると共に、ハンドル９を操作してボールネジ８を前記と逆に回転し、第二の上下支持ブロック６を矢示１７のように下降させると、支杆４を介し発熱体３も矢示１８のように旧位置へ復帰される。
【００２０】
なお、図２中、Ｂの位置を支軸として上蓋２を矢示１３ａ、１６ａのように、回転させて真空容器１の開閉を行うことも可能である。
【００２１】
パーティクル発塵源の側壁（図２中、左側）方向への完全な除去を図るため、下側壁方向における斜めの破切位置は、図１、図２図示のように、下側壁方向の隅部に設ける事が好ましい。一方、上側壁方向における斜めの破切位置は、下側壁方向に向けて対角線的に破切した際に、大きな面積に渡って真空容器１を開放できる位置であれば、特にその位置に限定はない。ただし、大きな開放面積を確保するためには、下側壁方向の隅部Ｂと対向する隅部に近い位置にすることが好ましい。
【００２２】
以上説明してきた基板処理室の掃除方法と、基板処理室は、基板加熱処理室以外の基板処理室にも応用可能である。
【００２３】
【発明の効果】
この発明は、基板加熱処理室の上側部を可及的に大きく開放するので、処理室内の清掃時に各部を隅々まで目視し、拭き掃除を完全に行うことができる。また発熱体を上昇させることができるので、最も清掃のむつかしい発熱体の裏面、発熱体裏面と処理室底面との間等も完全に清掃できる効果がある。
【００２４】
従って清掃に要する時間も短縮化できるので、装置全体のの停止時間を短縮し、稼動効率を向上し得る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例の概念図。
【図２】同じく蓋を開放し発熱体を上昇させた状態の概念図。
【図３】同じく発熱体の昇降手段の実施例の一部を断面した拡大図。
【図４】従来の基板加熱処理室の概念図。
【符号の説明】
１ 真空容器
２ 蓋
３ 発熱体
４ 支杆
５ 第一の上下支持ブロック
６ 第二の上下支持ブロック
７ ガイド付上下機構
８ ボールネジ
９ ハンドル
１０ ガイド溝
１１ 間隙
１２ ベローズ
【発明の属する技術分野】
この発明は、清掃作業を容易にする為に、基板加熱処理室の上部と側壁の一部とを開放すると共に、発熱体を昇降可能にして狭い場所にも容易に手が届くようにして、短期間に基板加熱処理室を完全清掃することを目的とした基板加熱処理室の清掃方法及び清掃が容易な基板加熱処理室に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来基板加熱処理室は、図４のように真空容器２０の上部に蓋２１を被冠し、前記真空容器２０の内側下部に発熱体２２を設置して構成されていたので、清掃の際には、前記蓋２１を取外し、上部方向から手拭で内側を清掃していた。
【０００３】
【発明により解決すべき課題】
近来半導体製造の分野において素子の集積化と微細化はますます進んでいる。このような素子の微細化は、より粒径が小さく、数量が少ないパーティクルの低減技術を要求する。即ち微細配線パターン上に付着するパーティクルによる配線パターンの断線を予防する為である。
【０００４】
そこで必然的に基板加熱処理室内の清掃についてもパーティクルの発塵源因の除去と完全な清掃が要求される。前記図４のような従来の基板加熱処理室の構成では、蓋を開けて上部から拭き掃除する外はないので、発熱体と熱処理室の底との間隙及び各内側隅部の清掃が不十分になる問題点があった。
【０００５】
特に発熱体と熱処理室の底面との間隙は手拭きが不十分になり易く、十分な清掃を行うには作業時間が長くなり、装置全体の停止時間が長くなる問題点があった。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】
然るにこの発明は、基板加熱処理室の上側壁を大面積に亘って開放すると共に、基板を載置する発熱体を昇降可能とし、前記発熱体と、処理室底との間隙部を広くすることにより、該部を短時間で、かつ隅々まで完全清掃できる（手が届くようにする）ようにして、前記従来の問題点を解決したのである。
【０００７】
即ち方法の発明は、基板加熱処理室の上側壁及び側壁を大面積に亘って開放すると共に、基板を載置する発熱体を必要高さまで上昇させて、前記処理室内を清掃する基板加熱処理室の清掃方法であって、基板加熱処理室は、上側壁およびこれに直角な側壁を下側壁方向に向けて対角的に斜切して上側壁方向と側壁方向とを同時に開放することとしたものである。
【０００８】
前記のように、基板加熱処理室の上側壁およびこれに直角な側壁を、上側壁から下側壁に向けて、対角的に斜切することによって、基板加熱処理室の上側壁を大面積に亘って、すなわち上側壁方向と側壁方向とを同時に、開放する事ができる。こうして、基板加熱処理室の上側壁を大面積に亘って開放するとともに、基板を載置する発熱体を必要高さまで上昇させることによって、基板加熱処理室の隅々まで手が届くので、簡単に、かつ短時間で完全に清掃する事ができ、更に発熱体の下面と基板加熱処理室底面との間の間隔を広げて簡単に清掃する事もできる。また、基板加熱処理室の上側壁方向と側壁方向とを同時に開放して清掃するので、パーティクル発塵源を、開放されている側壁方向へ完全に除去することができる。
【０００９】
また他の発明は、基板加熱処理室の上側壁に直角な前後側壁を、上側壁における左右側壁のどちらか一方の側壁に近い側を支軸として、上側壁及び左右側壁の前記支軸が配備されている側の側壁に対向する側の他方の側壁を、当該支軸を中心にして基板加熱処理室の前記上側壁及び他方の側壁で閉鎖されている部分を開放可能に、前記支軸が配備されている位置から前記他方の側壁の下側壁方向の隅部に向けて斜めに破切し、前記処理室の発熱体に昇降手段を付設すると共に、該昇降手段と処理室内とを気密に連結したことを特徴とする基板加熱処理室である。
また、 基板加熱処理室の上側壁に直角な前後側壁を、左右側壁におけるどちらか一方の側壁の下側壁に近い側を支軸として、上側壁及び左右側壁における前記支軸が配備されている側壁を、当該支軸を中心にして基板加熱処理室の前記上側壁及び前記支軸が配備されている側壁で閉鎖されている部分を開放可能に、前記支軸が配備されている位置から前記上側壁における左右側壁の前記一方の側壁に対向する他方の側壁に近い側に向けて斜めに破切し、前記処理室の発熱体に昇降手段を付設すると共に、該昇降手段と処理室内とを気密に連結したことを特徴とする基板加熱処理室である。
更に、基板加熱処理室の上側壁から下側壁に亘って側壁を対角的に斜切して開放可能に構成し、前記処理室の発熱体に昇降手段を付設すると共に、該昇降手段と処理室内とを気密に連結したことを特徴とする基板加熱処理室である。ここで、昇降手段と処理室内との気密な連結部はベローズによって気密に被覆する事によって図ったものである。
【００１０】
前記のように基板加熱処理室を構成することによって、上側壁から下側壁に亘って斜めに基板加熱処理室を大きな面積で開放することができ、また、発熱体の下面と基板加熱処理室底面との間の間隔を簡単に広げることができる。これによって、基板加熱処理室の清掃の際に人の手が入るスペースを大きく確保でき、上部と側面とから清掃作業を行う事ができ、清掃が容易な基板加熱処理室を提供できる。更に、発熱体に付設されている昇降手段は、気密に被覆されているので基板加熱処理室の真空状態の維持、基板加熱処理室と前記昇降手段の連結部からのパーティクル発塵源の混入を未然に防止できる。
【００１１】
前記方法の発明においては、基板加熱処理室の上部開放について、その具体的構成について制約がなく、要は前記処理室内の隅々まで目が届き、かつ十分な手拭きができるようにすることである。また拭き掃除に際して、隅角部まで確実にごみを拭き取るには、隅角部を皆無にするか（円弧状にする）、必要最少限にすることが望ましい。
【００１２】
前記発熱体の昇降については、基板の加熱処理時に、気密を要する為に、可動部分はベローズによって気密を保持し、昇降動力は外部で付与するようにしたが、気密性を確保し、かつパーティクルの発塵源にならない装置ならば、前記ベローズ方式と同等に採用することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
この発明は基板加熱処理室の上側壁及び側壁を可及的に広面積で開放すると共に、発熱体を昇降可能にして、前記処理室の内側の清掃が容易、かつ短時間にできるようにしたものである。
【００１４】
また基板加熱処理室の上側壁から下側壁に亘って側壁を対角的に斜切して上蓋を開閉可能に構成し、前記加熱処理室内に設置した発熱体に昇降手段を付与することによって、前記処理室を上側壁方向及び側壁方向に渡って広い面積で開放できるようにすると共に、前記処理室底と発熱体の下面との間隙を広くできるようにして容易に清掃できるようにした基板加熱処理室である。
【００１５】
【実施例】
この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１において、真空容器１の内側下部に発熱体３を支杆４に支持して設置し、該支杆４の下部に、第一の上下支持ブロック５の基端を固定し、第一の上下支持ブロック５の先端部に第二の上下支持ブロック６を前記支杆４と平行に固定し （図３）、前記第二の上下支持ブロック６は、前記真空容器１の底壁１ａの下面へ、前記支杆４と平行に固定したガイド付上下機構７に昇降自在に嵌装し、前記第二の上下支持ブロック６にボールネジ８を螺合し、ボールネジ８の下端にハンドル９を固定して昇降手段を構成してある。前記ガイド付上下機構７の一側壁には、前記第一の上下支持ブロック５のガイド溝１０が縦設されている。
【００１７】
前記発熱体３の支杆４と、真空容器１の底壁１ａとの間隙１１は、筒状のベローズ１２によって気密に被覆されている。従って前記支杆４の上昇時（図２）にはベローズ１２が収縮し、下降時（図１）にはベローズ１２が伸長するので、ベローズ１２の上下端が気密に固着してあれば、真空容器１の気密は保持される。前記真空容器１の上蓋２は、上部一側部を支軸Ａとし、下部他側隅Ｂまで前後側壁が対角的に斜切されている。なお、下部他側隅Ｂを支軸とし、上部一側部のＡで示される部分まで前後側壁を対角的に斜切する構成とすることもできる。
【００１８】
前記実施例において、真空容器１内を清掃するには、支軸Ａを中心として、上蓋２を矢示１３のように開くと共に、ハンドル９を操作し、ボールネジ８を回転し、第二の上下支持ブロック６を矢示１４のように上昇させると、支杆４を介して発熱体３が矢示１５の方向へ所望の位置まで上昇する。こうすると、図２図示のように、基板処理室（真空容器１）は、上方向及び側壁（図２中、左側）方向へ大きく開放されているので、隅々まで十分に掃除できる。また、側壁（図２中、左側）方向へ大きく開放されているので、パーティクル発塵源を側壁（図２中、左側）方向へ完全に除去できる。更に、発熱体３が持ち上げられて発熱体３の下側面と底壁１ａとの間隙部が広げられているので、この部分へも、手を入れるスペースを十分に確保する事ができ、直視しつつ手を入れて念入りに清掃することができる。
【００１９】
前記清掃終了後は、蓋２を矢示１６のように支軸Ａを中心にして回転させ、旧位置に復帰密閉させると共に、ハンドル９を操作してボールネジ８を前記と逆に回転し、第二の上下支持ブロック６を矢示１７のように下降させると、支杆４を介し発熱体３も矢示１８のように旧位置へ復帰される。
【００２０】
なお、図２中、Ｂの位置を支軸として上蓋２を矢示１３ａ、１６ａのように、回転させて真空容器１の開閉を行うことも可能である。
【００２１】
パーティクル発塵源の側壁（図２中、左側）方向への完全な除去を図るため、下側壁方向における斜めの破切位置は、図１、図２図示のように、下側壁方向の隅部に設ける事が好ましい。一方、上側壁方向における斜めの破切位置は、下側壁方向に向けて対角線的に破切した際に、大きな面積に渡って真空容器１を開放できる位置であれば、特にその位置に限定はない。ただし、大きな開放面積を確保するためには、下側壁方向の隅部Ｂと対向する隅部に近い位置にすることが好ましい。
【００２２】
以上説明してきた基板処理室の掃除方法と、基板処理室は、基板加熱処理室以外の基板処理室にも応用可能である。
【００２３】
【発明の効果】
この発明は、基板加熱処理室の上側部を可及的に大きく開放するので、処理室内の清掃時に各部を隅々まで目視し、拭き掃除を完全に行うことができる。また発熱体を上昇させることができるので、最も清掃のむつかしい発熱体の裏面、発熱体裏面と処理室底面との間等も完全に清掃できる効果がある。
【００２４】
従って清掃に要する時間も短縮化できるので、装置全体のの停止時間を短縮し、稼動効率を向上し得る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例の概念図。
【図２】同じく蓋を開放し発熱体を上昇させた状態の概念図。
【図３】同じく発熱体の昇降手段の実施例の一部を断面した拡大図。
【図４】従来の基板加熱処理室の概念図。
【符号の説明】
１ 真空容器
２ 蓋
３ 発熱体
４ 支杆
５ 第一の上下支持ブロック
６ 第二の上下支持ブロック
７ ガイド付上下機構
８ ボールネジ
９ ハンドル
１０ ガイド溝
１１ 間隙
１２ ベローズ
Claims (5)
- 基板加熱処理室の上側壁及び側壁を大面積に亘って開放すると共に、基板を載置する発熱体を必要高さまで上昇させて、前記処理室内を清掃する基板加熱処理室の清掃方法であって、基板加熱処理室は、上側壁およびこれに直角な側壁を下側壁方向に向けて対角的に斜切して上側壁方向と側壁方向とを同時に開放することを特徴とした基板加熱処理室の清掃方法。
- 基板加熱処理室の上側壁に直角な前後側壁を、上側壁における左右側壁のどちらか一方の側壁に近い側を支軸として、上側壁及び左右側壁の前記支軸が配備されている側の側壁に対向する側の他方の側壁を、当該支軸を中心にして基板加熱処理室の前記上側壁及び他方の側壁で閉鎖されている部分を開放可能に、前記支軸が配備されている位置から前記他方の側壁の下側壁方向の隅部に向けて斜めに破切し、前記処理室の発熱体に昇降手段を付設すると共に、該昇降手段と処理室内とを気密に連結したことを特徴とする基板加熱処理室。
- 基板加熱処理室の上側壁に直角な前後側壁を、左右側壁におけるどちらか一方の側壁の下側壁に近い側を支軸として、上側壁及び左右側壁における前記支軸が配備されている側壁を、当該支軸を中心にして基板加熱処理室の前記上側壁及び前記支軸が配備されている側壁で閉鎖されている部分を開放可能に、前記支軸が配備されている位置から前記上側壁における左右側壁の前記一方の側壁に対向する他方の側壁に近い側に向けて斜めに破切し、前記処理室の発熱体に昇降手段を付設すると共に、該昇降手段と処理室内とを気密に連結したことを特徴とする基板加熱処理室。
- 基板加熱処理室の上側壁から下側壁に亘って側壁を対角的に斜切して開放可能に構成し、前記処理室の発熱体に昇降手段を付設すると共に、該昇降手段と処理室内とを気密に連結したことを特徴とする基板加熱処理室。
- 昇降手段と処理室内との連結部はベローズにより気密に被覆したことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項記載の基板加熱処理室。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18647297A JP4029187B2 (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 基板加熱処理室の清掃方法及び基板加熱処理室 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18647297A JP4029187B2 (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 基板加熱処理室の清掃方法及び基板加熱処理室 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1129850A JPH1129850A (ja) | 1999-02-02 |
| JP4029187B2 true JP4029187B2 (ja) | 2008-01-09 |
Family
ID=16189082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18647297A Expired - Lifetime JP4029187B2 (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 基板加熱処理室の清掃方法及び基板加熱処理室 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4029187B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004099947A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置 |
| JP2004099948A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置 |
-
1997
- 1997-07-11 JP JP18647297A patent/JP4029187B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1129850A (ja) | 1999-02-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040709 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070704 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070928 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111026 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121026 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131026 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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