JP4018275B2 - 半導体メモリ装置のレイアウト構造 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体メモリ装置に関するものであり、より詳しくはビットライン等化用トランジスターにビットライン等化電圧を提供するためのDRAM装置のレイアウト構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図1は従来技術による半導体メモリ装置の構成を示すレイアウトである。そして、図2は図1の2−2'に従って切断された構造を示す断面図である。
【0003】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(Dynamic Random Access Memory:DRAM)の集積度を高めるためにメモリセル領域とビットライン感知増幅領域等が形成されるコアー領域及び周辺回路領域全ての工程のパターンの大きさが続けて減少されてきた。そして、そのようなパターンの大きさは半導体チップサイズを決定する重要な要素の一つである。特に、DRAMで情報を貯蔵するためのキャパシターで、キャパシターの貯蔵ポリ(storage poly)とプレートポリ(plate poly)を半導体基板上に高く重ねて形成するステック型メモリセルを使うDRAMは図1及び図2から分かるように、セルアレイ領域10でビットライン等化トランジスターが形成された領域20の間に大きな段差が存在する。
【0004】
このような段差により、ビットライン等化領域20にビットライン等化電圧VBLを提供するためのメタルラインM1と、領域20に電気的に連結されたアクティブ領域30を電気的に連結させるためのメタル−アクティブコンタクト31を形成することは非常に難しい。このような問題を解決するために、図2のキャパシターのプレートポリ22をセルアレイ領域のエッジ(edge)まで拡張する。そして、再びプレートポリ22から所定の間隔Lをおいて、ビットライン等化領域20にビットライン等化用トランジスターを配置し、そして、全てのビットライン等化用トランジスターにビットライン等化電圧VBLを提供するためにメタルラインM1とアクティブ領域30の間にコンタクト21を形成した。
【0005】
前で説明された従来技術によるレイアウトによると、メモリセル領域10のプレートポリ22からビットライン等化用トランジスターの間に大きな段差が存在するので、ビットライン等化用トランジスターのアクティブ領域n+とメタルラインM1のコンタクト21がセルアレイ領域10から遠く離れなければならない。
【0006】
このため、チップサイズが増加するようになり、これを最小化するためにメタル−アクティブコンタクト21がDRAM全体のメタル−アクティブ(n+あるいはp+)コンタクト工程のボトルネック(bottle−neck)になり、他の領域のメタル−アクティブコンタクトのサイズが大きくなる。結果的に、周辺領域等の大部分のトランジスターにおいて、メタル−アクティブコンタクトからゲートまで最小距離が大きくなり、再びチップサイズを増加させる問題を誘発する。
【0007】
これは現在、大部分のDRAMでメタル−アクティブコンタクト工程を形成するに一番難しい工程がビットライン等化領域20ということが、このような問題を示している。又、ビットライン等化領域20がビットライン等化電圧VBLを提供するメタルラインM1と全てのビットライン等化用トランジスターがメタル−アクティブコンタクトが形成され、メタルラインM1が過ぎる時に比べて、コンタクトオバーラップ(contact overlap)により、メタルライン空間が相対的に減少され、メタルラインブリッジマージン(metal line bridge margin)つまり、アクティブ領域30とプレートポリ22の間のマージンとアクティブ領域30と等化メタルラインM2のマージン側面でも脆弱な問題点を持つ。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的はチップサイズを増加させず、ビットライン等化電圧を供給し、メタル−アクティブコンタクト工程及びメタルライン空間マージンを確保することができるDRAM装置のレイアウトを提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上述したような目的を達成するための本発明の一つの特徴によると、少なくとも一つの主表面を持つ第1導電型の半導体基板と、半導体基板の主表面に形成され、各々がロー及びカラムで配列された複数のメモリセル、ローに従って、伸張する複数のワードライン及びカラムに従って、伸張する複数のビットラインを持つ複数のセルアレイ領域と、半導体基板の主表面に形成され、セルアレイ領域の間に、そして、ロー方向に配列された複数のワードライン駆動領域と、半導体基板の主表面に形成されたセルアレイ領域の両側に配列され、ビットラインを通じて対応するセルアレイ領域に連結される複数のビットライン等化領域と、セルアレイ領域とビットライン等化領域の間に、そして、ビットラインと垂直される方向に配列され、ビットライン等化領域と電気的に連結された半導体基板の主表面に形成された少なくとも一つの第2導電型の不純物領域及び、ロー方向に伸張し、そして、不純物領域の上部に形成され、不純物領域にビットライン等化電圧を供給するためのメタルラインを含み、メタルラインと不純物領域を電気的に連結させるためのコンタクトが単にワードライン駆動領域の両側に形成される。
【0010】
この態様において、メモリセルは情報貯蔵用スタックキャパシター(stacked capacitor)及びスイッチングトランジスターで構成される。
【0011】
本発明の他の特徴によると、少なくとも一つの主表面を持つ第1導電型の半導体基板と、半導体基板の主表面に形成され、各々がロー及びカラムで配列された複数のメモリセル、ローに従って伸張する複数のワードライン及びカラムに従って伸張する複数のビットラインを持つ複数のセルアレイ領域と、半導体基板の主表面に形成され、セルアレイ領域の間に、そして、ロー方向に配列された複数のワードライン駆動領域と、半導体基板の主表面に形成されたセルアレイ領域の両側に配列され、ビットラインを通じて対応するセルアレイ領域に連結される複数のビットライン等化領域と、セルアレイ領域とビットライン等化領域の間に、そして、ビットラインと垂直される方向に配列され、ビットライン領域と電気的に連結された半導体基板の主表面に形成された少なくとも一つの第2導電型の不純物領域及び、ロー方向に伸張して、そして、不純物領域の上部に形成され、不純物領域にビットライン等化電圧を供給するためのメタルラインを含み、メタルラインと不純物領域を電気的に連結させるためのコンタクトがセルアレイ両側に形成されなく、但しワードライン駆動領域とビットライン等化領域が交差する領域に形成される。
【0012】
【作用】
このような、レイアウトにより、メモリセル領域の両側にビットライン等化用トランジスターのアクティブ領域とメタルラインとのコンタクトを形成しないで、ワードライン駆動領域の両側に形成することにより、チップサイズを減少させることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態による参照図面、図3に依拠して詳細に説明する。
【0014】
図3において、図1及び図2の構成要素と同一な機能を持つ構成要素に対して同一の参照番号を併記する。
【0015】
図3を参照すると、本発明の新規なレイアウトはアクティブ領域100を提供し、アクティブ領域100はアレイ領域10とビットライン等化領域20の間に、そして、ビットラインと垂直な方向に配列され、ビットライン等化領域20と電気的に連結された半導体基板の主表面に形成されている。そして、ビットライン等化電圧VBL用メタルラインM1とアクティブ領域100を電気的に連結させるためのメタル−アクティブコンタクト102が単にワードライン駆動領域104の両側、すなわち、領域104とビットライン等化領域20が交差する領域に形成される。
【0016】
これで、スタック型キャパシターを使うDRAM装置において、メモリセルアレイ領域10とビットライン等化領域20の間の距離を近く配列することができるので、従来に比べて相対的にチップサイズを減少させるだけでなく、工程マージン及びメタルライン空間を十分に確保することができる。
【0017】
再び、図3を参照すると、本発明の好ましい実施形態による半導体メモリ装置の構成を示すレイアウトが図示されている。
【0018】
本発明の半導体メモリ装置は半導体基板1の主表面に形成されたメモリセルアレイ領域(memory cell array regions)10,ワードライン駆動領域(word line driving regions)104,ビットライン等化領域(bit line equalizing regions)20及びアクティブ領域100を含む。
【0019】
それぞれのメモリセルアレイ領域10は、図面には図示されていないが、ローとカラムで配列され、各々がスタックキャパシター及びスイッチングトランジスターで構成された複数のメモリセルを含む。そして、メモリセルアレイ領域10はロー方向に伸張するワードライン(図示されない)及びカラム方向に伸張する複数のビットラインBL2nを含み、よく知られているように、ビットラインBL2nは、組であるビットラインBL0及び−BL0、BL1及び−BL1、…、BLn及び−BLnからなっている。
【0020】
ワードライン駆動領域104に各メモリセルアレイ領域10に提供されたワードライン中、一つを選び、そして、選択されたワードラインを活性化させるための駆動回路及びコーディング回路が提供されることはこの分野の通常的な知識を習得した人々に自明である。そして、メモリセルアレイ領域10の両側に配列されたビットライン等化領域20は対応するビットラインの組をを所定の電圧(要すると、1/2VCC)で等化するための、信号ラインあるいはメタルラインPEQあるいはM1に制御される三つのNMOSトランジスターM1―M3で構成される。
【0021】
トランジスターM1及びM2の電流通路は対応するビットラインの組BLn及び−BLnの間に形成されており、そのソース及びドレーンはアクティブ領域100に電気的に連結されている。そして、トランジスターM3の電流通路は対応するビットの組BLn及び−BLnの間に形成されている。図3から分かるように、信号ラインM1がハイレベル(high level)に活性化される時、トランジスターM1―M3が導電され、対応するビットラインの組BLn及び−BLnをアクティブ領域100から提供されたビットライン等化電圧VBLつまり1/2VCCで等化する。
【0022】
そして、アクティブ領域100はメモリセルアレイ領域10及びワードライン駆動領域104の両側に沿って、ワードライン方向に配列され、トランジスターのソース及びドレーンと同一な導電型を持つ不純物領域として半導体基板1の主表面に形成される。そして、アクティブ領域100はプレートポリ22と所定間隔Lをおいて形成され、図1のそれと異なり、分割されていない連続した状態で形成されている。
【0023】
続けて、アクティブ領域100にビットライン等化電圧VBLを提供するためのメタルラインM1とアクティブ領域100のメタル−アクティブコンタクト102は従来とは異なり、メモリセルアレイ領域10の片側に形成されない。すなわち、ワードライン駆動領域104の両側に、言い換えれば、ワードライン駆動領域104とビットライン等化領域20が交差するところに形成されている。
【0024】
メモリセルアレイ領域の段差が周辺及びコアー領域のそれに比べて相対的に高いスタック型キャパシターを持つDRAM装置において、メタル−アクティブコンタクト102がメモリセルアレイ領域10の側面に形成されず、ワードライン駆動領域104の側面に形成されることにより、ビットライン等化領域20に形成されるトランジスターM1―M3とメモリセルアレイ領域10の間の間隔が従来に比べて狭くなる。
【0025】
言い換えれば、メタル−アクティブコンタクト102をその間に形成しないので、コンタクト102により確保しなければならない領域が不必要となり、それに応じて間隔を狭くすることができる。すなわち、それに応じてチップサイズを減少させることができる。そして、段差が高い領域にメタル−アクティブコンタクト102を形成しないので、工程マージンを改善するだけでなく、コンタクトオバーラップが不必要になるので、メタルライン空間を大きくすることができる。
【0026】
【発明の効果】
前述したように、ビットライン等化電圧を供給するためのアクティブ領域を分割しないで、連続的な状態で形成し、そして、アクティブ領域とそれに対応するメタルラインのコンタクトをワードライン駆動領域とビットライン等化領域が交差する領域に配列することにより、チップサイズを減少させることができ、工程マージンを改善するとともに、メタルライン空間を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術によるDRAM装置の構成を示すレイアウトである。
【図2】 図1の2−2’に従って切断された構造を示す断面図である。
【図3】 本発明のよるDRAM装置の構成を示すレイアウトである。
【符号の説明】
10:メモリセルアレイ領域
20:ビットライン等化領域
30,100:アクティブ領域
21,102:メタルコンタクト
104:ワードライン駆動領域
Claims (4)
- 少なくとも一つの主表面を持つ第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の主表面に形成され、各々がロー及びカラムで配列された複数のメモリセル、前記ローに従って、伸張する複数のワードライン及び前記カラムに従って、伸張する複数のビットラインを持つ複数のセルアレイ領域と、
前記半導体基板の主表面に形成され、前記セルアレイ領域の間に、そして、ロー方向に配列された複数のワードライン駆動領域と、
前記半導体基板の主表面に形成された前記セルアレイ領域の両側に配列され、前記ビットラインを通じて対応する前記セルアレイ領域に連結される複数のビットライン等化領域と、
前記セルアレイ領域と前記ビットライン等化領域の間に、そして、前記ビットラインと垂直な方向に配列され、前記ビットライン等化領域と電気的に連結された前記半導体基板の主表面に形成された少なくとも一つの第2導電型の連続する不純物領域及び、
前記ロー方向に伸張し、そして、前記第2導電型不純物領域の上部に形成され、前記第2導電型の不純物領域に所定のビットライン等化電圧を供給するためのメタルラインを含み、
前記メタルラインと前記不純物領域を電気的に連結させるためのコンタクトがワードライン駆動領域の両側のみに形成される半導体メモリ装置のレイアウト構造。 - 前記メモリセルは情報貯蔵用スタックキャパシター及びスイッチングトランジスターからなる請求項1に記載の半導体メモリ装置のレイアウト構造。
- 少なくとも一つの主表面を持つ第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の主表面に形成され、各々がロー及びカラムで配列された複数のメモリセル、前記ローに従って伸張する複数のワードライン及び前記カラムに従って伸張する複数のビットラインを持つ複数のセルアレイ領域と、
前記半導体基板の主表面に形成され、前記セルアレイ領域の間に、そして、ロー方向に配列された複数のワードライン駆動領域と、
前記半導体基板の主表面に形成された前記セルアレイ領域の両側に配列され、前記ビットラインを通じて対応する前記セルアレイ領域に連結される複数のビットライン等化領域と、
前記セルアレイ領域と前記ビットライン等化領域の間に、そして、前記ビットラインと垂直な方向に配列され、前記ビットライン等化領域と電気的に連結された前記半導体基板の主表面に形成された少なくとも一つの第2導電型の連続する不純物領域及び、
前記ロー方向に伸張して、そして、前記不純物領域の上部に形成され、前記不純物領域にビットライン等化電圧を供給するためのメタルラインを含み、
前記メタルラインと前記不純物領域を電気的に連結させるためのコンタクトがセルアレイ領域両側に形成されなく、但しワードライン駆動領域と前記ビットライン等化領域が交差する領域に形成される半導体メモリ装置のレイアウト構造。 - 前記不純物領域が前記ロー方向に連続して伸張する請求項1又は3に記載の半導体メモリ装置のレイアウト構造。
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